200307484 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種具備有使射出率提昇之光學構件 的顯示面板。 【先前技術】 一般而言，EL元件係爲一種自我發光型之元件，因此， 係爲被使用在液晶顯示器中之背光燈、印表機頭中之光 源、分段型顯不器中之區段（s e g m e n t )、矩陣型顯示器中 之像素等。特別是在E L元件爲由像素所形成之顯示器方 面，係具有視角較廣、對比較高、於辨識性上較爲優越、 消費電力較低、於耐衝擊性方面較爲優越之優點。而在EL 元件中’爲具有：無機EL元件，係爲在發光材料中爲使 用無機化合物之EL層以及一對電極之間，分別夾設有絕 緣膜之薄膜構造；有機EL元件，所具有之層積構造爲在 發光材料中使用有機化合物元件。 於第22圖中所示係以典型的有機EL元件所達成之發 光面板的構造。發光面板9 0 1係構成爲使陽極電極9 0 3、 包含有發光材料之有機EL層904、陰極電極905依序層 積在透明基板902 —方之面902a。有機EL層904係爲， 由陽極電極9 03爲依序以發光層、電子輸送層所形成之三 層構造，或是由陽極電極903爲依序以電洞輸送層、發光 層所形成之雙層構造，在由發光層所形成之一層構造中， 於該等層構造之中，係爲一種將電子或電洞之構造夾設於 透明層之間的層積構造。 200307484 在發光面板901中，陽極電極903與陰極電極905之 間施加有順偏移電壓後，便使電洞由陽極電極903注入至 有機EL層9 04，且使電子由陰極電極905注入至有機EL 層904。並且，使電洞與電子輸送至有機EL層904，在 有機EL層9 04上再結合電洞以及電子，藉此而產生激發 性電子（e X c i t ο η )。激發性電子爲激勵在有機E L層9 0 4 內之螢光體，而在有機EL層904內發光。 一般，發光面板901係爲，將陽極電極903作爲透明 電極，而將光由透明基板902之另一方之面90 2b朝向外 部發出，不過，因爲有機EL層904所發出之光係爲增廣 爲放射狀，因此在發光面板901方面，爲將陰極電極905 具有遮光性而提升光射出效率。 不過’發光面板90 1係爲將以不具有光之指向性的有 機EL層9 04所發出之光增廣爲放射狀，因此，透過透明 基板9 02之局部之光爲在透明基板902內進行散亂，藉此 而造成減低由透明基板902朝外部之光的射出效率。 此外，在將發光面板902使用在矩陣型顯示器之情況 下’以有機EL層904所發出之光爲增廣爲放射狀，因此， 在正面方向中之顯示畫面的對比將難以充分提高。 在此’本發明係藉由以層積在透明基板上之層積構造 所形成之有機EL元件（被稱之爲發光元件），而使發光 面板之光射出效率提升，且具有在發光面板之發光方面具 有指向性的優點。 【發明內容】 -6- 200307484 本發明之發光面板係具備有以下構件：透明基板；第 一透明電極，爲被設在前述透明基板上；發光層，爲被設 在前述第一透明電極上；第二透明電極，爲被設在前述發 光層上；反射膜，爲經由前述第二透明電極而反射來自前 述發光層之光，且使前述反射光由前述透明基板射出。 在本發明中，在以發光層進行發光後，該光之一部份 便會持續的透過第一電極與透明基板，而由透明基板之另 一方之面射出。另一方面，該光之其他部分係在透過第二 電極後便以反射膜來反射，其反射光係透過第二電極、發 光層、第一電極、以及透明基板，而由透明基板之另一方 之面射出。在此，反射膜係無須如第二電極般地密接於發 光層上。亦即，當發光層係爲平坦者時，相對於第二電極 亦必須成膜成平坦狀，反射膜係無關於發光層的形狀，而 可設定成爲任意的形狀。因此，反射膜係可將所反射之光 任意的控制，故而可提升來自透明基板側之光的射出率。 反射膜係以設成具有凹部之形狀而具有凹面鏡之機 能，特別是形成爲可提升正面亮度，而由正面辨識者爲可 進行高對比之顯示。特別是將此種發光面板作爲個人用之 小型面板來進行利用的情況下，幾乎只能由正面來進行辨 識，因此爲極具效果。此外，因可容易地定義反射膜的形 狀，故而亦可將透鏡設置在反射膜之內面、或是外面。 【實施方式】 以下，使用圖面，針對本發明之具體態樣進行說明。 不過，發明之範圍並非僅限定在圖示例之中。此外，在本 200307484 實施例中’所謂的『由平面觀之』係意味著『由透明基板 2之射出面2b之略法線方向所見』。 在第1A圖中，係揭示適用本發明之發光面板1之斷面 圖。 此種發光面板1之係以在略平板狀之透明基板2之一 方的平坦面2a上依序層積陽極電極3、有機EL層4 (廣 義之發光層）、陰極電極5的層積構造來作爲基本構造。 夾持有機EL層4而使陽極電極3與陰極電極5交叉之多 處作爲像素來定義，各像素係因應於被施加在陽極電極3 以及陰極電極5之電壓或電流而選擇性地進行發光。 透明基板2係爲，折射率爲1.3至1.6、厚度爲0.1mm 至1.3mm、對於可視光爲具有透過性，同時具有絕緣性， 並且以硼矽酸玻璃、石英玻璃、以及其他玻璃之材料所形 成。 陽極電極3係被成膜在透明基板2之一方之面2a上。 陽極電極3爲具有導電性的同時，對於可視光爲具有透過 性。再者，陽極電極3較佳係以將電洞（electron hole) 效率爲佳地注入至有機EL層4。陽極電極3係例如爲藉 由銦-錫-氧化物（ITO : Indium-Tin-Oxide )、鋅摻雜氧化 銦（Ιη-Ζη-0 )、氧化銦（Ιη2 03 )、氧化錫（Sn02 )、或是 氧化鋅（Ζ η Ο )等所形成，折射率係約爲2 · 0至2.2左右， 且以50nm至2〇Onm之厚度來形成。 有機EL層4係以20nm至200nm之厚度而形成在陽極 電極3上。有機EL層4亦可具備有各種的電荷輸送層。 200307484 例如，爲可具有由陽極電極3依序形成爲電洞輸送層、狹 義之發光層、電子輸送層所形成的三層構造，亦可具有由 陽極電極3依序形成爲電洞輸送層、狹義之發光層所形成 的二層構造，亦可具有由狹義之發光層所形成之一層構造 或四層以上的構造，亦可爲在該等層構造中，將電子輸送 層或是電洞輸送層夾設在適當的層間之構造，亦可爲其他 的構造。有機EL層4之折射率係約爲1 . 3至1 .6左右。 亦即，有機EL層4係具有輸送電洞與電子之機能、藉 由電洞與電子之再結合而產生激發性電子、以進行發光之 機能。有機EL層4較佳係爲在電子性方面爲中性的有機 化合物，藉此，爲使電洞與電子藉由有機E L層4均衡地 進行注入及輸送。此外，係可使電子輸送性之物質適當的 混合在狹義之發光層內，亦可使電洞輸送性之物質適當的 混合在狹義之發光層內，亦可使電子輸送性之物質以及電 洞輸送性之物質適當的混合在狹義之發光層內。此外，雖 然在有機EL層4中含有發光材料（螢光材料），不過， 發光材料亦可爲高分子系列材料、亦可爲低分子系列材 料。 陰極電極5係被成膜在有機E L層4上。陰極電極5係 對於可視光爲具有透過性。再者，陰極電極5在由電子注 入性之觀點來判斷，係以工作函數較低者爲佳。作爲陰極 電極5，例如有，將以銦、鎂、鋰、或是鋇之低工作函數 之單體或是至少包含有一種之合金或是混合物所構成的電 子注入層’藉由以2nm至1 5nm左右之厚度而被成膜至有 200307484 機EL層4上，該電子注入層上、由5〇nm至200nm厚度 之ITO等高透過率層所成膜之層積構造中，較佳係將可視 光設爲7 0 %以上透過之範圍。 在陰極電極5中’已配列有呈現爲矩陣狀之多數的微 小凸透鏡的透鏡陣列（fly-eye lens或是fl[eye lenses) 7 係藉由光學接著劑6所接著。光學接著劑6係對於可視光 爲具有透過性，此外，其所具有之折射率係接近於陰極電 極5之高透過率之折射率或透鏡陣列7之折射率。在本實 施例中，作爲光學接著劑6雖是使用加拿大樹膠（Canada Balsam )，不過係無須限定在加拿大樹膠。 透鏡陣列7係使與陰極電極5接著之面7a爲形成平坦 狀。另一方面，透鏡陣列7之另一方之面7b係形成爲多 數之凸透鏡7c爲以l//m至200//m、較佳爲25/zm至75 // m之間距而在平面所視爲配置成爲矩陣狀之形狀。一個 凸透鏡7c係形成爲如同將圓錐（circular cone) 7e重疊 至截角圓錐（truncated cone) 7d之上底面的形狀，截角 圓錐7d之高度2x與圓錐7e之高度X之比係形成爲2比 1，而截角圓錐7d之下底面之徑値3x與圓錐7e之底面之 徑値2x之比係爲3比2。從而，圓錐7e之頂角α係設定 爲 1 20。。 使反射膜8成膜至透鏡陣列7之凹凸面7b上。反射膜 8係對於可視光爲具有反射性。作爲反射膜8，雖列舉有 銘、銀、或是該等合金，不過，若是可將透鏡陣列7之凹 凸面7b形成爲鏡面狀、而可反射可視光時，則無須將反 -10- 200307484 射膜8之材料限定在該等材料中。作爲反射膜8之成膜方 法，雖列舉有濺射法、蒸鍍法等，不過，係無須限定在該 等方法中。 凸透鏡7c係在與朝向透明基板2之方向的相反方向上 形成凸狀，因此，由透明基板2觀察透鏡陣列7後，爲以 一個凸透鏡7c與反射膜8來構成一個凹面鏡。該凹面鏡 係朝向、對合於陰極電極5，在凹面鏡與陽極電極3之間 係夾設有陰極電極5。 作爲如上所述之構造的發光面板1之製造方法，首先， 在將陽極電極3成膜在透明基板2之平坦面2 a之後，便 將有機EL層4成膜於陽極電極3上。其次，將陰極電極 5成膜至有機EL層4上。另一方面，將反射膜8成膜至 透鏡陣列7之凹凸面7 b上。並且，將光學接著劑6塗覆 在透明基板2側之陰極電極5、或是透鏡陣列7之平坦面 7a之至少一方，以光學接著劑6而將透鏡陣列7之平坦 面7a接著至陰極電極5。固化光學接著劑6、完成發光面 板1。 不過，在將發光面板1使用在主動矩陣顯示型顯示器 之顯示面板的情況下，如第2圖所示，於平面所視係以將 陽極電極3以及有機EL層4劃分成矩陣狀爲佳。在此情 況下，藉由於平面所視爲形成網眼狀之絕緣性的隔牆9來 劃分陽極電極3以及有機EL層4，且配置成在其之上覆 蓋有由共通電極所形成之陰極電極5。藉此，由各個像素 所形成之有機EL元件係由在隔牆9上所劃分之陽極電極 200307484 3來區隔發光區域，設於隔牆9內之電晶體Tr係作爲 關元件而被連接在陽極電極3上。電晶體Tr係在各個 素內分別設置單數或多數個，而以a-SiTFT或p-SiTFT 佳。此外，亦可因應需要而在各像素上設有連接至電晶 Tr的電容器。 被配置成爲對應於各凸透鏡7c之各一個個的像素（ 機EL元件），且以一個凸透鏡7c與反射膜8所構成之 個凹面鏡係朝向、對合於一個有機EL元件之各有機 層4。此外，雖是將各個有機EL元件之陰極電極5針 於全數的像素而作爲共通之電極，不過，被連接至電晶 Tr之電極爲作爲對於有機EL層4而將透明基板2側於 個像素中已被圖型化的陰極電極，亦可將陽極電極以覆 隔牆9以及有機EL層4的作爲一片之共通電極。此時 陰極電極若構成爲具有如上所述之電子注入層以及高透 率層時，則亦可將電子注入層設在有機EL層4上。 此外，在單純矩陣之情況下，在由平面觀之爲沿著 向方向而被配置成相互僅隔有指定之距離的多數隔牆 間，配置有同樣地沿著橫向方向所設置之陽極電極3， 有機EL層4形成在陽極電極3之表面後，在有機EL層 之表面上，亦可形成沿著正交於橫向方向之縱向方向、 相互僅隔有指定之距離的多數之陰極電極5。 若是藉由電晶體Tr以及隔牆9、或是陽極電極3以 有機EL層4來在面方向上產生段差時，爲使相抵其凹 而在未硬化時將具有柔軟性之光學接著劑6夾設在由凹 開 像 爲 體 有 EL 對 體 各 蓋 之 過 橫 9 將 4 且 及 凸 凸 -12- 200307484 所產生之間隙內，因此，透鏡陣列7係可對於透明基板2 平行、且穩定的接合。 作爲第2圖之發光面板1之製造方法，爲適當地進行 藉由蒸鍍法、濺射法或是CVD法等所稱之成膜程序、微 影法等所稱之遮罩程序、飽刻法所稱之薄膜之形狀加工程 序，而將多數之陽極電極3以矩陣狀而圖型化形成在透明 基板2之平坦面2a上。並且，使電晶體Tr以及控制電晶 體Tr與各像素之驅動電路連接之配線形成在透明基板2 上之多數的陽極電極3間。 其次，藉由微影法而將隔牆9形成在電晶體Τι.上以及 配線上。亦即，將防蝕膜（感光性聚亞醯胺膜）形成在透 明基板2之平坦面2 a上，曝光形成隔牆9之部分的防蝕 膜（亦即，將重疊在陽極電極3之部分進行曝光），藉由 顯像液來去除防，蝕膜之已曝光部分以外的區域。藉此，將 防蝕膜進行形狀加工、防鈾膜之殘餘部分則形成爲隔牆9。 之後，以溶媒融化含有發光材料之高分子系列材料， 而以液滴噴出裝置作成液滴來將該溶液噴出至藉由隔牆9 所圍繞之各個圍繞區域，液滴爲在陽極電極3上擴散、形 成膜，之後藉由將其固化而形成有機EL層4。 其次，藉由蒸鍍法、濺射法或是CVD法等所稱之成膜 程序來成膜一片之陰極電極5。於第2圖所示之陰極電極 5雖係爲一片，不過，依據情況的不同，亦可爲被配置成 矩陣狀之多數的陰極電極5，在此情況下，在成膜形成陰 極電極之導電膜後，藉由進行微影法等所稱之遮罩程序、 -13- 200307484 蝕刻法所稱之薄膜之形狀加工程序，而形成被配列成矩陣 狀之多數的陰極電極5。 另一方面，將反射膜8成膜在透鏡陣列7之凹凸面7b 上。並且，將光學接著劑6塗覆在透明基板2側之陰極電 極5或是透鏡陣列7之平坦面7a之至少一方，藉由光學 接著劑6而將透明陣列7之平坦面7a接著至陰極電極5。 此時，由平面觀之，將位置對正爲呈現出將一個凸透鏡7c 重疊在各個陰極電極5上，而將透鏡陣列7接著至陰極電 極5。並且，固化光學接著劑6、完成第2圖之發光面板 1 ° 在第1A圖或是第2圖之發光面板1中，陽極電極3與 陰極電極5之間在施加順偏移電壓（陽極電極3之電位係 高於陰極電極5之電位）後，使電洞由陽極電極3注入至 有機EL層4,且使電子由陰極電極5注入至有機EL層4。 並且，使電洞以及電子輸送至有機EL層4之狹義的發光 層，以狹義的發光層而再結合電洞以及電子，藉此使激發 性電子產生，激發性電子係激發有機EL層4內之螢光體 來進行發光。陽極電極3以及透明基板2係對於有機EL 層4之發光波長區域爲呈現透明狀，因此，以有機EL層 4發光之光係透過陽極電極3以及透明基板2、且由透明 基板2之平坦的射出面2b射出。另一方面，陰極電極5、 光學接著劑6以及透鏡陣列7亦對於有機EL層4之發光 波長區域爲呈現透明狀，因此，來自有機EL層4之光係 經由陰極電極5、光學接著劑6以及透鏡陣列7而藉由反 -14- 200307484 射膜8來反射，反射光係透過透鏡陣列7、透明接著劑6、 陰極電極5、有機EL層4、陽極電極3以及透明基板2， 而由射出面2b射出。 在第1A圖或是第2圖之發光面板1中，在陽極電極5 上因對向有凹面鏡，故而由有機EL層4朝向反射膜8之 光係用以聚光至中心部而進行反射。亦即，來自有機EL 層4而朝向反射膜8之光係爲通過凸透鏡7c之頂點、以 朝向射出面2b之法線方向進行聚光般的反射。從而，由 射出面2b之法線方向所見之情況下的發光面板1之發光 亮度係相當的高。從而，爲防止以有機EL層4所發出之 光在射出面2b中以均等狀地擴散成放射狀。特別是在採 用於如同第2圖之發光面板1之矩陣型顯示器的情況下， 因爲可抑制以有機EL層4所發出之光擴散成放射狀，故 而將不致有在周圍之像素方面較強、進而造成擴散之虞， 而得以實現高對比之顯示。 第1B圖之圖表所示係爲在第ία圖所示之發光面板1 之射出光的指向性之圖表，在射出面2b中，由原點Ο呈 現放射狀延伸之軸的角度係對於射出面2b而表示計測角 度，且將來自原點〇之距離表示光度比（亮度〔cd/ m2〕 之比）。透明基板2係以折射率爲i · 5而被設定成厚度爲 0 · 7mm。此外，陽極電極3、有機El層4、陰極電極5、 光學接著劑6係相較於透明基板2爲呈現極薄狀，該等折 射率係以在光度比之指向性上爲不致付與極大影像之低折 射率者爲佳。線L901係表示第22圖之發光面板9〇1之（但 200307484 是，陰極電極90 5係對於可視光爲具有反 任何角度之光度比亦將由面902b之法線 下設爲1、進彳了無因次化（dimensionless: 線L1係爲第1A圖之發光面板1之光 較例而將發光面板901設爲當由面902b 時之光度爲1來表示之相對値。 此外，在本實施之情況下的各種條件 膜厚、各層之材料、施加電壓之位準、發 流之位準等）係除了設有透鏡陣列7以及 爲與過去之情況相同。 如第1B圖所示，在由角度〇°至角度 內，於本實施例之發光面板1中之亮度係 光面板中之亮度相同。不過，在角度6 0° 例之發光面板1中之亮度係形成爲高於習 之亮度。特別是在8 0°以上之情況下，在 現的更爲顯著。 如上所述，發光面板1係具備有對向 極5之凹面鏡，因此，在對於射出面2b 3 0°以內，射出率係爲提升。特別是在左 內時，則射出率爲改善兩倍以上。 此外，因具備有對向於透明的陰極電福 故而即使發光面板1之電流或電壓並不高 高對於射出面2b、且由法線所見之情況 之，即使流動於發光面板1之電流的位準 射性）光度比。 方向所示之情況 )° 度比，係作爲比 之法線方向所視 (例如，各層之 光面積、流動電 反射膜8以外， 60°爲止之範圍 約略與習知之發 以上，於本實施 知之發光面板中 亮度差方面係表 於透明的陰極電 爲在左右分別爲 右分別爲5 °以 豆5之凹面鏡， ，不過，仍可提 下的亮度。換言 並不高，仍可提 -16- 200307484 升發光亮度，因此，將可達到發光面板1之長 低消費電力化，進而達到發光面板1之光射出 若將此種發光面板1適用在顯示器之顯示 於射出面2b、且由法線所見之情況下的亮度 因此，可提供高對比之顯示器。 此外，適當的變更透鏡陣列之形狀，亦可 如第3A圖、第4A圖、第5A圖、第6A圖、 以及第8 A圖所示之凹面鏡之形狀。以下，針業 第4A圖、第5A圖、第6A圖、第7A圖、以 之發光面板10至15’將與發光面板1相同之 與相同之符號。 在第3 A圖之發光面板1 〇中，透鏡陣列7 1 被連接至陰極電極5之面7 1 a爲形成平坦面。 相反側之凹凸面7 1 b係形成爲多數之凸透鏡7 之爲被配置成矩陣狀之形狀。凸透鏡7 1 c係形 狀，藉由使反射膜8成膜在凹凸面71b上，而 鏡7 1 c與反射膜8所形成之凹面鏡。此外，連 兩邊均被設定成爲相同長度。於第3B圖中，； 第3A圖之發光面板10之光度比，爲將發光ί 面9 0 2b之法線方向所見時之光度設爲丨來表 來作爲比較例。在此，係表示將凸透鏡7 1 c之 9〇°之情況、以及1〇〇。之情況。無論在何種 形成爲較發光面板901而更跨越180。之明亮 對於射出面2b而由法線方向所見之情況下的 壽命化以極 效率。 面板時，對 係爲較高， 適當的變更 第7A圖、 牙第3A圖、 L及第8 A圖 構成要素付 之形狀係使 另一方面， lc由平面觀 成爲略圓錐 形成由凸透 接至頂角α 線L 1 0係爲 S板9 0 1由 示之相對値 頂角α設爲 情況下，係 度。特別是 亮度，係相 -17- 200307484 較於過去爲顯得特別的高，其傾斜係爲頂角α爲1 00°這 一方之物係強於9 0 °之物。 在第4Α圖之發光面板1 1中，透鏡陣列72之形狀係使 被連接至陰極電極5之面72a爲形成平坦面。另一方面， 相反側之凹凸面72b係形成爲多數之凸透鏡72c由平面觀 之爲被配置成矩陣狀之形狀。凸透鏡72c係形成爲截角圓 錐狀，截角圓錐之谷部至小底面爲止之高度X與小底面之 徑値X之間的比係形成爲1比1，截角圓錐之大底面之徑 値3 X (谷部與谷部之間的距離）與小底面之徑値X之間 的比係形成爲3比1。藉由使反射膜8成膜至凹凸面7 2b， 便形成由凸透鏡72c與反射膜8所構成之凹面鏡。於第4B 圖中，線L11係爲第4A圖之發光面板11之光度比，爲 將發光面板901由面902b之法線方向所見時之光度設爲 1來表示之相對値來作爲比較例。發光面板1 1係相較於 發光面板901係約略跨越180°而形成爲更加明亮。特別 是在對於射出面2 b之法線方向上，爲表示出左右分別跨 越約40° 、且與發光面板901之正面亮度相同程度以上的 明亮度。 在第5 A圖之發光面板1 2中，透鏡陣列7 3之形狀係使 被連接至陰極電極5之面73a爲形成平坦面。另一方面， 相反側之凹凸面73b係形成爲多數之凸透鏡73c由平面觀 之爲被配置成矩陣狀之形狀。凸透鏡73c係形成爲截角圓 錐狀，截角圓錐之高度X與小底面之徑値4x之間的比係 形成爲1比4，截角圓錐之大底面之徑値6x與小底面之 -18- 200307484 徑値4x之間的比係形成爲6比4。藉由使反射膜8成膜 至凹凸面73b，便形成由凸透鏡73c與反射膜8所構成之 凹面鏡。在第5 B圖中，線L 1 2係爲第5 A圖之發光面板1 2 之光度比，爲將發光面板901由面902b之法線方向所見 時之光度設爲1來表示之相對値來作爲比較例。發光面板 I2係相較於發光面板901係約略跨越180°而形成爲更加 明亮。特別是在對於射出面2 b之法線方向上，爲表示出 左右分別跨越約40° 、且與發光面板901之正面亮度相同 程度以上的明亮度。 在第6A圖之發光面板13中，透鏡陣列74之形狀係使 被連接至陰極電極5之面74a爲形成平坦面。另一方面， 相反側之凹凸面74b係形成爲多數之凸透鏡74c由平面觀 之爲被配置成矩陣狀之形狀。凸透鏡74c係爲，其表面爲 形成曲面’對於凸透鏡74c之凹部與凹部之間的距離2x， 凸部之高度爲形成X之半球狀。藉由使反射膜8成膜至凹 凸面74b，便形成由凸透鏡74c與反射膜8所構成之球面 狀的凹面鏡。在第6B圖中，線L13係爲第6A圖之發光 面板1 3之光度比，爲將發光面板9 0 1由面9 0 2 b之法線方 向所見時之光度設爲1來表示之相對値來作爲比較例。發 光面板1 3係相較於發光面板9 〇丨，係對於射出面2b之法 線方向爲左右分別約略跨越4 0 °而形成爲更加明亮。 在第7 A圖之發光面板1 4中，透鏡陣列7 5之形狀係使 被連接至陰極電極5之面75a爲形成平坦面。另一方面， 相反側之凹凸面75b係形成爲多數之凸透鏡75c由平面觀 >19- 200307484 之爲被配置成矩陣狀之形狀。凸透鏡75c之斷面形狀係形 成爲半橢圓形。凸透鏡75c之斷面形狀係形成爲半橢圓 形，而長徑3x (底面之徑値）與短徑2x (高度）之間的 比係形成爲3比2。藉由使反射膜8成膜至凹凸面75b， 便形成由凸透鏡7 5 c與反射膜8所構成之非球面狀的凹面 鏡。在第7B圖中，線L14係爲第7A圖之發光面板14之 光度比，爲將發光面板901由面902b之法線方向所見時 之光度設爲1來表示之相對値來作爲比較例。發光面板1 4 係相較於發光面板9 0 1，係對於射出面2 b之法線方向爲 左右分別約略跨越60°而形成爲更加明亮。 在第8A圖之發光面板15中，透鏡陣列76之形狀係使 被連接至陰極電極5之面76a爲形成平坦面。另一方面， 相反側之凹凸面76b係形成爲多數之凸透鏡76c由平面觀 之爲被配置成矩陣狀之形狀。凸透鏡7 6 c之斷面形狀係形 成爲半橢圓形。短徑2x (底面之徑値）與長徑3x (高度） 之間的比係形成爲2比3。藉由使反射膜8成膜至凹凸面 76b，便形成由凸透鏡76c與反射膜8所構成之非球面狀 的凹面鏡。在第8 B圖中，線L 1 5係爲第8 A圖之發光面 板1 5之光度比，爲將發光面板9 0 1由面9 0 2 b之法線方向 所見時之光度設爲1來表示之相對値來作爲比較例。發光 面板1 5係相較於發光面板9 0 1，係對於射出面2 b之法線 方向爲左右分別約略跨越20°至35°而形成爲更加明亮。 此外，在第3A圖、第4A圖、第5A圖、第6A圖、第 7A圖、以及第8A圖中，亦可藉由隔牆9而如第2圖所示 -20- 200307484 般地將陽極電極3、有機EL層4、以及陰極電極5由平 面觀之爲區隔成矩陣狀，在此情況下，在已被區隔之一個 區域（在該區域中’係層積有陽極電極3、有機£]^層4、 以及陰極電極5)中，且朝向、對合至以一個凸透鏡71c 至7 6 c與反射膜8所構成之一個凹面鏡。. 在第1A圖、第2圖、第3A圖、第4A圖、以及第5A 圖之發光面板1、1〇至12中，亦可在透明基板2之一面 上設有透光性之透鏡陣列。 在第9A圖中，所表示之發光面板1’係爲將於第1A圖 所示之發光面板1之透明基板2取代成透明的透鏡陣列基 板2 1。在透鏡陣列基板2 1之平坦面2 1 a上係依序層積有 陽極電極3、有機EL層4、以及陰極電極5。另一方面， 透鏡陣列基板2 1之起伏面2 lb係形成爲光的射出面，多 數之凸透鏡2 1 c係被配置成矩陣狀。凸透鏡2 1 c係爲，接 觸至沿著頂點之斷面中之頂角A兩邊的長度y係形成爲相 等的圓錐狀。於平面所視，各凸透鏡2 1 c之頂點係用以對 向至凸透鏡7c之頂點而將各凸透鏡21c與凸透鏡7c重 疊。在第9B圖中，線L1’係爲第9A圖之發光面板1’之光 度比，爲將發光面板901由面902b之法線方向所見時之 光度設爲1來表示之相對値來作爲比較例。發光面板1 ’ 相較於發光面板901，係約略跨越180°而形成爲更加明 亮。特別是在由透鏡陣列基板2 1之正面方向而分別於左 右約略跨越60° 、顯示出與發光面板901之正面亮度相同 程度以上之明亮度。 -2 1- 200307484 在第10A圖中，所表示之發光面板10’係爲將於第3A 圖所示之發光面板1 〇之透明基板2取代成透明基板2之 透鏡陣列基板2 1。在透鏡陣列基板2 1之平坦面2 1 a上係 依序層積有陽極電極3、有機EL層4、以及陰極電極5。 另一方面，透鏡陣列基板2 1之起伏面2 1 b係形成爲光的 射出面，多數之凸透鏡2 1 c係被配置成矩陣狀。凸透鏡2 1 c 係形成爲與第9A圖相同之圓錐狀。此外，於平面所視， 各凸透鏡2 1 c之頂點係用以對向至凸透鏡7 1 c之頂點而將 各凸透鏡21c與凸透鏡71c重疊。在第10B圖中，線L10’ 係爲第10A圖之發光面板10 5之光度比，爲將發光面板901 由面9 02b之法線方向所見時之光度設爲1來表示之相對 値來作爲比較例。在此，係表示凸透鏡2 1 c之頂角/3以及 凸透鏡7 1 c之頂角α爲9 0 °之情況、以及凸透鏡2 1 c之頂 角/3以及凸透鏡7 1 c之頂角α爲1 0 0 °之情況。發光面板1 0 ’ 係爲，即使頂角α、々均爲9 0 ° 、或是均爲1 〇 〇 °之情況 下，相較於發光面板9 0 1，係約略跨越1 8 0 °而形成爲更 加明亮。特別是在由透鏡陣列基板2 1之正面方向而分別 於左右約略跨越40° 、顯示出與發光面板9()1之正面亮度 相同程度以上之明亮度。 在第11Α圖中，所表示之發光面板U，係爲將於第4Α 圖所示之發光面板1 1之透明基板2取代成透鏡陣列基板 2 1。在透鏡陣列基板2 1之平坦面2 1 a上係依序層積有陽 極電極3、有機EL層4、以及陰極電極5。另一方面，透 鏡陣列基板2 1之起伏面2 1 b係形成爲光的射出面，多數 -22- 200307484 之凸透鏡2 1 c係被配置成矩陣狀。凸透鏡2 1 c係形成爲與 第9 A圖相同之圓錐狀。此外，於平面所視，各凸透鏡2 1 c 之頂點係用以對向至凸透鏡7 2 c之小底面而將各凸透鏡 2lc與凸透鏡72〇重疊。在第11B圖中，線L11’係爲第11A 圖之發光面板Π ’之光度比，爲將發光面板901由面902b 之法線方向所見時之光度設爲1來表示之相對値來作爲比 較例。在此，係表示凸透鏡2 1 c之頂角/9爲1 〇 〇 °之情況。 發光面板1 1 ’相較於發光面板9 0 1，係約略跨越1 8 0 °而形 成爲更加明亮。特別是在由透鏡陣列基板2 1之正面方向 而分別於左右約略跨越4 5 ° 、顯示出與發光面板9 0 1之正 面亮度相同程度以上之明亮度。 在第12A圖中，所表示之發光面板12’係爲將於第5A 圖所示之發光面板1 2之透明基板2取代成透鏡陣列基板 2 1。在透鏡陣列基板2 1之平坦面2 1 a上係依序層積有陽 極電極3、有機EL層4、以及陰極電極5。另一方面，透 鏡陣列基板2 1之起伏面2 1 b係形成爲光的射出面，多數 之凸透鏡2 1 c係被配置成矩陣狀。凸透鏡2 1 c係形成爲圓 錐狀。此外，於平面所視，各凸透鏡2 1 c之頂點係用以對 向至凸透鏡73c之截角圓錐之小底面而將各凸透鏡21c與 凸透鏡72c重疊。在第KB圖中，線L12’係爲第12A圖 之發光面板12’之光度比，爲將發光面板901由面902b 之法線方向所見時之光度設爲1來表示之相對値來作爲比 較例。在此，係表示凸透鏡2 1 c之頂角石爲1 〇〇°之情況。 發光面板1 2 ’相較於發光面板9 0 1，係約略跨越1 8 0 °而形 -23- 200307484 成爲更加明亮。特別是在由透鏡陣列基板2 1之正面方向 而分別於左右約略跨越45° 、顯示出與發光面板901之正 面亮度相同程度以上之明亮度。 在第13A圖中，所表示之發光面板10”係爲將於第3A 圖所示之發光面板1 0之透明基板2取代成透鏡陣列22。 在透鏡陣列2 2之平坦面2 2 a上係依序層積有陽極電極3、 有機EL層4、以及陰極電極5。另一方面，透鏡陣列基 板22之起伏面22b係形成爲光的射出面，在起伏面22b 上多數之凸透鏡22c係被配置成矩陣狀。凸透鏡22c係形 成爲圓錐狀。此外，凸透鏡22c係對於凸透鏡7 1 c爲偏移 一半的間距。亦即於平面所視，各凸透鏡2 2 c之頂點係用 以對向至凸透鏡7 1 c間之谷部，凸透鏡22c間之各個谷部 係對向於凸透鏡7 1 c之頂點。在第1 3 B圖中，線L 1 0 ”係 爲第13A圖之發光面板10”之光度比，爲將發光面板901 由面902b之法線方向所見時之光度設爲1來表示之相對 値來作爲比較例。在此，係表示凸透鏡22c之頂角/3以及 凸透鏡71c之頂角α爲90°之情況、以及凸透鏡21c之頂 角/3以及凸透鏡7 1 c之頂角α爲1 0 0 °之情況。發光面板1 0 ” 係爲，即使頂角α、石均爲9 0 ° 、或是均爲1 〇 〇 °之情況 下，相較於發光面板901，係約略跨越180°而形成爲更 加明亮。特別是在由透鏡陣列22之正面方向而分別於左 右約略跨越45° 、顯示出與發光面板901之正面亮度相同 程度以上之明亮度。 此外，雖可將透鏡陣列接著至陰極電極5，不過，在此 -24- 200307484 情況下，爲必須是透鏡陣列而並非是透明基板。在第1 4 A 圖中，係表示其一例之發光面板1 6。 如第1 4 A圖所示，在透鏡陣列基板2 1之平坦面2 1 a上 依序層積有陽極電極3、有機EL層4、以及陰極電極51。 該種陰極電極5 1係對於可視光並非具有透過性，而是具 有反射性，此點係與陰極電極5相異。從而，陰極電極5 1 係作用爲鏡面。另一方面，透鏡陣列基板2 1之起伏面2 1 b 係形成爲光的射出面，凸透鏡2 1 c係被配列成矩陣狀。凸 透鏡2 1 c係形成爲圓錐狀。在第1 4 B圖中，線L 1 6係爲 第MA圖之發光面板16之光度比，爲將發光面板901由 面9 0 2b之法線方向所見時之光度設爲1來表示之相對値 來作爲比較例。在此，係表示凸透鏡2 1 c之頂角/3分別爲 9〇° 、100°之情況。發光面板12’係爲，相較於發光面板 9〇1 ’即使頂角冷分別爲90° 、100°之情況下，均係約略 跨越1 80°而形成爲更加明亮。特別是在由透鏡陣列基板 23之正面方向而分別於左右約略跨越3〇° 、顯示出與發 光面板901之正面亮度相同程度以上之明亮度。 此外，在上述實施例中，雖是藉由將已成膜有反射膜 之透鏡陣列之平坦面接著至陰極電極，藉此來形成凹面 鏡，不過，若是可將凹面鏡朝向、對合於陰極電極時，則 無必要限定在上述實施例中。 例如，在第1 5圖之發光面板1 7中，反射膜8係形成 爲將其外面（面對於有機EL層4之外面）與對向基板32 之凹凸面3 2a接觸。亦即，反射膜8之形狀係可配合於對 -25- 200307484 向基板3 2之凹凸面3 2 a之形狀來形成，因此，藉由設定 對向基板3 2之凹凸面3 2 a之形狀，爲可設定在反射膜8 中之反射光之指向性。並且，使空間3 1形成在陰極電極 5與反射膜8之間，在空間3 1中係塡充有低折射率之惰 性氣體（例如，氮氣、氦氣、氬氣、氖氣等），因此，亦 可抑制陰極電極5以及反射膜8之腐蝕。 作爲發光面板17之製造方法，首先，在將陽極電極3 成膜至透明基板2之平坦面2 a之後，便因應需要而形成 電晶體T r或隔牆9，且依序成膜陽極電極3、有機E L層 4、陰極電極5。並且，在平板狀之對向基板3 2 (在此時 間點下，並未形成凹部3 2 c ) —方之面上，藉由微影程序 而形成凹部32c。 並且’藉由蒸鍍法等而將反射膜8成膜在該對向基板32 之凹凸面3 2 a上，將透明基板2與對向基板3 2貼合以將 反射膜8配置在陰極電極5側，進而完成發光面板！ 7。 在此種凹凸面32a中’多數之凹部32c係由平面觀之爲被 圖型化成爲網眼狀，空間3 1係由平面觀之爲被配置成矩 陣狀。此外，空間3 1之輪廓（silhouette )係與第1圖之 凸透鏡7 c之輪廓爲相同形狀。反射膜8係由反射率或對 比之觀點來判斷下，係以接觸至陰極電極5者爲佳，不過， 當陰極電極5爲多數且被施加至各陰極電極5之信號互爲 相異之情況下，爲藉由使絕緣材料夾設在其之間，而使反 射膜8與陰極電極5相互形成爲在電氣上之絕緣狀態者爲 佳。此種透明基板2與對向基板3 2之貼合程序係爲，倘 -26^ 200307484 若在惰性氣體環境氣體下進行時，則空間3 1係形成爲惰 性氣體環境氣體。藉由將已成膜反射膜8之對向基板3 2 貼合至透明基板2，而使形成朝向、對合於陰極電極5之 凹面鏡。 此外，針對發光面板1 7，在與發光面板1相同之構造 要素方面爲付與相同之符號。 不過，上述發光面板17之反射膜8亦可兼用陰極電極。 在此情況下，即使不將陰極電極5成膜在有機El層4上 亦可。此例之發光面板1 8雖是揭示於第1 6圖，不過，針 對於發光面板1 8，爲將與發光面板1 7相同之構造要素付 與相同之符號。在第1 6圖之發光面板1 8中，反射可視光 之反射膜52係被形成在對向基板32之凹凸面32a上，且 使空間3 1形成在有機E L層4與反射膜5 2之間，空間3 1 係形成有惰性氣體環境氣體（例如，氮氣、氦氣、氬氣、 氖氣等）。在該空間3 1中，反射膜5 2係形成爲凹面鏡。 此外’反射膜52係在對向基板32之凹部32c之部分爲連 接至有機EL層4，而兼用於陰極電極。亦即，反射膜52 係爲，在與有機EL層4接觸之面係可藉由工作函數（work function)較低之材料來形成。 作爲發光面板18之製造方法，首先，將陽極電極3成 膜在透明基板2之平坦面2 a後，便因應需要而形成電晶 體Tr或隔牆9 ’且將有機EL層4成膜在陽極電極3之表 面。 另一方面’在平板狀之對向基板3 2 (在此時間點下， -27- 200307484 並未形成凹部32c) —方之面上，藉由微影程序而形成凹 部 3 2 c。 並且，在此種對向基板32之凹凸面32a上，蒸鍍上述 陰極電極材料來成膜反射膜5 2，將此種對向基板3與透 明基板2貼合、使反射膜5 2接觸至有機EL層4而形成 空間3 1，進以完成發光面板〗8。此種程序係爲，若是在 惰性氣體環境氣體之下來進行時，則空間3 1係形成惰性 氣體環境氣體。 然而，上述發光面板18之空間31亦可藉由有機EL層 4來充塡。此例之發光面板1 9雖是被揭示在第1 7圖，不 過’針對於發光面板1 9，爲將與發光面板1 8相同之構造 要素付與相同之符號。在第17圖之發光面板19中，反射 膜52係被形成在對向基板32之凹凸面32a，且使有機EL 層4形成在陽極電極3與反射膜5 2之間。從而，反射膜 5 2係對於有機EL層4爲形成凹狀、構成爲凹面鏡。有機 EL層4係爲，已對應至凹部32c之凸部33爲形成連續形 狀，對於透過有機EL層4之光係作爲透鏡機能。此外， 反射膜52係兼用陰極電極，且其構造爲接觸至有機EL 層4之工作函數較低之第一層與厚於第一層之工作函數較 高之第二層之間的層積構造。此外，反射膜5 2對於可視 光爲具有反射性。 不過，即使未具有上述發光面板19之對向基板32亦 可。其例之發光面板2〇雖被揭示在第18圖中，不過，針 對發光面板20，在與發光面板19相同之構造要素方面爲 -28- 200307484 付與相同之符號。 作爲發光面板20之製造方法，首先，將陽極電極3成 月吴在透明基板2之平坦面2 a後，便將有機E L層4成膜在 陽極電極3上。並且，對於有機E ^層4爲實施模壓加工 (emboss)，藉此而形成有機el層4之凸部4a由平面觀 之爲被配置成距陣狀之形狀。並且，藉由將反射膜5 2成 膜在有機EL層4，反射膜52爲對於有機EL層4而形成 凹面鏡。 此外，於第1 9圖所示之發光面板3 0係爲，在第1 5圖 之發光面板1 7之空間3 1中，已充塡有透過可視光之透明 樹脂之物。發光面板3 0之製造方法係約略與發光面板1 7 之製造方法相同’不過，在將反射膜8成膜至對向基板3 2 之凹凸面32a後，爲必須要有將透明樹脂充塡至凹凸面32a 之空間3 1的程序。之後，將已充塡透明樹脂3 4之凹凸面 32a接著至陰極電極5之後，便完成發光面板30。透明樹 脂3 4係以折射率爲具有與陰極電極5相同程度者爲佳， 此外，係以對於氧或水之透過率爲較低者爲佳。 此外，於第20圖所示之發光面板19’係爲，實質上爲 將第1 7圖之發光面板1 9之透明基板2取代成透鏡陣列1 02 之物，已形成有機EL元件之面102a係形成爲使凸透鏡 1 02c配列成矩陣狀之凹凸面，相反之面l〇2b則形成爲平 坦狀。在該面l〇2a上將陽極電極3’進行圖型化形成後， 便適當地成膜兼具有有機EL層4’、以及反射膜之陰極電 極5 ’。此時，陽極電極3 ’、有機EL層4 ’、以及陰極電極 -29- 200307484 52係沿著凸透鏡102c之凸形狀而成膜。陰極電極5,之表 面_h係旋轉塗覆有樹脂，而形成兼用密封膜之對向基板 132 ° 不過’爲使發光面板之發光亮度提升，亦可構成如下。 如第21圖所示，發光面板40係將在略成平板狀之透 明基板42之一方的平坦面42a上依序層積有低折射率體 層43、陽極電極44、有機EL層45、陰極電極6的層積 構造作爲基本構造。 透明基板42係爲，對於可視光爲具有透過性，同時具 有絕緣性，而是以硼矽酸玻璃、石英玻璃、其他玻璃之材 料所形成。透明基板42之折射率係約爲1 . 5。 低折射率體層43係被成膜在透明基板42之一方的平 坦面42a。低折射率體層43係對於可視光爲具有透過性， 低折射率體層43之折射率係小於透明基板42。此外，低 折射率體層4 3之膜厚係充分的增長可視光之波長。作爲 低折射率體層4 3係適用於氟系樹脂，例如，爲具有ρ τ F E (折射率 1.35)、PFA(折射率 1.35)、PFEP(折射率 1.34)、 MEXFLON H15 (折射率1 .35，日本MEKTRON股份有限公司 製造）、Cytop (折射率1.34，旭玻璃股份有限公司製造）等。 陽極電極44係被成膜在低折射率體層43上。陽極電 極44係爲，具有導電性的同時，對於可視光爲具有透過 性。再者，陽極電極44係以效率爲佳地將電洞注入至有 機EL層45者爲佳。陽極電極44係例如爲以銦-錫-氧化 物（ITO: Indium-Tin-Oxide)、鋅摻雜氧化銦（IZ0)、氧 -30- 200307484 化銦（Ιη2 0 3 )、氧化錫（Sn02 )、或是氧化鋅（ZnO )等 形成。此外，當陽極電極44爲ITO之情況下，其折射 係約爲2 · 0，低折射率體層4 3之折射率爲更高的同時， 明基板42之折射率爲更高。 有機EL層45係被成膜在陽極電極44上。有機EL 45係例如爲，可由陽極電極44依序以電洞輸送層、狹 之發光層、電子輸送層所形成之三層構造，亦可爲由陽 電極44依序以電洞輸送層、狹義之發光層所形成之雙 構造，在由狹義之發光層所形成之單層構造方面亦可， 該等構造中，係可將電子或是電洞之注入層夾設在適當 層間、亦可爲在其他層之構造。 亦即，有機EL層45係具有注入電洞以及電子之機能 輸送電洞以及電子之機能、藉由電洞與電子之再結合而 生激發性電子以進行發光之機能。在有機EL層45上 含有發光材料（螢光材料），不過，發光材料亦可爲高 子材料系列、亦可爲低分子材料系列。 陰極電極4 6係被成膜在有機E L層4 5上。陰極電極 係對於可視光爲具有反射性。再者，陰極電極46係以 作函數較低者爲佳。 作爲發光面板40之製造方法，爲將氟系樹脂塗覆、 結在透明基板42之一方的平坦面42a，形成膜厚 1 0 0 μ m之低折射率體層4 3。之後，藉由電漿離子鍍覆 而以約150°C來將陰極電極44成膜在低折射率體層43上 將有機EL層45成膜在陰極電極44上。並且，將陽極 所 率 透 層 義 極 層 在 的 產 雖 分 46 工 燒 約 法 電 -31- 200307484 極46藉由蒸鍍法而成膜在有機EL層45上。 在比較發光面板40、以及無低折射率體層43之發光面 板後，當各個條件（例如，各層之膜厚、施加電壓之位準、 發光面積、流動電流之位準等）爲相同之情況下，將發光 面板4〇之發光亮度與無低折射率體層43之發光面板之發 光亮度相互比較，爲形成約1 · 5倍左右。此係藉由成膜低 折射率體層43，而將來自低折射率體層43之光射入至透 明基板42時進行折射，對於射出面42b爲增加接近於90 。之光的光量，至此而以設出面42b來減低全反射之光的 光量。 低折射率體層43係爲，亦可爲已包含有空隙之材料（例 如二氧化矽氣凝膠（silica aerogel):體積之90%爲空隙）， 亦可爲已包含有空隙之紫外線硬化性樹脂材料。已包含空 隙之材料或是樹脂係爲，實質性的折射率係低於膨脹材料 時之折射率，實質性的折射率係低於透明基板42之折射 率。 此外，本發明並非限定在上述各實施例，在不脫離本 發明之主旨的範圍內，亦可進行各種改良以及設計變更。 例如’由透明基板2、透明基板42、透鏡陣列基板21 或是透鏡陣列22依序爲具有被層積爲陽極電極、有機EL 層、陰極電極之順序的構造，不過，亦可具有由透明基板 2、透明基板42、透鏡陣列基板2 1或是透鏡陣列22依序 爲具有如圖之順序被層積爲陰極電極（但是，對於可視光 爲具有透過性）、有機EL層、陽極電極（但是，在未兼 -32- 200307484 用爲反射膜之情況下，爲對於可視光具有透過性’當兼用 爲反射膜之情況下，爲對於可視光不具有透過性、而具有 反射性）的層積構造。 此外，雖是針對將由透明基板2、透明基板42、透鏡 陣列基板2 1或是透鏡陣列22依序被層積有陽極電極、有 機EL層、陰極電極之順序的有機EL發光元件來適用於 發光面板之情況下進行說明，不過’亦可將由透明基板2、 透明基板42、透鏡陣列基板21或是透鏡陣列22依序被 層積有第一電極（但是，對於可視光爲具有透過性）、絕 緣膜（但是，對於可視光爲具有透過性）、無機發光層、 絕緣膜（但是，對於可視光爲具有透過性）、第二電極（但 是，在未兼用爲反射膜之情況下’係對於可視光爲具有透 過性，而在兼用爲反射膜之情況下，係對於可視光爲不具 有透過性、而具有反射性）的無機EL元件來適用於發光 面板。 【圖式簡單說明】 第1 A圖所示係有關本發明之發光面板的斷面圖，第1B 圖所示係爲該發光面板之發光特性的圖表。 第2圖所示係已具備有開關元件之發光面板的斷面圖。 第3A圖所示係有關其他例之發光面板的斷面圖，第3B 圖所示係爲該發光面板之發光特性的圖表。 第4A圖所示係有關其他例之發光面板的斷面圖，第4B 圖所示係爲該發光面板之發光特性的圖表。 •33- 200307484 第5A圖所示係爲其他例之發光面板的斷面圖，第5B 圖所示係爲該發光面板之發光特性的圖表。 第6A圖所示係爲其他例之發光面板的斷面圖，第6B 圖所示係爲該發光面板之發光特性的圖表。 第7A圖所示係爲其他例之發光面板的斷面圖，第7B 圖所示係爲該發光面板之發光特性的圖表。 第8A圖所示係爲其他例之發光面板的斷面圖，第8B 圖所示係爲該發光面板之發光特性的圖表。 第9A圖所示係爲其他例之發光面板的斷面圖，第9B 圖所示係爲該發光面板之發光特性的圖表。 第10A圖所示係爲其他例之發光面板的斷面圖，第10B 圖所示係爲該發光面板之發光特性的圖表。 第11A圖所示係爲其他例之發光面板的斷面圖，第11B 圖所示係爲該發光面板之發光特性的圖表。 第1 2 A圖所示係爲其他例之發光面板的斷面圖，第1 2B 圖所示係爲該發光面板之發光特性的圖表。 第13A圖所示係爲其他例之發光面板的斷面圖，第13B 圖所示係爲該發光面板之發光特性的圖表。 第14A圖所示係爲其他例之發光面板的斷面圖，第14B 圖所示係爲該發光面板之發光特性的圖表。 第1 5圖所示係爲其他例之發光面板的斷面圖。 第1 6圖所示係爲其他例之發光面板的斷面圖。 第1 7圖所示係爲其他例之發光面板的斷面圖。 -34- 200307484 第1 8圖所示係爲其他例之發光面板的斷面圖 第1 9圖所示係爲其他例之發光面板的斷面圖 第2 0圖所示係爲其他例之發光面板的斷面圖 第2 1圖所示係爲其他例之發光面板的斷面圖 第22圖所示係爲習知之發光面板的斷面圖。 【主要部分之代表符號說明】
Tr :電晶體 1 :發光面板 1 ’ ：發光面板 2 :透明基板 2a :平坦面 2 b :射出面 3 :陽極電極 4 :有機EL層 4a :凸部 5 :陰極電極 6 :光學接著劑 7 :透鏡陣列 7 a :平坦面 7b :凹凸面 7 c :凸透多見 7 d :截角圓錐 -35- 200307484 7 e ·圓錐 8 :反射膜 9 :隔牆 1 〇 :發光面板 I 〇 ’ ：發光面板
II :發光面板 1 2 :發光面板 1 3 :發光面板 1 4 :發光面板 1 5 :發光面板 2 1 :透鏡陣列基板 2 1 b :起伏面 22b :起伏面 23 :透鏡陣列基板
3 2 :對向基板 3 3 :凸部 42 :透明基板 43 :低折射率體層 44 :陰極電極 45 :有機EL層 4 6 :陰極電極 7 1 :透鏡陣列 -36- 200307484 7 1 b :凹凸面 7 1 c :凸透鏡 72 :透鏡陣列 72a ：面 72b :凹凸面 7 2 c :凸透鏡 7 3 :透鏡陣列 7 3a：面 73b :凹凸面 7 3 c :凸透鏡 74 :透鏡陣列 7 4 a :面 74b :凹凸面 7 4 c :凸透鏡 75 :透鏡陣列 7 5 a :面 75b :凹凸面 76 :透鏡陣列 7 6 a :面 7 6b :凹凸面 9 0 1 :發光面板 902a:面 200307484 9 0 3 :陽極電極 9 0 4 :有機E L層 9 0 5 :陰極電極