TW200532189A - Method and system to measure characteristics of a film disposed on a substrate - Google Patents

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200532189 九、發明說明： 發明領域 本發明的領域係概括有關壓印微影術。更特定言之， 5本發明係有關測Ϊ採用壓印微影術程序受到圖案化之薄膜 的特性。 I：先前技術3 發明背景 微製造係包含製造很小的結構，譬如具有微米左右或 10 更小之功能。微製造已經發揮可觀影響之一種領域係位於 積體電路的處理。隨著半導體處理業不斷致力更大的生產 良率同時增加一基板上所形成之每單位面積的電路，微製 造變得益加重要。微製造提供了較大的程序控制，同時可 允許進一步降低所形成的結構之最小功能尺寸。已經採用 15微製造的其他發展領域係包括生物科技、光學科技、機械 系統及類似領域。 不範性微製造技術係揭露於發證予威爾森(…丨丨⑽幻等 人的美國專利案6,334,960號及周（Chou)等人的超快及直接 左座吉構壓印（Ultrafast and Direct Imprint of 20 Nanostructures_in Silicon). Nature^ Col.417, pp.835-837, 2002年6月，其有關於一雷射輔助式直接壓印（LADI)程序。 這兩程序皆包含利用一模子來壓花一可流動材料且隨後使 可流動材料固體化來形成一經圖案化的層藉以在一基板上 形成一層。 5 200532189

=於微製造技朗產生的魏具有小尺寸之緣故 =期間及處理之後決定薄膜特性來說 J Γ加重要。已經在標準半導體處理操作中採用許多先: 技術的程序控制及診斷技術以利決定薄臈特性。铁而: 帽㈣物W微一 影術等微製

因此，需要提供用來配合使用諸如壓印微 造程序之經改良的程序及診斷技術。 【^9溶1】 10 發明概要 、、本發明係有關提供-測量配置於基板上之薄膜特性之 、曰系、先此方法係包括識別薄膜上之複數個處理區； 、 人、◊且的複數個處理區之特性，界定經測量的特性· 決定一經測量特性之一變異；及以-經測量特性與次組之 -餘處理區相關聯的經測量特性之比較作為基礎使得變異 之成因產生關聯性。該系統係進行上述方法。在下 更完整地論述這些及其他實施例。 圖式簡單說明 20 第1圖為根據本發明之-微影系統的立體圖； 第2圖為第1圖所示的-微影系統之簡化正視圖； 為用於構成第2圖所示的一壓印層之材料在蝥人 與父聯之前的簡化圖； " 之 第4圖為第3圖所示的材料在受到韓射後所轉 經交聯聚合物材料的簡化圖； 成 6 200532189 第5圖為在壓印層圖案化之後與第丨圖所示的壓印層分 隔開來之一模子的簡化正視圖； 第6圖為第一壓印層中的圖案轉移之後定位於基板丁貝 上之一額外的壓印層之簡化正視圖； 5 第7圖為第1及2圖所示的基板之俯視圖； 第8圖為根據本發明之一感測系統的平面圖； 第9圖為第1圖所示的一壓印頭之詳細立體圖； 第1〇圖為如第1圖所示之一基板的詳細橫剖視圖，基板 上具有一模子且附接至一夾頭系統； 10 第11圖為第9圖所示的壓印頭之分解立體圖； 第12圖為顯示根據本發明在一頻率分域中藉由第8固 所示的感測系統所感測之經反射輻射的映射之圖形；回 第13圖為顯示根據本發明之一用於測量薄膜特性之程 序的流程圖。 15 【實施方式】 較佳實施例之詳細說明 第1圖描繪根據本發明的-實施例之一微影系統1〇，其 包括-對分隔開來的橋支樓件12，該對橋支樓件12係具有 —橋14及—延伸於其間之_支撐件16。橋14及階台支撐 20件16係分隔開來。一壓印頭_合至橋14，此壓印頭18自 橋Μ朝向階台支撐件16延伸且提供沿著2軸線之運動。一稱 為基板支撑堆積體2〇之動作階台係配置於階台支樓件 上以面對壓印頭18。基板支撐堆積體2〇構成為沿著χ轴線及 γ轴線相對於階台支撐件16移動。應瞭解壓印頭18可提供沿 200532189 著x軸線及γ軸線、以及沿著z軸線之運動，而動作階台2〇 可提供Z軸線中、及X軸線及γ軸線中的運動。一示範性美 板支撐堆積體20係揭露於發證予本發明受讓人之2〇〇2年^ 月η日提交名稱為“步進及重覆壓印微影系統，，的美國專利 5申請案1_4,414號，該案以引財式整體併人本文中。一 輻射源22係耦合至微影系統10以使光化性輻射衝擊於基板 支撐堆積體20上。如圖所示，輻射源22係耦合至橋14且包 括一連接至輻射源22之功率產生器24。微影系統1〇的操作 一般係由一與其呈資料導通之處理器26加以控制。 10 參照第1及2圖，一夾頭28包括在壓印頭18中，一其上 设有一模子32之樣板30係安裝至夾頭28。一壓印頭18及炎 頭28係揭露於2002年11月13日提交名稱為“一用於調節基 板形狀之夾頭系統，，的美國專利申請案10/293,224號，該案 讓渡予本發明的受讓人且以引用方式併入本文中；亦揭露 15於2002年12月η日提交名稱為“一用於調節基板形狀之方 法”的美國專利申請案1〇/316,963號，該案讓渡予本發明的 受讓人且以引用方式併入本文中。模子32係包括由複數個 分隔開來的凹部34及突部36所界定之複數個功能。複數個 功能係界定一原始圖案，此原始圖案係形成一用以轉移至 20 一位於動作階台20上的晶圓38内之圖案的基礎。因此，壓 印頭18及/或動作階台20可改變模子32與晶圓38之間的一 距離“d”。利用此方式，模子32上的功能可壓印至晶圓38的 一可流動區内，如下文更完整地描述。將輻射源22定位成 可使模子32位於輻射源22與晶圓38之間。結果，模子32係 8 200532189 由一可瓖其對於輻射源22所產生的輻射大致呈透明之材料 製成。 參照第2及3圖，一諸如壓印層4〇等可流動區係配置於 大致呈現平面性輪廓之一表面42的一部分上。可利用諸如 5以引用方式整體併入本文的美國專利案5,772,905號所揭露 之熱壓花程序、或屬於周（Chou)等人在超快及亩接之矽中 的奈水」吉構懕逆(Ultrafast and Direct Imprint of in^i]ic〇n)? Nature，Col.417，ρρ·835-837, 2002年6月類型之一雷射輔助式直接壓印（LADI)程序等任 10何已知的技術來形成一可流動區。然而，本實施例中，藉 由在晶圓38上沉積作為一材料之複數個分隔開來的離散圓 緣44之壓印層40來組成一可流動區，如下文更完整地描述 。一用於沉積圓緣44之示範性系統係揭露於2002年7月9曰 提父名稱為“用於配送液體之系統及方法，，之美國專利申請 15案1〇/191，749號，該案係讓渡予本發明的受讓人且以引用方 式整體併入本文中。壓印層4〇係由可選擇性聚合及交聯以 記錄原始圖案之材料46所形成，而界定一經記錄的圖案。 材料46的一示範性組成物係揭露於2003年6月16日提交名 稱為“用於降低-可附合區與一模子的圖案之間的黏附之 2〇方法，，的美國專利申請案1〇/463,396號，該案以引用方式整 體併入本文中。材料46在第4圖中顯示為在點48處產生交聯 ，而形成一經交聯的聚合物材料5〇。 參照第2、3及5圖，記錄於壓印層4〇中之圖案係部分地 藉由與模子32之機械性接觸所產生。因此，距離“d”係降低 9 200532189 以讓壓印圓緣44機械性接觸到模子η，而使圓緣44分散藉 以形成在表面42上方具有材料46的一鄰接形態之壓印層二 實施例中，距離“d”係降低以讓壓印層4〇的次部分^侵 入及充填凹部34。 5 & 了利於充填凹部34，材料46設有所需要的性質以完 全地充填凹部34,同時以材料46的一鄰接形態來覆蓋表面 42。本實施财，在已經抵達所需要且通常為最小值的距 離“d”之後，仍保存有與突部36疊置之壓印層_次部分μ ，而留下具有厚度丨1之次部分52，及具有厚度t2之次部分54 10 。厚度&及4可以是依據應用所需要之任何厚度。 多…、第2 3及4圖，已經抵達一所需要的距離“d”之後 ，輻射源22產生使材料46聚合及交聯之光化純射，而形 成經交聯的聚合物材料5〇。結果，壓印層4〇的組成物係從 材料46轉變為身為固體之經交聯的聚合物材料5〇。詳言之 15，經交聯的聚合物㈣5G係gj體化赠壓印層4()的側分設 有-符合模子32的-表面58之形狀，如第㈣更清楚地顯示 。壓印層40轉變成由經交聯聚合物材料％組成之後，如第4 圖所示，壓印頭2係移動以增大距離“d”，使得模子％及壓 印層40分隔開來。 20 參照第5圖’可採用額外處理來完成晶圓38的圖案化。 譬如，晶圓38及壓印層40可被_以將壓印層4〇的圖案轉 移至晶圓38内，而提供—經圖案化的表面⑹，如第6圖所示 。為了利於_，胁構成壓印⑽之㈣係可依需要改 §：以界疋相對於Ba圓38之-相對餘刻速率。壓印層4〇對於 10 200532189 晶圓38之相對#刻速率係可位於約丨5 :丨至約ΐ(κ) : i的範 整體晶圓38係採用一步進

.....—一 •’〜’T〜你始圖累來討論本發明 步進及«程序之適當執行係可包括模子32與各區^ 參照第7及8圖，一般而言， 及重覆程序加以圖案化。步進及 上界疋如a-1所不之複數個區，表 始圖案。模子32上的原始圖崇伯 10之適當對準。因此，模子32係包括對準標記(未圖示）。一或 夕區a-Ι係包括基準標記(未圖示）。藉由確保對準標記(未圖 示）適當地對準於基準標記（未圖示），可確保模子32與其疊 置的-區a-Ι之適當對準。因此，可採用如下文更完整地討 順之感測裝置62。利用此方式，模子32順序性地接觸各處 15理區心1以在其上記錄一圖案。 感測裝置62亦可用來便利進行程序診斷。因此，感測 裝置62係包括一光源64及一光學串列66以將光聚焦在晶圓 38上。感測裝置62構成為將自區a-Ι反射之對準輻射聚焦至 單一焦平面P上，且其中可定位有一光學感測器68。結果， 2〇如果視情形需要及採用不同的光波長時，光學串列66可構 成為提供波長依存性焦距。玎以此技術公知的任何方式來 產生光。譬如，如光70所示的單一寬頻光源係可產生衝擊 在光學串列66上之波長。光學帶通濾器（未圖示）係可配置於 寬頻源與對準標記(未圖示）之間。 11 200532189 或者，可採用複數個光源（未圖示），其各產生不同的光 波長。光70係由光學串列66聚焦以在如區&及區κ所示的 -或多區衝擊於da-Ι上。光係如反射光72所示從區仏及心 反射，並被一收集透鏡74所收集。收集透鏡74將所有波長 5的反射光72?《焦在平面p上，以使光學感測誠侧反射光 72。反射光係利用熟知技術含有有關壓印層4〇的特性之資 讯。譬如，可藉由感測器68所感測的光來獲得諸如薄膜厚 度、圖案品質、圖案對準、圖案臨界尺寸變異及類似物等 特性。感測器68所感測的資訊係傳輸至處理器26供處理器 10使其等化以生成測量等化。處理器26隨後可比較自感測器 68接收之資訊與譬如位於記憶體丨〇6中之一查閱表中所包 含的先驗(priori)資訊，以決定區a_i的壓印層4〇中是否出現 異常。 參照第1及7圖，若在一處理區a-1中產生之圖案中找到 15異常，則發現步進及重覆壓印程序係有利於決定異常的來 源。譬如，若發現各處理區a_l中出現一大致類似的異常， 則推論出壓印頭18係為此異常的成因。為了判定壓印頭is 的次系統係為異常之原因或結果，可以系統性地更換次系 統。 20 譬如，參照第9及10圖，壓印頭18係包括許多次系統， 諸如經由一包括夾頭體部28的夾頭系統80可供樣板30耦合 之頭殼體76等。詳言之，樣板30包括相對的表面科及86以 及一延伸於其間之周邊表面88。表面86係面對夾頭系統80 ，而模子32自表面84延伸。為了確保如第2圖所示來自圓緣 12 200532189 44的流體不會分散超過模子32的區域，模子32的表面58係 與樣板30的表面分隔一段微米左右的距離，譬如15微米。 一校準系統90係耦合至壓印頭殼體76，而夾頭體部28與一 撓曲系統92面對面地將樣板3〇耦合至校準系統9〇。校準系 5統90係如第2圖所示利於樣板30與晶圓38之間的適當定向 對準，藉以在其間達成一大致均勻的間隙距離“d”。 參照弟9及11圖兩者，校準系統9〇係包括複數個致動器 94、96及98及一基板100。詳言之，致動器94、％及98連接 於殼體76與基板100之間。撓曲系統92包括撓曲彈簧1〇2及 10撓曲環104。撓曲環104耦合於基板1〇〇與撓曲彈簧1〇2之間 。致動器94、96及98的動作係將撓曲環1〇4定向成可讓撓曲 彈簧102具有粗糙的校準，因此夾頭體部28及樣板3〇亦有粗 糙的校準。致動器94、96及98亦利於撓曲環1〇4平移至z軸 線。撓曲環102包括利於χ-γ平面中的平衡環狀動作之複數 15個線性彈簧，藉以在晶圓38與樣板30之間達成適當的定向 對準，如第2圖所示。 參照第1、10及11圖，為了決定模子32是否導致異常， 將更換樣板30。若不出現異常，則可歸論出模子32係為異 常的來源。若仍出現異常，可更換壓印頭18的另一次系統 諸如撓曲彈簧102等。若發現異常不存在其他區a_i的圖 案中，則可歸論出撓曲彈簧1〇2係為來源。若仍出現異常， 了更換其他次糸統’諸如夾頭體部28、致動器94、96及98 、撓曲環104及類似物等。 若觀察到異常只出現於一處理區中，則可推論出基板 13 200532189 堆積體2G係為異常的成因。如同上文對於騎頭_ 以識別出 、述可個別地更換基板支撐堆積體2〇的次系統 導致異常之次系統。 *然而，亦應瞭解可不使用步進及重覆Μ印即決定出異 5吊及其來源，譬如藉由全體晶圓圖案化技術。因此，在處 理期間檢查成批的基板以決定異常是否出現在接連的基板 上;若在接連的晶圓38上發現一大致類似的異常出現在相 同區中、或-類似異常出現在不同區中，可推論模子％或 夹頭28係為缺陷的成因。可藉由更換模子32加以驗證。若 仍出現異常，可歸論出異常的成因為夾頭28。若發現更換 模子32之後異常未重覆出現，可歸論出模扣係為異常的 成因若Μ察到異常出現在有限數量或—個晶圓38上，則 可推論晶圓38係為異常的成因。 、 譬如，異常可為一薄臈厚度的變異。因此，可採用諸 15如橢率測讀、散射測定術(scatter_t力、寬頻光譜測定 術及類似物等數種薄膜厚度測量之任一者。一用於測量薄 膜厚度之示範性技術係以自寬頻光譜儀獲得之反射性輻射 的快速傅立葉轉換(FFT)為基礎，且其揭露於以引用方式整 體併入本文中之名稱為“用於壓印微影術之透明樣板與基 20板之間的南精密間隙定向感測之方法，，的美國專利申請案 〇9/920,341號。對於多層薄膜，此技術可藉由測量一處理區 a-Ι中之預定數量的次部分（譬如〗，〇〇〇個次部分）來提供各 薄膜的一平均厚度及其厚度變異。 利用FFT厚度測量技術，使反射性輻射被數位化/量化 14 200532189 且獲得—波數。經量化㈣料隨後係映射至解分域内利 用一FFT演算法予以處理。在頻率分域中，獲得如第12圖以 Pl_2所不的-或多個峰值，且其—者可對應於_處理區 a-m-次部分之薄膜厚度。對於—經清楚界定的單一峰值 ’譬如Pl ’薄藝度⑴可能係為位居峰值？1中心的頻率之一 函數。其可由一先驗(pri〇ri)資訊導出或決

10 譬如，獲得數個或全部次部分的薄膜厚度測量之後， 從這些厚度測量導出—平均值。隨後，將各薄膜厚度測試 與平均值加以比較。如果任—厚度測量與平均值相差一預 定低限值，則可判定在相關聯的處理區a」巾㈣了 一相對 &且’可確認出處理區内的異常 位置。低限值的實際值可為任何所需要者且—般係依據諸

如圖案的设计公差、薄膜厚度及類似物等數項因素而定。 或者，已經發現以相對於平均值的標準差之一變異來決定 15出異常。因此，相對於平均值之標準差不論是第一、第二 、第三標準差及類似值係與一預定低限值加以比較。從上 文可決定出各處理區a-Ι中的薄膜厚度，以及是否出現一薄 膜厚度異常。 參照第1及13圖，操作時，在步驟2〇〇中識別出複數個 20處理區。步驟202中，測量一次組的複數個處理區之特性。 此次組可包括所有處理區a-1。在步驟204中，利用一或多 種上述的測量技術來決定一或多個經測量特性之一變異。 本範例中，假設在處理區b中發現一異常。在步驟2〇6中， 以與處理區a及c-1相關聯的經測量特性之一比較為基礎來 15 200532189 ，定出處理區b中變異的_成因。為了利於上述操作，處理 為26係搞合至-記㈣1()6，記憶體⑽儲存有供處理器％ 運作之私式馬&式碼係包括—第—次常式以控制感測裝 置62如第8圖所不，以使光學輕射衝擊在複數個處理區心1 5上並债測自其所反射的光學輻射。包括有一用於控制感測 裝置的操作之第二次常式，以在該等複數個處理區以的一 者帽得預定數量之測量，並使預定數量的測 量被量化以 又V平句值其中第_次常式係藉由可能依據應用所需 要及/或為基礎而定的平均值與_預定低限值之比較來決 10 定出變異。 上述之本發明的實施例係為示範性質。雖然已經就測 置薄膜厚度異常來描述本發明’亦可決定出其他異常。譬 士可利用本發明來感測可能形成於壓印層中之圖案中的 扭曲並決定其成因。結果，可採用此系統來制圖案功能 的臨界尺寸變里 ^ /、 /、以及場至場及/或層至層對準的誤 "匕 > 属了採用適應控制（adaptive control)來修正 補仏此等異吊。可在現場或在後製程作出這些測量。尚且 ★已、1就放置在-壓印微影機上來論述本發明。然而，可 ，〇藉由:與壓印微影程序分離且分開之機具來進行本發明。 果’對於上述揭示可作出許多變化及修改，而仍位 H月fe圍内。因此，本發明的範圍不應受限於上文描 述，而是應參照申請專利範圍及其均等物的完整範圍加以 決定。 【圖式簡單說明】 200532189 第1圖為根據本發明之一微影系統的立體圖； 第2圖為第1圖所示的一微影系統之簡化正視圖； 第3圖為用於構成第2圖所示的一壓印層之材料在聚合 與交聯之前的簡化圖； 5 第4圖為第3圖所示的材料在受到輻射後所轉變形成之 經交聯聚合物材料的簡化圖； 第5圖為在壓印層圖案化之後與第1圖所示的壓印層分 隔開來之一模子的簡化正視圖； 第6圖為第一壓印層中的圖案轉移之後定位於基板頂 10 上之一額外的壓印層之簡化正視圖； 第7圖為第1及2圖所示的基板之俯視圖； 第8圖為根據本發明之一感測系統的平面圖； 第9圖為第1圖所示的一壓印頭之詳細立體圖； 第10圖為如第1圖所示之一基板的詳細橫剖視圖，基板 15 上具有一模子且附接至一夾頭系統； 第11圖為第9圖所示的壓印頭之分解立體圖； 第12圖為顯示根據本發明在一頻率分域中藉由第8圖 所示的感測系統所感測之經反射輻射的映射之圖形； 第13圖為顯示根據本發明之一用於測量薄膜特性之程 20 序的流程圖。 【主要元件符號說明】 10···微影系統 16···階台支撐件 12···橋支撐件 18···壓印頭 14…橋 20…基板支樓堆積體 17 200532189 22…輻射源 24…功率產生器 26…處理器 28…失頭 30…樣板 32…模子 34…凹部 36…突部 38…晶圓 40…壓印層 42…大致呈現平面性輪廓之表面 44…圓緣 46…材料 48…點 50…經交聯的聚合物材料 52…壓印層的次部分 54··與突部疊置之壓印層的次部分 56…壓印層的側 58…模子的表面 60…經圖案化的表面 62…感測裝置 64…光源 66…光學串列 68…光學感測器 70…光 72…反射光 74…收集透鏡 76…壓印頭殼體 80…夾頭系統 84,86…表面 88…周邊表面 90…校準系統 92…撓曲系統 94,96,98…致動器 102···撓曲彈簧 104…撓曲環 106…記憶體 200···識別一薄膜上之複數個處 理區 2(H…測量一次組的複數個處理區 之特性 18 200532189 206···決定經測量特性的一者之一 a，a-l，b，c-l…處理區 變異 d···模子與晶圓之間的距離 208···以經測量特性的該一者與該P…焦平面 次組之其餘處理區相關聯的Pl，p2···峰值 經測量特性之比較作為基礎Rl，R2…區 使得該等變異之一成因產生tr··次部分52厚度 關聯性 t2…次部分54厚度

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Claims (1)

1. 200532189 十、申請專利範圍： 1. 一種用於測量一配置於一基板上之薄膜的特性之方法 ，該方法包含： 識別該薄膜上之複數個處理區； 5 測量一次組的該等複數個處理區之特性，界定經測 量的特性； 決定該等經測量特性的一者之一變異；及 以該等經測量特性的該一者與該次組之其餘處理 區相關聯的經測量特性之比較作為基礎使得該等變異 10 之一成因產生關聯性。 2. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該變異為一缺陷。 3. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該變異為一對準誤差。 4. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該變異為一臨界尺 寸變異。 15 5.如申請專利範圍第1項之方法，其中該成因係選自諸如 一壓印頭缺陷、一支撐堆積體缺陷、一樣板缺陷及一基 板缺陷等之一組成因。 6. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該測量係進一步包 括在該等複數個處理區的一者中獲得預定數量的測量 20 及量化該預定數量的測量及獲得一平均值，而決定該變 異係進一步包括比較該平均值與一預定低限值。 7. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該測量係進一步包 括在該等複數個處理區的一者中獲得預定數量的測量 及量化該預定數量的測量及獲得一平均值及對於該平 20 200532189 均值之一標準差，而決定該變異係進一步包括比較該標 準差與一預定低限值。 8. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該產生關聯性係進 一步包括確認出該次組的其餘處理區中之一與該變異 5 具有共同功能之額外變異以及使該成因對於一樣板缺 陷及一壓印頭缺陷的一者產生關聯性。 9. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該產生關聯性係進 一步包括發現該變異與該次組之其餘處理區的特性之 間缺乏相似性及使該成因對於一支撐堆積體缺陷與一 10 基板缺陷的一者產生關聯性。 10. 如申請專利範圍第1項之方法，其中該測量進一步包括 使光學輻射衝擊在該等複數個處理區上以及感測自含 有對應於該等特性的資訊之該薄膜所反射的光學輻射。 11. 一種用於測量一配置於一基板上之薄膜的特性之方法 15 ，該方法包含： 識別該薄膜上之複數個處理區； 測量一次組的該等複數個處理區之特性，界定經測 量的特性； 決定該等經測量特性之間的一變異；及 20 以該等經測量特性的該異常與其餘該等處理區中 之經測量特性中的該異常之比較作為基礎使得該變異 之一來源產生關聯性。 12. —種用於測量一配置於一基板上之薄膜的特性之系統 ，該系統包含： 21 200532189 一基板支撐堆積體； 一基板，其配置於縣板支撐堆積體上； 一壓印頭； 一樣板，其配置於該壓印頭上； 一感測系統；及 一用於識別複數個處理區之構件，其—次组係具有 =相關聯的特性，及藉由比較該等複數個處理區的該 10 15 20 7性與該次_其餘處理區相_之特性來確認 出峨數個處理區的—者之特性的 =專利範_項之系統，其中該成_: 板缺:等：組:i撐堆積體缺陷、-樣板缺陷及-基 14.:=::=:“，其_於識別之構件 梦罟桂°己匕體破置，其中該記憶體 括-第在該處理器上運作之程式碼，該程式竭包 卞 _人常式以控制該感測裝置使光學$1射衝擊在 =、、且的複數個處理區上以及偵測自其所反射之光學 15:，利範圍第14項之系統，其中該程式碼進-步包 複 Cl::::::裝置一 該預定數量的賴叫得^數量_量以及量化 的標準差，其中該第-均值及一對於該平均值 一苑〜， 人吊式係精由比較該標準差值邀 頂疋低限值來決定該變異。 ” 22