TW200804022A - Through-hole forming body and laser processing method - Google Patents

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200804022 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於具備藉由脈衝雷射加工而得之通孔的通孔 成形體及雷射加工方法。 【先前技術】 以往，在高密度多層配線基板等之配線基板上，多藉由 使用鑽頭等之機械加工而形成通孔。但是，隨著配線基板 高密度化的進展，通孔之孔徑越來越小且通孔間距亦變 小，所以在機械加工中變得難以對應。爲了解決該些問題 並更提高效率，採用使用雷射束之雷射加工已成主流趨 勢。但是，根據脈衝雷射之通孔，如第10(a)，（b)圖所示， 會在通孔產生錐形形狀，而產生電鍍不良等之問題。另外， 如第1 l(a)，（b)圖所示，會產生濺飛物或毛邊等，而產生手 工修補工時增加等的問題。爲了消除此種問題，期待能開 發出依脈衝雷射之高精度的通孔形成技術。而有關第 l〇(a)，（b)圖及第ll(a)，（b)圖，容待實施例中詳細說明。 爲了因應上述之要求，提出一種可提高精度之雷射加工 方法。例如，在通孔加工時，爲了實現通孔孔徑之直孔化（接 近於直圓筒形或錐形之抑制），提出從被加工物之兩面照射 雷射束的方法（專利文獻1)。根據此方法，可將通孔表面側 之孔徑與背面側之孔徑作成大致相等，以抑制帶有錐形之 通孔的產生，而可形成接近於直孔狀之通孔。 另外，提出一種在雷射燒蝕（ablation)中，有效利用從被 加工物所反射之相干（coherent)雷射光，可容易形成表面側 200804022 之孔徑與背面側之孔徑的差爲小的通孔之加工方法（專利 文獻2)。根據此方法，藉由上述反射光而使加工用之光的 能量密度增加，以使通孔之形狀變化，而可達成通孔之高 密度排列。 專利文獻1 : W099/59761號公報 專利文獻2:特開2000-77824號公報 【發明內容】 (發明所欲解決之課題） w 然而，在該專利文獻1所揭示之方法中，（1)兩面照射在 表背面之位置對準上難度較高，而需要花費很大之勞力； (2)因爲雷射加工特有之錐形形狀不會消失，所以形成孔截 面形狀不是直孔而是中段孔徑縮小之形狀的通孔；（3)由於 雷射加工會產生毛邊，需要有除去毛邊之步驟。 另外，根據專利文獻2所揭示之方法，（1)因爲使用光罩， 所以使得開孔步驟複雜化；（2)反射光之強弱程度係依被加 I 工物之材質而異，其中更有不作反射之材質，所以控制困 難。另外，與上述相同，（3)由於雷射加工會產生毛邊，需 _要有除去毛邊之步驟。 本發明之目的在提供一種可抑制錐形角度，且無毛邊產 生或濺飛物附著之簡單構成的雷射加工方法，及具備利用 此雷射加工方法加工而得之通孔的通孔成形體。 (解決課題之手段） 本發明之雷射加工方法，係利用脈衝雷射束對被加工物 進行通孔加工之方法。此加工方法之特徵爲具備在被加工 200804022 加 工 形 可 隆 材 可 製 質 可 臨 〇 情 減 物 頂 燒 其 物上設置可裝卸之犧牲層的步驟；在設有犧牲層之狀態 藉由雷射束對被加工物進行通孔加工的步驟；及在通孔 工步驟之後，從被加工物上除去犧牲層的步驟。 如上述，藉由在雷射加工前設置犧牲層，並在雷射加 後加以除去，可容易抑制雷射加工所造成之通孔的錐 部。因此，可開設大致直孔狀（無錐形）之通孔。另外， 完全除去雷射加工時必定產生之濺飛物附著、毛邊等的 起部。犧牲層可與被加工物爲相同材質’亦可爲不同之 質。 該被加工物及其素材可爲金屬、有機高分子材料，亦 爲鈦、氟化合物，更可具多孔質構造。這是因爲根據該 造方法時，對多孔質構造之氟化合物等上面所提到的材 (通常情況下，直孔狀之通孔的加工困難）之被加工物， 較容易地開設直孔狀之通孔的緣故。 可將該犧牲層之燒蝕臨界値，作成該被加工物之燒蝕 界値以上。根據該構成，可確實達到配置犧牲層的效果 在犧牲層之燒蝕臨界値比被加工物之燒蝕臨界値更小的 況，因爲在犧牲層上開設大孔，所以配置犧牲層之效果 小0 另外，該犧牲層可由複數層所構成。藉此，在被加工 之燒飩臨界値非常大且膜厚無法增大之情況，可採取於 層配置與被加工物相同材質之犧牲層，而於其下層配置 飩臨界値比其更小之材質等的組合構成。另外，亦可視 他狀況而多樣化地選擇犧牲層之材質。 200804022 可以設雷射束之直徑爲Φ( // m)，通孔之錐形角度爲0 (°)，被加工物之厚度爲dU m)時，以滿足（0 xV·68)/ 4.〇 的方式進行加工。通孔之錐形角度係依存於被加工物之厚 度或雷射束之直徑，所以以滿足上述關係之方式進行條件 設定，可獲得直孔狀之通孔。雷射束之直徑Φ係除去犧牲層 以後之基膜表面的直徑。該關係式係基於實驗資料所導 出，有關其詳細內容，容待第2實施例中加以說明。 本發明之通孔成形體，係藉由脈衝雷射來設置通孔的成 形體。此成形體之特徵爲設脈衝雷射之直徑爲Φ (// m)，通 孔之錐形角度爲0 (°)，成形體之厚度爲d(/z m)時，滿足（0 xd°·68)/ φ‘ 4.0。在此，錐形角度係以表面孔徑及背面孔徑 爲基礎，而具有共同之軸線。即，係具有軸對稱性而求取 之平均錐角。藉由此構成，例如，在邁向高密度化之多層 膜基板的厚膜方向之導通部製作步驟中，可防止對通孔壁 面之電鍍不良，可製作高可靠度之電性連接的導通部。 本發明之另一通孔成形體，係藉由脈衝雷射來設置通孔 的成形體。在此成形體中，其特徵爲：通孔係直孔狀。在 此，通孔爲直孔狀係指通孔爲直圓筒狀的情況，更具體而 言，直圓筒或如其後之說明，係指不具有彎曲成內面凸出 之彎曲部的孔，使得通孔壁面在通孔之一方的端部朝其端 部之開口側擴大通孔之孔徑。通常，脈衝雷射所形成之通 孔的壁面，係在縱截面上形成內凸之曲線，在製作配線基 板時會產生電鍍不良等的不利因素，從而成爲可靠度降低 的原因。但是，如上述之直孔狀通孔，可防止在配線基板 200804022 等之電鍍不良，而可確保高可靠度之電性連接的導通部。 本發明之又另一通孔成形體，係藉由脈衝雷射來設置通 孔的成形體。在此成形體中，其特徵爲：通孔壁面係在通 孔之一方的端部，不具有彎曲成內面凸出之彎曲部，而^使 得通孔孔徑朝其端部之開口側擴大。藉由此構成，可製作 高可靠度之配線基板等。 另外，在上述所有之通孔成形體中，可採取在通孔開口 之周緣部並無隆起部的構成。藉由此構成，例如在多層配 ® 線基扳等中，可使電子裝置製作的後步驟容易進行。在此， 隆起部主要是由毛邊所形成。 另外，亦可採取在該通孔開口之兩面均無雷射燒蝕產生 的濺飛物之附著的構成。藉此，例如可提高多層配線基板 等之可靠度。 (發明效果） 本發明可提供一種能抑制錐形形狀，且無毛邊或濺飛物 附著之雷射加工方法，及直孔狀通孔的成形體，所以，可 Φ 防止多層膜基板之通孔壁面的電鍍不良，而有助於高可靠 度之多層膜基板等之供給。 【實施方式】 以下，參照圖面說明本發明之實施形態。 (本發明原理） 脈衝雷射束之雷射能量密度（fluence:能量密度），如第1 圖所示，係中央部高而周緣部低之空間分布，通常取高斯 (Gauss)分布。因此，當設0爲光束中心位置，Αι，Α2爲與燒 200804022 蝕能量之臨界値相等的位置時，則OA^OAa，其具有軸對 稱性。在雷射能量密度爲產生被加工物之燒飩的臨界値以 上之中央側，雖藉由燒飩而不斷地掘孔，但因爲越是在中 央部其能量密度越高，所以，有越是在中央側其挖掘越深 的傾向。因此如第2圖所示，孔之壁面成爲傾斜面。第2 圖爲顯示剛開設孔5後之被加工物1的剖面圖。一般認爲， 孔5係在從被加工物1之表面貫穿至背面之後，即使在能 量低之雷射束端部，在燒飩臨界値以上的部分仍會被燒 ^ 蝕，所以，當隨著逐漸增加脈衝發射數時則被漸漸地掘孔， 最終使錐角成爲0度（直孔）。但實際情況並非如此，即使 增加脈衝發射數，錐角仍不會接近於0，而維持一定之錐 角。 本發明者洞察到此等現象，進而思及「上述現象係藉由 初期之發射而形成斜面，但在此斜面上用於燒蝕之雷射能 量密度，與照射於平面之情況比較係有降低。即，在斜面 I 上此部分所吸收之能量減少，而用於燒触之能量減少」。根 據此想法，減少在斜面部之材料中用於燒蝕之雷射能量密 度，在斜面部上使未達燒蝕臨界値之區域稍微朝中央側擴 散，而在其未滿燒飩臨界値之區域，即使增加脈衝發射數 亦不致掘孔。 針對被加工物爲氟樹脂（多孔質構造），並藉由鈦藍寶石 雷射進行脈衝雷射加工之情況，藉由計算（模擬）及實驗以 驗證上述想法。第3圖爲顯示根據上述想法而在第1發射 (shot)至第4發射之照射脈衝雷射時挖入之孔的形狀之計算 -10- 200804022 結果。在雷射束截面之端部，且比能量未滿燒蝕臨 區域更略靠近中心側之區域，形成有緩和斜度之壁 圓S所示區域內形成有緩和斜度之壁面。此緩和斜 面係在第1發射至第4發射之期間幾乎未被燒蝕， 原有之緩和斜度。即’在能量分布之末端，第1發 4發射之壁的位置不變化，而有重疊之部分。此重 係在孔貫穿之後，即使增加發射數，仍幾乎不變化而 總之，藉由計算（模擬）可確認在加工痕之末端，產 孔截面形狀之錐形角度大的部分之現象。此錐形角 部分係與其後之實驗結果（第10(a)，（b)圖）中出現的 部分Wa相對應。 因此，實際上以鈦藍寶石雷射實施開孔加工（習夕 並以SEM(掃瞄式電子顯微鏡）來觀.察截面形狀。第 爲顯示習知例之SEM影像的圖，第10(b)圖爲其示 在被加工物101之通孔105中，照射雷射束之側的 孔徑Da係比背面之孔徑Db大非常多。在通孔105 側之壁面Wa，孔徑係隨朝向表面而擴大，但在背面 面Wb，孔徑係連續且大致相同而成爲直孔狀。在昼 與Wb具有重複且彎曲成內面凸出之彎曲部Ws。昼 之部分係與第3圖之區域S內的緩和斜度的壁面 ) 應，而如喇叭狀地朝向表面擴大。 本發明者等想到了在使用脈衝雷射束而於被加工 工通孔時，設置可裝卸於被加工物上之犧牲層，在 牲層之狀態下，藉由雷射束而於被加工物上加工通 界値之 面。在 度之壁 而維持 射至第 疊部分 殘留。 生加工 度大的 通孔壁 il 例）， 10(a)圖 意圖。 表面的 之表面 側之壁 !面Wa !面Wa 部相對 物上加 設有犧 孔，接 -11- 200804022 上 度 通 全 的 雷 ， 的 進 > 電 電 層 成 置 由 分 lb 次 著在通孔加工後，從被加工物上除去犧牲層的方法。如 述，藉由在雷射加工前設置犧牲層，並在雷射加工後除去 可使Wa之部分、更使Ws部分集中於犧牲層內加以除去 將犧牲層之厚度t作成多厚，可依通孔所要求之尺寸精 而適宜地選擇。其結果，可開設大致直孔狀（無錐形）之 孔。另外，在進行雷射加工時，藉由除去犧牲層，可完 除去附著於犧牲層表面之濺飛物及在開口部之邊緣隆起 毛邊等。 ^ 在成形體（被加工物）表面設置犧牲層之方法，只要在 射束之照射時不產生間隙的話，可爲任意之方法。例如 爲了在氟樹脂（多孔質構造）之被加工物上配置相同材質 犧牲層，可藉由熔接（使黏著表面熔化後加以冷卻凝固而 行黏著）進行配置。另外，在將鈦等之金屬作爲被加工物 而由（Ti薄膜+氟樹脂薄膜）構成犧牲層的情況，可藉由靜 力進行配置。亦即，在極薄之薄片的情況，因爲產生靜 力，只需放上便可黏著。另外，亦可藉由黏著劑將犧牲 黏著於成形體上。 藉由將該方法應用於被加工物上，可製造如下之通孔 形體。首先，本發明之通孔成形體係藉由脈衝雷射束設 通孔，而此通孔之錐形角度0，係被抑制成直孔狀。在此 錐形角度0係如上述具有軸對稱性，如第4圖所示，係 錐形角度0=八:^1&11{(〇.5〇&-〇.5〇1))/(1}所定義。〇3及〇5 別係表面及背面之開口孔徑。另外d係成形體1 0、基膜 或被加工物101之厚度。開口孔徑Da及Db分別進行3 -12- 200804022 以上之測定，並採用將該些平均化後之値。厚度d亦相同。 又，因爲本發明中之通孔的錐形角度0爲小，所以，以弧 度（radian)來表示角度之單位，（radian)即使與錐形角度0 (rad) = ( 〇.5Da-0.5Db)/d近似，亦可獲得大致相同之結果。 藉此，在邁向高密度化之多層膜基板的厚膜方向之導通部 製作步驟中，可防止對通孔壁面之電鍍不良，故可製作高 可靠度之電性連接的導通部。 藉由採用上述製造方法，在本發明之其他成形體中，通 孔係直孔狀。直孔狀之定義如上述。又，在本發明之另一 通孔成形體中，通孔壁面係在通孔之一方的端部，不具有 彎曲成內面凸出之彎曲部，而使得通孔孔徑朝其端部之開 口側擴大。亦即，無第1 0圖之彎曲部Ws的脈衝雷射成形 之通孔。 該脈衝雷射加工之通孔成形體，係具有直孔狀之通孔， 所以，例如，在邁向高密度化之多層膜基板的厚膜方向之 導通部製作步驟中，可防止對通孔壁面之電鍍不良，可獲 得高可靠度之電性連接的導通部。可作成在通孔開口之周 緣部並無隆起部（毛邊等），及無雷射燒蝕產生的濺飛物之 附著的構成。 [實施例] (實施例1) 1.通孔之形狀 以脈衝雷射對基膜lb上設有犧牲層1 a之氟樹脂被加工 物1施以開孔加工。基膜1 b之氟樹脂的厚度係1 5 0 // m， 200804022 另外’犧牲層la之氟樹脂層的厚度係30/zm。在本實施例 之情況’基膜1 b與犧牲層1 a之材質作成相同，但亦可如 上述而作成不同材質。 第5及第6圖爲顯示本發明例A之通孔開孔過程的圖。 第5(a)，（b)圖顯示在厚度150 // m之氟樹脂的基膜lb上配置 厚度30/zm之氟樹脂犧牲層ia後之被加工物丨上，藉由脈 衝雷射開設通孔5之狀態。第5(a)圖爲SEM截面影像，第 5(b)圖爲其示意圖。根據該些圖面，孔徑隨朝向表面擴大 之壁面Wa的部分，係含於厚度t之犧牲層la內，並於其 後被除去。第6(a)圖爲除去犧牲層la以後之基膜lb或成 形體10的SEM影像，第6(b)圖爲其示意圖。通孔成形體 1 0或基膜1 b係包含由直孔狀之壁面Wb所構成的通孔。在 第5 U)，（b)圖之狀態中，錐形角度係5.1度，但在第6(a)，（b) 圖之狀態中，被抑制爲3.0度。 包含直孔狀之通孔的成形體1 0，在邁向高密度化之多 0 層膜基板的厚膜方向之導通部製作步驟中，可防止對通孔 壁面之電鍍不良，可製作高可靠度之電性連接的導通部。 另外，如其後之詳細說明，可作成無毛邊或濺飛物之成形 體。 第7及第8圖爲顯示本發明例B之通孔開孔過程的圖。 本發明例B係基本上與本發明例A相同的構成。亦即，第 7(a)，（b)圖爲顯币在厚度150/z m之氟樹脂的基膜lb上配置 厚度3 0/zm之氟樹脂犧牲層la後之被加工物1上，藉由脈 / 衝雷射開設通孔5之狀態的圖。第7(a)圖爲SEM截面影像， 200804022 第7(b)圖爲其示意圖。根據第7(a)圖，孔徑隨朝向表面擴 大之壁面Wa的部分，係含於厚度t之犧牲層1 a內，並於 通孔加工後被除去。第8 (a)圖爲除去犧牲層1 a以後之基膜 lb或通孔成形體10的SEM影像，第8(b)圖爲其示意圖。 基膜1 b或通孔成形體1 0係由直孔狀之壁面Wb的通孔所構 成。在第7(a)，（b)圖之狀態中，錐形角度係5.1度，但在第 8 (a)，（b)圖之狀態中，爲3.0度。此種通孔成形體之優點係 如上述。 相對於此，在習知例中，如第l〇U)，（b)圖所示，在通孔 105之表面側且對應於雷射束之末端的部分，具有錐形角度 大之壁面Wa。另外，在直孔狀之部分Wa與Wb相重複， 在其之間具有內面凸出之彎曲部Ws。對應於該雷射束之末 端的錐形角度大之壁面Wa，如第3圖所示，在第1發射至 第4發射之間不進行孔的挖掘，而對應於保持相重疊之壁 面部。因爲具有錐形角度大之部分Wa、直孔狀部分Wa及 在雙方重疊而彎曲的彎曲部Ws，所以在形成導通部用之電 鍍處理中產生不利因素，而損害到配線基板之可靠度。在 本發明例A，B中，如第6(a)，（b)圖及第8(a)，（b)圖所示，因 爲通孔中錐角大之部分Wa被完全除去，所以在電鍍處理 中不會產生不利情況。 2.毛邊及濺飛物 第9 U)及（b)圖爲顯示本發明例A之通孔成形體表面的圖 (第6(a)，（b)圖之表面）。另一方面，第11(a)及11(b)圖爲顯 示第10(a)及10(b)圖之通孔成形體表面的圖。第11及第9 200804022 圖均是（a)圖爲通孔截面之SEM影像，（b)圖爲其示意圖。 如第11(a)，（b)圖所示，在通孔105之表面的開口部邊緣形 成有毛邊1 25，且亦附著有濺飛物1 26。相對於此’在本發 明例A中，在除去犧牲層之後，在基膜lb或通孔成形體 10之表面既無濺飛物亦無毛邊。 (實施例2) 一錐角、雷射直徑及被加工物之膜厚的關係- 在配置犧牲層而進行通孔加工之情況，錐形角度係受到 ® 雷射束之直徑Φ及基膜（成形體）之厚度d的強烈影響（在不 配置犧牲層而進行通孔加工之情況，亦受該Φ及d的影響， 但影響的方式相異）。第12圖爲顯示錐形角度0〇之雷射 徑Φ( // m)依存性的示意圖，可知錐形角度0 (°)與雷射徑 φ(/ζ m)係成正比。另外，第13圖爲錐形角度0 〇之基.膜厚 度d( μ m)依存性的示意圖，可知錐形角度0 (°)與基膜厚度 {dU m)r°·68係成正比。 0 當式（1) = ( 0 xd°·68)/ φ時’可視其爲表示將基膜厚度d及 雷射徑Φ列入考慮後之（由基膜厚度d及雷射徑φ進行修正） 錐形角度0的大小程度的指標。對應於該第1 2圖及第1 3 圖之圖形的實驗資料加以整理而表示於表1及表2中。表 1顯示以PTFE(聚四氟乙烯）作爲基膜（被加工體或成形體） 所進行之通孔加工的結果，表2係將Ti作爲基膜而進行之 通孔加工的結果。 -16- 200804022 [表1] 有無犧牲層 d ··基膜厚度 [㈣ Φ ‘·雷射直徑 [//m] 0 ·，錐形角度 [° ] 式(1)之値 本發明例1 有：PTFE 180 20 0·5 〜2.5 0.85-4.27 本發明例2 有：PTFE 60 20 1.9 〜3Λ 1.54 〜2.51 本發明例3 有:PTFE 120 20 1.4 〜1.8 厂 1.82 〜2.33 本發明例4 有：PTFE 180 30 1.5 〜3,5 1J 卜 3.99 本發明例5 有：PTFE 180 50 3.5 〜6.0 2.39-4.10 較例1 無 30 20 8〜13 4.04 〜5.05 比較例2 無 120 20 3.6-5.7 4.67 〜7,40 比較例3 無 180 20 2.5-3.7 4.27 〜6.32 比較例4 4fTC m 240 20 12 〜2.6 4.57 〜5·40 (注 1)式aw〜d_)/<t>

[表2] 有無犧牲層 d:基膜厚度 [Mm] Φ:雷射直徑 Um] 0:錐形角度 [° ] 式⑴之値 ’本發明例6 有：Ti 1層 20 28.5 5〜21 1.35 〜5.65 本發明例7 有：Ti 2層 20 28.5 4〜12 1.08 〜3.23 比較例5 m 20 26.7 21 〜55 6.03 〜15,80 (注 1)式 α)=(Θχ(ΐ0.68)/Φ 在表1所示本發明例1〜5中，均於犧牲層使用與基膜相 同材質之PTFE。使用與加工對象之基膜的材質相同材質之 犧牲層，除了係自然考量到以外，即使選擇其他材料，被 加工物之PTFE的燒触臨界値仍非常高，且找不到比其更高 之燒蝕臨界値的材料，亦是其背後因素之一。另外，在表 2中，顯示作成一層之與被加工物Ti相同材質之Ti犧牲層 的情況（本發明例6 )、及作成2層之情況（本發明例7)。又， 氟樹脂之燒蝕臨界値係0.44〗/cm2，Ti之燒蝕臨界値係 0.05J/cm2 〇 參照表1及表2之式（1)的値，在式（1)之値爲4.0以下之 情況，錐形角度0本身爲小，成爲所謂無錐形通孔或直孔 -17- 200804022 狀通孔之良好加工形態。本發明中之幾個形態，將式（丨）之 値作成4.0以下係根據第12圖 '第13圖及表1、表2之資 料。 (實施例3) 一對Ti膜之通孔加工— 在本發明之第3實施例中，進行在基膜爲厚度20 μ m之 T i膜上設置通孔的雷射加工。第1 4及1 5圖顯示本發明例 C及本發明例D中之犧牲層la及基膜lb的構成。在本發 明例C中使用厚度60 // m之PTFE作爲犧牲層la，在本發 明例D中使用厚度5 // m之Ti及厚度60μm之PTFE的組 合作爲犧牲層la。在以多孔質之PTFE作爲犧牲層的情況， 考慮到光發生散射而脫離以減弱犧牲層之效果的情況，設 置Ti(5 μ m)以作爲屏蔽而不使光線脫離。另外，爲了比較， 將第1 6圖所示之未配置犧牲層的Ti基膜作爲比較例。表3 及表4顯示相對於本發明例C，D及比較例之雷射參數等。 [表3] 雷射參數與材料 _(本發明例C，D) 雷射波長 800nm 雷射重複頻率 10Hz 雷射脈衝寬度 120fs 簡能 54 〜0.35 M J 被加工物(基膜） Ti(99.5%)20 μ m厚度，從 Nicola微購入(型號 Ή·453212) [表4] 雷射參數與材料 (比較例) 雷射波長 800nm 雷射重複頻率 10Hz 雷射脈衝寬度 160fs 雷射能 31〜2.65/zJ 被加工物(基膜） Ti(99.5%)20 /z m 厚度，從 Nicola服)購入(型號 Ti-453212) 200804022 表5顯示有關雷射能30μ〗，10μΤ之情況的本發明例C之通 孔的結果，而表6顯示有關雷射能15μΙ，10μ18μΙ之情況的本 發明例D之通孔的結果。根據表5及表6，具有隨雷射能減小 而錐形角度亦減小之傾向，另外，將犧牲層作成（Ti/PTFE) 之2層的效果略有確認。 [表5] 体發明例C) 犧牲層 PTFE 能量⑻） 30 10 加工直徑Um)(PTFE表面） 37 〜49 22 〜26 錐形角度(°) 3〜9 2〜5 被加工物 Ti 能量UJ) 30 10 加工直徑(// m)_ mTi表面） 19 〜25 15 〜19 加工直徑U m)(20 /z mTi背面） 15 〜20 10 〜12 錐形角度〇 6〜21 5〜11

[表6] 犧牲層 PTFE 能量⑻） 15 10 8 加工直徑(/m)(PTFE表面） 29〜34 22 〜26 20 〜22 錐形角度(°) — — — 被加工物 Ti 能量⑽ 15 10 8 加工直徑(/m)(20〆mTi表面） 16 〜20 9〜15 7〜10 加工直徑(μ m)(20 μ mT清面） 10〜13 4〜7 4 錐形角度Ο 7〜11 5〜12 4〜8

[表7] _:_itb 棚) 能量("J) 31 23 加工直徑(# m)(20从mTi表面） 80獻)〜77(最小） 44 〜42 加工直徑(mTi背面） 24 〜19 26 〜21 錐形角度〇 55 〜53 29 〜23 [表8] (比較働 能量UJ) 10 5 2.65 加工直徑(/m)(20 M mTi表面) 40 〜38 36 〜34 34 〜33 加工直徑(仁m)(20 M mTi背面) 21 〜19 19 〜15 18 〜15 錐形角度η 22 〜26 26〜22 24 〜21 -19- 200804022 另一方面，表7及表8顯示有關比較例之通孔的結果。 例如，當以雷射能1 0 μ J作比較時，可知本發明例c，D之錐 形角度極小，而被改善1/2〜1/4。另外，當以雷射能約3〇Μ 作比較時，在表5之本發明例C中爲6〜2 1。，相對於此， 在表7之比較例中則成爲5 5〜5 3。，可確認本發明例C有 很大的改善效果。又，根據表8，在雷射能約1 〇 μ J〜5 爲26〜22° ’相對於此，在表6之本發明例D中，在8μΙ 可獲得8〜4°。任一情況均可格外地改善通孔之無錐形化。 • 第1 7及第1 8圖爲顯示本發明例D之雷射能1 5μΙ之基膜 (Ti)表面及背面的加工孔徑的圖。另外，第1 9及第20圖 爲顯示比較例之雷射能5μ：Ι之基膜（Ti)表面及背面的加工 孔徑的圖。如在第1實施例中亦被觀察，在不使用犧牲層 之情況，基膜表面之孔的邊緣產生毛邊，並亦確認有濺飛 物。另外，可知在真圓度上，比較例亦比本發明例D更差。 如上述，雖已說明了本發明之實施形態及實施例，但上 I 述揭示之本發明實施形態及實施例，只能算是例示而已， 本發明之範圍並非由該些之發明實施形態所限定。本發明 係將殘留脈衝雷射之初期發射所產生的斜面的影響之部分 在其後之發射中亦殘留，此部分即使很少亦被包含於犧牲 層內之雷射加工方法全部，均屬於本發明之技術範圍。本 發明之範圍係由申請專利範圍所揭示，其更包含與申請專 利範圍均等之意義及範圍內所有變更。 (產業上之可利用性） 本發明可提供一種能抑制錐形形狀，且無毛邊或濺飛物 -20- 200804022 附著之雷射加工方法，及直孔狀通孔的成形體，所以，可 防止多層膜基板之通孔壁面的電鍍不良，而有助於高可靠 度之多層膜基板等之供給。 【圖式簡單說明】 第1圖爲顯示雷射束截面之能量密度的空間分布之圖。 第2圖爲顯示定性地顯示根據雷射束之開口部形狀的示 意圖。 第3圖爲顯示伴隨脈衝雷射發射數之增大而變化之開□ • 形狀的模擬結果之圖。 第4圖爲顯示錐形角度之定義的圖。 第5圖爲顯示在本發明例A之通孔成形體之製作中，在 配置犧牲層狀態下藉由脈衝雷射開設通孔之狀態的圖，（a) 爲通孔截面之SEM影像，（b)爲其示意圖。 第6圖爲顯示從第5圖之狀態除去犧牲層之狀態的圖， (a)爲通孔截面之SEM影像，（b)爲其示意圖。 第7圖爲顯示在本發明例B之通孔成形體之製作中.，在 ^ 配置犧牲層狀態下藉由脈衝雷射開設通孔之狀態的圖，（a) 爲通孔截面之SEM影像，（b)爲其示意圖。 第8圖爲顯示從第7圖之狀態除去犧牲層之狀態的圖·， (a)爲通孔截面之SEM影像，（b)爲其示意圖。 第9圖爲顯示本發明例A之通孔成形體表面的圖， 爲通孔截面之SEM影像，（b)爲其示意圖。 第1 〇圖爲顯示根據鈦藍寶石雷射之通孔成形體（習知例） 的縱截面的圖，（a)爲截面之SEM影像，（b)爲其示意圖。 •21 - 200804022 第11圖爲顯示第10圖之通孔成形體表面的圖，（a)爲截 面之SEM影像，（b)爲其示意圖。 第1 2圖顯示爲錐角之雷射束徑依存性的圖。 第1 3圖顯示爲錐角之基膜厚度依存性的圖。 第1 4圖爲顯示本發明之實施例3的本發明例（：之犧牲層 等的圖。 第1 5圖顯示爲本發明之實施例3的本發明例D之犧牲層 等的圖。 ^ 第1 6圖爲顯示在實施例3之比較例的基膜的圖。 第17圖爲本發明例D之基膜表面的加工孔徑的示意圖。 第1 8圖爲顯示本發明例D之基膜背面的加工孔徑的圖。 第1 9圖爲顯示比較例之基膜表面的加工孔徑的圖。 第2 0圖爲顯示比較例之基膜背面的加工孔徑的圖。 【主要元件符號說明】 1 被加工物 la 犧牲層 lb 基膜 5 通孔 10 通孔成形體 w 通孔壁面 Wa 孔徑朝表面側擴大之通孔部分（壁） Wb 直孔狀通孔部分（壁） Ws 彎曲部（壁） -22- 200804022

Da 表面的孔徑（大徑） Db 背面之孔徑（小徑） d 基膜（成形體）之厚度 t 犧牲層的厚度 1 0 5 通孔 125 毛邊 126 濺飛物

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Claims (1)

1. 200804022 十、申請專利範圍： 1 · 一種雷射加工方法，係利用脈衝雷射束對被加工 通孔加工之方法，其.特徵爲具備： 在該被加工物上設置可裝卸之犧牲層的步驟； 在設有該犧牲層之狀態，藉由雷射束對該被加 行通孔加工的步驟；及 在該通孔加工步驟之後，從該被加工物上除去 層的步驟。 2 ·如申請專利範圍第1項之雷射加工方法，其中該 之燒飩（ablation)臨界値，係作成該被加工物之燒 値以上。 3·如申請專利範圍第1項之雷射加工方法，其中該 係由複數層所構成。 4.如申請專利範圍第1項之雷射加工方法，其中設 束之直徑爲Φ( // m)，該通孔之錐形角度爲0 〇， φ 工物之厚度爲d( // m)時，滿足（0 xd°·68)/ 4.0。 5 · —種通孔成形體，係藉由脈衝雷射來設置通孔 體，其特徵爲： 設該脈衝雷射之直徑爲Φ( μ m)，該通孔之錐形角 (°)，該成形體之厚度爲d(# m)時，滿足（0 Xd°·68)/ 6. —種通孔成形體，係藉由脈衝雷射來設置通孔 體，其特徵爲該通孔係直孔狀。 7. —種通孔成形體，係藉由脈衝雷射來設置通孔 體，其特徵爲： 物進行 工物進 該犧牲 犧牲層 蝕臨界 犧牲層 該雷射 該被加 的成形 度爲0 Φ S 4·0〇 的成形 的成形 -24- 200804022 該通孔壁面係在該通孔之一方的端部，不具有彎曲成 內面凸出之彎曲部，而使得該通孔孔徑朝其端部之開口 側擴大。 8·如申請專利範圍第7項之通孔成形體，其中在該通孔開 口之周緣部並無隆起部。 9.如申請專利範圍第7項之通孔成形體，其中在該通孔開 口之兩面均無雷射燒蝕產生的濺飛物之附著。

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