JP2003233072A - 電気光学装置、その製造方法、照明装置、及び電子機器 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 液晶表示装置等を照明するのに好適な照明装
置であって、特にフロントライトとして好適な照明装置
を提供する。 【解決手段】 本発明に係る液晶装置（電気光学装置）
１０は、対向して配置された支持基板２１と対向基板２
２との間に液晶層（電気光学物質層）２３を挟持した液
晶表示装置であって、前記対向基板２２の外面側に、光
学変調機能を有する偏光基板３０１が配設され、この偏
光基板３０１上に、陰極３０８、発光層３２１、陽極３
０４を積層して含む発光部３００が形成された構成とさ
れている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は電気光学装置、電気
光学装置の製造方法、照明装置、及び電子機器に係り、
特に、その前面側にフロントライトを備えた電気光学装
置に関する。

【０００２】

【従来の技術】従来から液晶表示装置等の電気光学装置
において、太陽光などの外光を観察者側から液晶パネル
等の電気光学パネル内に入射し、入射光のうち電気光学
パネル内において反射される反射光を観察者側に出射す
る形式の反射型表示装置が知られている。しかしなが
ら、反射型表示装置は、暗所では表示が視認困難となる
場合があるため、電気光学パネルの観察者側（観察側又
は視認側）にフロントライトとして照明装置を備えた反
射型表示装置が提案されている。

【０００３】このようなフロントライトとしては、光源
を電気光学パネルの側方に配置する側方配置型と光源を
電気光学パネルの視認側に配置する前方配置型とが知ら
れている。このうち、前者の側方配置型のフロントライ
トは、電気光学パネルの視認側の側方に配置される光源
と、電気光学パネルの視認側に配置され、光源から出射
された光を電気光学パネル側に照射するための導光板と
を備えて構成されている。一方、後者の前面配置型のフ
ロントライトは、透明基板内に設けられた発光素子から
なる発光部を有し、発光素子の発光方向を電気光学パネ
ル側に向けた構造を有している。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら、従来用
いられてきたフロントライトでは、上記側方配置型、前
方配置型のいずれの場合にも、表示視認性の低下が問題
となっていた。まず、側方配置型のフロントライトで
は、導光板の側方から入射された光を導光板の主面から
出射させるために、導光板の上面又は下面に微細なプリ
ズム形状が形成されているが、この微細構造により光散
乱が生じ、この散乱の程度が特に大きくなると表示面が
白化して視認性が大幅に低下する場合があった。一方、
上記前方配置型のフロントライトに適用される照明装置
としては、発光部が、例えば陰極と陽極との間に介在す
る発光層を具備してなるものがあり、具体的には、発光
層がＥＬ等の電界発光材料を主体として構成され、陰極
と陽極との間に電界を発生させることで発光層における
発光を実現している。この構成のフロントライトでは、
その上下面に上記側方配置型のような微細構造は形成さ
れないため、上記のような光散乱は生じにくいが、電気
光学パネルの前面側にフロントライトを配設するため、
表示光が発生される面である電気光学パネルの反射面
と、表示装置の表面（すなわちフロントライトの外側
面）との距離が大きくなり、表示の奥行き感が増し、表
示の視認性が低下するという問題があった。

【０００５】本発明は上述の問題点に鑑みてなされたも
のであり、照明手段を備えた電気光学装置、特にフロン
トライトとして照明手段を備え、かつ視認性に優れる電
気光学装置を提供することを目的とする。また、本発明
はこのような電気光学装置を製造するのに適した製造方
法と、さらには、電気光学装置の照明手段として好適な
照明装置、並びに前記電気光学装置を備えた電子機器と
を提供することを目的とする。

【０００６】

【課題を解決するための手段】（電気光学装置）

【０００７】次に、本発明に係る電気光学装置は、対向
して配置された第１基板と第２基板との間に電気光学物
質を挟持した電気光学装置であって、前記第１基板又は
第２基板の外面側に、光学変調機能を有する基板が配設
され、前記光学変調機能を有する基板上に、陰極、発光
層、陽極を積層して含む発光部が形成されたことを特徴
とする。

【０００８】係る構成の電気光学装置は、前記第２基板
の外側に配設される光学変調機能を有する基板が、前記
発光部が形成される基板を兼ねて構成されている。この
光学変調機能としては、光偏光機能、位相変調機能、あ
るいは防反射機能等を挙げることができ、これらを組み
合わせ、複数の機能を備えた構成であっても良い。上記
発光部は、当該電気光学装置のフロントライト又はバッ
クライトとして機能させることができる。このような構
成とすることで、例えば本構成の電気光学装置として、
反射型の液晶パネル（電気光学パネル）の前面側に配設
してフロントライトを備えた液晶表示装置を構成する場
合に、液晶パネルの基板外面に配設される偏光板や位相
差板などの光学変調素子上に、前記発光部が形成されて
いるので、構成部材の共有による装置の薄型化を実現す
ることができ、製造コストの低減にも寄与し得るもので
ある。そして、従来上記フロントライトを備えた液晶表
示装置の問題点とされてきた表示視認性については、フ
ロントライト上面から液晶表示素子までの距離が短縮さ
れるため、表示の奥行き感が低減され、視認性を向上さ
せることができる。

【０００９】次に、本発明に係る電気光学装置は、対向
して配置された第１基板と第２基板との間に電気光学物
質を挟持した電気光学装置であって、前記第１基板又は
第２基板の外面側に、陰極と、発光層と、陽極とをこの
順で積層して含む発光部が形成されたことを特徴とす
る。

【００１０】すなわち、係る構成の電気光学装置は、一
方の基板の外面側（電気光学物質側と反対側）に直接形
成された照明手段を備えた電気光学装置であり、その照
明手段として発光層を挟持して配置された陽極と陰極と
を備えた照明手段を採用したものである。、特に、前記
照明手段が電気光学装置の前面側（表示面側）に備えら
れている場合には、従来の照明装置を電気光学パネルの
前面側に備えた電気光学装置に比して、電気光学物質
と、電気光学装置の表示側面との距離が小さくなるた
め、視認時の奥行き感が低減され、優れた視認性を得る
ことができる。尚、前記発光部により構成される照明手
段は、当該電気光学装置のフロントライト又はバックラ
イトとして機能させることができ、いずれの場合にも、
従来に比して薄型の電気光学装置を構成することができ
る。

【００１１】次に、本発明に係る電気光学装置は、前記
光学変調機能を備えた基板が、光偏光機能を有する偏光
板とされた構成とすることができ、また、前記光学変調
機能を備えた基板が、位相変調機能を有する位相差板と
された構成とすることもできる。係る構成によれば、電
気光学パネルのうち、特に液晶パネルの前面や背面に設
けられる偏光板や位相差板、あるいはこれらを組み合わ
せたものを照明装置の基板として用いるため、液晶パネ
ル側のこれらの光学変調素子を省略することができ、照
明装置と液晶パネルとを組み合わせた液晶表示装置の薄
型化を実現することができる。

【００１２】次に、本発明に係る電気光学装置において
は、前記陰極が、前記基板面内で所定形状にパターニン
グされており、前記陽極が透明電極とされた構成とする
ことができる。係る構成によれば、基板面内で所定形状
にパターニングされた陰極に従って、発光部を所定形状
にパターニングされた状態で発光させることが可能とな
り、前記発光部を電気光学装置のフロントライトとして
用いることが可能となる。すなわち、パターニング形成
された陰極（発光部）の間隙から被照明部（対向基板、
支持基板、及び電気光学物質）を、前記発光部を透過し
て表示させることが可能となる。

【００１３】次に、本発明に係る電気光学装置は、前記
陽極が、前記基板面内で所定形状にパターニングされて
いる構成とすることもできる。係る構成において、陽極
は例えばＩＴＯ（Indium-Tin-Oxide）又はＩＺＯ（Indi
um-Zinc-Oxide）等の透明電極であるため、フォトプロ
セスによるパターニングが可能で、微細なパターン形成
が可能となる。つまり、陰極構成部材として用いられ、
フォトプロセスが困難なＣａ，Ｍｇ等のアルカリ土類金
属層を例えばマスク蒸着によりパターン形成する場合
や、発光層を例えば塗布によりパターン形成する場合に
比して、確実に微細な、例えば５０μｍ以下のパターン
形成を実現することができる。従って、例えば当該電気
光学装置において、前記発光部をフロントライトとして
用いる場合には、前記被照明部をパターン形成された陽
極（発光部）の間隙を介して表示させることとなるが、
この場合に、例えばパターン形状の影が視認されてしま
う等の不具合が生じ難くなる。

【００１４】次に、本発明に係る電気光学装置において
は、前記基板面内で複数の線状にパターニングされ、そ
の線幅は、５０μｍ以下、更に５μｍ以上２０μｍ以下
の範囲とされることが好ましい。係る構成によれば、前
記発光部をフロントライトとして機能させ、前記被照明
部からの反射光を、複数の線状にパターン形成された陽
極の間隙から出射させて表示を行うことができるが、上
記構成とするならば、線状の影が視認されてしまう等の
不具合が生じ難くなる。本発明に係る電気光学装置に設
けられた発光部の陽極は、線幅５０μｍ以下の線状にパ
ターニングすることができ、例えば陰極構成部材である
アルカリ土類金属層をマスク蒸着によりパターン形成し
た場合（線幅は小さくても約６０μｍ）に比して、大幅
に微細化させることが可能となる。また、本発明におい
ては、発光部におけるパターニング形成の面積率、すな
わちパターニング形成された要素の基板面に対する割合
は、５〜２０％程度となるように形成されている。これ
により、十分な発光部における発光と、反射光の透過と
を実現することが可能となる。

【００１５】次に、本発明に係る電気光学装置は、前記
発光層が、前記陽極と前記陰極との間に、正孔輸送層
と、発光本体層と、バッファ層とを積層して含む構成と
することもできる。このような正孔輸送層、発光本体
層、バッファ層は微細にパターン形成するのが困難な場
合が多いものの、本発明では、陽極をパターン形成して
いるために、前記発光部をフロントライトとして機能さ
せた場合にも視認されるに至らない微細なパターンの発
光部を実現することが可能とされている。本発明におい
て、正孔輸送層としては例えばＰＥＤＴ（ポリエチレン
ジオキシチオフェン）等の導電性ポリマーを、発光本体
層としては例えば高分子ＥＬを、バッファ層としては例
えばＬｉＦを主体として構成することができる。この場
合、正孔輸送層及び発光本体層は例えばスピンコート、
印刷等による塗布により、バッファ層は例えば真空蒸着
等によるマスク蒸着により形成することができる。

【００１６】次に、本発明に係る電気光学装置において
は、前記正孔輸送層、発光本体層、バッファ層が、前記
パターニングされた個々の陽極に跨って形成されていて
も良い。すなわち、陽極を線状等にパターニング形成す
る一方、正孔輸送層、発光本体層、バッファ層を基板面
内にパターン形成せず、面内ベタ状に非パターン形成し
たため、簡便な構成にて発光部の発光パターンを微細に
形成することが可能となる。また、本発明に係る電気光
学装置では、陰極に含まれるアルカリ土類金属層も上記
各層とともに前記陽極に跨るように形成してもよく、微
細なパターン形状の形成が困難なアルカリ土類金属層を
このようなベタ状に形成することで、製造を容易にする
ことができる。

【００１７】あるいは、本発明に係る電気光学装置にお
いては、前記正孔輸送層、発光本体層、バッファ層が、
照明領域全域に跨って形成されていても良い。係る構成
によっても上記と同様の効果を得ることができる。

【００１８】次に、本発明に係る電気光学装置において
は、前記陰極が、前記アルカリ土類金属層と、Ａｌ又は
Ａｇを主体とする反射電極層とが積層された構成を備
え、前記アルカリ土類金属層が前記反射電極層よりも前
記陽極側に形成されるとともに、前記反射電極層が前記
陽極と略同一の形状にて前記基板面内でパターニングさ
れている構成とすることができる。係る構成によれば、
反射電極層を具備させることにより、被照明部に対する
光の照射効率が向上するが、反射電極層は非透光性であ
るために、上記陽極と略同一の形状にて基板面内でパタ
ーニングする必要が生じる。従って、このような反射電
極層のパターニングによりパターン化した発光部を形成
することが可能となる。上記アルカリ土類金属層は、層
厚を２〜４０ｎｍとすることが好ましい。このような層
厚とすることにより、アルカリ土類金属層を透明に形成
することが可能となり、ベタに形成できるようになる。
さらに好ましくは層厚を２〜１０ｎｍとするのがよい。
また、前記反射電極層は例えばＡｌとＡｇとの合金を主
体として構成することができる。また、陰極と基板との
間には、例えば樹脂ブラック層又はクロム層等からなる
光吸収層を形成することができ、この場合、例えば陰極
による観察者側への反射光を防止することが可能となり
視認性が向上する。

【００１９】次に、本発明に係る照明装置においては、
前記発光本体層が、高分子ＥＬを主体として構成されて
いることが好ましい。係る構成とすることで、発光本体
層をスピンコートや印刷により容易に均一に形成するこ
とができる。尚、本明細書において、「主体とする」成
分とは、構成成分のうち最も含有量の多い成分のことを
言うものとする。

【００２０】（電気光学装置の製造方法）次に、本発明
に係る照明装置の製造方法は、先のいずれかに記載の電
気光学装置の製造方法であって、前記第１、第２基板又
は前記光学変調機能を備えた基板上に、透明導電膜から
なる陽極を形成する陽極形成工程と、前記陽極上に発光
層を積層する発光層形成工程と、前記発光層上に所定形
状の陰極を形成する陰極形成工程と、を含むことを特徴
とする。

【００２１】係る製造方法によれば、前記第２基板、第
１基板、光学変調機能を備えた基板のいずれかの上に発
光部が形成された電気光学装置を簡便に提供することが
できる。また、上記陰極形成工程において、陰極を所定
形状にパターニングして形成すれば、この陰極のパター
ン形状に沿って発光部を発光可能な電気光学装置を製造
できるので、パターニングされた陰極の間隙を介して前
記発光部を透過した表示が可能になり、フロントライト
として機能する発光部を備えた電気光学装置を製造する
ことができる。

【００２２】また、本発明に係る照明装置の製造方法と
しては、先に記載の電気光学装置の製造方法であって、
前記第１、第２基板又は前記光学変調機能を備えた基板
上に、透明電極を該基板面内に所定形状にパターニング
して形成する陽極形成工程と、前記陽極上に発光層を積
層する発光層形成工程と、前記発光層上に陰極の構成部
材の一部としてアルカリ土類金属層を積層するアルカリ
土類金属層形成工程とを含む第１工程と、透明基板上
に、陰極の構成部材の残余の層を形成する陰極形成工程
を含む第２工程と、前記第１工程及び第２工程により得
られた前記基板同士を貼り合わせる基板貼り合わせ工程
と、を含むことを特徴とする製造方法も適用することが
できる。

【００２３】係る製造方法によれば、所定形状にパター
ニングされた陽極を有する発光部を備えた構成の電気光
学装置を簡便に提供することが可能となる。この場合、
陽極形成工程においては、透明電極を真空蒸着、スパッ
タリング、イオンプレーティング等にて成膜した後に、
フォトエッチングにて所定形状のパターニングを行うも
のとすることができる。なお、この場合のエッチング又
はレジスト剥離は、ウェット或いはドライのいずれでも
行うことが可能である。このような製造方法を採用すれ
ば、陰極の構成部材であるアルカリ土類金属層のパター
ニングを行う必要が無く、より簡便に、フロントライト
として機能させた場合に奥行き感が緩和され、視認性に
優れる電気光学装置を提供することができる。

【００２４】上記の製造方法に含まれる発光層形成工程
においては、例えば導電性ポリマーを主体として構成さ
れる正孔輸送層を形成する正孔輸送層形成工程と、高分
子ＥＬを主体として構成される発光本体層を形成する発
光本体層形成工程と、ＬｉＦを主体として構成されるバ
ッファ層を形成するバッファ層形成工程とを含むものと
することができる。正孔輸送層形成工程及び発光本体層
形成工程においては、スピンコート又は印刷にて各層を
形成することができ、バッファ層形成工程においては、
ＬｉＦの真空蒸着にてバッファ層を形成することができ
る。さらに、アルカリ土類金属層形成工程においては、
アルカリ土類金属の真空蒸着によりアルカリ土類金属層
を形成することができる。なお、各層を形成した第１基
板は、例えば腐食防止のため、不活性ガス雰囲気、又は
真空雰囲気にて保管することが好ましい。

【００２５】また、前記陰極形成工程において透明基板
上に形成される陰極は、陽極のパターン形状に略一致さ
せてパターン形成するものとすることができる。これに
より、陰極をＡｌ又はＡｇ等の反射電極にて構成した場
合にも、陽極のパターンに沿って発光する、フロントラ
イトとして使用可能な発光部が得られる。この場合の陰
極形成工程においては、Ａｌ又はＡｇを主体とする成分
又はこれらの合金を真空蒸着、スパッタリング、イオン
プレーティング等にて成膜し、フォトエッチングにて所
定形状にパターニングするものとすることができる。な
お、上記透明基板上に上述した光吸収層を形成する場合
にも、所定形状にパターン形成することで、パターン化
した発光部を得ることが可能となる。この場合、光吸収
層は、例えば樹脂ブラックを主体として形成する場合、
樹脂ブラックを塗布した後に、マスク露光、現像、ポス
トベークを行うことで、所定形状にパターン形成するこ
とができる。なお、陰極形成後の透明基板も、例えば腐
食防止のため、不活性ガス雰囲気、又は真空雰囲気にて
保管することが好ましい。

【００２６】また、前記基板貼り合せ工程は、真空ない
し減圧下、又は不活性ガス雰囲気にて行い、両基板周辺
部をエポキシ樹脂等の封止材にて封止する方法を適用す
ることができる。

【００２７】（照明装置）上記課題を解決するために本
発明の照明装置は、基板上に発光部を有する照明装置で
あって、前記発光部が、少なくとも陰極と、発光層と、
陽極とを積層して含み、前記基板に、光学変調機能が備
えられたことを特徴としている。

【００２８】すなわち、本発明に係る照明装置は、その
基板として光学変調機能を備えた基板を適用されたもの
であり、係る照明装置を電気光学装置に配設して使用す
る場合に、電気光学装置側に光学変調素子を設ける必要
がなく、照明装置及び電気光学装置全体として薄型化を
実現することができる。

【００２９】次に、本発明に係る照明装置は、前記光学
変調機能を備えた基板が、光偏光機能を有する偏光板と
された構成とすることができ、また、前記光学変調機能
を備えた基板が、位相変調機能を有する位相差板とされ
た構成とすることもできる。係る構成によれば、電気光
学パネルのうち、特に液晶パネルの前面や背面に設けら
れる偏光板や位相差板、あるいはこれらを組み合わせた
ものを照明装置の基板として用いるため、液晶パネル側
のこれらの光学変調素子を省略することができ、照明装
置と液晶パネルとを組み合わせた液晶表示装置の薄型化
を実現することができる。

【００３０】次に、本発明に係る電子機器は、先に記載
のいずれかの電気光学装置を備えたことを特徴とする。
係る構成の電子機器は、上述の照明手段を備え、かつ薄
型の電気光学装置を備えたことで、視認性に優れるとと
もに、薄型化、小型化が図れる電子機器とされている。

【００３１】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施形態を図面に
基づいて説明する。

【００３２】（第１実施形態）まず、図１及び図２に基
づいて、本発明に係る電気光学装置の第１実施形態であ
る液晶表示装置の構造について説明する。図１は本実施
形態の液晶表示装置を分解した概略斜視図、図２は本実
施形態の液晶表示装置の部分概略断面図である。本実施
形態では、液晶表示装置の一例として、ＴＦＴ素子をス
イッチング素子として用いたアクティブマトリクス型の
反射型液晶表示装置を取り上げて説明する。また、各図
において、各層や各部材を図面上で認識可能な程度の大
きさとするため、各層や各部材毎に縮尺を異ならせてあ
る。

【００３３】はじめに、図１、図２に基づいて、本実施
形態の液晶表示装置の全体構造について説明する。図
１、図２において、符号１０が本実施形態の液晶表示装
置、符号２０が液晶パネル（被照明部）、符号３０が液
晶表示装置１０に備えられた照明手段としての照明部を
示している。図１、図２において、液晶パネル２０（液
晶表示装置１０）の図示上側が表示を視認する側（視認
側、即ち観測者側）であり、照明部３０は液晶パネル２
０の視認側に備えられている。すなわち、本実施形態に
おいて、照明部３０は、視認側から液晶パネル２０を照
明するフロントライトとして機能するようになってい
る。

【００３４】図１、図２に示すように、液晶パネル２０
は、内面にＴＦＴ素子２８、画素電極２９等が形成され
た支持基板（第１基板）２１と、内面に共通電極２４が
形成された対向基板（第２基板）２２とが対向配置さ
れ、支持基板２１と対向基板２２との間に液晶層（電気
光学物質層）２３が挟持された構造を基本構成とし、対
向基板２２の図示上側で粘着材（図示せず）を介して照
明部３０と接合されている。なお、液晶層２３が基板２
１、２２間に挟持される基本構成としては、基板２１、
２２の周縁部側にシール材が介在され、実際には基板２
１、２２とシール材とに囲まれて液晶層２３が挟持され
ている。一方、図１においては、液晶層２３の表示は省
略している。また、図２においては、支持基板２１、対
向基板２２の内面に形成されたＴＦＴ素子２８、画素電
極２９、共通電極２４等の表示を省略している。

【００３５】次に、本実施形態において、支持基板２
１、対向基板２２の「内面」とは、支持基板２１、対向
基板２２の「液晶層２３側の面」を意味しているものと
する。図１に示すように、支持基板２１の内面には、多
数のソース線２６（データ線）および多数のゲート線２
７（走査線）が互いに交差するようにマトリクス状に設
けられている。各ソース線２６と各ゲート線２７の交差
点の近傍にはＴＦＴ素子２８が形成されており、各線に
は各ＴＦＴ素子２８を介して画素電極２９が接続されて
いる。一方、対向基板２２の内面側には、表示領域に対
応するようにＩＴＯ（インジウム錫酸化物）などからな
る透明の共通電極２４が形成されている。

【００３６】液晶パネル２０において、個々の画素電極
２９が形成された領域が画素２とされる。また、通常の
液晶表示装置では、素子基板２１の内面に、赤、緑、青
を表示するためのカラーフィルタが設けられるが、本実
施形態ではカラーフィルタは略されて、液晶パネル２０
は白黒表示タイプとして構成されている。

【００３７】本実施形態では、画素電極２９は光反射性
の金属材料からなり、反射電極として機能する。そし
て、使用場所が明所では、照明装置３０を点灯せず、太
陽光や蛍光灯等の外光を視認側から液晶パネル２０内に
入射し、素子基板２１の内面に形成された画素電極２９
により反射させて再び観察者側（視認側：図示上方）に
出射させることにより表示が行われるようになってい
る。一方、使用場所が暗所では、照明部３０を点灯さ
せ、照明部３０により液晶パネル２０側に照射された光
を素子基板２１の内面に形成された画素電極２９により
反射させて、再び照明部３０を透過させて観察者側（視
認側：図示上方）に出射させ、表示が行われるようにな
っている。なお、画素電極２９を反射層とする代わり
に、画素電極２９とは別に支持基板２１の内面に反射層
を設ける構成としてもよいのは勿論である。

【００３８】次に、液晶表示装置１０に備えられた本実
施形態の照明部３０の構造について説明する。図１、図
２に示すように本実施形態の照明部３０は、ガラス、透
明樹脂等からなる透明の基板３０２と、この基板３０２
と対向して液晶パネル２０側に配置された偏光基板３０
１と、これら偏光基板３０１及び基板３０２間に挟持さ
れた発光部３００とから概略構成されている。

【００３９】発光部３００は、偏光基板３０１側から陽
極３０４と、発光層３２１と、陰極３０８とをこの順で
積層して含んでいる。陽極３０４は、ＩＴＯ（インジウ
ム錫酸化物）からなる透明電極を偏光基板３０１上にベ
タに成膜して構成されている。発光層３２１は、陽極３
０４側から正孔輸送層３０５と、発光本体層３０６と、
バッファ層３０７とをこの順で積層して含んでおり、正
孔輸送層３０５及び発光本体層３０６は、上記陽極３０
４上にベタに成膜されている。そして、バッファ層３０
７は所定形状にパターニングされて前記発光本体層３０
６上に形成されており、そのパターン形状は本実施形態
では複数の線状とされている。また、陰極３０８は、上
記複数の線状に形成されたバッファ層３０７上に、バッ
ファ層３０７とほぼ同一形状に形成され、平面的にバッ
ファ層３０７と重なるように形成されている。

【００４０】一方、基板３０２の内面側には、上記バッ
ファ層３０７及び陰極３０８と略同一形状の線状にパタ
ーニングされた光吸収層３０９が形成されている。そし
て、粘着層３７を介して偏光基板３０１と貼り合わされ
ている。また、この貼り合わせにおいて、上記光吸収層
３０９と、陰極３０８とが平面的に重なる位置に位置合
わせされている。

【００４１】以下、照明部３０を構成する各層について
詳しく説明する。まず、陽極３０４は、上述した通りＩ
ＴＯにて構成された透明電極とされており、その他、例
えばＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）を主体とする透明
電極にて構成することも可能である。

【００４２】正孔輸送層３０５は、陽極３０４から注入
される正孔を発光本体層３０６に輸送する機能をなし、
例えばポリエチレンジオキシチオフェン（導電性ポリマ
ー）を主体として構成され、その層厚は０．０５〜０．
２μｍ程度とされている。

【００４３】発光本体層３０６は、例えば高分子ＥＬ
（エレクトロルミネセンス：有機電界発光物質）を主体
とする電界発光材料にて構成され、その層厚は０．０５
〜０．２μｍ程度とされている。このような高分子ＥＬ
にて構成した発光本体層３０６では、低電圧で発光が可
能であるとともに、高い輝度の発光を実現できる。な
お、高分子ＥＬを構成する高分子材料としては、例えば
フルオレン系高分子誘導体や、ポリパラフェニレンビニ
レン誘導体、ポリフェニレン誘導体、ポリフルオレン誘
導体、ポリビニルカルバゾール、ポリチオフェン誘導体
等を用いることができる。

【００４４】バッファ層３０７は、陰極３０８から発光
本体層３０６への電子の注入を促進するための緩衝層と
して機能しており、本実施形態に係る照明部３０では、
ＬｉＦを主体して構成され、その層厚は０．５〜５ｎｍ
程度されている。

【００４５】陰極３０８は、図２に示す積層構造とされ
ており、バッファ層３０７側がＣａ又はＭｇなどのアル
カリ土類金属を主体として含むアルカリ土類金属層とさ
れ、このアルカリ土類金属層上にＡｌやＡｇ若しくはこ
れらの合金等からなる金属層が形成された構成とされて
いる。このような積層構造とされていることで、上記金
属層によって発光層３２１の光を反射させ、偏光基板３
０１側へ向かう光量を大きくすることができる。また、
前記陰極３０８の層厚は、０．１〜０．５μｍ程度とさ
れている。あるいは、陰極３０８は、アルカリ土類金属
層による単層構造とすることもできる。

【００４６】光吸収層３０９は、陰極３０８に含まれる
金属層による観察者側への反射光を防止する機能を有し
ており、樹脂ブラックを主体として構成され、その層厚
は０．５〜２μｍ程度とされている。なお、光吸収層３
０９は、クロムを主体として構成することも可能であ
る。

【００４７】上記の構成を備えた本実施形態の液晶表示
装置１０の特徴的な点は、照明部３０の下側（液晶パネ
ル２０側）の基板が偏光基板３０１とされている点にあ
る。この偏光基板３０１は、通常液晶パネル２０上に設
けられる偏光板と同等の構造を有するものである。従っ
て、本実施形態の液晶パネル２０の対向基板２２側には
偏光板は設けられておらず、偏光基板３０１が液晶パネ
ル２０の偏光板を兼ねる構成となっている。このような
構成とされていることで、本実施形態の液晶表示装置１
０は、従来の液晶表示装置に比して、薄型化することが
可能であるとともに、基板３０２表面から液晶層２３ま
での距離が従来よりも短くなるため、表示の奥行き感を
低減することができ、優れた視認性を得ることができ
る。

【００４８】また、本実施形態の液晶表示装置では、偏
光基板３０１が液晶パネル２０の偏光板として用いられ
るため、両者が粘着材により接合されて構成されている
ことで、良好な視認性を得ることができる。これは、従
来構成においては、フロントライトと液晶パネルとは直
接接合されることはなく、両者を所定位置に固定するフ
レームを用いるのが一般的であり、このフロントライト
と液晶パネルとの間に空気層が存在するため、フロント
ライトの液晶パネル側の表面、あるいは液晶パネルのフ
ロントライト側の面での光の反射が生じ、視認性が低下
することがあったが、本実施形態の液晶表示装置１０で
は、フロントライトとして機能する照明部３０と、液晶
パネル２０との界面に空気層が存在しないため、照明部
３０と液晶パネル２０との間で光の反射が生じることが
ないからである。

【００４９】（第２実施形態）次に、図３を参照して、
本発明に係る電気光学装置の第２実施形態である液晶表
示装置について説明する。図３は、本実施形態の液晶表
示装置の部分概略断面図であり、この図に示す液晶表示
装置１１と、上記第１実施形態の液晶表示装置１０との
異なる点は、照明部３３の構成であり、この照明部３３
と接合された液晶パネル２０は図１、２に示すものと同
等のものである。従って、本実施形態では照明部３３に
ついて詳細に説明することとする。尚、本実施形態に係
る照明部３３と液晶パネル２０も図示しない粘着材によ
り互いに接合されている。

【００５０】本実施形態の液晶表示装置１１に備えられ
た照明部３３は、ガラス、透明樹脂等からなる透明の基
板３１２と、この基板３１２と対向して液晶パネル２０
側に配置された偏光基板３１１と、これら偏光基板３１
１及び基板３１２との間に挟持された発光部３１０とか
ら概略構成されている。

【００５１】発光部３１０は、偏光基板３１１側から陽
極３１４と、発光層３３１と、陰極３３０とをこの順で
積層して含んでいる。陽極３１４は、ＩＴＯからなる透
明電極にて構成され、基板３１１を平面視した場合に複
数の線状となる形状にパターニングされている。本実施
形態の場合、パターニングされた陽極の線幅は５〜５０
μｍ程度とされ、照明領域全域の面積に対し、線状の陽
極３１４の総面積が５〜２０％程度とされている。

【００５２】また、発光層３３１は、陽極３１４側から
正孔輸送層３１５と、発光本体層３１６と、バッファ層
３１７をこの順で積層して含んでおり、複数の線状にパ
ターニングされた陽極３１４の各々にまたがって形成さ
れている。さらに詳しくは、本実施形態に係る照明部３
３の照明領域全域にまたがって、正孔輸送層３１５、発
光本体層３１６、バッファ層３１７が平面視ベタ状に形
成されている。

【００５３】また、陰極３３０は、発光層３３１側から
アルカリ土類金属層３１８Ａと、反射電極層３１８Ｂ
と、光吸収層３１９とをこの順で積層して含んでおり、
アルカリ土類金属層３１８Ａは、複数の陽極３１４にま
たがって、すなわち照明領域全域にまたがって平面視ベ
タ状に形成されている。一方、反射電極層３１８Ｂ及び
光吸収層３１９は、陽極３１４の線状パターンと略一致
する線状にパターン形成されており、基板積層方向に陽
極３１４と位置合わせされている。

【００５４】以下、照明部３３を構成する各層について
詳しく説明する。まず、陽極３１４は、上述した通りＩ
ＴＯにて構成されており、線状等の所定形状にパターニ
ングされ、パターニングされた線状の各電極の層厚は
０．１〜０．２μｍ程度とされている。なお、陽極３１
４は、例えばＩＺＯ（インジウム亜鉛酸化物）を主体と
する透明電極にて構成することも可能である。

【００５５】正孔輸送層３１５、発光本体層３１６、バ
ッファ層３１７については、その構成材料及び層厚など
は、図２に示す第１実施形態に係る正孔輸送層３０５、
発光本体層３０６、及びバッファ層３０７と同等とする
ことができ、その詳細な説明は省略する。

【００５６】陰極３３０の一部を構成するアルカリ土類
金属層３１８Ａは、Ｃａ又はＭｇを主体として構成され
ており、透明性を付与するために薄膜形成され、その層
厚は０．２〜４０ｎｍ程度（好ましくは０．２〜１０ｎ
ｍ程度）とされている。また、同じく陰極３３０を構成
する反射電極層３１８ＢはＡｌを主体として構成されて
おり、その層厚は０．１〜０．２μｍ程度とされてい
る。なお、反射電極層３１８Ｂは、例えばＡｌ合金、又
はＡｇ、若しくはＡｇ合金等を主体として構成すること
も可能である。さらに、光吸収層３１９は反射電極層３
１８Ｂからの観察者側への反射光を防止する機能を有し
ており、樹脂ブラックやクロムを主体として構成され、
その層厚は０．５〜２μｍ程度とされている。

【００５７】このように本実施形態に係る照明部３３に
おいては、ＩＴＯを主体として構成される陽極３１４を
線状にパターニングして構成し、発光層３３１及びアル
カリ土類金属層３１８Ａを照明領域全域に跨って平面視
ベタ状に構成するとともに、反射電極層３１８Ｂ及び光
吸収層３１９を陽極３１４の線状パターンに略一致させ
て構成している。従って、発光部３１０を線状パターン
にて発光させることが可能となり、これを液晶パネル２
０のフロントライトとして用いることで、発光部のパタ
ーン形成による線状の影等が視認される等の不具合の生
じ難い液晶表示装置１１を実現している。また、陽極３
１４、反射電極層３１８Ｂ及び光吸収層３１９をパター
ン化する場合はフォトプロセスを用いることが可能で、
フォトプロセスを行うことが困難な正孔輸送層３１５、
発光本体層３１６、バッファ層３１７、アルカリ土類金
属層３１８Ａを線状にパターン化する場合に比して、よ
り線幅の小さいパターニングを実現することが可能とな
る。従って、本実施形態に係る照明部３３は、一層微細
化したパターンの発光部３１０を具備する構成となって
いる。

【００５８】上記第１、第２実施形態では、照明部３
０，３３の液晶パネル２０側の基板として偏光基板３０
１，３１１を用いた構成としたが、この液晶パネル２０
側の基板としては偏光基板に限定されず、位相差板や、
防反射板など、光学変調機能を備え、液晶パネル２０上
に配設できるものであれば問題なく適用することができ
る。たとえば、偏光基板３０１に代えて位相差板を用い
た場合には、液晶パネル２０の対向基板２２外面に偏光
板を設け、この偏光板と位相差板上に形成された照明部
とを接合すればよい。あるいは、偏光板上に位相差板を
接合した基板など、複数の光学変調機能を兼ね備える基
板を偏光基板３０１に代えて用いることもできる。

【００５９】（第３実施形態）次に、図４を参照して、
本発明に係る電気光学装置の第３実施形態である液晶表
示装置について説明する。図４は、本実施形態の液晶表
示装置の部分概略断面図であり、この図に示す液晶表示
装置１２は、対向して配置された支持基板（第１基板）
１２１と、対向基板（第２基板）１２２との間に液晶層
１２３を挟持した液晶パネル１２０の対向基板１２２の
外面側に、陽極３１４と、発光層３３１と、陰極３３０
と、基板３１２とがこの順に積層されて含まれる照明部
４３が設けられている。換言するならば、本実施形態の
液晶表示装置１２は、上記第２実施形態に係る照明部３
３の偏光基板３１１を除く部分が、液晶パネル２０の対
向基板２２上に直接形成された構成である。

【００６０】以下本実施形態の液晶表示装置１２の各部
について詳細に説明する。まず、液晶パネル１２０は、
内面にＴＦＴ素子１２８、画素電極１２９等が形成され
た支持基板１２１と、内面に偏光層１２４及び対向電極
１２５が形成された対向基板１２２とが対向配置され、
支持基板１２１と対向基板１２２との間に液晶層２３が
挟持されるとともに、シール材１２６により封止された
構造を基本構成とし、対向基板１２２の上面側に照明部
４３が形成されている。また、液晶パネル１２０の平面
構造は、図１に示す液晶パネル２０とほぼ同等である。
支持基板１２１の内面側（液晶層１２３側）には、図４
に示すように、複数の画素１０２が配列されて形成され
ており、それぞれの画素１０２毎に、ＴＦＴ素子１２８
と、このＴＦＴ素子１２８に接続された画素電極１２９
と、画素電極１２９の下側に形成された反射偏光層１２
７とが形成されている。また、図示を省略したが、ＴＦ
Ｔ素子１２８には、画素電極１２９のほか、走査線やデ
ータ線、あるいは容量線などが実際は接続されている。
また、画素１０２は、基板面内で平面視マトリクス状に
形成されている。

【００６１】本実施形態では、画素電極１２９は、ＩＴ
Ｏ等の透明導電膜で形成された透明電極とされており、
液晶層１２３側から画素１０２に入射した光は、前記画
素電極１２９を透過し、反射偏光層１２７により特定方
向の偏光成分のみを反射されるようになっている。そし
て、この反射光を液晶層１２３によりスイッチングする
ことで表示を行うようになっている。ここで、反射偏光
層１２７の構造を、図５を参照して説明する。図５は、
図４に示す反射偏光層１２９の部分斜視図である。この
図に示すように、反射偏光層１２９は、基板１２１上に
形成された金属反射膜に複数の微細なスリット１２７ａ
を設けた構成とされている。複数のスリット１２７ａ
は、互いに平行に形成され、そのスリット幅Ｐｓは各ス
リットでほぼ同一に形成されている。このような反射偏
光層１２７において、その層厚ｄは、１００〜４００ｎ
ｍ程度とされ、スリット幅Ｐｓは３０〜３００ｎｍ程度
とされ、スリット１２７ａのピッチ（金属反射膜の幅）
Ｐｍは、３０〜３００ｎｍとされる。上記構成の反射偏
光層１２７は、図示上面側（図４では、液晶層１２３
側）から光が入射されると、この入射光のうち、スリッ
ト１２７ａの延在方向と平行な偏光成分は反射され、ス
リット１２７ａの延在方向と垂直な成分は透過されるよ
うになっている。すなわち、図５において、反射偏光層
１２７を透過した光Ｅｔはスリット１２７ａと垂直な直
線偏光となり、反射された光Ｅｒは、スリット１２７ａ
と平行な直線偏光になる。尚、この反射偏光層１２７と
しては、プリズム形状を成す誘電体干渉膜を積層した構
造とされた構成も適用することができ、この場合には、
誘電体干渉膜に形成された溝の延在方向と平行な偏光成
分が反射され、前記溝の延在方向と垂直な偏光成分が透
過される。

【００６２】一方、対向基板１２２の内面側に設けられ
た偏光層１２４は、その透過軸と平行な偏光成分以外を
吸収する偏光層とされており、前記反射偏光層により反
射された直線偏光が液晶層１２３を透過した後の偏光方
向と、この偏光層１２４の透過軸とは平行となるように
形成される。

【００６３】上記対向基板１２２の外面側に形成される
発光部４３は、図３に示す第２実施形態に係る照明部３
３と、偏光基板３１１以外の構成は同様とされているた
め、ここではその詳細な説明は省略する。また、図４に
示す構成の照明部４３に代えて図２に示す照明部３０の
偏光基板３０１を除く部分を対向基板１２２の外面側に
配設した構成も適用可能であるのは勿論であり、この場
合にも表示の奥行き感を低減し、優れた視認性を得るこ
とができる。

【００６４】上記構成の液晶表示装置１２は、液晶パネ
ル１２０の対向基板１２２上に、陽極３１４、発光層３
３１、陰極３３０及び基板３１２が形成された構成とさ
れており、液晶パネル１２０の内側に偏光層を内蔵した
ことで、さらなる薄型化を実現している。また、これに
より基板３１２表面と液晶層１２３との距離が、液晶パ
ネル外面に偏光板を配設する場合に比して短くなり、表
示の奥行き感を更に低減し、優れた視認性を得ることが
できる。

【００６５】本実施形態では、反射偏光層を備えた液晶
パネルを用いた構成について説明したが、上記構成に適
用可能な液晶パネルは上記構成に限定されず、例えば散
乱モードの切替により明暗表示のスイッチングを行うポ
リマー分散型の液晶パネルも適用することができ、この
種の液晶パネルは偏光板を必要としないため、本実施形
態の液晶表示装置に用いて特に好適である。

【００６６】尚、上記第１〜第３実施形態では、本発明
に係る電気光学装置の形態として液晶表示装置を構成し
た場合についてのみ説明したが、本発明はこれらに限定
されず、例えば液晶パネル２０に代えて、電極への色粒
子の付着状態により画素をスイッチングする電気泳動表
示パネルや、電圧印加状態による色の変化を利用するエ
レクトロクロミック型の表示パネルも適用することがで
きる。

【００６７】（照明装置の製造方法）次に、本発明に係
る電気光学装置の製造方法の一実施の形態として、図３
に示す照明部３３を備えた液晶表示装置１１の製造方法
について説明する。但し、図３に示す液晶パネル２０と
しては、通常用いられている反射型の液晶パネルを適用
することができるので、以下では照明部３３の製造方法
についてのみ説明することとする。

【００６８】図３に示す液晶表示装置１１を製造するに
は、まず、照明部３３の下側基板となる偏光基板３１１
を用意し、この偏光基板３１１上に透明電極（陽極）３
１４を基板面内で線状にパターン形成する（陽極形成工
程）。この場合、真空蒸着、スパッタリング、イオンプ
レーティング等の所定の成膜方法にてＩＴＯ（インジウ
ム錫酸化物）を基板３１１上に成膜した後、レジストを
塗布し、マスク露光、現像、エッチング、レジスト除去
を行うフォトプロセスを採用している。したがって、パ
ターン化された陽極３１４の線幅は２０μｍ以下と微細
なものとなっている。なお、エッチング、レジスト除去
工程は、ウェット又はドライのいずれの方式を採用する
ことも可能である。

【００６９】次に、線状にパターン化された陽極３１４
の各々に跨って平面視ベタ状にポリエチレンジオキシチ
オフェン（ＰＥＤＴ）を塗布し、正孔輸送層３１５を形
成する（正孔輸送層形成工程）。この場合の塗布形成
は、スピンコートないし印刷法にて行うものとされてい
る。次いで、形成された正孔輸送層３１５の上層には、
高分子ＥＬ材料としてフルオレン系高分子誘導体を、ス
ピンコートないし印刷法にて塗布し、発光本体層３１６
を形成する（発光本体層形成工程）。次いで、形成され
た発光本体層３１６の上層にＬｉＦを真空蒸着させ、バ
ッファ層３１７を形成する（バッファ層形成工程）。こ
のような正孔輸送層形成工程、発光本体層形成工程、バ
ッファ層形成工程により、発光層３３１が形成される
（発光層形成工程）。

【００７０】さらに、上記にて形成されたバッファ層３
１７の上層にＣａ（アルカリ土類金属）を真空蒸着さ
せ、アルカリ土類金属層３１８Ａを形成する（アルカリ
土類金属層形成工程）。なお、これら正孔輸送層形成工
程、発光本体層形成工程、バッファ層形成工程、アルカ
リ土類金属層形成工程においては、照明領域全域に各層
をベタ状に塗布ないし蒸着して成膜するのみとしてい
る。以上の工程により、偏光基板３１１、陽極３１４、
正孔輸送層３１５、発光本体層３１６、バッファ層３１
７、アルカリ土類金属層３１８Ａを含む第１基板３４が
形成される（第１工程）。なお、形成した第１基板３４
は、不活性ガス雰囲気下、又は真空雰囲気下にて保管さ
れる。

【００７１】一方、上側基板となる透明なガラス基板３
１２を用意し、このガラス基板３１２に光吸収層たる樹
脂ブラック層を基板面内で線状にパターン形成する（光
吸収層形成工程）。この場合、樹脂ブラックを塗布した
後、マスク露光、現像、ポストベークを行うことで線状
のパターンの樹脂ブラックを得る。

【００７２】また、上記ガラス基板３０２に形成した光
吸収層３１９に対しＡｌを積層して反射電極層３１８Ｂ
を形成する。この場合、Ａｌを真空蒸着、スパッタリン
グ等の所定の成膜方法にてガラス基板３１２ないし光吸
収層３１９に成膜した後、レジストを塗布し、マスク露
光、現像、エッチング、レジスト除去を行うことで、光
吸収層３１９に積層された線状のパターンの反射電極層
３１８Ｂが得られる。なお、エッチング、レジスト除去
工程は、ウェット又はドライのいずれの方式を採用する
ことも可能である。以上の工程により、上側基板３１
２、光吸収層３１９、反射電極層３１８Ｂを含む第２基
板３５が形成される（第２工程）。なお、形成した第２
基板３５は、不活性ガス雰囲気下、又は真空雰囲気下に
て保管される。

【００７３】以上のような工程により得られた第１基板
３４及び第２基板３５を、アルカリ土類金属層３１８Ａ
と反射電極層３１８Ｂとが対向する向きに貼り合せるこ
とで照明部３３を得る。具体的には、この貼合せ工程に
おいては、各基板を不活性ガス雰囲気中で圧着し、圧着
した各基板の周辺部をエポキシ樹脂等の封止材にて封止
することで貼合せが行われる。なお、不活性ガス雰囲気
の他、減圧雰囲気中において圧着を行うものとすること
も可能である。

【００７４】このような製造方法により、上記実施形態
の照明装置、すなわち微細化したパターンを有する発光
部を具備した照明装置を提供することが可能となる。こ
れは、ＩＴＯ等の透明電極からなる陽極をフォトプロセ
ス工程にてパターニングしたためであり、本実施形態に
係る照明部３３では、この陽極の線状パターン化に基づ
いて発光部が線状のパターンに発光するようになってい
る。

【００７５】尚、上記第３実施形態の図４に示す液晶表
示装置１２を製造する場合には、上記の製造方法におい
て、偏光基板３１１に代えて対向基板１２２を用いるか
又は、組み立てが終了した液晶パネル１２０を用い、陽
極形成工程以降の工程を行うことで、図４に示す対向基
板１２２上に照明部４３が設けられた液晶表示装置１２
を製造することができる。

【００７６】（電気光学装置の製造方法：他の形態）次
に、図１及び図２に示す液晶表示装置１０の製造方法に
ついて説明する。液晶表示装置１０の製造方法について
も、上記液晶表示装置１１の製造方法と同様に、照明部
３０の製造方法についてのみ説明することとする。

【００７７】［陽極形成工程］図２に示す照明部３０を
製造するには、まず、照明部３０の下側基板となる偏光
基板３０１を用意し、この偏光基板３０１上に透明電極
（陽極）３０４を基板面にベタ状に形成する。この場
合、真空蒸着、スパッタリング、イオンプレーティング
等の所定の成膜方法にてＩＴＯ（インジウム錫酸化物）
を基板３１１上に成膜することで陽極３０４が得られ
る。

【００７８】［発光層形成工程］次に、形成された陽極
３１４上に順次正孔輸送層３０５、発光本体層３０６を
形成する。これらの層は、上記照明部３３の製造工程と
同様の工程にて形成することができる。次いで、形成さ
れた発光本体層３０６上に、所定の形状にパターニング
されたバッファ層３０７を形成する。この場合、ＬｉＦ
を前記発光本体層３０６上に真空蒸着させ、その後レジ
ストを塗布し、マスク露光、現像、エッチング、レジス
ト除去を行うフォトプロセスにより所定形状にＬｉＦ膜
をパターニングすることでバッファ層３０７が得られ
る。以上の工程により、発光層３２１が得られる。

【００７９】［陰極形成工程］次いで、バッファ層３０
７と略同一形状の陰極３０８を形成する。この陰極３０
８は、ＣａやＭｇ等のアルカリ土類金属を主体とするア
ルカリ土類金属層と、ＡｌやＡｇ等の金属層とを、バッ
ファ層３０７上に順次真空蒸着やスパッタリングなどの
成膜法により形成した後、上記ＬｉＦからなるバッファ
層３０７と同様のフォトプロセスによってパターニング
することで形成することができる。そして、形成された
陰極３０８は、バッファ層３０７と略同一形状とされる
とともに、平面的にバッファ層３０７と重なる位置とさ
れる。尚、この陰極３０８のパターニング工程と、上記
バッファ層３０７のパターニング工程は、同時に行って
も良い。つまり、ＬｉＦを前記発光本体層３０６上に成
膜した後、陰極を構成するアルカリ土類金属層及びＡｌ
やＡｇ等の金属層を順次成膜し、その後バッファ層３０
７及び陰極３０８をフォトプロセスによりパターニング
して略同一の形状に形成することもできる。

【００８０】以上の工程により、偏光基板３０１上に陽
極３０４、発光層３２１、陰極３０８が形成された第１
基板３１が得られる。その一方で、照明部３０の上基板
となるガラス基板３０２を用意し、このガラス基板３０
２上に、所定形状にパターニングされた光吸収層３０９
を形成する。この光吸収層３０９は、先に記載の図３に
示す光吸収層３１９の形成工程と同様の工程にて形成す
ることができる。このようにして、ガラス基板３０２上
に光吸収層３０９が形成された第２基板３２が得られ
る。

【００８１】以上の工程により得られた第１基板３１及
び第２基板３２を、粘着層３７を介して互いに貼り合わ
せ、図２に示す照明部３０が得られる。このような製造
方法により、上記実施形態の照明装置、すなわち微細化
したパターンを有する発光部を具備した照明装置を提供
することが可能となる。これは、陰極３０８をフォトプ
ロセス工程にてパターニングしたためであり、上記製造
方法にて得られる照明部３０では、この陰極の線状パタ
ーン化に基づいて発光部が線状パターンに発光するよう
になっている。

【００８２】（電子機器）次に、上記実施形態の液晶表
示装置１０ないし１２を備えた電子機器の具体例につい
て説明する。図６（ａ）は、携帯電話の一例を示した斜
視図である。図６（ａ）において、符号５００は携帯電
話本体を示し、符号５０１は上記実施形態の液晶表示装
置１０〜１２を用いた液晶表示部を示している。図６
（ｂ）は、ワープロ、パソコンなどの携帯型情報処理装
置の一例を示した斜視図である。図６（ｂ）において、
符号６００は情報処理装置、符号６０１はキーボードな
どの入力部、符号６０３は情報処理装置本体、符号６０
２は上記いずれかの実施形態の液晶表示装置１０〜１２
を用いた液晶表示部を示している。図６（ｃ）は、腕時
計型電子機器の一例を示した斜視図である。図６（ｃ）
において、符号７００は時計本体を示し、符号７０１は
上記いずれかの実施形態の液晶表示装置１０〜１２を用
いた液晶表示部を示している。図６（ａ）〜（ｃ）に示
すそれぞれの電子機器は、上記実施形態の液晶表示装置
１０〜１２のいずれかを用いた液晶表示部を備えたもの
であるので、フロントライトによる常に明るい反射表示
を行うことが可能であり、特に全体に薄型化されるとと
もに、液晶表示装置の視認側の表面から液晶層までの距
離が小さくされていることで、表示の奥行き感を抑え、
優れた視認性を得ることができる。

【００８３】

【発明の効果】以上のように、本発明に係る電気光学装
置は、前記支持基板（第１基板）又は対向基板（第２基
板）の外面側に、光学変調機能を有する基板が配設さ
れ、前記光学変調機能を有する基板上に、陰極、発光
層、陽極を積層して含む発光部が形成された構成とした
場合には、対向基板と支持基板と、これらに挟まれた電
気光学物質とから概略構成される電気光学パネルの外面
側の光学変調機能を、前記照明部の基板が兼ねることが
できる。これにより、電気光学パネル上に光学変調素子
を設けなくとも良くなり、電気光学装置が全体として薄
型化される。また、前記発光部が観察者側に配置される
場合には、前記薄型化により表示の奥行き感が緩和さ
れ、視認性に優れる電気光学装置を提供することができ
る。

【００８４】また本発明に係る電気光学装置は、前記対
向基板（第２基板）の外面側に配置され、前記対向基板
と対向する照明基板と、前記対向基板と前記照明基板と
の間に設けられ、陰極と、発光層と、陽極とをこの順で
積層して含む発光部とを備える構成としたことで、前記
対向基板上に照明手段である発光部が形成された電気光
学装置を実現することができ、発光部の下側に設けられ
る基板が、支持基板と対向基板、及び電気光学物質とに
より概略構成される電気光学パネルの対向基板とされて
いることで、電気光学装置が全体として薄型化される。
これにより本構成の場合にも表示の奥行き感が抑制さ
れ、優れた視認性を得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 図１は、本発明に係る電気光学装置の第１実
施形態である液晶表示装置について概略を示す分解斜視
図である。

【図２】 図２は、図１の液晶表示装置の部分断面模式
図である。

【図３】 図３は、本発明に係る電気光学装置の第２実
施形態の液晶表示装置の部分断面模式図である。

【図４】 図４は、本発明に係る電気光学装置の第３実
施形態の液晶表示装置の部分断面模式図である。

【図５】 図５は、図４に示す反射偏光層１２７の部分
斜視図である。

【図６】 図６は、本発明に係る電子機器について、複
数の例を示す斜視図群である。

【符号の説明】

１０ 液晶表示装置 ２０，１２０ 液晶パネル ２１ 支持基板（第１基板） ２２ 対向基板（第２基板） ３０，３３，４３ 照明部 ３００，３１０ 発光部 ３０１，３１１ 偏光基板（光学変調機能を備えた基
板） ３０４，３１４ 陽極 ３０５，３１５ 正孔輸送層 ３０６，３１６ 発光本体層 ３０７，３１７ バッファ層 ３０８，３３０ 陰極 ３１８Ａ アルカリ土類金属層（陰極） ３１８Ｂ 反射電極層（陰極） ３０９，３１９ 光吸収層 ３２１，３３１ 発光層

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (51)Int.Cl.⁷ 識別記号 ＦＩ テーマコート゛(参考） Ｈ０５Ｂ 33/24 Ｈ０５Ｂ 33/24

Claims (18)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 対向して配置された第１基板と第２基板
   との間に電気光学物質を挟持した電気光学装置であっ
   て、 前記第１基板又は第２基板の外面側に、光学変調機能を
   有する基板が配設され、前記光学変調機能を有する基板
   上に、陰極、発光層、陽極を積層して含む発光部が形成
   されたことを特徴とする電気光学装置。
2. 【請求項２】 対向して配置された第１基板と第２基板
   との間に電気光学物質を挟持した電気光学装置であっ
   て、 前記第１基板又は第２基板の外面側に、陰極と、発光層
   と、陽極とを積層して含む発光部が形成されたことを特
   徴とする電気光学装置。
3. 【請求項３】 前記光学変調機能を備えた基板が、光偏
   光機能を有する偏光板とされたことを特徴とする請求項
   １に記載の電気光学装置。
4. 【請求項４】 前記光学変調機能を備えた基板が、位相
   変調機能を有する位相差板とされたことを特徴とする請
   求項１に記載の電気光学装置。
5. 【請求項５】 前記陰極が、前記基板面内で所定形状に
   パターニングされており、前記陽極が透明電極とされた
   ことを特徴とする請求項１ないし４のいずれか１項に記
   載の電気光学装置。
6. 【請求項６】 前記陽極が、前記基板面内で所定形状に
   パターニングされていることを特徴とする請求項５に記
   載の電気光学装置。
7. 【請求項７】 前記陽極が、前記基板面内で複数の線状
   にパターニングされ、その線幅が５０μｍ以下の範囲と
   されたことを特徴とする請求項６に記載の電気光学装
   置。
8. 【請求項８】 前記発光層が、前記陽極と前記陰極との
   間に、正孔輸送層と、発光本体層と、バッファ層とを少
   なくともこの順で積層して含むことを特徴とする請求項
   １ないし７のいずれか１項に記載の電気光学装置。
9. 【請求項９】 前記正孔輸送層、発光本体層、バッファ
   層が、前記パターニングされた個々の陽極に跨って形成
   されていることを特徴とする請求項７又は８に記載の電
   気光学装置。
10. 【請求項１０】 前記正孔輸送層、発光本体層、バッフ
    ァ層が、照明領域全域に跨って形成されていることを特
    徴とする請求項７又は８に記載の電気光学装置。
11. 【請求項１１】 前記陰極が、アルカリ土類金属を主体
    とするアルカリ土類金属層と、Ａｌ又はＡｇを主体とす
    る反射電極層とが積層された構成を備え、 前記アルカリ土類金属層が前記反射電極層よりも前記陽
    極側に形成されるとともに、前記反射電極層が前記陽極
    と略同一の形状にて前記基板面内でパターニングされて
    いることを特徴とする請求項６ないし１０のいずれか１
    項に記載の電気光学装置。
12. 【請求項１２】 前記発光本体層が、高分子ＥＬを主体
    として構成されていることを特徴とする請求項６ないし
    １１のいずれか１項に記載の電気光学装置。
13. 【請求項１３】 請求項１ないし１２のいずれか１項に
    記載の電気光学装置の製造方法であって、 前記第１、第２基板又は前記光学変調機能を備えた基板
    上に、透明導電膜からなる陽極を形成する陽極形成工程
    と、 前記陽極上に発光層を積層する発光層形成工程と、 前記発光層上に所定形状の陰極を形成する陰極形成工程
    と、 を含むことを特徴とする電気光学装置の製造方法。
14. 【請求項１４】 請求項６ないし１２のいずれか１項に
    記載の電気光学装置の製造方法であって、 前記第１、第２基板又は前記光学変調機能を備えた基板
    上に、透明電極を該基板面内に所定形状にパターニング
    して形成する陽極形成工程と、前記陽極上に発光層を積
    層する発光層形成工程と、前記発光層上に陰極の構成部
    材の一部としてアルカリ土類金属層を積層するアルカリ
    土類金属層形成工程とを含む第１工程と、 透明基板上に、陰極の構成部材の残余の層を形成する陰
    極形成工程を含む第２工程と、 前記第１工程及び第２工程により得られた前記基板同士
    を貼り合わせる基板貼り合わせ工程と、 を含むことを特徴とする照明装置の製造方法。
15. 【請求項１５】 基板上に発光部を有する照明装置であ
    って、前記発光部が、少なくとも陰極と、発光層と、陽
    極とを積層して含み、 前記基板に、光学変調機能が備えられたことを特徴とす
    る照明装置。
16. 【請求項１６】 前記光学変調機能を備えた基板が、光
    偏光機能を有する偏光板とされたことを特徴とする請求
    項１５に記載の照明装置。
17. 【請求項１７】 前記光学変調機能を備えた基板が、位
    相変調機能を有する位相差板とされたことを特徴とする
    請求項１５に記載の照明装置。
18. 【請求項１８】 請求項１ないし１２に記載の電気光学
    装置を備えたことを特徴とする電子機器。