JPH05148662A - 無電解銅めつき液 - Google Patents
無電解銅めつき液Info
- Publication number
- JPH05148662A JPH05148662A JP31452591A JP31452591A JPH05148662A JP H05148662 A JPH05148662 A JP H05148662A JP 31452591 A JP31452591 A JP 31452591A JP 31452591 A JP31452591 A JP 31452591A JP H05148662 A JPH05148662 A JP H05148662A
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- JP
- Japan
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- plating
- copper
- plating solution
- electroless plating
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Abstract
(57)【要約】
【目的】 プリント配線板のめっきにおいて、無電解銅
めっき液の安定剤に有害なシアン及びシアン化合物を使
用しないで、しかも外観、析出速度、液安定性を向上さ
せる。 【構成】 無電解銅めっき液の基本組成にビダントイン
を添加する。基本組成に無毒のヒダントインを添加した
無電解銅めっき液は、有害なシアン及びシアン化合物を
安定剤として使用した場合と同様の特性を有するので、
液安定性、めっき析出速度及びめっき析出外観に優れ
る。
めっき液の安定剤に有害なシアン及びシアン化合物を使
用しないで、しかも外観、析出速度、液安定性を向上さ
せる。 【構成】 無電解銅めっき液の基本組成にビダントイン
を添加する。基本組成に無毒のヒダントインを添加した
無電解銅めっき液は、有害なシアン及びシアン化合物を
安定剤として使用した場合と同様の特性を有するので、
液安定性、めっき析出速度及びめっき析出外観に優れ
る。
Description
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、印刷配線板に用いられ
る無電解銅めっき液に関する。
る無電解銅めっき液に関する。
【0002】
【従来の技術】従来、無電解銅めっき液は、第2銅塩、
銅錯化剤、還元剤及びpH調整剤から成っており、その
反応は次式で示される。 Cu2++2HCHO+2OH- →2HCOO- +2H2
O+H2 +Cu0…(1) しかし、これらの組成物だけで得られた析出膜は脆く、
また液安定性も悪い。それは、めっきの副反応として酸
化銅(I)が生成され易い為で、それを核に銅が析出す
る反応が促進されるからである。そこで、酸化銅(I)
をいかに錯化させるかが重要になってくるが、従来で
は、安定剤としてシアン及びシアン化合物を添加してい
る。
銅錯化剤、還元剤及びpH調整剤から成っており、その
反応は次式で示される。 Cu2++2HCHO+2OH- →2HCOO- +2H2
O+H2 +Cu0…(1) しかし、これらの組成物だけで得られた析出膜は脆く、
また液安定性も悪い。それは、めっきの副反応として酸
化銅(I)が生成され易い為で、それを核に銅が析出す
る反応が促進されるからである。そこで、酸化銅(I)
をいかに錯化させるかが重要になってくるが、従来で
は、安定剤としてシアン及びシアン化合物を添加してい
る。
【0003】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、安定剤
としてシアン及びシアン化合物を添加する場合、これら
の物質は有毒物質なので、薬品の取扱い上及び公害上の
点から使用しずらいという不具合があった。
としてシアン及びシアン化合物を添加する場合、これら
の物質は有毒物質なので、薬品の取扱い上及び公害上の
点から使用しずらいという不具合があった。
【0004】また、特性面では、スルーホール基材との
密着性が悪く、めっきの析出応力が原因でスルーホール
内壁にふくれが生じ易いという不具合もあった。
密着性が悪く、めっきの析出応力が原因でスルーホール
内壁にふくれが生じ易いという不具合もあった。
【0005】一方、シアン化合物を含まない安定剤とし
ては、α,α’−ジピリジル、エチルアミノエタノール
アミン、ロダニンなどの窒素系有機化合物やチオ尿素、
2−メルカプトベンゾチアゾール、硫化カリウムなどの
イオウ系化合物等の各種の安定剤が用いられている(特
開昭52−1733号公報、特公昭43−12966号
公報)。
ては、α,α’−ジピリジル、エチルアミノエタノール
アミン、ロダニンなどの窒素系有機化合物やチオ尿素、
2−メルカプトベンゾチアゾール、硫化カリウムなどの
イオウ系化合物等の各種の安定剤が用いられている(特
開昭52−1733号公報、特公昭43−12966号
公報)。
【0006】しかしながら、α,α’−ジピリジルは、
第2銅塩の錯化剤にエチレンジアミン四酢酸(EDT
A)を用いた厚付無電解銅めっき液の安定性と析出銅皮
膜の改良に効果があるが、常温で使うと少量の添加量で
もめっき析出速度を抑制させると共に、析出外観が茶か
っ色になり、銅張積層板の銅箔とめっき析出銅間の密着
力が悪くなるという不具合があった。
第2銅塩の錯化剤にエチレンジアミン四酢酸(EDT
A)を用いた厚付無電解銅めっき液の安定性と析出銅皮
膜の改良に効果があるが、常温で使うと少量の添加量で
もめっき析出速度を抑制させると共に、析出外観が茶か
っ色になり、銅張積層板の銅箔とめっき析出銅間の密着
力が悪くなるという不具合があった。
【0007】また、エチルアミノエタノールアミン、ロ
ダニン、チオ尿素、2−メルカプトベンゾチアゾール、
硫化カリウムなども、少量の添加で析出速度を抑制し、
めっき析出銅の外観を悪くするという不具合があった。
ダニン、チオ尿素、2−メルカプトベンゾチアゾール、
硫化カリウムなども、少量の添加で析出速度を抑制し、
めっき析出銅の外観を悪くするという不具合があった。
【0008】本発明は、上記の如き従来の課題に鑑みて
なされたもので、その目的とするところは、無電解銅め
っき液の安定剤に有害なシアンやシアン化合物を含まな
いで、しかも液安定性、めっき析出外観及びめっき析出
速度に優れた無電解銅めっき液を提供することにある。
なされたもので、その目的とするところは、無電解銅め
っき液の安定剤に有害なシアンやシアン化合物を含まな
いで、しかも液安定性、めっき析出外観及びめっき析出
速度に優れた無電解銅めっき液を提供することにある。
【0009】
【課題を解決するための手段】本発明は、上記目的を達
成するために、第2銅塩、銅錯化剤、還元剤及びpH調
整剤を主成分とする無電解銅めっき液に、ヒダントイン
を添加することを特徴とする。
成するために、第2銅塩、銅錯化剤、還元剤及びpH調
整剤を主成分とする無電解銅めっき液に、ヒダントイン
を添加することを特徴とする。
【0010】本発明において基本組成とする薄付用無電
解銅めっき液は、第2銅塩、錯化剤、還元剤及び水酸化
アルカリ等のpH調整剤からなる水溶液である。
解銅めっき液は、第2銅塩、錯化剤、還元剤及び水酸化
アルカリ等のpH調整剤からなる水溶液である。
【0011】第2銅塩としては、硫酸銅、硝酸銅、塩化
第2銅等がある。
第2銅等がある。
【0012】錯化剤としては、酒石酸カリウム・ナトリ
ウム、エチレンジアミン四酢酸があるが、廃液処理のし
やすい点で酒石酸カリウム・ナトリウムが好ましい。
ウム、エチレンジアミン四酢酸があるが、廃液処理のし
やすい点で酒石酸カリウム・ナトリウムが好ましい。
【0013】還元剤としてはホルマリンが一般的に多く
使用されているが、パラホルムアルデヒドでも良い。
使用されているが、パラホルムアルデヒドでも良い。
【0014】水酸化アルカリは、pHを調整する目的で
添加されており、pH12.00〜13.00に調整す
るのが良い。
添加されており、pH12.00〜13.00に調整す
るのが良い。
【0015】本発明の特徴とするところは、上記基本組
成にさらにヒダントインを加えたことである。ヒダント
インの濃度は、0.5PPm〜60PPmで使用する。
ヒダントイン0.5PPm未満では、液安定性に効果が
小さく、また、60PPmを超えるとめっき析出速度が
低下する。
成にさらにヒダントインを加えたことである。ヒダント
インの濃度は、0.5PPm〜60PPmで使用する。
ヒダントイン0.5PPm未満では、液安定性に効果が
小さく、また、60PPmを超えるとめっき析出速度が
低下する。
【0016】
【作用】基本組成に無毒のヒダントインを添加した無電
解銅めっき液は、有害なシアン及びシアン化合物を安定
剤として使用した場合と同様の特性をし、液安定性、め
っき析出速度及びめっき析出外観に優れる。
解銅めっき液は、有害なシアン及びシアン化合物を安定
剤として使用した場合と同様の特性をし、液安定性、め
っき析出速度及びめっき析出外観に優れる。
【0017】
【実施例】以下、本発明を実施例に基いて説明するが、
本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
本発明はこれら実施例に限定されるものではない。
【0018】実施例1 無電解銅めっき液の基本組成として、硫酸銅・5水塩1
5g/l、酒石酸カリウム・ナトリウム25g/l、ホ
ルマリン(37%)20ml/l、水酸化ナトリウム1
0g/l(pH12.55)から成る無電解銅めっき液
に、ヒダントイン30PPmを添加して、温度24℃、
めっき被面積1.0dm2 /lで20分間めっきを施し
た。
5g/l、酒石酸カリウム・ナトリウム25g/l、ホ
ルマリン(37%)20ml/l、水酸化ナトリウム1
0g/l(pH12.55)から成る無電解銅めっき液
に、ヒダントイン30PPmを添加して、温度24℃、
めっき被面積1.0dm2 /lで20分間めっきを施し
た。
【0019】以下、めっき析出外観、めっき析出速度、
液安定性についての使用結果を調べたが、このうちめっ
き析出速度は、ステンレス板(100mm×50mm)
を表1に示す処理工程で処理し、得られためっき厚みを
重量法で算出したものである。
液安定性についての使用結果を調べたが、このうちめっ
き析出速度は、ステンレス板(100mm×50mm)
を表1に示す処理工程で処理し、得られためっき厚みを
重量法で算出したものである。
【0020】
【表1】 但し、CLC−201は日立化成工業(株)製脱脂用ク
リーナーコンディショナー、プリディップは水切り処
理、PD−201は日立化成工業(株)製無電解めっき
用前処理液、HS−201Bは日立化成工業(株)製無
電解銅めっき用触媒、ADP−01は日立化成工業
(株)製密着促進剤を示す。
リーナーコンディショナー、プリディップは水切り処
理、PD−201は日立化成工業(株)製無電解めっき
用前処理液、HS−201Bは日立化成工業(株)製無
電解銅めっき用触媒、ADP−01は日立化成工業
(株)製密着促進剤を示す。
【0021】また、液安定性の評価は、上記(1)式で
表わされるように、副反応で生じる酸化銅(Cu2 0)
が核となり進行する。そこで、直接、酸化銅を5mg/
lめっき液に添加し、5時間放置後のビーカー底に析出
した分解銅の有無を外観により判断した。
表わされるように、副反応で生じる酸化銅(Cu2 0)
が核となり進行する。そこで、直接、酸化銅を5mg/
lめっき液に添加し、5時間放置後のビーカー底に析出
した分解銅の有無を外観により判断した。
【0022】表2(a)に使用した安定剤の種類、表2
(b)に各検査結果を示す。
(b)に各検査結果を示す。
【0023】
【表2】 比較例1 つぎに、比較例として、実施例1で示した組成物中から
ヒダントインを除いてめっきを行った。この場合のめっ
き特性を表2(b)に示す。
ヒダントインを除いてめっきを行った。この場合のめっ
き特性を表2(b)に示す。
【0024】比較例2 つぎに、実施例1で示した組成物にシアン化ナトリウム
を20PPm添加し、めっきを行った。この場合の、め
っき特性を表2(b)に示す。
を20PPm添加し、めっきを行った。この場合の、め
っき特性を表2(b)に示す。
【0025】比較例3 さらに、実施例1で示した組成物にチオ尿素5PPm、
α−α’ジピリジル3mg/lを添加し、めっきを行っ
た。めっき特性を表2(b)に示す。
α−α’ジピリジル3mg/lを添加し、めっきを行っ
た。めっき特性を表2(b)に示す。
【0026】
【発明の効果】本発明では、有害なシアン及びシアン化
合物を使用しないで、しかも液安定性、めっき析出外観
及びめっき析出速度に優れた無電解銅めっき液を得るこ
とができる。
合物を使用しないで、しかも液安定性、めっき析出外観
及びめっき析出速度に優れた無電解銅めっき液を得るこ
とができる。
Claims (1)
- 【請求項1】 第2銅塩、銅錯化剤、還元剤及びpH調
整剤を主成分とする無電解銅めっき液に、ヒダントイン
を添加することを特徴とする無電解銅めっき液。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31452591A JPH05148662A (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 無電解銅めつき液 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP31452591A JPH05148662A (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 無電解銅めつき液 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH05148662A true JPH05148662A (ja) | 1993-06-15 |
Family
ID=18054339
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP31452591A Pending JPH05148662A (ja) | 1991-11-28 | 1991-11-28 | 無電解銅めつき液 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH05148662A (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
EP0913502A1 (en) * | 1997-04-07 | 1999-05-06 | Okuno Chemical Industries Co., Ltd. | Method of electroplating nonconductive plastic molded product |
JP2000282247A (ja) * | 1999-04-02 | 2000-10-10 | Ibiden Co Ltd | 無電解めっき液、無電解めっき方法、プリント配線板の製造方法およびプリント配線板 |
JP2002348673A (ja) * | 2001-05-24 | 2002-12-04 | Learonal Japan Inc | ホルムアルデヒドを使用しない無電解銅めっき方法および該方法に使用される無電解銅めっき液 |
EP1286576A2 (en) * | 2001-08-21 | 2003-02-26 | Shipley Company LLC | Method for manufacturing copper-resin composite material |
JP2008101268A (ja) * | 2006-07-07 | 2008-05-01 | Rohm & Haas Electronic Materials Llc | 無電解銅およびレドックス対 |
US7611569B2 (en) * | 2006-07-07 | 2009-11-03 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Electroless copper compositions |
US7691189B2 (en) | 1998-09-14 | 2010-04-06 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and its manufacturing method |
US9951433B2 (en) | 2014-01-27 | 2018-04-24 | Okuno Chemical Industries Co., Ltd. | Conductive film-forming bath |
US10036097B2 (en) | 2012-12-21 | 2018-07-31 | Okuno Chemical Industries Co., Ltd. | Conductive coating film forming bath |
-
1991
- 1991-11-28 JP JP31452591A patent/JPH05148662A/ja active Pending
Cited By (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6331239B1 (en) * | 1997-04-07 | 2001-12-18 | Okuno Chemical Industries Co., Ltd. | Method of electroplating non-conductive plastic molded products |
EP0913502A4 (ja) * | 1997-04-07 | 1999-05-19 | ||
EP0913502A1 (en) * | 1997-04-07 | 1999-05-06 | Okuno Chemical Industries Co., Ltd. | Method of electroplating nonconductive plastic molded product |
US7827680B2 (en) | 1998-09-14 | 2010-11-09 | Ibiden Co., Ltd. | Electroplating process of electroplating an elecrically conductive sustrate |
US7691189B2 (en) | 1998-09-14 | 2010-04-06 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and its manufacturing method |
US8065794B2 (en) | 1998-09-14 | 2011-11-29 | Ibiden Co., Ltd. | Printed wiring board and its manufacturing method |
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US9951433B2 (en) | 2014-01-27 | 2018-04-24 | Okuno Chemical Industries Co., Ltd. | Conductive film-forming bath |
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