TW200813254A - Improved electroless copper compositions - Google Patents
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Description
200813254 ^ 九、發明說明: ‘【發明所屬之技術領域】 。 本發明係關於改良之無電鍍銅組成物。更具體而言, 本發明係關於安定、提供均勻的銅沉積物且環保的改良之 無電艘銅組成物。 【先前技術】 無電鍍銅鍍覆組成物(plating composition),亦稱為鍍 浴(bath) ’係廣泛地用在金屬化工業中,以將銅沉積於各式 馨各樣的基材。於印刷線路板的製造中,例如:該無電鍍銅 鐘/合係用於將麵I沉積於通孔(through-hole)及電路通道 (circuit path)作為後續電解銅鍍覆的基底。無電鐘銅鏡覆亦 用於裝飾性塑膠工業中,以將銅沉積於非導電表面作為進 一步鍍覆銅、鎳、金、銀及其它所需金屬之基底。現今在 商業上使用的典型鍍浴含有二價銅化合物、二價銅離子的 螯合劑或錯合劑、曱醛還原劑及各式各樣的添加劑,以使 _該鑛浴更加安定、調整該鍍覆速率及使該銅沉積物明亮。 、雖然許多此等鍍浴是成功的且被廣泛地使用,但由於甲醛 的毒性之故,該金屬化工業仍在尋找不含曱醛之替代性無 電鍍銅鍍覆浴。 甲越已知為眼睛、鼻子及上呼吸道刺激物。動物研究 顯示甲醛為體外之突變劑(mutagen)。根據WATCH委員t 報告(WATCH/2005/06-管制化學品作用的工作團隊英國健 康及安全委員會的小組委員會)(WATCH/2005/06-Working group on Action to Control Chemicals-sub committee with 5 93995 200813254 UK Health and Safety Commission),在 2000 年之前已進行 ‘超過五十份流行病學研究,提出甲醇與鼻咽癌/鼻癌之間的 、關聯,但並未經過最終證實。然而,美國的IARC(國際癌 症研究機構;International Agency for Research on Cancer) 所進行之更近期的研究顯示有足夠流行病學證據證實甲醛 在人體内造成鼻腔癌。於是,INRS(法國機構)提出提案至 歐洲共同體分類及標記工作群組(European Community Classification and Labelling Work Group)將甲酿自等級 3 _致癌物重新分類為等級1致癌物。此舉將使得甲醛的使用 及處理受到更多的限制,包含無電鍍銅的配方。因此,在 金屬化工業中,對於用以替代甲酸之相當的或經改良的還 原劑係有所需求。此等還原劑必須與現行的無電鍍銅製程 相容;提供所欲的能力及可信賴性,以及符合成本目標。 次磷酸鹽已被提出用來替代曱醛;然而,含有此化合 物之鍍浴的鍍覆速率一般而言都太慢。含硼化合物諸如二 泰甲基胺硼烷(DMAB)或硼氫化鈉經嘗試有各種不同程度的 成效,但此等化合物顯然較昂貴,且有健康及安全上的爭 議,所得的硼酸鹽釋放至環境對作物具有不利的影響且 DMAB具毒性。 U.S· 6,331,239揭露一種不含有甲酿之驗性無電鍍銅 鍍浴。其係使用聽類例如葡萄糖(grape sugar ; glucose)、 山梨糖醇、纖維素 '蔗糖、甘露糖醇及葡萄糖酸内酯作為 還原劑。該無電鐘銅鏡浴亦包括乙内醯脲(hydantoin)作為 錯合劑。此揭示内容宣稱該醣類及乙内醯脲對鍍浴提供了 6 93995 200813254 安定性。然而,在使用醣類例如葡萄糖及山梨糖醇進行的 ‘鍍覆及安定性試驗已證明,這些鍍浴係太過於安定以致無 ,鍍覆產生。因此,仍然需要無曱醛且兼具安定性、提供可 接受的銅沉積物的無電鍍銅鍍浴。 【發明内容】 於一態樣中,本發明組成物包括一種或多種銅離子來 源 種戈夕種每自乙内§&腺及乙内酿腺衍生物的整合 馨』及種或多種選自果糖及果糖酯(fructose ester)的還原 劑。 於另一態樣中,本發明方法包括a)提供基材;以及 b)使用無電鍍銅組成物於基材上無電沉積⑷ depositing)銅,該無電鍍銅組成物包含一種或多種銅離子 來源、一種或多種選自乙内醯脲及乙内醯脲衍生物的螫合 片1及種或多種選自果糖及果糖酯(fructose esters)的還 φ原劑。 ; 樣中本务明方法包括a)提供具有複數個通 孔的印刷線路板;b)去除該等通孔的膠渣(desmear);以及 C)使用無電鍍銅組成物於通孔壁上沉積銅,該無電鍍銅組 成物包含-種或多種銅離子來源、—種或多種選自乙内釀 腺及乙内醯脲衍生物的螫合劑、及一種或多種選自果糖及 果糖S旨的還原劑。 々再〜彳;'中本發明热電鑛銅組成物可包括一種戋 多種額外的金屬離子以在基材上沉積銅合金。此類額外的 93995 7 200813254 0 金屬離子包括錫、鎖、銀及金。 。由於該無電鐘銅洛不含f醛,因此係環保的。 無=銅鑛覆組成物在儲存期間及鋼沈積期㈣安定 #/ ㈣之無_鍍浴提供均^的銅沈積物,該 銅仏積物具有均勻的粉紅色及平滑外觀,而且—般入 商業上可接受的無電鐘銅洛所 兮又付" , Λ. 一 厓呆知旱。該m電鍍銅 .、且成物也此以商業上可接受的速度鍍銅。 【實施方式】 當用於本說明書全文時,除非内文另有清楚 供的縮寫具有下述涵義:g=克; 2.54 ; ;
=摄刀央=:,min.一分鐘;ppm=每百萬份中之份數’· °C ’ =莫耳濃度;g/L=每公升克數;wt〇/〇=重量百分 :斤)S璃轉移溫2度;及達因 公斤)(102公尺)/秒2=1〇·5牛頓。 ,本說明書中’術語“印刷電路c board),,及“印刷線路板 n Ult ㈣。Siti_,可交換使/。= f後(platlng)及“沉積 記,否則所有的量均為重旦百=力的單位。除非另有註 上、,…為重里百刀比。所有數值範圍皆包含 】00〇/ 矛了此等數值範圍邏輯上必然受到總和至多 100%之限制外,餘皆可以任何順序組合使用。 夕 且成物不含曱趁而且係環保的。 間及無電㈣沈積期間亦為安定的。料組成物提供^ 93995 8 200813254 * 紅色外觀之均勾銅沈積物。該等组成物包括一種 -/或=銅離子來源、—種或多種選自乙内曜及乙内_ ,竹生物之螯合劑、以及一種或多 原劑。 夕種"自果糖及果糖醋的還 銅離子來源包含,但不限於,銅的水溶性齒化物、石肖 酸鹽'乙酸鹽、硫酸鹽及其它有機及無機鹽。一種或多種 此等銅鹽之混合物可用來提供鋼離子。實例包含:硫酸銅, 例如’五水合硫酸銅;氯化銅;確酸銅;氯氧化銅;及胺 基石黃酸銅。習知銅鹽的量可用於該組成物。該組成物中銅 離子的濃度範圍可自〇.5g/L至3〇g/L,或例如自够至 2〇g/L ’ 或例如自 5g/L 至 l〇g/L。 螯合劑係選自一種或多種乙内醯脲及乙内醯脲衍生 物。乙内醯脲衍生物包含,但不限於,^基乙内醯脲、 U-二甲基乙内醯脲、5,5_二甲基乙内醯脲及尿囊素 (allantoin)。典型地,該螯合劑係選自乙内醯脲、5,5_二甲 基乙内醯脲及尿囊素。更典型地,該螯合劑係選自、5_二 曱基乙内醯脲。最典型地,該螯合劑為5,5-二甲基乙内醯 脲。此等螯合劑於該組成物中的含量為2〇g/L至15〇g/Lp 或例如自30g/L至100g/L,或例如40g/L至80g/L。 還原劑係選自一種或多種果糖及果糖酯。果糖酷包 括’但不限於’果糖已酸醋(fruct〇se 、果糖庚酸 酯及果糖戊酸酯。典型地,該還原劑為果糖。還原劑的含 量為10 g/L至100 g/L或例如20 g/L至80 g/L,或例如 30 g/L· 至 60 g/L· 〇 93995 9 200813254 ^ 視需要地,該無電鍍銅組成物中可包含無電鍍組成物 ‘之習知添加劑。習知添加劑包括,但不限於,一種或多種 ,錯合劑、額外的螫合劑、安定劑(包括可調整機械性質、提 供速率控制、精製晶粒結構(grain structure)及緩和沉積應 力者)、缓衝劑及一種或多種合金化金屬(alloying metal)來 源。 視需要的習知添加劑包含,但不限於:含硫化合物, 例如,疏基破ίό酸、二硫代二琥珀酸(dithiodisuccinic 馨acid)、魏基0比唆、疏基苯并嗔嗤、硫脲;化合物,例如, ϋ比σ定、嗓呤、啥琳、°引ϋ朵、弓丨嗤、u米嗤、吼哄及其衍生物; 醇類,例如,炔醇、烯丙醇、芳基醇及環狀酚;經羥基取 代之芳族化合物,例如,3,4,5-三羥基苯甲酸曱酯、2,5-二 羥基-1,4-苯醌及2,6-二羥基萘;羧酸,例如,檸檬酸、酒 石酸、琥珀酸、蘋果酸、丙二酸、乳酸、乙酸及其鹽;胺 類;胺基酸;水溶性金屬化合物,例如,金屬氯化物及金 φ屬硫酸鹽;石夕化合物,例如,石夕烧、石夕氧烧及低至中等分 子量的聚矽氧烷;鍺及其氧化物和氳化物;以及聚伸烷基 二醇(poly alkylene gly col)、纖維素化合物、烧基苯基乙氧 基化物及聚氧伸乙基化合物(polyoxyethylene compound);以及安定劑,例如,塔哄、甲基娘唆、1,2_ 二-(2-吡啶基)乙烯、1,2-二-(吡啶基)乙烯、2,2’·二吡啶基 胺、2,2’-聯吡啶、2,2’-聯嘧啶、6,6,_二曱基-2,2’-聯吡啶、 二-2-吼 σ定基酮(di-2-pyridylketone)、N,N,N,,N,-四伸乙二 胺、萘、1,8-嘹啶、1,6-嘹啶、四硫富瓦烯 10 93995 200813254 (tetrathiafulvalene)、三聯吡啶、鄰苯二甲酸、間笨二甲酸 .及2,2’-二苯甲酸。此等添加劑於該無電鍍銅組成物中的含 ,量可為0·01ΡΡπι至l000ppm,或例如自〇 〇51)脾至1〇卯· 其他視需要的添加劑包括,但不限於,羅謝耳艤 (Rochelle salt)、伸乙二胺四乙酸之鈉鹽、氮基乙酸及其鹼 金屬鹽、二乙醇胺、經修飾之伸乙二胺四乙酸如:經基 伸乙二胺三乙酸鹽、經羥烷基取代之二伸烷基三胺如:五 罗工基丙基一伸乙二胺、以及化合物如:n,N-二緩甲美l •麩胺酸四鈉鹽。此外,亦可包含s,s-伸乙二胺二琥珀酸及 N,N,N’,N’-肆(2-羥丙基)伸乙二胺(伸乙基二氮基)四_2_丙 醇。典型地,此等化合物係使作用為錯合劑以保持溶液中 的銅(II)。此等化合物可以習知的量包含於該組成物中。典 型地,此等化合物的含量為自lg/L至5〇g/L,或例如自 l〇g/L· 至 40g/L· 〇 該等組成物中也可包括界面活性劑。該等組成物中可 _包括習知界面活性劑。此等界面活性劑包括離子型、非離 子型及兩性界面活性劑。該離子型界面活性劑包括習知陰 雔子型及陽離子型界面活性劑。該等界面活性劑典型為非 離子型的。非離子型界面活性劑的實例為烷基苯氧基聚乙 氧基乙醇類、具有20至150個重複單元的聚氧伸乙基聚合 物(polyoxyethylene polymer)、及聚氧伸乙基 (polyoxyethylene)與聚氣伸丙基(p〇iy〇Xypr〇pyiene)的嵌段 共聚物。界面活性劑可以習知用量使用。典型地,界面活 性劑的用置為〇.5g/L至20g/L,或例如自ig/L至i〇g/L。 93995 11 200813254 驗性化合物係包含於該無電 .PH值為9以及更高。^鍍復組成物中以維持 ,πρΗ值疋所欲的,因為還原劑的氣 位WpH值的增加而轉移至較大負值,因3 銅的沉積作用是埶力學上右 更伸該 後組成物具有Η)至14之邱值。更典型地 = 鍍覆組成物具有11.5至13.5之邱值。 …、電鎮銅 -種或多種可提供在所欲的ρΗ值範 物之化合物皆可使用。鹼性化合物包含,但不限於f,2 或多種驗性氫氧化物,如:氫氧化納、氣氧化鉀及氣氧化 鋰。典型地’係使用氫氧化納、氫氧化_或其混合物。更 典型地,係使用氫氧化納。此等化合物的含量可為$机至 100g/L,或例如自 10g/L 至 8〇g/L。 該等無電鍍組成物中亦可包括一種或多種合金化金 屬,以形成銅的二元或三元合金。此等合金化金屬包括γ 但不限於,鎳及錫。銅合金的實例包括銅/鎳及銅/錫。該 銅合金典型為銅/鎳。 鎳離子來源可包括一種或多種習知鎳的水溶性鹽。鎳 離子來源包括,但不限於,硫酸鎳及鹵化鎳。鎳離子來源 可以習知用量含於該等無電鍍合金化組成物中。鎳離子來 源的典型含量為〇.5g/L至l〇g/L或例如自! §/1至5g/L。 錫離子來源可包括一種或多種習知錫的水溶性鹽。錫 離子來源包括,但不限於,硫酸錫、齒化錫及有機磺酸錫。 錫離子來源可以習知用量含於該等無電鍍組成物中。錫離 子來源的典型含量為0.5 g/L至1〇 g/L,或例如1 g/L至5 93995 200813254 "g/L。
該無電鍍銅及銅合金組成物可用於在導電性及非導電 性基材二者上沈積銅或銅合金。該無電鍍組成物 (electroless composition)可依許多此技藝中已知的習知方 法使用。銅或銅合金沈積典型在⑼它至8〇χ:的溫度進行。 該等無電賴成物更典型在3(Γ(:1⑽的温度^積鋼 銅合金。將欲鍍覆銅或銅合金的基材浸潰在該無電鍍組成 物中或將該無電鍍組成物喷灑在該基材上。可使用^知的 鍍覆時間將該銅或銅合金沉積於該基材。沉積作用可進行 5秒至30分鐘;然而,鍍覆時間可視該基材上所欲的鋼^ 銅合金厚度而異。 / 銅或銅合金的鍍覆速率範圍可自〇1微米/2〇分鐘至5 微米/20分鐘,或例如自0.25微米/20分鐘至4微米/2〇八 鐘。典型地,銅或銅合金的鍍覆速率範圍可自〇·5微米 为鐘至3微未/20分鐘。 基材包括,但不限於,包含無機及有機物質的材料, 例如:玻璃、陶瓷、瓷、樹脂、紙、布料及其組合。金屬 被覆(metal-clad)及未被覆(unclad)的材料亦為可利用該無 電鏡銅或銅合金組成物予以鑛覆之基材。 基材亦包括印刷電路板。此等印刷電路板包括金屬被 覆及未被覆的熱固性樹脂、熱塑性樹脂及其組合,包含纖 維如:玻璃纖維,以及前述各者的浸潰具體例。 熱塑性樹脂包括,但不限於:縮醛樹脂;壓克力 (acrylics),例如,丙烯酸曱酯;纖維素樹脂,例如,乙酸 93995 13 200813254 乙酯、丙酸纖維素、乙酸丁酸纖維素及硝酸纖維素;聚醚; -尼龍,聚乙烯;聚苯乙烯;笨乙烯摻合物,例如,丙烯睛 •苯乙烯與共聚物、以及丙烯腈_丁二烯苯乙烯共聚物;聚碳 酸酯;聚氯三氟乙烯;以及乙烯系聚合物與共聚物,例如反 乙酸乙烯酯、乙烯醇、乙烯縮丁醛(vinylbutyral)、氯乙烯、 氯乙烯-乙酸酯共聚物、二氯乙烯及乙烯縮甲醛 formal) ° 熱固性樹脂包括,但不限於:鄰苯二甲酸烯丙酯、呋 籲喃、二聚氰胺·甲醛、酚-曱醛及酚_糠醛共聚物,其係單獨 存在或是與下列各者化合··丁二烯丙烯腈共聚物或丙烯腈_ 丁二烯-苯乙烯共聚物、聚丙烯酸系酯、矽酮(silicone)、尿 素甲醛、環氧樹脂、烯丙基樹脂、鄰苯二甲酸甘油酯及聚 酯。 、夕孔性材料包括,但不限於:紙、木頭、玻璃纖維、 布料及纖維,例如,天然及合成纖維,例如··棉質纖維及 •聚酯纖維。 該等無電鍍銅及銅合金組成物可用來鍍覆低&樹脂 及高Tg樹脂兩者。低Tg樹脂具有低於16〇。〇之Tg,而高 Tg樹脂具有160。〇及高於160X:的Tg。典型地,高Tg樹脂 八有160 C至280 C之Tg,或例如自i70°C至240°C之Tg。 鬲Tg ♦ δ物树脂包括,但不限於,聚四氟乙烯(ptfe)及聚 四氟乙烯#合物。此等摻合物包括,例如,pTFE與聚氧 ,一甲苯(p〇lyphenylene oxide)及氰酸酯摻合。包含高& 树月曰之其他種類的聚合物樹脂包括,但不限於:環氧樹脂, 93995 14 200813254 例如雙g此及多官能環氧樹脂、雙馬來醯亞胺/三哄及環 -氧树月曰(ΒΤ Μ脂)、環氧樹脂/聚氧化二甲苯樹脂、丙婦猜 •丁 一烯苯乙烯、聚碳酸酯(pc)、聚氧化二甲苯(ρρ〇)、聚苯 鍵(PPE)、λκ苯硫鍵分叫、聚颯(ps)、聚醯胺、聚酯(如: 承對本一甲酉文乙一酉曰(ΡΕτ ; poiyethyieneterephthalate)及對 苯一甲酸 丁一酿(PBT ; p〇lybutyleneterephihalaie》、聚醚 酮(PEEK) '/夜晶聚合物、聚胺基甲酸醋、聚醚醯亞胺、環 氧樹脂及其複合材料。 ® Μ貫_巾’該無電鍍組成物可用於將銅或銅 合金沉積於印刷電路板的通孔壁或導孔(via)壁。該無電鍍 組成物可用於製造印刷電路板的水平及垂直製程兩者。 於一具體貫施例中,通孔是藉由鑽孔或衝切(punching) 或任何此技勢中已知的其他方法在印刷電路板中形成。於 通孔形成後’將該板以水及習知有機溶液洗滌以清潔並去 除該板的油污’接著再去除該通孔壁的膠渣。典型地,去 _除該通孔膠/查的步驟是由施加溶劑溶脹劑(s〇lvent swell) 開始。 任何習知的溶劑溶脹劑皆可用於去除該通孔的膠渣。 溶劑溶脹劑包括,但不限於,二醇醚以及其相關之醚乙酸 酯。可使用習知用量的二醇醚及其相關之醚乙酸酯。此等 溶劑溶脹劑已為此技藝中所熟知。商業上可購得之溶劑溶 脹劑包括,但不限於,CIRCUPOSIT CONDITIONER™ 3302、CIRCUPOSIT HOLE PREPTM 3303 及 CIRCUPOSIT HOLE PREPTM 4120 (得自 Rohm and Haas Electronic 15 93995 200813254
Materials,Marlborough,ΜΑ)。 - 視需要地,將該通孔以水洗滌。接著將促進劑施加至 •該通孔。習知的促進劑皆可使用。此等促進劑包括硫酸、 鉻酸、鹼性過錳酸鹽或電漿蝕刻。典型地,係使用鹼性過 錳酸鹽作為促進劑。商業上可購得之促進劑的實例為 CIRCUPOSIT PROMOTER™ 4130,得自 Rohm and Haas Electronic Materials,Marlborough,ΜΑ。 視需要地,將該通孔再次以水洗滌。接著將中和劑施 ⑩加至該通孔以中和該促進劑所留下之任何殘留物。習知的 中和劑皆可使用。典型地,該中和劑為含有一種或多種胺 之鹼性水溶液、或是含3重量%過氧化物及3重量%硫酸 的溶液。視需要地’將該通孔以水洗務並使該印刷電路板 乾燥。 去除膠渣後,可施加酸性或驗性調整劑(conditioner) 至該通孔。習知的調整劑皆可使用。此等調整劑可包含一 φ種或多種陽離子型界面活性劑、非離子型界面活性劑、錯 合劑及pH調節劑或緩衝劑。商業上可購得之酸性調整劑 包括,但不限於,CIRCUPOSIT CONDITIONER™ 3320 及 CIRCUPOSIT CONDITIONER· 3327,得自 Rohm and Haas Electronic Materials,Marlborough, ΜΑ。適當的驗性調整劑 包括,但不限於,含有一種或多種四級胺及聚胺的鹼性界 面活性劑水溶液。商業上可購得之驗性界面活性劑包括, 但不限於,CIRCUPOSIT CONDITIONER™ 231,3325,813 及 860,得自 Rohm and Haas Electronic Materials。視需要 16 93995 200813254 地,該通孔在調整(containing)後以水洗滌。 、 調整後,接著微蝕刻該通孔。習知的微蝕刻組成物皆 •可使用。微蝕刻是刻意用來在經曝露之銅(例如:内層及表 面蝕刻)提供微粗糙化的銅表面,以增強隨後經沉積之無電 鍍及電鍍物的附著。微蝕刻劑包括,但不限於,60g/L至 120g/L的過琉酸鈉,或是氧單過硫酸鈉或鉀(sodium or potassium oxymonopersulfate)及硫酸(2%)混合物,或是通 用的硫酸/過氧化氳。商業上可購得之微蝕刻組成物的實例 _ 包括:CIRCUPOSIT MICROETCHtm 3330,得自 Rohm and Haas Electronic Materials。視需要地,將該通孔以水洗滌:。 接著將預浸劑(pre-dip)施加於該經微蝕刻之通孔。預 浸劑的實例包含2°/◦至5%的鹽酸或含25g/L至75g/L氯化 鈉之酸性溶液。視需要地,將該通孔以冷水洗條。 接著將催化劑施加至該通孔。任何習知的催化劑皆可 使用。催化劑的選擇係取決於欲沉積於該通孔壁的金屬種 _類。典型地,該催化劑為貴金屬及非貴金屬之膠狀體 (colloid)。此等催化劑為此技藝中所熟知,許多此等催化 劑為商業上可購得或可依據文獻製備。非責金屬催化劑的 實例包括:銅、鋁、鈷、鎳、錫及鐵。典型地,係使用貴 金屬催化劑。適當的貴金屬膠狀體催化劑包括,例如,金、 銀、銘、把、銀、姥、釕及锇。更典型地’係使用銀、銘、 金及Ιε的貴金屬催化劑。最典型地’係使用銀及把。適當 的商業上可購得之催化劑包括,例如,CIRCUPOSIT CATALYST™ 334 及 CATAPOSITtm 44,得自 Rohm and 17 93995 200813254
Haas Electronic Materials。該通孔視需要可於施加催化劑 〜後以水洗滌。 。 接著將該通孔壁以上述無電鍍組成物鍍覆銅或銅合 金。典型地,係將銅鍍覆於該通孔壁。鍍覆時間與溫度亦 如上所述。 將銅或銅合金沉積於該通孔壁之後,視需要以水洗滌 該通孔。視需要地,可施加抗銹餘組成物(anti-tarnish composition)至該沉積於通孔壁之金屬。習知的抗銹蝕組成 ⑩物皆可使用。抗銹蝕組成物的實例包括:ANTI TARNISH™ 7130 及 CUPRATECtm 3 (得自 Rohm and Haas Electronic Materials)。該通孔可視需要在超過3〇°〇的溫度以熱水洗 務,接著可使該板乾燥。 於一替代性具體例中,該通孔可在去除膠渣後以鹼性 氫氧化物溶液處理,以製備用於無電沉積銅或銅合金的通 孔。此鍍覆通孔或導孔之替代性具體例典型地係在製備用 馨於鍍覆之高Tg板時使用。使該鹼性氫氧化物溶液接觸談通 孔30秒至120秒,或例如60秒至90秒。於該去除該通孔 膠渣及鍍覆該通孔的步驟之間施加該鹼性氳氧化物組成 物,使該通孔壁受到催化劑良好的覆蓋,致使銅或銅合金 覆蓋於該壁。該鹼性氫氧化物溶液為氫氧化鈉水溶液、氫 氧化鉀水溶液及其混合物。該氫氧化物含量為〇 · 1 g/L至 100g/L,或例如自5g/L至25g/L。典型地,該氫氧化物於 該溶液中之含量為15g/L至20g/L。典型地,該鹼性氫氧 化物為氫氧化鈉。如果該驗性氳氧化物溶液為氫氧化鈉及 18 93995 200813254 虱氧化鉀之混合物,該氳氧化鈉及氫氧化鉀的重量比為^ •至1:1,或例如自3:1至2:1。 ”、、 * "視需要地’可添加-種或多種界面活性劑至該驗性氮 氧化物溶液。典型地,該界面活性劑為非離子型界面活性 劑。該界面活性劑降低表面張力以賦予該通孔適當的濕 潤。施加該界面活性劑後,該通孔的表面張力範圍^自 達因/公分至50達因/公分,或例如自3〇達因/公分至4〇 達因/公分。當使用該鹼性氫氧化物溶液來處理小通孔以防 響止扇形崩口形成(flaring)時,典型地,該界面活性劑係包 含於配方中。小通孔的直徑範圍典型為〇 2mm至〇 5匪。 地,大通孔的直徑範圍典型為〇5mm至imm。通孔的 深寬比(aspect ratio)範圍可自ι··ι至2〇:1。 界面活性劑於鹼性氫氧化物溶液中的含量為〇〇5重 量%至5重量%,或例如自〇.25重量%至i重量%。適當的 非離子型界面活性劑包括,例如:脂族醇類,例如,烧氧 φ基化物。此等脂族醇類具有環氧乙烷、環氧丙烷或其組合, 以產生於分子内具有聚氧伸乙基鏈或聚氧伸丙基鏈之化合 物,該鏈亦即:由重複的(_〇_CH2_CH2_)基團所構成的鍵口、 =由重複的(-O-CHrCH-CH3)基團所構成的鏈、或其組 口、典型地,此等醇烷氧基化物為具有7至15個碳的直鏈 或分支鏈碳鍵,以及4至2〇莫耳(m〇le)的乙氧基化物,典 里地5至40莫耳的乙氧基化物以及更典型地5至Η莫耳 的乙氧基化物之醇乙氧基化物。 终多此類醇烷氧基化物為商業上可購得者。商業上可 93995 19 200813254 v 購得之醇烷氧基化物的實例包括,例如直鏈一級醇乙氧基 •化物,例如,NEODOL 91-6、NEODOL 91-9 (每莫耳的直 ,鏈醇乙氧基化物中具有平均6至9莫耳環氧乙烷之C9-C„ 醇),以及NEODOL 1-73B (每莫耳的直鏈一級醇乙氧基化 物中具有平均7莫耳的環氧乙烷摻合物之Cn醇)。兩者皆 可得自 Shell Oil Company,Houston Texas 〇 在該通孔以鹼性氫氧化物溶液處理後,可將該通孔以 酸性或鹼性調整劑處理。接著將該通孔進行微蝕刻並施加 _預浸劑,隨後再施加催化劑。接著將該通孔無電鍍覆銅或 銅合金。 在將該通孔鍍覆銅或銅合金之後,可使該基材進行進 一步的處理。進一步的處理可包括光成像的習知處理以及 於該基材上進一步的金屬沉積,舉例而言,例如銅、銅合 金、錫及錫合金之電解金屬沉積。 雖不欲受理論所限制,但乙内醯脲及乙内醯脲衍生物 φ與一種或多種果糖及果糖酯的組合能使得銅或銅合金經控 制地自催化沉積(autocatalytic deposition)於基材上。乙内 醯脲及乙内醯脲衍生物與一種或多種果糖及果糖酯的組合 係防止於鍍浴中形成氧化銅(Cu20)。此類氧化銅的形成將 使無電鍍銅及銅合金組成物不安定且妨礙銅及銅合金沉積 於基材上。抑制該氧化銅的形成將使得該自催化製程能夠 在高pH值範圍操作,而在高pH值範圍時銅及銅合金的沉 積作用為熱力學上有利的。 該無電鍍銅及銅合金組成物不含曱醛且係環保的。該 20 93995 200813254 等組成物在儲存期間及無電沉積期間是安定的。該等組、 .物在基材上沉積均勻的銅或鋼合金層,該銅或銅合金層, ▲明焭且橙紅色的外觀,顯示該沉積物具有細微晶粒 • \ \ 1X10 gram) 〇 下列實施例並非意圖用於限制本發明之範疇,而 '主 欲進一步說明本發明。 ^ ^ 复施例1 六種水性無電鍍銅組成物包括果糖及5,5_二甲基乙 _酿脲。該等無電鍍銅組成物不含甲酸而且環保。測气該〜 無電鍍銅組成物之安定性、電鍍速率及銅沉積物的品質等 各個水性無電鍍組成物包括至少7 g/L的氯化鋼 2H2〇)、47 g/L·的果糖及64 g/L的5,5_二甲基乙内酸職2 此外,無電鍍銅組成物2至6還包括習知用吾之一接丄 ^ 硬或多 種習知錯合劑或螫合劑。 在無電鍍銅沉積斯間,將該等組成物之溫度維持在Μ C及pH值為13 ·2。於基材上沉積銅2 0分鐘。所使用的其 材為六個具有尺寸1·5英吋χ1·5英吋(2.54公分/英对)之未 經被覆的FR4環氧樹脂/玻璃層壓板(laminate)。該印刷電 路板係得自 Isola Laminate System Corp·,LaCrosse Wisconsin。程序如下: 1·於50°C,將各層壓板表面浸入含有5%水性酸性調 整劑 CIRCUPOSIT CONDITIONER™ 3327 的水浴 中6分鐘。 2.各層壓板接著以冷水洗條6分鐘。 21 93995 200813254 ' 3.接著於室溫將預浸劑施加至各層壓板1分鐘。該預 - 浸劑為 Pre-dipTM 3340,得自 Rohm and Haas ▲ Electronic Materials 〇 4.該層壓板接著於40 °C以催化劑底塗(prime) 6分 鐘,以進行無電鍍銅金屬化。藉由將該層壓板浸沒 於該催化劑中來底塗該層壓板。該催化劑具有下列 配方: 表1 成分 量 二氯化鈀(PdCl2) ig 錫酸納(Na2Sn〇3 3H2O) 1.5g 二氯化錫(SnCl2) 4〇g 水 加至1升 5. 該層壓板接著以冷水洗滌5分鐘。 6. 接著將各層壓板浸沒於前述無電鍍銅鍍覆組成物 中之一者以進行銅金屬沉積。進行銅金屬沈積20 分鐘。在銅鍍覆期間沒有觀察到紅色沈澱物(Cu20 形成)。 7. 該經銅鍍覆之層壓板接著以冷水洗滌2分鐘。 8. 各經銅鍍覆之層壓板接著以去離子水洗滌1分鐘。 9·各經銅鍍覆之層壓板接著置入習知對流烘箱並於 l〇5°C乾燥20分鐘。 1 〇·於乾燥後,將各經銅鍍覆之層壓板置於習知的實驗 室乾燥器20分鐘或直至該等層壓板冷卻至室溫。 22 93995 200813254 π·於乾燥後,觀察各經銅鍍覆之層壓板的銅沉積物品 質。所有層壓板都具有良好或非常良好的外觀(參 見下表)。 12·各經銅鍍覆之層壓板接著以標準實驗室天平科重 並記錄。 13·各層壓板之重量經秤重及記錄後,藉由將該層壓板 浸沒於3%硫酸/3%過氧化氫溶液而自各層壓板蝕 刻銅沉積物。 14·各層壓板接著以冷水洗滌3分鐘。 15·各層壓板接著放回該i〇5t:的烘箱2〇分鐘。 16.該層壓板接著置於乾燥器2〇分鐘或直至該層壓板 達到室溫。 17 ·接著將該層壓板秤重,並測量蝕刻前及蝕刻後的重 量差。各層壓板的重量差顯示於下表。 表2
所有無電鍍銅組成物皆為安定的。沒有觀察到Cu2〇 沈澱物。所有銅沈積物都呈現撥紅色外觀,顯示該等銅沈 積物適合於卫業應用。未觀察到象徵_覆品質差的暗褐 93995 23 200813254 4 色不均勻沉積。除了組成物的安定性及良好銅沉積之外 β该鍍覆速率亦為工業應用可接受的。 I施例2 —六種水性無電鍍銅組成物包括果糖及乙内醯脲。測試 該等無電鑛銅組成物的安定性、電鑛速率及其銅沉積物的 品質。各個水性無電鍍組成物包括至少7 §/1;的氯化銅 (CuCl2況2〇)、47 g/L的果糖及5〇 g/L的〇5Μ乙内醯 脲。該等無電錢銅組成物不含甲酸且環保。此外,無電鏡 銅組成物2至6還包括f知用量之—種或多種f知錯合齊; 或螫合劑。 在無電鑛銅沉積期間,將該等組成物的溫度維持在兄 13·2。於基材上沉積鋼20分鐘。所使用的 個具有尺寸h5英忖χ1.5英时之未經被覆的FR4 ㈣树月曰/玻璃層壓板。該層壓板係得自Is—崎 ΓΓΓ/Γ.,Lac聰e Wise°nsin°程序與上述實施例1 所述者相同。該測試結果顯示於下表。
在銅沉積期間,所有I雪雜 …甩鍍鋼組成物皆為安定的。未 93995 24 200813254 觀祭到Cll2〇沉殿物。除了 έ 士 物除了、組成物3以外,所有組成物都 具有壬橙紅色的銅沉積物,兮私 貝视这橙紅色係顯示最佳的銅鍍覆 效能。而組成物3的暗褐色外翻w处9丄 日佝巴外咸可能是由於沈積物的氧化 或鈍化所造成。 除了組成物安定性及全面良好的銅沉積之外,所有無 電鑛組成物的電鑛速率皆為工業應用上可接受的。
實施^J • 城水性無電賴組成包括果糖及尿囊素並幻則試盆 安定性、鍍覆速率及銅沉積物品f。各個水性無電錢組成 物包括至少7 g/L的氯化銅(CuCl2 2H2〇)、47 g/L的果糖 及79 g/L的尿囊素。此外,無電鐘銅組成物2至6還包 括一種或多種錯合劑或螯合劑。 。在無電鍍銅沉積期間,將該等組成物的溫度維持在Μ C且pH值為13·2。於基材上沉積銅20分鐘。所使用的基 材為六個具有尺寸1·5英吋χΐ·5英吋之未經被覆的FR4環 _氧樹脂/玻璃層壓板。該層壓板係得自isola Laminate System Corp·,LaCrosse Wisconsin。測試該等組成物的程序 係與上述實施例1及2相同。結果顯示於下列表格中。 表4 組成物 安定性 速率(μπι/20分鐘) 1 無沈澱物 0.2360 2 無沈澱物 0.2600 燈紅色 3 無沈殿物 0.1680 撥紅色 4 無沈殿物 0.1800 撥紅色 5 無沈澱物 0.2560 撥紅色 6 無沈殿物 0.2200 93995 25 200813254 所有無電鍍組成物皆為安定的。於任一組成物中,都 ^無肉眼可見之Cu20。所有銅沉積物皆為橙紅色,顯示該等 *銅沉積物適合於工業應用。未觀察到暗褐色不均勻沉積物。 除了組成物安定性及良好的銅沉積外,該鍍覆速率亦 為工業應用上可接受的。 實施例4(比較例) 製備包括以葡萄糖作為還原劑之水性無電鍍銅鍍覆 浴。該水性無電鍍銅鍍覆浴具有下列配方: 表5
成分 量 五水合硫酸銅 4 g/L 葡萄糖 20 g/L 氫氧化鈉 40 g/L 乙内醯脲 20 g/L 在銅沉積期間,無電鍍浴的pH值為12.6且該鍍浴的 溫度為40°C。製造該無電鍍浴後,最初並未觀察到Cu20 ⑩的跡象。 將習知艇鐘形電極浸沒於該鐘浴中。在5、10、15、 30、60及120分鐘觀察該電極的銅沉積。未觀察到銅鍍覆。 使用經催化之棉布(catalyzed cotton cloth)進行第二次 鍍覆測試。藉由將該布浸沒於稱作CATALYST 3344(得自 Rohm and Haas Electronic Materials)的膠體把催化劑中以 製備用於無電鍍銅沉積之布。 之後,將該布浸沒於無電鍍銅鍍浴中。在5、10、15、 26 93995 200813254 1〇、7及120分鐘後’觀察該布的銅鍍覆。未觀察到銅鍍 U,在5分鐘後該布開始轉為褐色。隨時 , _該褐色變得更明顯。褐色是可能θ ……、4褐色此疋因為銅沉積物的鈍化或 乳化所&成,其阻礙了任何進一步的鏡覆。24小 鍍浴崩解,亦即,該鍍浴變得 / Ο
Cu20〇 +文疋且形成紅色沉澱物
之下,實施例中含有果糖作為還原劑且與 组成:為;乙:脲、乙内醯脲及尿囊素組合的無電鍍銅 皆”呈θΓ*。除一種組成物外,所有無電鍍銅組成物 工C的銅沉積物,其於金屬鍍覆工業中顯示為 、…業上I接交的。這些測試顯示含有果糖的無電铲 /合比含葡萄糠的無電鍍銅鐘覆浴更為改善。、’又、#。、又後 浴 電鍍銅鍍
製備包括以山梨糖醇作為還原劑之水性盔 該水性無電鍍銅鍍浴具有下列配方:…、 5、10、 電極的銅 將鈀鏟形電極浸沒於無電鍍銅鍍覆浴中。 15 30、60及12〇分鐘後,移開該電極且檢 鑛覆。未觀察到銅鍍覆。 93995 27 200813254 如上述實施例4所述,將棉布浸泡在膠體 •中。再將該布浸沒在表7的無電鍍銅鍍覆浴中5、1〇 ^ ,3〇、6〇 * 120錢。未觀察到鑛覆。該鑛洛維持安定二 小時且無觀察到沉澱物。 疋24 相較之下,實施例1 5,5·二甲基乙内輯、乙r §有果糖作為還原劑且與 組成物亦為安定的。然而^及尿囊素組合的無電鑛銅 銅組成物皆鑛覆呈橙紅色勒# &、、且成物外,所有無電鑛 中顯示為工業上可接受的:二沉積物’其於金屬鍍覆工業 鑛銅鑛覆浴比含山梨糖醇^些測試顯示含有果糖的無電 令無電鍍銅鍍覆浴更加改善。 41 93995 28
Claims (1)
- 200813254 # 十、申請專利範圍: .1 · 一種組成物,包括一種或多種銅離子來源、一種或多種 , 選自乙内醯脲及乙内醯脲衍生物的螫合劑、以及一種或 多種選自果糖及果糖酯的還原劑。 2·如申請專利範圍第1項之組成物,其中,該螫合劑係介 於20 g/L至150 g/L的範圍。 3·如申請專利範圍第〗項之組成物,其中,該乙内醯脲衍 生物係選自1-甲基乙内醯脲、1,3-二甲基乙内醯脲、5,5- 馨一甲基乙内醯脲及尿囊素。 •如申清專利範圍第1項之組成物,其中,該還原劑係介 於10 g/L至1〇〇 g/L的範圍。 5 ·如申請專利範圍第1項之組成物,其中,該果糖酯係選 自果糖已酸酯、果糖庚酸酯以及果糖戊酸酯。 •如申請專利範圍第1項之組成物,復包含一種或多種額 外的添加劑。 • 7·—種方法,包括: a) 提供基材;以及 b) 使用無電鍍銅組成物於該基材上無電沉積銅,該無 電鑛銅組成物包括一種或多種銅離子來源、一種或 夕種每自乙内醯腺及乙内蕴脈衍生物的螯合劑、以 及一種或多種選自果糖及果糖酯的還原劑。 8·—種方法,包括: a) 提供具有複數個通孔的印刷線路板; b) 去除該通孔的膠渣;以及 93995 29 200813254 4 C)使用热電艘銅組成物於該通孔壁上沉積銅,該無電 • 鍍鋼組成物包括一種或多種銅離子來源、一種或多 種遥自乙内驢服及乙内醯脲衍生物的螫合劑、以及 、·如申:t多種選自果糖及果糖酯㈣ 如申凊專利範圍第8項之方甘 物復包含一種# $ / ,/、中,該無電鍍銅組成 種次夕禮额外的添加劑。 93995 30 200813254 七、指定代表圖:本案無圖式 - (一)本案指定代表圖為:第()圖。 (二)本代表圖之元件符號簡單說明: 八、本案若有化學式時,請揭示最能顯示發明特徵的化學式: 本案無代表化學式4 93995
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Family Cites Families (58)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4002786A (en) | 1967-10-16 | 1977-01-11 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Method for electroless copper plating |
US3992211A (en) * | 1968-07-15 | 1976-11-16 | Trans-Metals Corporation | Electroless plating composition |
CA968908A (en) | 1971-07-29 | 1975-06-10 | Photocircuits Division Of Kollmorgen Corporation | Sensitized substrates for chemical metallization |
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US4009087A (en) | 1974-11-21 | 1977-02-22 | M&T Chemicals Inc. | Electrodeposition of copper |
JPS5627594B2 (zh) | 1975-03-14 | 1981-06-25 | ||
US4133908A (en) | 1977-11-03 | 1979-01-09 | Western Electric Company, Inc. | Method for depositing a metal on a surface |
US4192764A (en) | 1977-11-03 | 1980-03-11 | Western Electric Company, Inc. | Stabilizing composition for a metal deposition process |
US4211564A (en) | 1978-05-09 | 1980-07-08 | Hitachi, Ltd. | Chemical copper plating solution |
US4303443A (en) | 1979-06-15 | 1981-12-01 | Hitachi, Ltd. | Electroless copper plating solution |
JPS56156749A (en) | 1980-05-08 | 1981-12-03 | Toshiba Corp | Chemical copper plating solution |
US4450191A (en) * | 1982-09-02 | 1984-05-22 | Omi International Corporation | Ammonium ions used as electroless copper plating rate controller |
US4548644A (en) | 1982-09-28 | 1985-10-22 | Hitachi Chemical Company, Ltd. | Electroless copper deposition solution |
DE3473890D1 (en) | 1983-07-25 | 1988-10-13 | Hitachi Ltd | Electroless copper plating solution |
JPS6033358A (ja) | 1983-08-04 | 1985-02-20 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解銅めっき液 |
EP0144849B1 (en) | 1983-11-30 | 1987-09-09 | Nissan Chemical Industries Ltd. | Electrically conductive composition |
US4581256A (en) * | 1984-11-19 | 1986-04-08 | Chemline Industries | Electroless plating composition and method of use |
US4695505A (en) | 1985-10-25 | 1987-09-22 | Shipley Company Inc. | Ductile electroless copper |
JPH079069B2 (ja) | 1986-03-12 | 1995-02-01 | ブラザー工業株式会社 | 機械的性質の優れた銅被膜の形成方法 |
JPH0723539B2 (ja) | 1986-11-06 | 1995-03-15 | 日本電装株式会社 | 化学銅めっき液及びそれを用いた銅めっき皮膜の形成方法 |
JPH01319683A (ja) * | 1988-06-20 | 1989-12-25 | Electroplating Eng Of Japan Co | 白金コロイド溶液及びそれを用いた無電解白金メッキ方法ならびに白金担持体の製法 |
JP2595319B2 (ja) | 1988-07-20 | 1997-04-02 | 日本電装株式会社 | 化学銅めっき液及びそれを用いた銅めっき皮膜の形成方法 |
JP2794741B2 (ja) | 1989-01-13 | 1998-09-10 | 日立化成工業株式会社 | 無電解銅めっき液 |
US5021135A (en) | 1989-10-17 | 1991-06-04 | Ppg Industries, Inc. | Method for treatment of electrodeposition bath |
US5965211A (en) | 1989-12-29 | 1999-10-12 | Nippondenso Co., Ltd. | Electroless copper plating solution and process for formation of copper film |
JPH05148662A (ja) * | 1991-11-28 | 1993-06-15 | Hitachi Chem Co Ltd | 無電解銅めつき液 |
US5358992A (en) | 1993-02-26 | 1994-10-25 | Quantum Materials, Inc. | Die-attach composition comprising polycyanate ester monomer |
US5419926A (en) | 1993-11-22 | 1995-05-30 | Lilly London, Inc. | Ammonia-free deposition of copper by disproportionation |
US5425873A (en) | 1994-04-11 | 1995-06-20 | Shipley Company Llc | Electroplating process |
US5620961A (en) | 1994-04-25 | 1997-04-15 | Markovic; Nenad S. | Fructose ester-β-cyclodextrin complexes and processes for making and using same |
KR960005765A (ko) * | 1994-07-14 | 1996-02-23 | 모리시다 요이치 | 반도체 장치의 배선형성에 이용하는 무전해 도금욕 및 반도체 장치의 배선성형방법 |
JP3332668B2 (ja) * | 1994-07-14 | 2002-10-07 | 松下電器産業株式会社 | 半導体装置の配線形成に用いる無電解めっき浴及び半導体装置の配線形成方法 |
JP3547517B2 (ja) | 1995-03-15 | 2004-07-28 | 三洋化成工業株式会社 | 吸水性樹脂の製造法 |
JPH09316649A (ja) | 1996-05-27 | 1997-12-09 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 無電解めっき液 |
JPH1072677A (ja) | 1996-08-29 | 1998-03-17 | Ibiden Co Ltd | 一次めっき用無電解めっき液 |
US5897692A (en) | 1996-09-10 | 1999-04-27 | Denso Corporation | Electroless plating solution |
US6331239B1 (en) * | 1997-04-07 | 2001-12-18 | Okuno Chemical Industries Co., Ltd. | Method of electroplating non-conductive plastic molded products |
JP3799136B2 (ja) | 1997-06-11 | 2006-07-19 | 日本合成化学工業株式会社 | 分散安定剤 |
JP3816241B2 (ja) | 1998-07-14 | 2006-08-30 | 株式会社大和化成研究所 | 金属を還元析出させるための水溶液 |
EP1113885A4 (en) | 1998-08-21 | 2004-08-04 | Stanford Res Inst Int | PRINTING ELECTRONIC BOARDS AND COMPONENTS |
JP2001148561A (ja) | 1999-11-19 | 2001-05-29 | Kyocera Corp | 配線基板の製造方法 |
US20020152955A1 (en) | 1999-12-30 | 2002-10-24 | Yezdi Dordi | Apparatus and method for depositing an electroless solution |
JP2001220691A (ja) * | 2000-02-03 | 2001-08-14 | Okuno Chem Ind Co Ltd | 導電性微粒子 |
JP3444276B2 (ja) | 2000-06-19 | 2003-09-08 | 株式会社村田製作所 | 無電解銅めっき浴、無電解銅めっき方法および電子部品 |
US6416812B1 (en) | 2000-06-29 | 2002-07-09 | International Business Machines Corporation | Method for depositing copper onto a barrier layer |
JP4482744B2 (ja) | 2001-02-23 | 2010-06-16 | 株式会社日立製作所 | 無電解銅めっき液、無電解銅めっき方法、配線板の製造方法 |
JP2002348680A (ja) | 2001-05-22 | 2002-12-04 | Sharp Corp | 金属膜パターンおよびその製造方法 |
US6664122B1 (en) | 2001-10-19 | 2003-12-16 | Novellus Systems, Inc. | Electroless copper deposition method for preparing copper seed layers |
JP2003147541A (ja) | 2001-11-15 | 2003-05-21 | Hitachi Ltd | 無電解銅めっき液、無電解銅めっき用補給液及び配線板の製造方法 |
EP1411147A1 (en) * | 2002-10-18 | 2004-04-21 | Shipley Co. L.L.C. | Formaldehyde-free electroless copper plating process and solution for use in the process |
WO2005038087A1 (ja) | 2003-10-17 | 2005-04-28 | Nikko Materials Co., Ltd. | 無電解銅めっき液および無電解銅めっき方法 |
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WO2006085669A1 (en) * | 2005-02-08 | 2006-08-17 | Fujifilm Corporation | Metallic pattern forming method, metallic pattern obtained thereby, printed wiring board using the same, and tft wiring board using the same |
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