JPH08124977A

JPH08124977A - 半導体装置不良解析システム

Info

Publication number: JPH08124977A
Application number: JP6253772A
Authority: JP
Inventors: Kazuko Ishihara; 和子石原; Seiji Ishikawa; 誠二石川; Jun Nakazato; 純中里
Original assignee: Hitachi Ltd
Current assignee: Hitachi Ltd
Priority date: 1994-10-19
Filing date: 1994-10-19
Publication date: 1996-05-17

Abstract

(57)【要約】【目的】半導体装置のフェイルビットを容易かつ高精
度かつ高速に究明する半導体装置の不良解析システムを
提供する。【構成】検査データ解析システム１０１は、製造ライ
ン１１１で異物検査１０２、外観検査１０３から得られ
るデータと、ウェハ最終検査１１２で得られるデータ
と、ＦＢ解析システム１０５からのデータとを基に解析
を行う。ＦＢ解析システム１０５は、ウェハ最終検査１
１２で得られるデータとＬＳＩ設計情報１０７を用い
て、ＦＢの分布形状から不良箇所および不良誘発点を抽
出し、不良原因ノウハウ情報１０８を参照して不良原因
の推定１１３を行う。観察装置１０９は、ＦＢ解析シス
テム１０５から渡された不良箇所および不良誘発点箇所
の座標を観察し、不良原因および不良工程を特定する。
分析装置１１０は、観察装置１０９で検出した異物等の
成分分析を行い、不良原因および不良工程を特定する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、不良解析システムに係
り、特に半導体装置の製造技術においてウェハプロセス
過程における不良原因を解析するために好適なシステム
に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来、半導体装置の製造技術における不
良解析方法及びシステムについては、例えば、特開昭６
２−１６９３４２号、特開昭６１−２４３３７８号、特
開昭５９−２２８７２６号、特開平３−４４０５４号の
各公報に開示されている。

【０００３】特開平３−４４０５４号公報および特開昭
５９−２２８７２６号公報においては、計算機システム
を用いて、半導体装置ウェハの不良解析を行う技術が開
示されている。このうち、特開平３−４４０５４号公報
には、製造途中の製品または部品の外観検査、特に、表
面の異物、欠陥の検査、および、検査データの解析を行
なう検査データ解析システムが開示される。一方、特開
昭５９−２２８７２６号公報には、不良解析技術、特
に、複数の処理工程を経た製品における品質不良がどの
工程を原因とするものかを解析する技術が開示される。

【０００４】また、特開昭６２−１６９３４２号公報お
よび特開昭６１−２４３３７８号公報には、被検査対象
である半導体装置メモリセル上の不良ビット（フェイル
ビット、以下「ＦＢ」と略す）の情報に関するデータの
圧縮に関する技術が開示されている。このうち、特開昭
６２−１６９３４２号公報には、１ウェハ内のすべての
チップについて自動的にテストを行ない、全チップの不
良ビットを概略的に１枚あるいは２枚のプリント用紙に
表示できるメモリＩＣテスト装置が開示される。一方、
特開昭６１−２４３３７８号公報には、集積回路等の検
査に際し、発見された不良を自動的に解析して、不良の
原因や欠陥の存在位置などを確定するための、不良解析
支援技術が開示される。

【０００５】

【発明が解決しようととする課題】上記したように、特
開平３−４４０５４号公報においては、半導体装置の不
良解析をチップ単位で行う技術が開示される。この技術
では、プローブ検査装置と自動異物検査装置と自動外観
検査装置に、それぞれデータ解析ステーションを持たせ
ている。また、各データ解析ステーションには、品種ご
とのチップ配列情報を持たせ、チップの配列を記述する
座標と外観不良の位置を記述する座標を統一するように
している。そして、各外観不良がどのチップに属してい
るか判断する機能を設けるようにしてある。これによっ
て、ここのチップ単位で、異物の付着状況、または、外
観不良の発生状況を把握することができる。

【０００６】しかしながら、上記特開平３−４４０５４
号公報記載の技術は、半導体装置の不良解析をチップ単
位で行う手法に関するものである。従って、半導体装置
記憶装置の不良解析をするとき、単にチップの製品特性
を解析するだけでなく、チップ内の記憶素子１ビットず
つの良，不良を解析する必要があることについて考慮さ
れていない。

【０００７】それゆえ、不良ビット（フェイルビット、
以下「ＦＢ」と略す）の原因を解析するため、チップの
製品特性検査装置（以下「テスタ」という）からＦＢの
アドレスを収集し、チップの大きさ、その上のメモリの
配置方法等を参照して該当する不良ビットのチップ上の
場所を割り出し、得られた実体座標を基に作業者がその
チップを顕微鏡で観察していた。例えば、作業者は、顕
微鏡観察をして、不良発生箇所に異物を認めた場合、そ
の不良は、異物に起因していたと結論していた。すなわ
ち、この技術では、ＦＢの１ビットづつ解析するために
多大な労力を要していた。それゆえ、かかる労力を軽減
し、不良解析を１ビット単位でシステムとしてスムーズ
に行いたいという要請に応える必要があった。

【０００８】一方、特開昭５９−２２８７２６号公報に
記載される技術は、各処理工程ごとにおける検査によっ
て発見された欠陥の処理対象物における位置と、品質検
査によって発見された不良位置とを比較して、品質不良
の原因になる処理工程を解析するものである。この技術
では、特性不良ペレットがメモリ素子である場合、その
不良ペレットにおける不良ビットを探査し、探査された
不良ペレットおよび不良ビットの製品ウェハ上における
位置を、基準原点に対するＸＹ座標により表現して出力
する。

【０００９】しかしながら、上記特開昭５９−２２８７
２６号公報記載の技術は、単に、工程における検査結果
の不良位置と、製品の品質検査における不良位置との一
致を調べるのみで、不良原因の解析を容易にするための
データの加工までは行なわれていない。近年、ＦＢ情報
は、半導体装置の高密度化にともなって、データ量が多
くなっているため、この従来技術のように、そのデータ
をそのまま用いて解析を行なうことは、不便あり、能率
的ではない。特に、不良原因を解析する際に、ＦＢ情報
から、不良原因に関係する特徴の抽出する必要がある
が、この従来技術では、作業者が行なわざるを得ない。
ところが、この特徴の抽出は、後の不良原因推定に大き
な影響を与えるため、慎重に行なう必要があり、手間が
かかるという問題がある。しかも、不慣れな作業者で
は、特徴を正しく抽出することが容易でないという問題
がある。

【００１０】一方、特開昭６２−１６９３４２号と特開
昭６１−２４３３７８号公報は、被検査対象である半導
体装置メモリセル上のＦＢの情報に関するデータの圧縮
について述べている。しかし、次に示すように、それぞ
れ、解決されていない問題がある。

【００１１】すなわち、特開昭６２−１６９３４２号公
報に示されたデータ圧縮方法は、必ずしも大容量メモリ
セルの解析に適したものではない。その理由は、この圧
縮方法においては、メモリセルをブロック化して、１／
ｎ²に縮小したモデルを作るものであるが、例えば、ｎ
＝１００としても、高々１００００の１の圧縮率しか得
られず、数Ｍｂｉｔの容量を有するメモリの場合では、
膨大な量のデータが必要になることである。また、今一
つの理由として、１ブロック内の不良パターンがどうで
あれ、同じ形式に圧縮されてしまうため、ビット位置の
詳細情報が失われてしまうという不都合があるためであ
る。

【００１２】一方、特開昭６１−２４３３７８号公報に
開示されたデータ圧縮方法については、上記のような情
報の欠落はないが、必ずしも大容量メモリセルに適する
効率的なデータ圧縮方法とは言い難い。その理由は、Ｆ
Ｂの情報を始点の座標位置、終点の座標位置というペア
で保持するため、ＦＢが連続している場合の効率がよく
なるが、孤立しているＦＢに対しても同じだけの記憶容
量を要するため、孤立したＦＢが多い場合、結果として
データ圧縮率は悪いものになるからである。

【００１３】このように効率が悪いのは、データ圧縮を
ＦＢの発生するパターンのいかんによらず、一律に圧縮
したためである。従って、ＦＢの発生パターンに応じて
データ圧縮を行い、それを保存する方法が要請される。

【００１４】また、特開昭６１−２４３３７８号公報に
記載された技術は、ＦＢの発生パターンを分類してい
る。しかし、分類した数少ない基本パターンに対して不
良原因を１つ対応付けて、全ての不良分布の不良原因を
推定しているに過ぎない。そのための分類ルールについ
ては記載されていない。しかも、基本パターンと対応付
けた原因についてもかなりおおざっぱなものであるた
め、原因究明に長時間を要す。

【００１５】本発明は、上記従来技術の問題点を解決す
るためになされたもので、その第１の目的は、ウェハ内
または、チップ内等のＦＢの発生状況をビット単位のミ
クロなレベルで取得し、解析に際しては、ＦＢの発生パ
ターンをカテゴリ化して、そのカテゴリを用いたマクロ
な解析が行なえる半導体装置不良解析システムを提供す
ることにある。

【００１６】また、本発明は、取得したＦＢ情報に基づ
いて、熟練者でなくでも、容易かつ高精度かつ高速に不
良原因を究明することができる半導体装置不良解析シス
テムを提供することにある。

【００１７】

【課題を解決するための手段】上記目的を達成するた
め、本発明の一態様によれば、半導体装置についての検
査データに基づいて、半導体装置の不良解析を行なうた
めの不良解析システムにおいて、半導体装置（以下、単
にチップという）についての検査データから不良情報を
収集する手段と、収集したチップの不良情報を、当該チ
ップにおける物理的な位置情報と対応づける不良情報−
位置情報対応付け手段と、上記位置情報と対応づけられ
た不良情報について、不良情報の位置的分布が予め定め
た分布パターンのいずれに該当するかを判定する分類手
段と、分類された不良情報について、当該分類パターン
ごとに予め定めた圧縮基準に従って圧縮する圧縮手段
と、圧縮された不良情報を、その不良情報の出所源であ
るチップを特定する情報と共に記憶する記憶手段と、圧
縮されている不良情報を、チップごとに読みだして、図
形情報に変換する手段と、変換された図形情報を表示す
る表示手段とを備えることを特徴とする半導体装置不良
解析システムが提供される。

【００１８】上記システムは、不良情報の出所源となっ
ているチップについての設計情報を蓄積する設計情報記
憶手段をさらに備えることができる。この場合、不良情
報−位置情報対応付け手段は、設計情報記憶手段に蓄積
される該当チップについての設計情報に含まれる配置情
報に基づいて、チップ内の不良情報を、当該チップにお
ける物理的な位置情報と対応づける構成とすることがで
きる。

【００１９】分類手段は、例えば、不良情報の発生位置
について、それが孤立的に発生しているか、複数の不良
情報の発生位置が線状につらなっているか、複数の不良
情報の発生位置が面状に集合しているかによって、分類
することができる。また、より詳細には、分類手段は、
複数の不良情報の発生位置が線状につらなっている場合
については、２箇所の発生位置が隣接して横方向に一対
並ぶ横ペアパターン、２箇所の発生位置が隣接して縦方
向に一対並ぶ縦ペアパターン、２箇所より多い数の発生
位置が横方向に延びる横ラインパターン、および、２箇
所より多い数の発生位置が縦方向に延びているときには
縦ラインパターンのうち、いずれかのパターンを持つ不
良として定義して、それぞれ分類し、複数の不良情報の
発生位置が面状に集合している場合については、それら
が四辺形状に集合しているときには、ブロック状のパタ
ーンを持つ不良として定義して、分類することができる
ようにすることができる。

【００２０】圧縮手段のパターンごとに予め定めた圧縮
基準は、例えば、孤立的に現れる不良情報については、
当該発生位置の位置情報を、横ペアパターンおよび縦ペ
アパターンを持つ不良情報については、それぞれの始点
の位置情報を、横ラインパターンおよび縦ラインパター
ンについては、それぞれの始点の位置情報および長さ情
報を、ブロック状のパターンを持つ不良情報について
は、その始点および終点の位置情報を、それらのパター
ンを表す圧縮データとするように定めることができる。

【００２１】記憶手段は、孤立的に現れる不良情報、横
ペアパターンを持つ不良情報、縦ペアパターンを持つ不
良情報、横ラインパターンを持つ不良情報、縦ラインパ
ターンを持つ不良情報、および、ブロック状のパターン
を持つ不良情報について、それぞれを区分けして記憶す
るようにファイルを構成することができる。

【００２２】図形情報に変換する手段は、例えば、圧縮
されている不良情報を、チップごとに読みだして、実際
のビット配列に変換する。また、変換された図形情報を
表示する表示手段は、例えば、実際のビット配列に従っ
て不良情報を表示する。

【００２３】また、本発明において、上記したように、
不良情報の現れ方により種々に分類されたデータについ
て、さらに、メモリマットにおける不良ビットの分布態
様によって、カテゴリに分類するようにしてもよい。例
えば、１つのセルのみが不良ビットとなっている場合
（孤立ビット）、少数のビットで構成される不良パター
ンが多数集まった場合（かすれ）、メモリマット内の全
ビットが不良ビットである場合（マット不良）等のよう
に分類することができる。そして、例えば、かすれを構
成する不良ビットの圧縮データに識別符号を付して、同
じかすれのグループに属することをコンピュータが認識
できるようにすることができる。

【００２４】

【作用】本発明は、チップについての検査データに基づ
いて、チップの不良解析を行なうために用いられる。本
発明は、検査装置と接続して、まず、チップについての
検査データから不良情報を収集する。収集した不良情報
は、例えば、一旦、記憶しておく。収集したチップの不
良情報は、不良情報−位置情報対応付け手段によって、
当該チップにおける物理的な位置情報と対応づける。対
応付けは、具体的には、チップの設計情報を用いて行な
うことできる。これにより、不良情報の位置的分布を求
めることが可能となる。

【００２５】分類手段は、上記位置情報と対応づけられ
た不良情報について、不良情報の位置的分布を調べ、そ
れが、予め定めた分布パターンのいずれに該当するかを
判定する。具体的には、上述したように、孤立、対、
線、ブロック等のパターンに該当するか否かを調べる。

【００２６】圧縮手段は、分類された不良情報につい
て、当該分類パターンごとに予め定めた圧縮基準に従っ
て圧縮する。具体的には、パターンの幾何学的な性質を
用いて行なう。例えば、孤立および対は、位置情報で表
し、線は、始点の位置情報および長さ情報で表し、ブロ
ックは始点および終点の位置情報で表すことにより、圧
縮する。

【００２７】記憶手段は、圧縮された不良情報を、その
不良情報の出所源であるチップを特定する情報と共に記
憶する。例えば、孤立、対、線等のパターンごとに記憶
する。

【００２８】図形情報に変換する手段は、圧縮されてい
る不良情報を読みだして、そのデータから、分布の幾何
学的な特徴を表す図形を表現する図形情報に変換する。
表示手段は、この図形情報を表示する。

【００２９】

【実施例】以下、本発明の実施例について、図面を参照
して説明する。

【００３０】まず、図１を用いて、本発明に係る不良解
析システムの基本概念を説明する。本発明に係る不良解
析システムは、製造ラインからの検査データを取得し
て、検査データを解析する検査データ解析システム１０
１と、ＦＢについての解析を行なうＦＢ解析システム２
００と、このＦＢ解析システム２００で用いる各種デー
タを格納するデータベース群とを有する。

【００３１】検査データ解析システム１０１は、製造ラ
イン１１２での、異物検査１０２、外観検査１０３から
得られるデータと、ウェハ最終検査１１３においてテス
タ１（１０４）から得られるデータと、さらに、ＦＢ解
析システム２００からのデータとを基に解析を行う。

【００３２】ＦＢ解析システム２００は、ウェハ最終検
査１１３においてテスタ２（１０６）から得られるＦＢ
データと、ＬＳＩ設計情報を用いて、ＦＢの分布形状か
ら不良箇所および不良誘発点を抽出し、不良原因ノウハ
ウ情報を参照して、不良原因の推定１１４を行う。その
ため、上記データベース群として、ＬＳＩ設計情報２０
１を格納する設計情報データベース１０７と、ＦＢデー
タ２１０を格納するＦＢデータベース１０８と、不良原
因ノウハウ情報２１２を格納する不良原因ノウハウデー
タベース１０９、圧縮されたＦＢデータを格納する圧縮
データベース１２０とが接続されている。

【００３３】本実施例における設計情報とは、図３や図
４に示すような半導体ウェハ内のチップ配列やチップ内
のメモリマットの配列やメモリマット内のメモリセルの
配列、ボンディングパッドやデコーダ回路等の周辺回路
はチップ内にどの様に配置されているか等の情報を指
す。

【００３４】設計情報は、品種毎（マスク単位）に異な
る。また、設計情報を参照するには、品種名をキーにし
て設計情報データベース内を検索する。

【００３５】設計情報の利用の仕方としては、まず、図
１０から図１２に示すようなマップ表示をさせた場合、
表示が設計レイアウトに従ったものなので、ＦＢの発生
分布を解析することで、ＦＢの発生位置からＦＢが周辺
回路に異常があって発生したのか、メモリセル自身に異
常が発生したのか判断がつく。また、設計情報よりビッ
ト配列情報も引き出せるので、ＦＢの分布形状と配列情
報から、不良の発生原因、例えば、オープンやショート
が起こっている等の判断が出来る。上記２つのことよ
り、どの工程で何が起こったかの推定をすることが出来
る。また、不良の発生位置をさらに顕微鏡等の観察装置
で観察する場合、マップ上の不良アドレスを送ること
で、観察位置を容易に見つけられる。

【００３６】また、観察装置１１０は、ＦＢ解析システ
ム２００から渡された不良箇所および不良誘発点箇所の
座標を観察し、不良原因不良原因および不良発生工程を
特定する不良原因同定１１５を行なう。分析装置１１１
は、観察装置１１０で検出した異物等の成分分析を行
い、不良原因および不良工程を特定する。

【００３７】次に、ＦＢ解析システム２００と、半導体
ウェハ（以下単に「ウェハ」と呼ぶ）上のチップおよび
ＬＳＩ設計情報とについて、図２から図４で説明する。

【００３８】まず、図２を用いてＦＢ解析システム２０
０を説明する。図２は、ＦＢ解析システムの詳細構成を
示す概念図である。

【００３９】同図において、ＦＢ解析システム２００
は、図示していないが、中央情報ユニット（ＣＰＵ）
と、そのプログラムおよびデータを格納するためのメモ
リを有する。また、このＦＢ解析システム２００には、
上記データベース群を構成する記憶装置と共に、表示装
置２０９と、入力装置、例えば、マウス２１１とが接続
される。記憶装置としては、例えば、ハードディスク装
置が用いられる。さらに、このＦＢ解析システム２００
は、ＣＰＵにより実行される機能として、テストデータ
をフィジカルデータにするフィジカル変換手段２０２
と、データ圧縮手段２０３と、データ管理手段２０４
と、ピクセル変換手段２０５と、ＦＢ分布特徴抽出手段
２０７と、不良原因を推定する手段２０８とを有する。

【００４０】また、このＦＢ解析システム２００は、圧
縮されたフィジカルデータを圧縮データベース１２０に
保存する機能を有する。また、必要に応じてデータ管理
手段２０４を介して、保存したデータを検索し、呼び出
す。操作は、マウス２１１を用いて行うと作業性が向上
する。次に、ピクセル変換２０５を行い、表示装置２０
９に、不良ビットのウェハ内位置、または、チップ内位
置を表示する。このとき、ＦＢ分布特徴抽出手段２０７
をし、不良原因ノウハウデータベース１０９に格納され
る不良原因ノウハウ情報２１２を参照し、不良原因の推
定２０８をする。さらに、詳細な解析をする場合は、特
徴抽出した座標を観察装置１１０や分析装置１１１に渡
す。

【００４１】そして、テスタ２（１０６）からは、ＦＢ
解析システム２００に、品種、日付、ロットＮＯ、ウェ
ハＮＯ、ビットアドレス、ビットの良、不良情報などの
各種情報が転送されてくる。

【００４２】次に、図３および図４を用いて、半導体ウ
ェハ（以下、単に「ウェハ」と呼ぶ）上のチップの状況
と、そのチップ内の構成を説明する。

【００４３】図３は、ウェハ上に配列されたチップの状
況を示す図で、同図に示すように、チップは、検査対象
であるウェハ３０１上に縦横に配列された長方形の板状
に作り込まれている。ウェハ３０１内のチップの位置
は、例えば、同図に示すように、（４，３）の様な座標
で示すことができる。

【００４４】図４は、チップ内の構成を示す図である。
チップの端には、チップ内原点を示すマーク４０１が形
成されている。チップの周辺部分には、複数個の外部端
子（ボンディングパッド）４０３が配列されている。チ
ップ中央部には、例えば、４メガビットの大容量を有す
るメモリマットが、第１メモリマット４０４から第４メ
モリマット４０７に４分割されて配置されている。４分
割された各メモリマット４０４〜４０７のそれぞれは、
１メガビットの容量に構成されている。

【００４５】第１メモリマット４０４と第２メモリマッ
ト４０５の間には、デコーダ回路を含む周辺回路４０２
が配置されている。同様に、第３メモリマット４０６と
第４メモリマット４０７との間にも、周辺回路４０８が
配置されている。さらに、第１メモリマット４０４にお
いては、メモリセル（以下、単に「セル」と呼ぶ）４０
９が、図４に示されるように、升目状に配置されてい
る。すなわち、第２メモリマット４０５においては、セ
ル群は、第１メモリマット４０４のミラー反転パターン
により座標系がとられている。そして、第３メモリマッ
ト４０６は、第１メモリマット４０４と同様に、また、
第４メモリマット５０７は第２メモリマット４０５と同
様に、セル群がそれぞれ順次配列されている。

【００４６】ここで、ＬＳＩの設計情報は、上述したメ
モリマットの配置位置やサイズ等の情報のほか、ウェハ
サイズやチップサイズ、メモリサイズ、ウェハ内のチッ
プ配列情報、チップ内にあるメモリマットの数、メモリ
マット内にあるメモリセル数、チップ内の座標を決める
ための座標基準パターンの位置座標、その他多数の半導
体装置の不良解析を行うための情報が含まれている。図
１のＦＢ解析システム２００では、随時、このＬＳＩ設
計情報を参照して、ＦＢの解析を行う。このＬＳＩ設計
情報２０１を持たせたことの利点は、以下の如くであ
る。

【００４７】第１の利点としては、設計情報を基にウェ
ハやチップ等の表示をすることにより、ユーザは、実際
に即した表示のもとで解析を行うことができ、不良要因
の究明が容易に行える。第２の利点としては、メモリチ
ップ内の配置情報を持っているため、ＦＢの特定にメモ
リチップ内の原点をとれるようになったため、測定精度
が上がる。従来技術では、図３の如き座標をとっていた
ため、チップの間の溝の大きさが不揃いになりがちであ
り、誤差が大きかった。第３の利点としては、個々のチ
ップの種別毎に、ＬＳＩ設計情報２０１を取り変えれば
よいため、システムの柔軟性が向上して、より容易に異
なる種別のチップの不良解析システムを構築できること
である。

【００４８】次に、図５から図８および図１３を用い
て、ＦＢ解析システム２００におけるデータ処理ステッ
プ、特に、データ圧縮方法とその復元方法について詳細
に説明する。

【００４９】まず、図５と図１３とを用いて、本実施例
に係るデータ圧縮方法の考え方と圧縮データの持ち方と
を説明する。図５は、チップ内のＦＢの各種パターンを
示す図である。内部データとしては、良ビットを０、不
良ビット（ＦＢ）を１として、１ビット情報として持つ
のが一般的であるが、図５では、良ビットを空白、問題
となる不良ビット（ＦＢ）を１と表示している。図１３
は、図５の各々のパターンをどのように圧縮するかを示
す説明図である。なお、図５の各々のパターンを、図１
３の第２欄に記載した呼び方で呼ぶものとする。

【００５０】データの持ち方としては、次のようにす
る。孤立ビットの場合、不良となったセル自身のアドレ
ス（ｘ，ｙ）を圧縮データ値とする。縦ペアビットまた
は横ペアビットの場合、ペアビットの先頭ビットアドレ
ス（ｘ，ｙ）のみをデータ値とすればよい。各々の圧縮
データは、形状毎（不良パターン毎）に別々の記憶領域
に保存する。ペアビットの場合、二つのＦＢが隣接して
発生しているにもかかわらず、圧縮データは先頭ビット
のみでよい理由は、ペアビット専用の記憶領域に圧縮デ
ータを保存するので、先頭ビットの位置さえ確保してお
けば、隣接してもう１ビットあるということをあえて圧
縮データ中に持たなくてもよいからである。また、本実
施例の場合、パターンの方向も考慮して、パターンを分
類して、保存している。このため、方向性についてのパ
ラメータも圧縮データの中に持たなくてもよい。

【００５１】次に、縦、横のライン欠けの場合は、先頭
ビットのアドレス（ｘ，ｙ）と、そのライン欠けを構成
するＦＢの数ｋ、つまり、（ｘ，ｙ，ｋ）を圧縮データ
とすればよい。また、ブロック欠けの場合は、矩形の対
角座標を用いる。つまり、図５の場合、矩形の左上端の
ビットのアドレスを（ｘ１，ｙ１）、右下端のビットの
アドレスを（ｘ２，ｙ２）とすると、（ｘ１，ｙ１，ｘ
２，ｙ２）を圧縮データとすればよい。

【００５２】このように、本実施例の圧縮方法は、図５
に示すように、チップ内に生じる不良のパターンを、６
種類に分類し、圧縮の仕方を、それぞれのパターンに合
わせて最適な方法としている。ここで、形状パターンに
関する情報を持たないことに留意する必要がある。圧縮
したデータは、格納ファイルを異ならしめる等の手段を
とることにより、識別可能だからである。この点でも、
データ圧縮率の向上を見込むことができる。

【００５３】また、格納するために要するビット数は、
各々のパターンに従って、最適な格納ビットのみしか必
要としない。このため、特に、圧縮すべきＦＢが大容量
であればあるほど、メモリ圧縮の効果も大きくなる。

【００５４】図６は、フィジカル変換の概略フローチャ
ートを示す。フィジカル変換とは、図４の論理的な座標
系の情報を、メモリセルを一元的に配列した情報に置き
換えることである。

【００５５】まず、テストデータをＦＢデータベース１
０８から読み込み（ステップ６０１）、かつ、前記ＬＳ
Ｉ設計情報データベース１０７からＬＳＩ配列データ
（２０１）の読み込みを行う（ステップ６０２）。次
に、前記ミラー反転パターンに構成されたメモリの設計
情報を、順方向に配列し直す（ステップ６０３）。そし
て、図４の左下のビットからＹ方向に１つずつ各ビット
の良、不良状態をフィジカルデータファイルに読み込む
（ステップ６０４）。

【００５６】Ｙ方向に１列読み終わると、次にＸ方向へ
１つずれ、同様に、Ｙ方向に１つずつ各ビットの良、不
良を記憶する（ステップ６０５）。全てのデータを読み
込むまで、以上の各処理が繰り返される（ステップ６０
６）。

【００５７】次に、データを読み込んでから、圧縮保
存、復元および表示までについて、図７、図４３、図４
４および図８を用いて説明する。但し、これらのフロー
チャートは、１つのウェハに対する圧縮、復元および表
示用のもので、複数枚のウェハについて行う場合は、そ
れぞれのフローチャートの処理が繰り返される。

【００５８】図７は、チップ内のＦＢの形状毎にいくつ
かの圧縮方法を使い分ける場合のフローチャートを示
す。

【００５９】同図において、まず、圧縮するデータの品
種が何であるかを認識する（ステップ７０１）。次に圧
縮するテストデータをメモリ上に８ビット（１バイト）
ずつ、１ステップ分読み込む（ステップ７０２）。そし
て、データに２次元座標を持たせるため、Ｎバイト毎に
リターンコードを入れる（ステップ７０３）。但し、Ｎ
の値は、チップ内のビット配列に依存するものであり、
品種毎に異なる。この値は、品種毎に設計情報ファイル
にアクセスして読み取る。

【００６０】例えば、図４３（ａ）の様なチップ配列を
している場合、転送されてくる０／１のテストデータを
５１２ビット（６４バイト）毎にリターンコードを入れ
れば良い（図４３（ｂ）参照）。

【００６１】次に、チップ内のＦＢの形状認識を行う
（ステップ７０４）。そして、認識した形状ごとに、図
１３に示すように、圧縮方法を使い分ける（ステップ７
０５）。続いて、上記の選択した圧縮方法で、データ圧
縮を行った後（ステップ７０６）、チップ内の全てのデ
ータを圧縮したか否かチェックする（ステップ７０
７）。全てのデータの圧縮が済んでいないときは、（ス
テップ７０４）以降の処理を繰り返す。

【００６２】このようにして、全てのデータの圧縮が終
わると、１チップ分の圧縮データを内蔵の記憶装置であ
るハードディスク内の圧縮データベース１２０に保存す
る（ステップ７０８）。

【００６３】次に、全チップについのデータ圧縮が完了
したかチェックし（ステップ７０９）、済んでいない場
合は、再び（ステップ７０２）から処理を行う。

【００６４】次に、図４４を用いて、データ圧縮詳細な
アルゴリズムについて説明する。この方法は、上述した
ように、ＦＢの形状毎に圧縮方法を分け、データ圧縮を
効率的に行うものである。すなわち、ＦＢのパターン６
種類毎に保存の仕方を変えた最も能率の良い圧縮方法で
ある。ここでは、そのための具体的な圧縮アルゴリズム
を示すことにする。

【００６５】図４４は、チップ内のＦＢの形状毎にデー
タ圧縮を行う場合の詳細なフローを示す図である。

【００６６】ここでは、座標の取り方は、図３に従う。
よって、原点は、図４の左下端のビットとする。

【００６７】この方法は、チップ内のＦＢの各形状毎に
圧縮方法を選択させ、データ圧縮を効率的に行うもので
あるが、ウェハ単位、チップ単位、メモリマット単位で
圧縮方法を選択させても良い。

【００６８】まず、テスタから得られたデータを読み込
み、全ビットに２次元座標を持たせる（ステップ７１０
１）。そして、変数ｋ，ｐ，ｒに初期値１を持たせ、ま
た、変数ｑに初期値０を持たせる（ステップ７１０
２）。

【００６９】次に、原点（０，０）から順にビットの値
（０または１）を読んでいき、ビットの値が１になるま
で読み続ける（ステップ７１０３）。読んだビットに対
し、全てのビットが０であるか調べる（ステップ７１０
４）。もし、この条件が成立しなければ、値が１である
ビットの座標をＡ（ｉ，ｊ）とし、そのＡ（ｉ，ｊ）の
右隣のビットＡ（ｉ＋ｋ，ｊ）＝１（但しｋ＝１）であ
るか調べる（ステップ７１０５）。もし、この条件が成
立すれば、ｋの値を１更新し（ステップ７１０６）、Ａ
（ｉ＋ｋ，ｊ）の値が０になるまでこの操作を繰り返
す。

【００７０】そして、（ステップ７１０５）でＡ（ｉ＋
ｋ，ｊ）の値が０になった時、ｋ＝１であるか調べ（ス
テップ７１０７）、この条件が成立すれば、Ａ（ｉ，
ｊ）の真上の値Ａ（ｉ，ｊ＋ｐ）＝１（但し、ｐ＝１）
を調べる（ステップ７１０８）。もし、Ａ（ｉ，ｊ＋
ｐ）＝１であれば、ｐの値を１更新し（ステップ７１０
９）、Ａ（ｉ，ｊ＋ｐ）＝０になるまでこの操作を繰り
返す。（ステップ７１０８）で、Ａ（ｉ，ｊ＋ｐ）＝０
の時、ｐ＝１であるか調べ、（ステップ７１１０）、条
件が成立すれば孤立ビットデータとして、圧縮データＡ
（ｉ，ｊ）を作成し（ステップ７１１１）、このデータ
を保存する（ステップ７１１２）。

【００７１】そして、圧縮した領域のデータの値を１か
ら０に書換える（ステップ７１１３）。

【００７２】（ステップ７１０７）でｋ≠１ならば、Ａ
（ｉ，ｊ）の真上の値Ａ（ｉ，ｊ＋ｐ）＝１（但しｐ＝
１）であるか調べ（ステップ７１１７）、条件が成立す
れば、ｐの値を１更新し（ステップ７１１８）、Ａ
（ｉ，ｊ＋ｐ）≠１になるまでこの操作を繰り返す。

【００７３】Ａ（ｉ，ｊ＋ｐ）≠１になったら、ｐ＝１
かどうか調べ（ステップ７１１９）、条件が成立した
ら、ｋ＝２か調べる。もし、条件が成立したら、横ペア
ビット欠けデータＡ（ｉ，ｊ）を作成（ステップ７１２
１）し、圧縮データを保存する（ステップ７１１２）。
そして、圧縮した領域のデータの値を１から０に書換え
る（ステップ７１１３）。（ステップ７１２０）でｋ≠
２ならば、横ライン欠けデータとして圧縮データＡ
（ｉ，ｊ，ｋ）を作成し（ステップ７１２２）、データ
を保存する（ステップ７１１２）。そして、圧縮した領
域のデータの値を１から０に書換える（ステップ７１１
３）。

【００７４】（ステップ７１１９）でｐ≠１ならば、Ａ
（ｉ＋ｒ，ｊ＋ｑ）＝１（但しｒ＝１，ｑ＝０）である
か調べ（ステップ７１２３）、条件が成立すれば、ｑの
値を１更新し（ステップ７１２４）、Ａ（ｉ＋ｒ，ｊ＋
ｑ）≠１になるまでこの操作を繰り返す。そして、Ａ
（ｉ＋ｒ，ｊ＋ｑ）≠１になったらｐ＝ｑであるか調べ
（ステップ７１２５）、条件が成立すれば、ｒの値を１
更新し（ステップ７１２６）、ｑ＝０にする（ステップ
７１２７）。ｑ＝０ならばｒ＝１であるか調べ（ステプ
７１２８）、条件が成立すれば、Ａ（ｉ，ｊ）＝１を基
準とするｘ，ｙ方向の連続するビットの数を比較し、数
の大きい方のライン欠けデータを作成する（ステップ７
１２９）。このデータを保存し（ステップ７１１２）、
圧縮した領域のデータの値を１から０に書換える（ステ
ッップ７１１１３）。

【００７５】（ステップ７１２８）でｒ≠１ならば、ブ
ロック欠けデータとして、圧縮データＡ（ｉ，ｊ，ｉ＋
ｒ−１，ｊ＋ｑ−１）を作成する（ステップ７１３
０）。そして、この圧縮データを保存し（ステップ７１
１２）、圧縮した領域のデータの値を１から０に書換え
る（ステップ７１１３）。

【００７６】（ステップ７１０４）で、全てのビットの
値が０であれば、１チップ分の圧縮データをハードディ
スクの圧縮データベース１２０に保存し（ステップ７１
３１）、ウェハ内全てのデータを保存したか調べる（ス
テップ７１３２）。条件が成立すれば、１ウェハ分のデ
ータが圧縮されたことになる。もし、（ステップ７１３
２）で条件か成立しなければ、他のチップについて上記
の操作を繰り返す。

【００７７】なお、全てのデータ保存の際には、形状毎
にそれぞれ別々の記憶領域に保存することに留意する必
要がある。その理由としては、形状毎に記憶領域を変え
ることで、個々の圧縮データに形状を識別するためのパ
ラメータを持たずに済むので、データ容量の節約が出来
るからである。テストデータは、１ビット単位にデータ
を持っているので、圧縮を行っても扱うデータ量が大き
い。そこで、少しでもデータ容量を少なくする必要があ
る。

【００７８】次に図８を用いて、圧縮データの復元およ
び表示について述べる。以下のデータ処理を通して、作
業者は、テスタデータを表示装置上に示すことができ、
ＦＢの分布を解析することができるようになる。

【００７９】図８は、１ウェハ分のデータの復元および
表示についてのフローを示す図である。

【００８０】本実施例としては、特に、表示装置とし
て、約縦４８０ピクセル、横６４０ピクセルのＣＲＴを
用いた例を示す。

【００８１】ハードディスクに設けられる圧縮データベ
ース１２０から１ウェハ分の圧縮データが読み出され
（ステップ８０１）、高速な画面表示のためにピクセル
変換が行われる（ステップ８０２）。これは、圧縮デー
タのみを用いて、画像圧縮をして、ウェハ全体を１画面
で表示させるための処理である。例えば、ブロック欠け
データの場合は、圧縮データの対角座標をそれぞれ１画
素あたりのビット数で除算し、ＣＲＴ上の座標を求め
る。そして、求めた座標の表示が行われる（ステップ８
０３）。

【００８２】以下では、ピクセル変換について補足して
説明する。このピクセル変換は、圧縮データのみを用い
て行う。表示装置２０９のＣＲＴの解像度の関係で、ウ
ェハ（１メガの記憶容量を持つチップの場合で、チップ
の縦が２０４８ビット、横が５１２ビット、１ウェハ当
り１５０チップ程度）の規格によっては、１メモリセル
を１画素で表示できない場合がある。そこで、画像圧縮
をして、ウェハ全体を表示する。

【００８３】この処理は、縦ｍビット横ｎビットのチッ
プのウェハを表示する場合、チップの縦を１／ｓ、横を
１／ｔに縮小表示する。そのため、ＣＲＴ上には、縦ｓ
ビット横ｔビットの領域を１画素で表示する。そこでこ
の領域内に１ビットでもＦＢが含まれている場合、この
領域全体をＦＢ領域として表示する。実処理として、ブ
ロック欠けデータ（ｘ１，ｙ１，ｘ２，ｙ２）を例に挙
げると、圧縮データの対角座標をそれぞれ１画素当りの
ビット数ｋで割り、ＣＲＴ上の座標（ｘ１／ｋ，ｙ１／
ｋ，ｘ２／ｋ，ｙ２／ｋ）を求めればよい。

【００８４】次に、チップ内のＦＢがどのように表示さ
れ、解析していくかについて説明する。作業者は、品種
名、ロット番号、ウェハ番号等を指定することにより、
所望のウェハに関するＦＢデータの圧縮データを圧縮デ
ータベース１２０から検索し、表示装置２０９上に表示
させる。この場合の表示フォーマットを、図９から図１
２に示す。

【００８５】図９は、表示装置に表示される本システム
の画面構成を示す。図９に示すように、本システムの表
示画面は、メニュー画面１０００がベースに存在する。
このメニュー画面１０００の下部側には、選択項目１１
００が表示される。メニュー画面１０００の選択項目１
１００と重ならない領域上に、解析画面１２００が重ね
て表示されている。解析画面１２００は、主に、メイン
画面１２１０、サブ画面１２２０、サブ画面１２３０お
よびサブ画面１２４０の４つに別れて構成される。具体
的には、例えば、図９のように、メイン画面１２１０に
は、解析したい部分の表示がなされる。サブ画面１２２
０には、解析しているものについてのデータ（品種名，
ロットＮＯ，ウェハＮＯ，ウェハＮＯ，ウェハサイ
ズ，．．．）と、テスタの測定条件（電源電圧，動作温
度，アクセス時間，．．．）とが表示される。サブ画面
１２３０には、ウェハ内のカテゴリ（検査のためのウェ
ハ内のチップに行う分類）等が表示される。サブ画面１
２４０には、チップ内のマット構成等が表示される。ま
た、サブウィンドウも必要に応じて開かれる。なお、本
実施例では、この解析画面１２００は、メニュー画面１
０００を表示する際に、特に指示することなしに、標準
的に、併せて表示される。

【００８６】ここで、サブ画面１２２０にテスタの測定
条件を表示することの利点について説明する。半導体装
置の不良は、電源電圧や測定温度などテスタの測定条件
の規格値の設定に問題があって発生する不良と、製造プ
ロセス上の問題により発生する不良とに大きく分けるこ
とができる。前者は、各測定条件の規格値内で不良が発
生する場合、どのような条件にすると不良数が増加した
り減少したりするか、その原因を追求することが重要に
なる。そのため、テスト条件等をサブ画面１２２０に表
示する。そして、条件を表示することにより、規格値内
で測定したものか、規格値外で測定したものか明確にな
るため、解析を効率的に行うことができる。例えば、規
格値通りに測定したとき、ＦＢが発生していれば、電源
電圧のマージンが足りないためと考えられる。

【００８７】これに対し、電源電圧の規格値を変えても
新たなＦＢが発生していなければ、他の測定条件の値を
変えて測定を行い、全ての測定で同じ結果が得られれ
ば、このＦＢは、異物や外観不良等の製造プロセス上に
問題があると考えられる。

【００８８】さて、図１０から図１２を用いて、実際に
具体例により、不良解析を行う場合について説明する。

【００８９】図１０は、表示装置上に表示されるウェハ
上のＦＢの分布表示の例を示した図である。図１１は、
表示装置上に表示されたチップ内のＦＢの分布表示の例
を示した図である。図１２は、チップ内の１部領域を拡
大表示したＦＢの分布表示を示したものである。

【００９０】作業者が解析画面が表示されているメニュ
ー画面１０００において、選択項目１１００からウェハ
表示１１０１を指定すると、図１０に示すように、メイ
ン画面１２１０に、ウェハ全体象１３０１が示され、そ
の中に、各チップ内のＦＢの分布が表示されている。ま
た、サブ画面１２２０には、解析しているものについて
のデータ（品種名，ロットＮＯ，ウェハＮＯ，ウェハサ
イズ，．．．）と、テスタの測定条件（電源電圧，動作
温度，アクセス時間，．．．）が表示されている。サブ
画面１２３０には、ウェハ内のカテゴリ（検査のための
ウェハ内のチップに行う分類）等が表示されている。サ
ブ画面１２４０には、チップ内のマット構成等が表示さ
れている。

【００９１】作業者は、メニュー画面１０００の選択項
目１１００の中から、チップ表示１１０３を選び、サブ
画面１２３０の中から所望のチップをマウス等を用いて
指定する。所望のチップが指定されると、図１１に示す
ように、メイン画面１２１０に指定されたチップの全体
像１３０１が表示される。チップ全体像１３０１には、
このチップ内のＦＢの分布が表示される。

【００９２】なお、図１０および図１１の表示の際、図
３に示すように、オリフラ側（ウェハが平になっている
下の部分）をＸ軸、左側をＹ軸、Ｘ軸とＹ軸の交点を原
点として、ウェハ上のチップの位置を示す数字が、図１
０のウェハ表示の場合は、１３０５、１３０６に示すよ
うに、また、図１１のチップ表示の場合は、１４０２、
１４０３に示すように、それぞれ表示することにより、
解析を行う者にとって、表示しているウェハ内のチップ
の位置を明らかにすることができる。

【００９３】この拡大表示は、作業者がウェハ表示やチ
ップ表示等の画面で、一部分拡大してみたい場合には、
図１２に示すような拡大表示が行われる。作業者がウェ
ハ表示やチップ表示で一部分拡大する場合、選択項目１
１００のズームマウスで指定すると、図１２に示すよう
に、拡大表示画面１５００が新たに開かれる。さらに、
拡大率を上げて表示する場合には、画面上方にある拡大
率ボタン１５０１をマウス等で指定することにより、自
由に変換することができる。画面上には、設計情報に基
づく（Ｘ，Ｙ）座標１５０２，１５０３が表示されるの
で、ＦＢの位置を容易に確認することができる。拡大率
を変更した場合には、それにあわせて座標の表示スケー
ルも変わる。

【００９４】次に、図１４を用いて、グルーピングと呼
ばれる手法について述べる。図１４は、グルーピングの
手順を示したフローを示す図である。

【００９５】本発明に係るデータ圧縮方法は、データ圧
縮を効率的に行うために、１つのＦＢ形状（以下、「Ｆ
Ｂ群」という）をいくつかに分割しているため、この分
割した１つ１つが同じＦＢ群であったことを認識させる
ための手法である。これにより、テスタデータと他の測
定データ、例えば、異物データとの突き合わせ解析を行
う際、１つの異物による影響で、ＦＢがどの程度発生す
るかが明確になる。この処理は、圧縮データを作成し、
圧縮データを圧縮データベース１２０に保存する前に行
ってもよいし、実際に突き合わせ解析や観察装置にデー
タを転送する際に行ってもよい。

【００９６】まず、保存しておいた圧縮データを順に呼
び出す。次に、Ｇ_max＝１を初期値として設定する（ス
テップ１４０１）。そして、フラグの値がＦ_A＝０であ
るか調べる（ステップ１４０２）。もし、Ｆ_A＝０なら
ば、データＡの右側に接するデータＢがあるか調べる
（ステップ１４０３）。接するデータＢがあれば、Ｂの
グループ番号である、Ｇ_Bの値が０かどうか調べる（ス
テップ１４０４）。Ｇ_B＝０ならば、Ａのグループ番号
であるＧ_AとＧ_Bに、Ｇ_maxの値を代入する（ステップ１
４０５）。

【００９７】次に、Ａの上側に接するデータＣがあるか
どうか調べる（ステップ１４０６）。もしあれば、Ｃの
グループ番号であるＧ_Cの値が０かどうか調べる（ステ
ップ１４０７）。Ｇ_C＝０ならば、Ｇ_CにＧ_maxの値を代
入する（ステップ１４０８）。そして、Ｇ_maxの値を１
更新する（ステップ１４０９）。最後に、Ｆ_Aの値を０
から１に変換する（ステップ１４１０）。（ステップ１
４０６）でＡの上側に接するデータＣがなければ、Ｇ
_maxの値を１更新する（ステップ１４０９）。そして、
Ｆ_Aの値を０から１に変換する（ステップ１４１０）。
（ステップ１４０７）で、Ｇ_C≠０ならば、Ｇ_AとＧ_Bに
Ｇ_Cの値を代入する（ステップ１４１１）。そして、Ｆ
Ａの値を０から１に変換する（ステップ１４１０）。

【００９８】また、（ステップ１４０４）でＧ_B≠０な
らば、Ｇ_AにＧ_Bの値を代入する（ステップ１４１２）。
次に、Ａの上側に接するデータＣがあるか調べる（ステ
ップ１４１３）。もしあれば、Ｇ_Cが０かどうか調べる
（ステップ１４１４）。Ｇ_C＝０ならば、Ｇ_CにＧ_Bの値
を代入する（ステップ１４１５）。そして、Ｆ_Aの値を
０から１に変換する（ステップ１４１０）。（ステップ
２５１４）で、Ｇ_C≠０ならば、Ｇ_B≦Ｇ_Cを調べる（ス
テップ１４１６）。この不等式が成立すれば、Ｇ_CにＧ_B
の値を代入する（ステップ１４１５）。（ステップ１４
１６）で、Ｇ_B＞Ｇ_Cならば、Ｇ_AとＧ_BにＧ_Cの値を代入
する（ステップ１４１７）。そして、Ｆ_Aの値を０から
１に変換する（ステップ１４１０）。

【００９９】（ステップ１４０３）で、Ａの右側に接す
るデータＢがなければ、Ａの上側のに接するデータＣが
あるか調べる（ステップ１４１８）。もし、接するデー
タＣがあれば、Ｇ_Cが０かどうか調べる（ステップ１４
１９）。Ｇ_C＝０ならば、Ｇ_AとＧ_CにＧ_maxの値を代入す
る（ステップ１４２０）。そして、Ｇ_maxの値を１更新
し（ステップ１４０９）、Ｆ_Aの値を０から１に変換す
る（ステップ１４１０）。（ステップ１４１９）でＧ_C
≠０ならば、Ｇ_AにＧ_Cの値を代入する（ステップ１４２
１）。そして、Ｆ_Aの値を０から１に変換する（ステッ
プ１４１０）。（ステップ１４１８）で、Ａの上側に接
するデータＣがなければ、Ｇ_AにＧ_maxの値を代入する
（ステップ１４２２）。そして、Ｇ_maxの値を１更新し
（ステップ１４０９）、Ｆ_Aの値を０から１に変換する
（ステップ１４１０）。

【０１００】（ステップ１４０２）でＦ_C≠０ならば、
全データのフラグの値が１になるまでデータを読み続け
る。もし、全データのフラグが１ならば（ステップ１４
２３）、操作を止める。

【０１０１】次に、ＦＢのカテゴリの分類について説明
する。

【０１０２】ＦＢの分布をいくつかのパターンに分類す
る方法として、ＦＢが周期的にであるか非周期的である
か、また、ＦＢのパターンが周辺回路に接しているか接
していないか、さらにパターンの方向性（縦，横）に着
目して分類することが出来る。例えば、周辺回路に接す
るか接しないかにより、周辺回路上に問題があるか、セ
ル自身に問題があるかについておおよその判断がつく。
また、メモリマット内には、データ線とワード線がある
ので、パターンの方向性を考慮することにより、同じ形
状の不良であっても、縦横の方向の違いによって不良原
因の違いがわかる。

【０１０３】前記グルーピング手法（図１４）を用い
て、データのつながり（ＦＢ群）は認識できても、それ
がどのような形状をしていたかを認識させることはむず
かしい。そこで、グルーピングしたデータを用いて、図
１５に示すフローに従って、カテゴリの分類および認識
を行う。

【０１０４】まず、図７に示した圧縮を行う（ステップ
１５０１）。次に、メモリマット毎に、孤立ビット、か
すれ、マット不良等がないか判断する（ステップ１５０
２）。ここで、孤立ビットとは、１つのセルのみがＦＢ
となっているものとする。また、かすれとは、図１６に
示すように、小数のビットで構成される不良パターンが
多数集まったものとする。本実施例では、メモリマット
内の８０％以上１００未満のセルがＦＢとなった場合と
する。ＦＢの割合は、品種やラインの特性によって自由
に変えられる。マットとは、メモリマット内の全ビット
がＦＢとなる場合とする。

【０１０５】これらの定義を基に、孤立ビット、かす
れ、マットと判断されたものは、圧縮データベース１２
０内のそれぞれの専用の圧縮データファイル（１５０
３，１５０４，１５０５）に保存される。

【０１０６】また、かすれと判断した場合、かすれを構
成するＦＢの圧縮データ（図７で認識したもの）にフラ
グを持たせ、これらの圧縮データは、同一のグループに
属することをコンピュータに認識させる。

【０１０７】次に、（ステップ１５０２）で認識、保存
したデータ（１５０３，１５０４，１５０５）以外のデ
ータについて、前記グルーピング（図１４）を行う（ス
テップ１５０６）。

【０１０８】グルーピング終了後、各ＦＢ群を構成する
圧縮データ（図７で認識したもの）数を調べ、複数の圧
縮データからＦＢ群が構成される場合、グルーピング後
の形状認識（ステップ１５０７）を行う。ここでは、ク
ロスライン等の認識を行う。

【０１０９】例えば、クロスラインやＴラインの認識の
場合、圧縮データの構成数が３であることをまず確認
し、そして、以下の条件を満たすか調べる。クロスライ
ンを構成する３つの圧縮データを（ｘ１、ｙ１、ｋ
１），（ｘ２、ｙ２、ｋ２），（ｘ３、ｙ３、ｋ３）と
すると、

【０１１０】

【数１】

【０１１１】の３式を満足した場合となる。そして、１
つのクロスラインが認識出来たら、圧縮データを（ｘ
２，ｙ１，ｘ２−ｘ１，ｙ２−ｙ１，ｘ３＋ｋ３−１−
ｘ２，ｙ１−ｙ２＋ｋ２−１）に変更し、その変更した
圧縮データを専用のデータベース（１５０８）に保存
し、上記３つの圧縮データは捨てる。この圧縮データの
各パラメータは、図１７に示すように、（ｘ２，ｙ２）
は、クロスラインの交点（１７０１）の座標である。ｘ
２−ｘ１は、左方向のビット数（１７０２）、ｙ２−ｙ
１は、上方向のビット数（１７０３）、ｘ３＋ｋ３−１
−ｘ２は、右方向のビット数（１７０４）、ｙ１−ｙ２
＋ｋ２−１は、下方向のビット数（１７０５）である。

【０１１２】また、Ｔラインの場合には、以下の手順
で、形状の認識及び圧縮を行う。Ｔラインの場合は、２
つのライン欠けから構成される。この２つの圧縮データ
を（ｘ１，ｙ１，ｋ１）、（ｘ２，ｙ２，ｋ２）とす
る。

【０１１３】まず、Ｔラインとは、図１８に示す様な８
つの形状と定義する。

【０１１４】図１８（ａ），（ｂ），（ｃ）の場合、以
下の条件を満たせば良い。

【０１１５】

【数２】

【０１１６】図１８（ｄ），（ｅ），（ｆ）の場合、以
下の条件を満たせば良い。

【０１１７】

【数３】

【０１１８】図１８（ｇ）の場合、以下の条件を満たせ
ば良い。

【０１１９】

【数４】

【０１２０】図１８（ｈ）の場合、以下の条件を満たせ
ば良い。

【０１２１】

【数５】

【０１２２】また、Ｔラインに認識が出来たら、図１８
（ａ），（ｂ），（ｃ）の場合、（ｘ２，ｙ１，ｘ２−
ｘ１，ｘ１＋ｋ１−１−ｘ２，ｋ２）を新しい圧縮デー
タとする。このデータを専用の圧縮データベース（１５
０９）に保存する。図１９に示すように、（ｘ２，ｙ
１）は、２本のラインが接している部分（１９０１）の
座標であり、ｘ２−ｘ１は、左方向のビット数（１９０
２）、ｘ１＋ｋ１−１−ｘ２は、右方向のビット数（１
９０３）、ｋ２は、下方向のビット数（１９０４）であ
る。上記データの各成分のデータ容量は、２バイトとす
る。すると、データ容量が１０バイトとなり、更なるデ
ータ圧縮率の向上が図れる。

【０１２３】また、グルーピング（ステップ１５０６）
でＦＢ群を構成する圧縮データが１つの場合、つまりグ
ルーピングを行っても、他の圧縮データと接しない場
合、周期性のチェックを行う（１５０１）。その理由と
しては、１つ１つの圧縮データは、接続していなくて
も、同一のパターンがある規則に従って発生している場
合があるからである。例えば、図２０の場合、縦のライ
ンがｎビットおきに周期的に発生しているものを縦スト
ライプと定義する。この場合、以下の手順で形状認識を
行う。

【０１２４】まず、各ラインの圧縮データを（ｘ１，ｙ
１，ｋ１），（ｘ２，ｙ２，ｋ２），（３，ｙ３，ｋ
３），（ｘ４，ｙ４，ｋ４）とすると、これらの圧縮デ
ータが縦ストライプである条件は、

【０１２５】

【数６】

【０１２６】である。上記条件を満たした場合、縦スト
ライプの圧縮データを（ｘ１，ｙ１，ｋ１，ｘ２−ｘ
１，ｎ）として専用の圧縮データベース（１５１１）に
保存する。ここで、（ｘ１，ｙ１，ｋ１）は、一番ｙ軸
に近いラインの圧縮データで、ｘ２−ｘ１は、隣合うラ
イン間の間隔であり、ｎは、繰り返し発生するラインの
本数である。

【０１２７】図２１に示すように、孤立ビットが横方向
に等間隔で発生している場合、横点線と定義する。各孤
立ビットの座標を（ｘ１，ｙ１），（ｘ２，ｙ２），
（ｘ３，ｙ３），（ｘ４，ｙ４），・・・・とするとこ
れらの圧縮データ群が点線である条件は、

【０１２８】

【数７】

【０１２９】の２式を満足すれば良い。そして、横点線
の圧縮データとしては、（ｘ１，ｙ１，ｘ２−１，ｎ）
とし、専用の圧縮データベース（１５１２）に保存す
る。（ｘ１，ｙ１）は、点線の先頭ビットの座標であ
り、ｘ２−ｘ１は、隣合う孤立ビット間の間隔であり、
ｎは、繰り返し発生する孤立ビットの数である。また、
周期性のチェック（１５０７）で、周期性がなかった場
合、つまり、前記の圧縮方法（図７）で認識された孤立
ビット、ペアビット（縦、横）、ライン、ブロック等の
場合である。

【０１３０】各形状の圧縮データのフォーマットは、図
１３に示す通りである。

【０１３１】以上のように、形状認識を行い、それぞれ
の形状に合った圧縮方法を用いて（同一形状で方向が異
なる場合、別々のデータベースに保存する）圧縮保存す
ることで、前記圧縮方法（図７）を用いた場合に比べ、
正確な形状が認識出来ることに加え、更なる圧縮率の向
上が図れる。

【０１３２】各形状毎に、異なるファイルに圧縮データ
を保存することのメリットとして以下のことが挙げられ
る。まず第１の理由として、個々の圧縮データに、形状
を認識するパラメータを持たせなくて済むので、データ
量が少なくて済むからである。第２の理由として、図３
５，図３８から図４０に示すように、不良パターン（形
状）毎に統計処理やマップ表示をさせる場合、必要なフ
ァイルのみにアクセスしてデータを取り出せば良いの
で、データ検索にかかる時間を必要最低限に抑えること
が出来るからである。これにより、トータル的にも、不
良原因究明時間を短縮することが出来る。

【０１３３】また、上記ＦＢの発生パターンと原因とを
対応付けた形で分類することで、不良の原因推定を熟練
した作業者以外の者でも、容易に解析が行えるようにす
る。

【０１３４】具体例を述べると、図２２の場合、ＦＢが
周辺回路に接していない状態で発生している。これは、
ＦＢとなったセル上に異物が付着したことが原因である
と考えられる。

【０１３５】また、図２３の場合は、ＦＢがクロス状に
に発生している。さらにＦＢが周辺回路に接している。
原因としては、原因としては、交差している部分２３０
１がショートしたため、または、周辺回路２３０２と２
３０３でショートしたためと考えられる。

【０１３６】以上のように、１つのパターンに複数の不
良原因が考えられる場合、最も可能性の高い原因から優
先順位をつけて対応付ける。この原因の対応付けは、過
去の解析実績による。

【０１３７】上記のルールで、ＦＢの発生パターンとそ
の不良原因をまとめた不良原因一覧２４００の一例を図
２４に示す。図２４に示す不良原因一覧中に表示される
カテゴリ２４０１とは、分類したＦＢのパターンを視覚
的にわかりやすく表現したものである。つまり、ＦＢの
発生パターンを記号化したものである。例えば、図２５
のパターンが周辺回路に接していないクロスラインの場
合、図２６に示すようなカテゴリパターンとなる。

【０１３８】以上のように、ＦＢパターンと、ＦＢパタ
ーンと不良原因を対応付けたものは、図１に示した不良
原因ノウハウデータベース１０９に、品種単位に別ファ
イルに保存される。また、新規に不良カテゴリが発生し
た場合、、そのカテゴリと不良原因とを順次不良ノウハ
ウデータベース１０９に追加登録することができる。

【０１３９】次に、上記カテゴリパターンを用いたカテ
ゴリマップの機能について説明する。この機能は、ＦＢ
の発生状況をマクロな解析で効率的かつ高精度に行うた
めのものであり、任意領域内に発生するＦＢの発生状況
を上記で分類したＦＢのカテゴリを用いて解析するもの
である。カテゴリの表示ルールとしては、任意領域内に
おいて最も多く発生したＦＢのパターンをその領域の代
表パターンとする。

【０１４０】例えば、図２７に示すようなＦＢが発生し
ている場合、５つの孤立ビット２７０１、１つの横横ラ
イン２７０２、１つのブロック欠け２７０３から、この
領域の代表パターンは、孤立ビットとなる。この場合に
は、図２８のようなカテゴリで表される。なお、異なる
ＦＢのパターンで、発生数が同じとなった場合は、パタ
ーン面積や不良対策の重要度によって表示パターンを決
定する。

【０１４１】次に、上記ルールで作成したカテゴリマッ
プを用いて不良原因を究明する手法について説明する。

【０１４２】図２９は、カテゴリマップの一例を示す。
まず、ウェハ全体で、ＦＢの発生状況を把握する。そし
て、注目するカテゴリが表示されるチップについて、今
度は、そのカテゴリが、チップ内どのマットに発生して
いるかを確認する。さらに、注目パターンの正確な位置
を１ビット単位の詳細なフェイルビットマップを用い確
認する。この解析方法は、予め不良原因を推定した上で
発生場所のみを確認するだけなので、フェイルビットマ
ップのみを用いた解析に比べ、解析期間の大幅な短縮が
図れる。

【０１４３】例えば、クロスパターン２９０１に注目し
た場合、今度は、そのクロスパターンがチップ内の何処
に発生しているか確認する。そして、このクロスパター
ン２９０１が発生しているマット２９０２についてフェ
イルビットマップ２９０３を用いて詳細解析を行い、Ｆ
Ｂの発生座標を確認する。そして、この座標をＳＥＭ１
１０や異物検査装置１０２、外観検査装置１０３等に送
ることにより、さらなる解析を行い、不良発生工程、不
良原因の同定をし、対策することができる。

【０１４４】本システムは、フェイルビットマップとカ
テゴリマップを同一画面上に表示することが可能であ
る。そこで、まず、カテゴリマップのウェハ２９０１よ
り全体の発生状況を把握して、ＦＢのウェハマップ２９
０５で、実際の分布を確認したり等、カテゴリマップと
フェイルビットマップを解析の目的にあわせて、即時に
表示することが可能である。

【０１４５】さらに、カテゴリマップ表示の場合、図３
０に示すように、カテゴリパターンの近傍に、そのパタ
ーンの発生の度合（個数）３００１が表示されるので、
１ビット単位のフェイルビットマップを確認せずに、不
良の発生状況を把握することができる。パターンの発生
の度合の表示は、ウェハマップ、チップマップ等で表示
される。

【０１４６】また、カテゴリマップの機能により、人が
視覚的に解析しやすくなるほか、カメラ等を用いて自動
解析を行う場合、認識が容易になる。また、カテゴリマ
ップは、全不良の状況を確認した上で、代表カテゴリを
決定するので、マクロな情報ではあるが、精度の高い情
報である。

【０１４７】次に、フェイルビットのパターンの照合機
能について説明する。この機能は、フェイルビットマッ
プ、カテゴリマップ上で使用可能である。不良原因の照
合方法としては、マップ上のカテゴリパターンまたは、
ＦＢの分布をマウス等で指定し、不良原因照合機能３１
０２を選択すると、適切な不良原因が表示される。

【０１４８】例えば、フェイルビットマップを用いて不
良原因を照合する場合、まず、図３１に示すフェイルビ
ットマップから所望のフェイルビットパターン３１０１
を１つマウス等で指定し、不良原因照合機能３１０２を
マウス等で選択する。すると、サブ画面３１０３が新た
に開かれ、推定される不良原因が優先順位をつけた状態
で表示される。さらに、図３１に示すグラフ３１０４を
マウス等で指定すると、図３２に３２０１で示すよう
に、不良原因の内訳を円グラフで割合表示するグラフ画
面３２０１を示すようにしてもよい。

【０１４９】また、不良原因一覧３１０５を指示する
と、図３３に示すように、カテゴリパターンとその不良
原因が対応づけられた表３３０１が表示される。この
時、表示された不良原因は、過去の実績より、この時点
で最も優先順位の高いものが対応づけられている。した
がって、不良原因は、そのときの状況によって変わる。
従って、図３３の、前頁３３０２および後頁３３０３を
使用して、所望の不良原因を検索することができる。カ
テゴリマップの場合も同様に行えばよい。

【０１５０】次に、領域分割機能について説明する。こ
の機能は、任意領域内を複数の領域に分割し、各領域毎
に上記で分類したＦＢパターンの頻度を集計し、その結
果を数値的に表現するものである。領域の分割方法とし
ては、作業者が予め分割領域を設定するものである。分
割領域の設定方法は、以下の手順で行う。

【０１５１】まず、作業者は、条件検索で、品種名を指
定する。そして、領域区分３４０１を指示することによ
り、領域分割設定機能を起動させる。これにより、図３
４のような画面が開かれる。領域区分画面３４０１にお
いて、領域を１つ選択し、次に、ウェハマップ上の所望
チップをマウス等で順次指定していく。

【０１５２】例えば、Ａ領域を指定する場合、まず、領
域区分画面３４０１で”Ａ”ボタンをマウス等で指定す
る。そして、Ａ領域にしたいチップ３４０２の上を順次
マウス等で指定していく。領域ＢからＤについても同様
の手順で設定する。全チップの設定終了後、設定３４０
３を指示して、例えば、設計情報データベース１０７に
登録する。登録の際、登録名を入力すれば、分割の設定
領域を変えて、複数の領域分割パターンを登録すること
ができる。チップ内分割や任意領域内分割においても同
様に行うことができる。

【０１５３】次に、領域分割機能を使用するための手順
を以下に述べる。

【０１５４】まず、条件検索で、品種名、ロットＮＯ等
必要条件を入力し、所望のデータを呼び出す。そして、
領域分割１１１０を指示する。すると、図３５に示すよ
うに、分割した各領域毎にフェイルビットの分布パター
ンの内訳が、グラフ表示される。グラフの出力として
は、縦軸には、、パターンの発生率または、発生件数、
横軸には、月別、日別、ロット別、ウェハ別、任意領域
別等のデータに関するものが出力可能である。

【０１５５】図３５に出力の一例を示す。横軸に分割領
域３５００、縦軸にパターンの発生個数２９０２を取
る。このグラフの見方は、例えば、９３／９／２０の日
に検査したウェハ全体で、ＡからＤまでの各領域におけ
る各パターンの全パターンに対する割合が表示されてい
る。グラフの示す不良内容３５０３は、画面右下に表示
されている。縦軸は、不良発生個数の他、不良発生率の
モードがある。

【０１５６】この機能によれば、装置異常など、不良発
生に領域性のある場合、早期に異常発見することが可能
とある。

【０１５７】次に、不良カテゴリの推移グラフ機能につ
いて説明する。この機能は、ＦＢの発生パターンの状況
を、ウェハ別、ロット別、日別、週別、月別で管理可能
なものである。

【０１５８】例えば、日別（９３／９／１〜９３／９／
１０）のＦＢの発生状況を解析する場合、まず、作業者
は、サブ画面１２２０において、条件検索で、品種名、
期間、ロットＮＯ等必要条件を選択し、ＦＢデータベー
ス１０７を検索する。すると、図３６に示すような日別
の推移グラフがメイン画面１２００に出力される。横軸
には日付３６０１が表示され、縦軸には、それぞれの日
に検査したウェハにおいて発生した不良パターンの内訳
（単位：個）３６０２が表示される。各不良パターンの
内容３６０３は、画面右下に表示される。縦軸は、不良
発生工程にフィードバックし、原因対策を行うことがで
きる。

【０１５９】図３７は、プロ−ブ検査におけるＤＣデ−
タの結果を示したものである。解析画面１２００のメニ
ュ−から”ＤＣマップ”を選択し、”ウェハ”を選択項
目１１０１から選ぶと、図３７のような画面が表示され
る。このマップより、ＤＣ検査の結果を即時に確認する
ことができ、異常の早期検知が可能となる。もし、異常
が発生した場合、どのパラメ−タがおかしいか確認し、
早期対策が打てる。

【０１６０】図３８から図４１に不良の出力マップを示
す。図３８の３８０１は、マップの表示形式を選択する
部分で、マップ上に不良結果を数で示すか不良内容（オ
−プン、ショ−ト、．．．）を示すかユ−ザが選ぶ。ま
た、３８０２は、出力する不良項目を選択する部分であ
り、表示形式、不良項目共にユ−ザが必要な個所をマウ
ス等で、ピックする。

【０１６１】図３８は、Ａ不良の数をマップ表示したも
のである。この表示より、ウェハ上のどのチップにＡ不
良がどれだけ発生しているか、数値的に確認することが
できる。

【０１６２】図３９は、図３８内の任意チップについ
て、チップ内のどの位置にＡ不良がどれだけ発生してい
るかを確認するするための画面である。図３９内の３９
０１は、チップ内のメモリマットを示す。

【０１６３】ユ−ザは、表示形式３８０１として不良内
容を、不良項目３８０２としてＡ不良をマウス等で選択
すると、図４０が表示される。図４０は、Ａ不良がチッ
プ内のどの位置に発生しているかを示したものである。
図４０の画面右側の画面４００１は、不良内容をマップ
上に表現するため、各不良を記号化したものである。

【０１６４】図４１は、図４０のマップより、任意チッ
プを指定して、表示したものである。この表示より、Ａ
不良がチップ内のどの位置に発生しているかが明確とな
るので、不良要因の究明が容易に行える。

【０１６５】図４２は、図３８から図４１より指定した
１不良に関する詳細情報を示したものである。この情報
を参照することで、どのような条件で測定したときどの
層で不良が発生したかが容易に確認できる。

【０１６６】以上の実施例は、半導体のメモリを想定し
ているが、本発明は、メモリ限定されない。例えば、多
数の素子がアレイ状に配置されている半導体等に適用す
ることができる。この場合、検査できる最小単位を、１
ビットと想定して、これを、メモリの場合と同様に、Ｆ
Ｂと表現する。従って、本明細書では、ＦＢは、検査で
きる最小単位での不良を意味する。

【０１６７】以上述べたように、本発明の実施例によれ
ば、半導体装置の不良情報原因の結果を不良発生工程に
フィードバックすることにより、製造工程の異常に迅速
に対応するようにしたため、製造工程の異常の検知が遅
れることにより生ずる不良原因のある半導体装置の無駄
な製造を極力避けることができる。

【０１６８】さらに、上記実施例によれば、不良の発生
状況を日々管理することができるので、早期異常の警告
および対策が可能である。

【０１６９】

【発明の効果】以上説明したように、本発明によれば、
ビット対応に欠陥の有無を検出したデータを用いている
ので、不良解析が正確に行なえる。しかも、ＦＢを予め
定めたパターンに分類し、各分類固有の圧縮方法により
ＦＢデータを圧縮して保存している。そして、データの
解析を、この圧縮データに基づいて行なっているので、
マクロなレベルでの解析が容易に行なえる。従って、本
発明では、不良原因と対応付けながら前記不良情報を分
類して、その分類結果を解析することで、不良解析が専
門家以外の者でもできるようにしたため、経験の浅い作
業者でも、フェイルビット解析を容易、かつ、高精度に
行い得る。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る不良解析システムの基本概念を示
すブロック図である。

【図２】ＦＢ解析システムの詳細構成を示す概念図であ
る。

【図３】ウェハ上に配列されたチップの概略を示す説明
図である。

【図４】ウェハ内構成を示す説明図である。

【図５】チップ内のＦＢの各種パターンを示す図であ
る。

【図６】本発明におけるフィジカル変換の概略説明用フ
ローチャートである。

【図７】チップ内のＦＢの形状毎にいくつかの圧縮方法
を使いわける方法のフローチャートである。

【図８】１ウェハ分のデータの復元および表示について
のフローチャートである。

【図９】装置に表示されるシステムの画面の構成を示す
説明図である。

【図１０】表示装置に表示されるウェハ上のＦＢの分布
表示例を示す説明図である。

【図１１】表示装置に表示されるチップ上のＦＢの分布
例を示す説明図である。

【図１２】表示装置に表示されるチップ内のＦＢの分布
を拡大表示した例を示す説明図である。

【図１３】図５に示す各パターンをどうのように圧縮す
るかを示す説明図である。

【図１４】グルーピング手順を示すフローを示す説明図
である。

【図１５】カテゴリ分類の手順を示すフローを示す説明
図である。

【図１６】かすれの分布の様子を示す説明図である。

【図１７】クロスラインの圧縮データのもち方を示す説
明図である。

【図１８】Ｔラインの種類を示す説明図である。

【図１９】Ｔラインの圧縮データのもち方を示す説明図
である。

【図２０】縦ストライプの圧縮データのもち方を示す説
明図である。

【図２１】点線の圧縮データのもち方を示す説明図であ
る。

【図２２】表示装置に表示されるＦＢの分布形状の表示
例（その１）を示す説明図である。

【図２３】表示装置に表示されるＦＢの分布形状の表示
例（その２）を示す説明図である。

【図２４】ＦＢの発生パターンと不良原因の対応付けを
示す説明図である。

【図２５】チップ内のＦＢの分布例を示す説明図であ
る。

【図２６】チップ内に発生するＦＢの分布パターンをカ
テゴリ表示した例を示す説明図である。

【図２７】チップ内のＦＢの分布例を示す説明図であ
る。

【図２８】チップ内に発生するＦＢの分布パターンより
抽出した代表パターンをカテゴリ表示した例を示す説明
図である。

【図２９】表示装置内に表示されるカテゴリマップを示
す説明図である。

【図３０】チップ内に発生するＦＢの分布パターンをカ
テゴリ表示した例を示す説明図である。

【図３１】表示装置内に表示される不良原因照合リスト
を示した説明図である。

【図３２】表示装置内に表示される不良原因の内訳を円
グラフで示した説明図である。

【図３３】表示装置内に表示されるカテゴリパターンと
不良原因を対応付けた表を示した説明図である。

【図３４】表示装置内に表示される領域分割設定画面を
示した説明図である。

【図３５】表示装置内に表示されるウェハ内各領域の発
生状況を示した説明図である。

【図３６】表示装置内に表示される日別の発生状況を示
した説明図である。

【図３７】テスト条件の表示画面を示した説明図であ
る。

【図３８】不良の出力マップを示した説明図である。

【図３９】不良の出力マップを示した説明図である。

【図４０】不良の出力マップを示した説明図である。

【図４１】不良の出力マップを示した説明図である。

【図４２】不良に関する詳細情報を示した画面の説明図
である。

【図４３】（ａ）は検査対象のチップのメモリマットの
形状の概要を示す説明図、（ｂ）はメモリ内のテストデ
ータの２次元配置を示す説明図である。

【図４４】データ圧縮のアルゴリズムの詳細な手順を示
すフローチャートである。

【符号の説明】

１０１…検査データ解析システム、１０２…異物検査、
１０３…外観検査、１０５…ＦＢ解析システム、１０７
…設計情報データベース、１０８…ＦＢデータベース、
１０９…不良原因ノウハウデータベース、１１０…観察
装置、１１１…分析装置、１２０…圧縮データベース、
１０００…解析画面、１２００…メイン画面、１２２
０、１２３０、１２４０…サブ画面。

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】半導体装置についての検査データに基づ
いて、半導体装置の不良解析を行なうための不良解析シ
ステムにおいて、半導体装置についての検査データから不良情報を収集す
る手段と、収集した半導体装置の不良情報を、当該半導体装置にお
ける物理的な位置情報と対応づける不良情報−位置情報
対応付け手段と、上記位置情報と対応づけられた不良情報について、不良
情報の位置的分布が予め定めた分布パターンのいずれに
該当するかを判定する分類手段と、分類された不良情報について、当該分類パターンごとに
予め定めた圧縮基準に従って圧縮する圧縮手段と、圧縮された不良情報を、その不良情報の出所源である半
導体装置を特定する情報と共に記憶する記憶手段と、圧縮されている不良情報を、半導体装置ごとに読みだし
て、図形情報に変換する手段と、変換された図形情報を表示する表示手段とを備えること
を特徴とする半導体装置不良解析システム。
【請求項２】請求項１において、不良情報の出所源と
なる半導体装置についての設計情報を蓄積する設計情報
記憶手段をさらに備え、不良情報−位置情報対応付け手段は、設計情報記憶手段
に蓄積される該当半導体装置についての設計情報に含ま
れる配置情報に基づいて、不良情報を、当該半導体装置
における物理的な位置情報と対応づけることを特徴とす
る半導体装置不良解析システム。
【請求項３】請求項１において、分類手段は、不良情
報の発生位置について、それが孤立的に発生している
か、複数の不良情報の発生位置が線状につらなっている
か、複数の不良情報の発生位置が面状に集合しているか
によって、分類することを特徴とする半導体装置不良解
析システム。
【請求項４】請求項３において、分類手段は、複数の不良情報の発生位置が線状につらなっている場合
については、２箇所の発生位置が隣接して横方向に一対
並ぶ横ペアパターン、２箇所の発生位置が隣接して縦方
向に一対並ぶ縦ペアパターン、２箇所より多い数の発生
位置が横方向に延びる横ラインパターン、および、２箇
所より多い数の発生位置が縦方向に延びているときには
縦ラインパターンのうち、いずれかのパターンを持つ不
良として定義して、それぞれ分類し、複数の不良情報の発生位置が面状に集合している場合に
ついては、それらが四辺形状に集合しているときには、
ブロック状のパターンを持つ不良として定義して、分類
することを特徴とする半導体装置不良解析システム。
【請求項５】請求項４において、圧縮手段のパターン
ごとに予め定めた圧縮基準は、孤立的に現れる不良情報
については、当該発生位置の位置情報を、横ペアパター
ンおよび縦ペアパターンを持つ不良情報については、そ
れぞれの始点の位置情報を、横ラインパターンおよび縦
ラインパターンについては、それぞれの始点の位置情報
および長さ情報を、ブロック状のパターンを持つ不良情
報については、その始点および終点の位置情報を、それ
らのパターンを表す圧縮データとすることを特徴とする
半導体装置不良解析システム。
【請求項６】請求項５において、記憶手段は、孤立的
に現れる不良情報、横ペアパターンを持つ不良情報、縦
ペアパターンを持つ不良情報、横ラインパターンを持つ
不良情報、縦ラインパターンを持つ不良情報、および、
ブロック状のパターンを持つ不良情報について、それぞ
れを区分けして記憶するものである半導体装置不良解析
システム。