JP2004363049A - 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法及び、有機エレクトロルミネッセンス表示装置並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を備える表示装置 - Google Patents
有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法及び、有機エレクトロルミネッセンス表示装置並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を備える表示装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP2004363049A JP2004363049A JP2003162687A JP2003162687A JP2004363049A JP 2004363049 A JP2004363049 A JP 2004363049A JP 2003162687 A JP2003162687 A JP 2003162687A JP 2003162687 A JP2003162687 A JP 2003162687A JP 2004363049 A JP2004363049 A JP 2004363049A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- electrode
- organic
- light emitting
- display device
- microlens
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 25
- 239000011347 resin Substances 0.000 claims abstract description 67
- 229920005989 resin Polymers 0.000 claims abstract description 67
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 58
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 claims description 80
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 claims description 13
- 238000000206 photolithography Methods 0.000 claims description 6
- 238000004528 spin coating Methods 0.000 claims description 6
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N Silicium dioxide Chemical compound O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 9
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 8
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 8
- 239000010408 film Substances 0.000 description 7
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 description 6
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 description 6
- 239000002585 base Substances 0.000 description 4
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 4
- FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N hexamethyldisilazane Chemical compound C[Si](C)(C)N[Si](C)(C)C FFUAGWLWBBFQJT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 description 4
- 239000005871 repellent Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 3
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 description 2
- 230000002411 adverse Effects 0.000 description 2
- 239000002274 desiccant Substances 0.000 description 2
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 2
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 description 2
- 239000005394 sealing glass Substances 0.000 description 2
- 229910052814 silicon oxide Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000006087 Silane Coupling Agent Substances 0.000 description 1
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 description 1
- 239000003513 alkali Substances 0.000 description 1
- 238000003491 array Methods 0.000 description 1
- 239000012298 atmosphere Substances 0.000 description 1
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 1
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical compound [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002484 inorganic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229920000642 polymer Polymers 0.000 description 1
- 239000011435 rock Substances 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K50/00—Organic light-emitting devices
- H10K50/80—Constructional details
- H10K50/85—Arrangements for extracting light from the devices
- H10K50/858—Arrangements for extracting light from the devices comprising refractive means, e.g. lenses
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05B—ELECTRIC HEATING; ELECTRIC LIGHT SOURCES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR; CIRCUIT ARRANGEMENTS FOR ELECTRIC LIGHT SOURCES, IN GENERAL
- H05B33/00—Electroluminescent light sources
- H05B33/10—Apparatus or processes specially adapted to the manufacture of electroluminescent light sources
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
- H10K59/00—Integrated devices, or assemblies of multiple devices, comprising at least one organic light-emitting element covered by group H10K50/00
- H10K59/10—OLED displays
- H10K59/12—Active-matrix OLED [AMOLED] displays
Abstract
【解決手段】基板11上に成膜した第1の透明樹脂に対してフォトリソグラフィ処理を施すことで、有機発光層14からの光を屈折するマイクロレンズ17に応じたレンズパターンを形成し、レンズパターンに対してリフロー処理を施すことで、マイクロレンズ17を形成するマイクロレンズ形成ステップ、を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置1の製造方法。
【選択図】 図1
Description
【発明の属する技術分野】
本発明は、複数の有機発光層の発光状態により表示を行う有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法及び、有機エレクトロルミネッセンス表示装置並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を備える表示装置に関するものである。
【0002】
【従来の技術】
従来より、表示装置(ディスプレイ)にはCRT(Cathode Ray Tubb)装置や、各種の素子で構成されるフラットディスプレイパネルが存在している。フラットディスプレイパネルは、軽量かつブラウン管よりも発光効率に優れており、コンピュータやテレビジョン等の画面表示用に開発されてきている。現在では、アクティブマトリクス駆動方式の有機EL(Electro Luminescence)ディスプレイが開発されている。
【0003】
有機ELディスプレイは、蛍光性の無機及び有機化合物を含む薄膜を、陰極と陽極とで挟んだ構成を有し、上記薄膜に電子及び正孔(ホール)を注入して再結合させることにより励起子(エキシトン)を生成させ、このエキシトンが失活する際の光の放出(蛍光・燐光)を利用して発光させる素子が配列した構成となっている。このようなアクティブマトリクス駆動の有機ELディスプレイは、高精細であって薄型な構成である点で非常に注目されている。
【0004】
図10は、従来の有機ELディスプレイに搭載された有機ELパネル101aの構成例を示す断面図である。
有機ELパネル101aは、透明なガラス111及び封止ガラス111aによって発光素子114及び乾燥剤109が密閉された構成となっている。この有機ELパネル101aは、ガラス111及び封止ガラス111aによって密閉された空間が乾燥剤109によって乾燥されており、発光素子114が発光した光Lpがガラス111を透過して外部に出射する構成となっている。
【0005】
有機ELパネル101aのような面発光素子の場合には、発光素子114を含む画素から光Lpが四方八方に拡散するため、ガラス111の表面に対して臨界角以上の角度を持った光Luは、全反射現象によりガラス111の外に出射することができないため損失してしまい、光の取り出し効率が悪いという問題点があった。
【0006】
そこで、従来、このような問題を解決するために、特開平10−172756号公報に示すような構成の有機EL発光装置が知られている。
この従来の有機EL発光装置は、特開平10−172756号公報の第1図に示すように透光性基板1の内部にマイクロレンズ2を配置したり、第2図に示すように透光性基板21の内部にマイクロレンズ22を配置したり、第3図に示すように透光性基板31の内部にマイクロレンズ32,33を配置する構成が採用されている。しかしながら、このような従来の構成では、透光性基板1等の内部にマイクロレンズ2を配置することが困難であり、コストがかかる問題点がある。
【0007】
また、この特開平10−172756号公報の第4図では、透光性基板41上に形成された下地層43の内部にマイクロレンズ42を設ける構成が採用されている。
この有機EL発光装置40は、下地層43内においてマイクロレンズが下部電極44a側でなく、透光性基板41側に凸な曲面形状を構成している。
このような構成の有機EL発光装置40は、上述の第1図等に示す有機EL発光装置10と比較すると、透光性基板41の内部にマイクロレンズ42を形成しないため一見すると上述のような製造上の困難性が排除されたように思える。
【0008】
【特許文献1】
特開平10−172756号公報 (第1図ないし第4図)
【0009】
【発明が解決しようとする課題】
ところが、このような有機EL発光装置40では、下地層43内のマイクロレンズ42が上述したように透光性基板41側に凸な曲面形状を有するため、対向電極44cと下部電極44aとの間に構成された発光層44bからの光を屈折する際に、その光を透光性基板41に透過するかわりにマイクロレンズ42内で反射してしまう臨界角のマージンが小さいという問題点がある。
【0010】
また、特開平10−172756号公報では、第4図に示す有機EL発光装置40についての具体的な製造手順が開示されていない。また、アクティブマトリクス駆動の有機EL発光装置40においては、基板プロセスが約500度もの高温プロセスになるため、マイクロレンズ42等自体もこの高温に耐えなければならず、実質上製造することが困難であった。
【0011】
そこで、本発明の目的は、上記課題を解消して、製造時に有機発光層に影響を与えることなくマイクロレンズを形成することができ、光の取り出し効率を向上した有機エレクトロルミネッセンス表示装置を容易に製造することができる有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法及び、有機エレクトロルミネッセンス表示装置並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を備える表示装置を提供することである。
【0012】
【課題を解決するための手段】
上述の目的は、第1の発明によれば、マトリクス状に交差する第1の電極及び透明な第2の電極によって制御されるスイッチング素子によって、前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられた有機発光層の発光状態が制御される面発光素子を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、透明な基板上に、前記有機発光層の発光状態を制御するスイッチング素子を形成するスイッチング素子形成ステップと、前記基板上に成膜した第1の透明樹脂に対してフォトリソグラフィ処理を施すことで、前記有機発光層からの光を屈折するマイクロレンズに応じたレンズパターンを形成し、前記レンズパターンに対してリフロー処理を施すことで、前記マイクロレンズを形成するマイクロレンズ形成ステップと、前記第1の透明樹脂の屈折率よりも低い屈折率の第2の透明樹脂を、前記マイクロレンズを覆うように充填した後に硬化する樹脂充填硬化ステップと、前記第2の透明樹脂上に前記第2の電極を形成する第2の電極形成ステップと、前記第2の電極上に前記有機発光層を形成する発光層形成ステップと、前記有機発光層上に前記第1の電極を形成する第1の電極形成ステップとを有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法により、達成される。
上記構成によれば、有機発光層を形成する前に、基板上に成膜した第1の透明樹脂に対してフォトリソグラフィ処理及びリフロー処理を施すことで、容易にマイクロレンズを形成することができる。従って、マイクロレンズを形成する際には、熱に弱い有機発光層に影響を与えないようにすることができる。
【0013】
第2の発明は、第1の発明の構成において、前記樹脂充填ステップでは、充填した前記第2の透明樹脂に対して、平坦な基板を押し当てながら硬化を行うことを特徴とする。
上記構成によれば、充填された第2の透明樹脂の表面が、平坦な基板が押し当てられることによって平坦度の高くなる。よって、第2の透明樹脂と透明な第2の電極との間において、有機発光層から出力された光に影響を与えないようにし、光の取り出し効率を向上することができる。
【0014】
第3の発明は、第1の発明又は第2の発明のいずれかの構成において、前記マイクロレンズ形成ステップでは、スピンコートによって前記基板上に前記第2の透明樹脂を成膜することを特徴とする。
上記構成によれば、基板上に第2の透明樹脂を容易に成膜することができる。
【0015】
第4の発明は、第1の発明ないし第3の発明のいずれかの構成において、前記マイクロレンズ形成ステップでは、前記第2の電極側に凸な曲面形状となるように前記第1の透明樹脂を成形することを特徴とする。
上記構成によれば、有機発光層から出力された光は、基板側に凸な曲面形状のマイクロレンズを透過する場合よりも、第2の透明樹脂側に凸な曲面形状のマイクロレンズを透過する場合の方が、マイクロレンズを透過せず反射してしまう臨界角を超えにくくなる。従って、第2の透明樹脂側に凸な曲面形状のマイクロレンズを形成すると、有機発光層が出力した光の取り出し効率が良くなり、このようなことから、消費電力を低減した有機エレクトロルミネッセンス表示装置を製造することができる。
【0016】
上述の目的は、第5の発明によれば、透明な基板と、マトリクス状に交差する第1の電極及び透明な第2の電極によって制御されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子によって、前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられた有機発光層の発光状態が制御される面発光素子と、前記基板と前記第2の電極との間に設けられており、前記第2の電極側に凸な曲面形状であるマイクロレンズとを備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置により、達成される。
上記構成によれば、有機発光層から出力された光は、基板側に凸な曲面形状のマイクロレンズを透過する場合よりも、第2の電極側に凸な曲面形状のマイクロレンズを透過する場合の方が、マイクロレンズを透過せず反射してしまう臨界角を超えにくくなる。従って、有機エレクトロルミネッセンス表示装置は、その第2の電極側に凸な曲面形状のマイクロレンズを形成すると、有機発光層が出力した光の取り出し効率が良くなり、消費電力を低減することができる。
【0017】
第6の発明は、第5の発明の構成において、前記マイクロレンズの直径は、1μm以上50μm以下であることを特徴とする。
上記構成によれば、マイクロレンズを形成した時のレンズの高さが低くなり、レンズの各々の曲率中心と発光部との間隔を近づけられるため、非常に効率が上がるのである。この時のマイクロレンズの直径は1μm〜50μmが最適になる。もし、マイクロレンズの直径が1μm以下の場合は光の回折現象により光学的な集光力が下がり、50μm以上になるとマイクロレンズと発光部との距離が焦点距離と比較して近すぎるため、四方八方に飛散した光を全て臨界角以上に屈折させることができず損失が多くなる等の弊害が多くなる。またそのために焦点距離近くまで、発光部を離した位置に形成すると、四方八方に飛散した光を全て発光部直下のマイクロレンズに入射させる事ができず、別の発光部のマイクロレンズに入射してしまい、クロストーク現象を引き起こすおそれがある。そのため最も最適なマイクロレンズ直径の1μm〜50μmを選択する事により、光の損失を最小限にした有機エレクトロルミネッセンス表示装置が実現できる。
【0018】
第7の発明は、第5の発明又は第6の発明のいずれかの構成において、各前記有機発光層には、それぞれ複数の前記マイクロレンズが対応して設けられていることを特徴とする。
上記構成によれば、各有機発光層からの光は、複数のマイクロレンズの存在によって光の取り出し効率が向上し、輝度が向上する。
【0019】
第8の発明は、第5の発明ないし第7の発明のいずれかの構成において、前記マイクロレンズの屈折率は、1.5以上1.8以下であり、前記第2の透明樹脂の屈折率は、1.2以上1.5未満であることを特徴とする。
上記構成によれば、屈折率差を大きく取る事によりマイクロレンズのパワーを強め、四方八方に飛散した光を全て臨界角以上に屈折させる事ができ、光の損失を最小限にした有機エレクトロルミネッセンス表示装置が実現できる。
【0020】
上述の目的は、第9の発明によれば、複数の有機発光層の発光状態により表示を行う有機エレクトロルミネッセンス表示装置が搭載された表示装置であって、前記有機エレクトロルミネッセンス表示装置が、透明な基板と、マトリクス状に交差する第1の電極及び透明な第2の電極によって制御されるスイッチング素子と、前記スイッチング素子によって、前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられた前記有機発光層の発光状態が制御される面発光素子と、前記基板と前記第2の電極との間に設けられており、前記第2の電極側に凸形状であるマイクロレンズとを備えることを特徴とする表示装置により、達成される。
上記構成によれば、有機発光層から出力された光は、基板側に凸な曲面形状のマイクロレンズを透過する場合よりも、第2の透明樹脂側に凸な曲面形状のマイクロレンズを透過する場合の方が、マイクロレンズを透過せず反射してしまう臨界角を超えにくくなる。従って、有機エレクトロルミネッセンスが搭載された表示装置は、その第2の透明樹脂側に凸な曲面形状のマイクロレンズを形成すると、有機発光層が出力した光の取り出し効率が良くなり、消費電力を低減することができる。
【0021】
【発明の実施の形態】
以下、本発明の好適な実施の形態を図面に基づいて説明する。
図1は、本発明の好ましい実施形態としての有機エレクトロルミネッセンス表示装置が適用された有機ELパネル1の構成例を示す断面図である。
有機ELパネル1は、表示装置に搭載されるものであり、基板11、マイクロレンズ17、低屈折率樹脂5、トランジスタ12、配線7、絶縁膜9、陽極15、有機発光層14、陰極13を備えている。この有機ELパネル1は、基板11の表面から外側(図面の下方)に向かって発光する封止基板発光型の有機ELパネルである。
【0022】
基板11は、例えばガラスのような透明な基板である。この基板上には、低屈折率樹脂5が設けられている。この低屈折率樹脂5の内部には、複数のマイクロレンズ17が配列して構成されたマイクロレンズアレイが構成されている。また、この低屈折率樹脂5の内部には、トランジスタ12、配線7及び陽極15から伸びる開口部15aが設けられている。
【0023】
マイクロレンズ17は、例えばその屈折率nDが1.5以上1.8以下の屈折率の高い透明な樹脂で構成されている。一方、低屈折率樹脂5は、例えばその屈折率nDが1.2以上1.5未満の屈折率の低い樹脂で構成されている。このようにマイクロレンズ17の屈折率nDが1.5以上であるのが望ましいのは、低屈折率樹脂5とマイクロレンズ17の屈折率差が大きいほど、マイクロレンズのパワーを強め、四方八方に飛散した光を全て臨界角以上に屈折させる事ができ、光の損失を最小限にした有機ELパネル1が実現できるからである。もし、1.5未満であると、基板11の屈折率nDが例えば1.5なので、その界面で全反射現象が生じるおそれがあるからである。
【0024】
また、マイクロレンズ17の屈折率が1.8以下であるのが望ましいのは、マイクロレンズ17の屈折率が1.8を超えると低屈折率樹脂5との屈折率差が0.6を超える組み合わせが発生するからである。この組み合わせでは界面での反射が大きくなりすぎ、光の取り出し効率を下げてしまうおそれがあるためである。
【0025】
一方、低屈折率樹脂5の屈折率が1.2以上であるのが望ましいのは、マイクロレンズ17との屈折率差が0.6を超える組み合わせが発生するためである。この組み合わせでは界面での反射が大きくなりすぎ、光の取り出し効率を下げてしまうおそれがあるからである。また、低屈折率樹脂5の屈折率が1.5未満であるのが望ましいのは、マイクロレンズ17との屈折率差が0.1を下回る組み合わせが発生するからである。この組み合わせではマイクロレンズのパワーが弱く、四方八方に飛散した光を全て臨界角以上に屈折させる事ができず、光の損失が大きい表示パネルになってしまうからである。
このような構成とすると、四方八方に飛散した光を全て臨界角以上に屈折させる事ができ、光の損失を最小限にした有機ELパネル1が実現できる。
【0026】
また上記マイクロレンズ17の直径は、例えば1μm以上50μm以下であるのが望ましい。このようにマイクロレンズ17の直径が1μm以上であるのが望ましいのは、もし、マイクロレンズ17の直径が1μm未満の場合は光の回折現象により光学的な集光力が下がり集光力が小さくなるためである。
また、マイクロレンズ17の直径が50μm以下であるのが望ましいのは、マイクロレンズの直径が50μmを超えるとマイクロレンズ17と発光部との距離が焦点距離と比較して近すぎるため、四方八方に飛散した光を全て臨界角以上に屈折させる事ができず損失が多くなる等の弊害が多くなるためである。また、そのために焦点距離近くまで、発光部を離した位置に形成すると、四方八方に飛散した光を全て発光部直下のマイクロレンズに入射させる事ができず、別の発光部のマイクロレンズ17に入射してしまい、クロストーク現象を引き起こすおそれがあるためである。
このような構成とすると、最も最適なマイクロレンズ17の直径の1μm〜50μmを選択する事により、光の損失を最小限にした有機ELパネル1が実現できる。
【0027】
この低屈折率樹脂5上には、陰極13、有機発光層14及び陽極15が設けられている。陰極13、有機発光層14及び陽極15は、有機EL素子を構成している。陰極13、有機発光層14及び陽極15は、低屈折率樹脂5上において複数設けられており、それぞれ画素3を構成している。また、上記基板11上には、マトリクス状に交差する陰極13及び陽極15によって制御されるスイッチング素子としてのトランジスタ12が設けられている。
【0028】
このトランジスタ12は、陰極13と陽極15との間に設けられた有機発光層14の発光状態を制御する機能を有する。つまり、このトランジスタ12は、有機発光層14等を含む有機EL素子をアクティブに駆動する機能を有する。また、低屈折率樹脂5上には、隣り合う有機発光層14同士を絶縁するために絶縁膜9が設けられている。
【0029】
各有機発光層14には、それぞれ少なくとも一つのマイクロレンズ17が対応して設けられている。本実施形態においては、有機発光層14に対応して、複数のマイクロレンズ17が対応して設けられているものとする。このような構成とすると、各有機発光層14からの光は、複数のマイクロレンズ17の存在によって光の取り出し効率が向上し、輝度が向上する。
【0030】
これらのマイクロレンズアレイ17のピッチは、例えば1〜100μmの範囲以内が望ましい。このような構成とすると、一つの画素3に対し複数個のマイクロレンズ17でなるマイクロレンズアレイ(MLA)を敷き詰めることができ、マイクロレンズ17の高さを小さくすることができる。また、有機ELパネル1は、有機発光層14とマイクロレンズアレイとの間隔を詰めることができることから、画素3毎に発光した光が混合してマイクロレンズ17で集光することにより生ずる、画素3間におけるクロストークの無い、コントラストの高い画像を実現することができる。
【0031】
本実施形態において特徴的なことは、例えば陽極15と基板11との間にマイクロレンズ17が配置されていることである。また、本実施形態において特徴的なことは、上述のようにマイクロレンズ17が、例えば陽極15側に凸な曲面形状であることである。このような構成とすると有機発光層14から出力された光が、基板11側に凸な曲面形状のマイクロレンズ17を透過する場合よりも、陽極15側に凸な曲面形状のマイクロレンズ17を透過する場合の方が、マイクロレンズ17を透過せず反射してしまう臨界角を超えにくくなる。従って、陽極15側に凸な曲面形状のマイクロレンズ17を形成すると、有機発光層14が出力した光の取り出し効率が良くなり、消費電力を低減した有機ELパネル1を構成することができる。
【0032】
有機ELパネル1は以上のような構成であり、次に有機ELパネル1の動作例について簡単に説明する。
この有機ELパネル1は、各有機EL素子がアクティブマトリクス駆動により駆動されている。具体的には、各有機EL素子では、陰極13と陽極15とがマトリクス構造を構成しており、選択された画素3に該当する陰極13と陽極15との間に電圧が印加されることでトランジスタ12が制御され、トランジスタ12の動作によって陰極13と陽極15との間に設けられた有機発光層14に電流を流すことによって、有機発光層14を発光させる。
【0033】
有機発光層14が出力した光は、透明な陽極15及び屈折率の低い低屈折率樹脂5を透過し、マイクロレンズ17に入射する。マイクロレンズ17は、低屈折率樹脂5よりも屈折率が高いため、上述した有機発光層14から出力された光が屈折率し基板11を透過して有機ELパネル1の外部に出射する。この時、マイクロレンズ17が陽極15側に凸な曲面形状であるため、有機発光層14からの光がマイクロレンズ17の臨界角の影響を受けずに効率よく基板11を透過させることができる。
従って、有機ELパネル1は、有機発光層14が出力した光の取り出し効率が良くなり、輝度を向上することができるばかりでなく、従来と同じ輝度であれば消費電力を低減することができる。
【0034】
有機ELパネル1の動作例は以上であり、次に有機ELパネル1の製造方法の手順の一例について説明する。
図2〜図7は、図1に示す有機ELパネル1の製造方法の手順の一例を示す断面図である。
<スイッチング素子等形成ステップ>
まず、図2(a)に示すように例えば無アルカリガラスを材質とする透明な基板11を用意する。この基板11上には、回路を構成する配線7、例えば多結晶シリコン薄膜トランジスタ12、コンデンサー等が形成される。
【0035】
<マイクロレンズ形成ステップ>
図2(b)に示すように、トランジスタ12等が形成された基板11上には、上述したマイクロレンズ17を形成するための基材としてのマイクロレンズ用樹脂(感光性高屈折率樹脂17a)が成膜される。この感光性高屈折率樹脂17aとしては、例えばJRS製、MFR−344H、例えば屈折率nD=1.62を採用する。また、感光性高屈折率樹脂17aの成膜方法としては、例えばスピンコートを採用する。スピンコートによって成膜された感光性高屈折率樹脂17aは、例えば3.0μmの膜厚でコートされる。そして、このように基板11上に成膜された感光性高屈折率樹脂17aに対しては、フォトリソグラフィ技術により、上述した画素3よりも小さい約33μm角のレンズパターンに形成される。図2(b)に示すようなレンズパターンが形成された基板11は、例えば180度のクリーンオーブンに約30分入れてレンズパターンをリフローし、図3(a)に示すように、有機発光層14からの光を屈折するマイクロレンズ17の形状に応じたレンズ形状が形成される。
【0036】
<樹脂充填硬化ステップ>
次に、マイクロレンズ17等が形成された基板11の表面上には、屈折率約1.38のアクリル樹脂をスピンコート等により塗布し、約180度の雰囲気としたクリーンオーブンに約30分入れてそのアクリル樹脂の表面をリフローし、図3(b)に示す低屈折率樹脂5のように平坦化処理を行う。平坦化された低屈折率樹脂5は、基板11上に形成したマイクロレンズ17等を覆うように構成されている。
【0037】
<第2の電極形成ステップ>
このように構成された低屈折率樹脂5の表面は、図示しないレジストが塗布され、例えば酸素を用いたドライエッチングにより図4(a)に示すように所望の部分に開口部15aが形成される。
この開口部15aを含む低屈折率樹脂5の表面の一部には、図4(b)に示すように例えば主としてインジウム−スズ酸化物(ITO)がスパッタリング等により約100nm成膜され、画素3の陽極15に対応してフォトリソグラフィ技術により陽極15のパターニングが行われる。
更に、図5(a)に示すように各陽極15の縁を酸化シリコン等を成膜することにより絶縁膜9が形成される。このような絶縁膜9が形成されると、画素3の区分が明確となる。
【0038】
<発光層形成ステップ>
次に、図5(b)に示すように例えば蒸着により、有機発光層14が陽極15上に形成される。
<第1の電極形成ステップ>
次に、図6に示すように有機発光層14や絶縁膜9上には、陰極13が形成される。次に図示を省略しているが、所定の封止が行われ、図1に示すようにマイクロレンズ17が設けられたアクティブマトリクス駆動の有機ELパネル1が完成する。
【0039】
本発明の好ましい実施形態によれば、このように完成したマイクロレンズアレイを備える有機ELパネル1は、マイクロレンズアレイを備えない有機ELパネルと比べて、同一の駆動電圧を印加する場合において約2倍の輝度を発揮することができ、輝度効率も約2倍となっている。また、このような有機ELパネル1の製造方法によれば、有機発光層14を形成する前に、図2(b)に示すように感光性高屈折率樹脂17aに対してフォトリソグラフィ処理及びリフロー処理を施すことで、容易にマイクロレンズ17を形成することができる。
【0040】
従って、図1のマイクロレンズ17を形成する際には、熱に弱い有機発光層14に影響を与えないようにすることができる。また、この有機ELパネル1は、マイクロレンズ17を含むマイクロレンズアレイを設けて輝度効率を向上することができるばかりでなく、陽極15側に凸な曲面形状のマイクロレンズ17が設けられているため、有機発光層14からの光をマイクロレンズ17が反射してしまう臨界角のマージンが大きくなるため、更に光の取り出し効率を向上させることができる。従って、従来の有機ELパネルと同じ輝度とした場合においては、従来よりも低消費電力で発光寿命を長くすることができる。従って、このような有機ELパネル1が搭載された表示装置においても、上述のような効果を発揮することができる。
【0041】
また、上記実施形態においては、図3(a)に示すようにマイクロレンズ17等が形成された基板11上に、低屈折率樹脂5を形成する際においては、低屈折率樹脂5を構成する低屈折率樹脂5の基材としてのアクリル樹脂をスピンコートにより塗布した後、所定の温度でリフローすることにより平坦化を行っていたが、以下のような方法によって平坦化を行うようにしてもよい。
【0042】
具体的には、図7に示すようにマイクロレンズ17等が形成された基板11上に、低屈折率樹脂5として例えば屈折率1.38のアクリル樹脂が塗布される。このアクリル樹脂としては、例えば協立化学産業製のワールドロック7702を採用する。基板11上に塗布されたこのアクリル樹脂は、図7に示すように例えば厚さ3mmの石英板(ガラス基板)4を挟んで接着・硬化が行われる。
【0043】
この時、この石英板4の表面には、撥水処理が施されていることが望ましい。このように石英板4の表面に撥水処理を施す方法としては、例えばHMDS(ヘキサメチルジシラザン)等のシランカップリング剤等が適当である。また、石英板4の表面に撥水処理を施す方法としては、例えばCFガスによるプラズマ析出でも有効である。
【0044】
次に石英板4が剥離され、図3(b)に示すように低屈折率樹脂5の表面が平坦化される。上述した石英板4は、撥水処理が施されているため、例えば接着性を有する低屈折率樹脂5の接着力が殆ど無く、簡単に剥離することができる。このように石英板4を剥離した低屈折率樹脂5の表面は、平滑な石英板4の表面形状を受け継いで非常に平滑な表面を実現することができる。このように平滑化された低屈折率樹脂5は、上述した図4(a)に示すように、所定の開口部15aが形成される。
【0045】
本発明は、上記実施の形態に限定されず、特許請求の範囲を逸脱しない範囲で種々の変更を行うことができる。例えば上記実施形態の各構成は、その一部を省略したり、上記とは異なるように任意に組み合わせることができる。また、上述した実施形態において低屈折率樹脂5と陽極15との間に例えば60nm酸化シリコン膜を挿入するようにしても良い。このような構成とすると、低屈折率樹脂5と陽極15との密着性を改善することができる。
【0046】
また、上述した実施形態においては、有機ELパネル1が例えば低分子有機EL素子を用いているように説明されているが、図8に示すような、高分子有機EL素子にも適用することができ、同様の効果を発揮することができる。例えば、高分子有機ELでは、フルカラーパネルの製造ではインクジェットプロセスを用いてEL材料の液体を選択的に塗布し作成する。そのため、各画素の間にバンクと呼ばれる壁を作り、液体が他の画素に流れないようにするものをパネル上に形成すれば低分子有機ELと同様にパネル製造ができる。
【0047】
また、図8に示すような構成の有機ELパネル1aに限られず、上記実施の形態は、図9に示すような有効性の有機ELパネル1bに適用することもできる。この有機ELパネル1bは、上述したプロセスとほぼ同様のプロセスを用いて、図8に示す有機ELパネル1aの構成に加えて、低屈折率樹脂5と陽極15との間にカラーフィルターレジストによるカラーフィルター層2B,2R,2Gが形成されている。このような構成とすることにより、白色を発光する有機ELパネルを用いたフルカラー表示装置も実現することができる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本実施形態における有機ELパネルの構成例を示す断面図。
【図2】有機ELパネルの製造方法の手順の一例を示す断面図。
【図3】有機ELパネルの製造方法の手順の一例を示す断面図。
【図4】有機ELパネルの製造方法の手順の一例を示す断面図。
【図5】有機ELパネルの製造方法の手順の一例を示す断面図。
【図6】有機ELパネルの製造方法の手順の一例を示す断面図。
【図7】有機ELパネルの製造方法の手順の一例を示す断面図。
【図8】本実施形態における有機ELパネルの応用例を示す断面図。
【図9】本実施形態における有機ELパネルの応用例を示す断面図。
【図10】従来の有機ELパネルの構成例を示す断面図。
【符号の説明】
1・・・有機ELパネル(有機エレクトロルミネッセンス表示装置)、3・・・画素、4・・・石英板(平坦な基板)、11・・・基板、12・・・トランジスタ(スイッチング素子)、13・・・陰極(第1の電極)、14・・・有機発光層、15・・・陽極(第2の電極)、17・・・マイクロレンズ
Claims (9)
- マトリクス状に交差する第1の電極及び透明な第2の電極によって制御されるスイッチング素子によって、前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられた有機発光層の発光状態が制御される面発光素子を備える有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法であって、
透明な基板上に、前記有機発光層の発光状態を制御するスイッチング素子を形成するスイッチング素子形成ステップと、
前記基板上に成膜した第1の透明樹脂に対してフォトリソグラフィ処理を施すことで、前記有機発光層からの光を屈折するマイクロレンズに応じたレンズパターンを形成し、前記レンズパターンに対してリフロー処理を施すことで、前記マイクロレンズを形成するマイクロレンズ形成ステップと、
前記第1の透明樹脂の屈折率よりも低い屈折率の第2の透明樹脂を、前記マイクロレンズを覆うように充填した後に硬化する樹脂充填硬化ステップと、
前記第2の透明樹脂上に前記第2の電極を形成する第2の電極形成ステップと、
前記第2の電極上に前記有機発光層を形成する発光層形成ステップと、
前記有機発光層上に前記第1の電極を形成する第1の電極形成ステップと
を有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。 - 前記樹脂充填ステップでは、充填した前記第2の透明樹脂に対して、平坦な基板を押し当てながら硬化を行うことを特徴とする請求項1に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
- 前記マイクロレンズ形成ステップでは、スピンコートによって前記基板上に前記第2の透明樹脂を成膜することを特徴とする請求項1又は請求項2のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
- 前記マイクロレンズ形成ステップでは、前記第2の電極側に凸な曲面形状となるように前記第1の透明樹脂を成形することを特徴とする請求項1ないし請求項3のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法。
- 透明な基板と、
マトリクス状に交差する第1の電極及び透明な第2の電極によって制御されるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子によって、前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられた有機発光層の発光状態が制御される面発光素子と、
前記基板と前記第2の電極との間に設けられており、前記第2の電極側に凸な曲面形状であるマイクロレンズと
を備えることを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス表示装置。 - 前記マイクロレンズの直径は、1μm以上50μm以下であることを特徴とする請求項5に記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
- 各前記有機発光層には、それぞれ複数の前記マイクロレンズが対応して設けられていることを特徴とする請求項5又は請求項6のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
- 前記マイクロレンズの屈折率は、1.5以上1.8以下であり、前記第2の透明樹脂の屈折率は、1.2以上1.5未満であることを特徴とする請求項5ないし請求項7のいずれかに記載の有機エレクトロルミネッセンス表示装置。
- 複数の有機発光層の発光状態により表示を行う有機エレクトロルミネッセンス表示装置が搭載された表示装置であって、
前記有機エレクトロルミネッセンス表示装置が、
透明な基板と、
マトリクス状に交差する第1の電極及び透明な第2の電極によって制御されるスイッチング素子と、
前記スイッチング素子によって、前記第1の電極と前記第2の電極との間に設けられた前記有機発光層の発光状態が制御される面発光素子と、
前記基板と前記第2の電極との間に設けられており、前記第2の電極側に凸形状であるマイクロレンズと
を備えることを特徴とする表示装置。
Priority Applications (7)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003162687A JP2004363049A (ja) | 2003-06-06 | 2003-06-06 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法及び、有機エレクトロルミネッセンス表示装置並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を備える表示装置 |
CNB200410049220XA CN100454568C (zh) | 2003-06-06 | 2004-06-02 | 有机电致发光显示装置及其制造方法、具备其的显示装置 |
EP04013252A EP1484946A3 (en) | 2003-06-06 | 2004-06-04 | Organic electroluminescent display panel, method of manufacturing it and display device equiped with the panel |
TW093116168A TWI259026B (en) | 2003-06-06 | 2004-06-04 | Method of manufacturing organic electroluminescent display device and organic electroluminescent display device, and display device equipped with organic electroluminescent display device |
US10/862,189 US7144752B2 (en) | 2003-06-06 | 2004-06-04 | Method of manufacturing organic electroluminescent display device and organic electroluminescent display device, and display device equipped with organic electroluminescent display device |
KR1020040040635A KR20040108606A (ko) | 2003-06-06 | 2004-06-04 | 유기 일렉트로루미네선스 표시 장치의 제조 방법, 유기일렉트로루미네선스 표시 장치 및 유기일렉트로루미네선스 표시 장치를 구비하는 표시 장치 |
US11/464,317 US20060284554A1 (en) | 2003-06-06 | 2006-08-14 | Method of manufacturing organic electroluminescent display device and organic electroluminescent display device and display device equipped with organic electroluminescent display device |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2003162687A JP2004363049A (ja) | 2003-06-06 | 2003-06-06 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法及び、有機エレクトロルミネッセンス表示装置並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を備える表示装置 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2004363049A true JP2004363049A (ja) | 2004-12-24 |
Family
ID=33157226
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2003162687A Pending JP2004363049A (ja) | 2003-06-06 | 2003-06-06 | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法及び、有機エレクトロルミネッセンス表示装置並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を備える表示装置 |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US7144752B2 (ja) |
EP (1) | EP1484946A3 (ja) |
JP (1) | JP2004363049A (ja) |
KR (1) | KR20040108606A (ja) |
CN (1) | CN100454568C (ja) |
TW (1) | TWI259026B (ja) |
Cited By (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006237402A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP2006269328A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Seiko Epson Corp | 発光装置 |
JP2007207656A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機elディスプレイ |
JP2008537291A (ja) * | 2005-04-13 | 2008-09-11 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Led用の構造化基板 |
JP2009272068A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-19 | Toppan Printing Co Ltd | El素子、el素子を用いた液晶ディスプレイ用バックライト装置、el素子を用いた照明装置、el素子を用いた電子看板装置、及びel素子を用いたディスプレイ装置 |
CN102800814A (zh) * | 2011-05-24 | 2012-11-28 | 佳能株式会社 | 有机电致发光显示装置 |
JP2018037391A (ja) * | 2015-10-30 | 2018-03-08 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機発光表示装置 |
US9978814B2 (en) | 2015-10-30 | 2018-05-22 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
CN110199572A (zh) * | 2017-01-20 | 2019-09-03 | 索尼半导体解决方案公司 | 显示装置、电子设备及制造显示装置的方法 |
Families Citing this family (32)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4660143B2 (ja) * | 2004-08-27 | 2011-03-30 | 富士フイルム株式会社 | 有機電界発光素子及びその製造方法 |
KR100912802B1 (ko) | 2005-02-28 | 2009-08-18 | 삼성모바일디스플레이주식회사 | 전계발광 디스플레이 장치 |
JP4432863B2 (ja) * | 2005-09-05 | 2010-03-17 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置及び電子機器 |
KR100703158B1 (ko) * | 2005-10-24 | 2007-04-06 | 삼성전자주식회사 | 표시장치와 그 제조방법 |
KR100717269B1 (ko) | 2005-11-01 | 2007-05-15 | 삼성전자주식회사 | 디스플레이장치 및 그 제조방법 |
CN1967899B (zh) * | 2005-11-15 | 2011-02-02 | 统宝光电股份有限公司 | 有机电致发光显示元件及其制造方法 |
US8125138B2 (en) * | 2006-06-14 | 2012-02-28 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Structured OLED with micro optics for generating directed light |
TWI289815B (en) | 2006-10-30 | 2007-11-11 | Au Optronics Corp | Electroluminescent display |
CN100456527C (zh) * | 2006-11-15 | 2009-01-28 | 吉林大学 | 一种改善平板发光器件耦合出光效率的方法 |
KR20080069076A (ko) * | 2007-01-22 | 2008-07-25 | 삼성전자주식회사 | 유기발광디스플레이 |
JP2009049135A (ja) * | 2007-08-17 | 2009-03-05 | Sony Corp | 表示装置 |
KR20090061310A (ko) * | 2007-12-11 | 2009-06-16 | 주식회사 동부하이텍 | 이미지 센서 및 그 제조방법 |
EP2334149B1 (en) | 2008-09-25 | 2015-06-03 | LG Chem, Ltd. | Organic light-emitting diodes (oleds) with high efficiency and its manufacturing method |
EP2495586A4 (en) * | 2009-10-29 | 2013-06-12 | Lg Chemical Ltd | SUBSTRATE WITH LOW REFLECTION AND HIGH CONTACT ANGLES AND MANUFACTURING METHOD THEREFOR |
KR102028025B1 (ko) * | 2012-11-13 | 2019-10-04 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 |
DE102013111736A1 (de) * | 2013-10-24 | 2015-04-30 | Osram Oled Gmbh | Organische lichtemittierende Diode und Verfahren zum Herstellen einer organischen lichtemittierenden Diode |
CN104730711A (zh) * | 2013-12-20 | 2015-06-24 | 昆山国显光电有限公司 | 多媒体眼镜及其制备方法 |
KR101749147B1 (ko) * | 2015-10-30 | 2017-06-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 |
KR101739771B1 (ko) | 2015-11-30 | 2017-05-26 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 표시장치 및 그 제조방법 |
US10930709B2 (en) | 2017-10-03 | 2021-02-23 | Lockheed Martin Corporation | Stacked transparent pixel structures for image sensors |
CN107706227B (zh) * | 2017-10-26 | 2020-02-18 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种显示基板及其制备方法、显示装置 |
KR102459045B1 (ko) | 2017-11-30 | 2022-10-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 전계발광 표시장치 |
US11616941B2 (en) | 2018-02-07 | 2023-03-28 | Lockheed Martin Corporation | Direct camera-to-display system |
US10951883B2 (en) | 2018-02-07 | 2021-03-16 | Lockheed Martin Corporation | Distributed multi-screen array for high density display |
US10838250B2 (en) * | 2018-02-07 | 2020-11-17 | Lockheed Martin Corporation | Display assemblies with electronically emulated transparency |
US10652529B2 (en) | 2018-02-07 | 2020-05-12 | Lockheed Martin Corporation | In-layer Signal processing |
JPWO2020217954A1 (ja) * | 2019-04-26 | 2020-10-29 | ||
US11588137B2 (en) * | 2019-06-05 | 2023-02-21 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Functional panel, display device, input/output device, and data processing device |
US11844236B2 (en) | 2019-07-12 | 2023-12-12 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Functional panel, display device, input/output device, and data processing device |
US20210234132A1 (en) * | 2020-01-29 | 2021-07-29 | Sharp Kabushiki Kaisha | Shaped Filler Material In a QLED/OLED Pixel |
US20220140287A1 (en) * | 2020-03-27 | 2022-05-05 | Boe Technology Group Co., Ltd. | Display Substrate and Manufacturing Method thereof, and Display Apparatus |
CN113241354B (zh) * | 2021-04-07 | 2022-07-12 | 武汉华星光电技术有限公司 | Oled显示面板及其制备方法 |
Family Cites Families (19)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS61153602A (ja) * | 1984-12-27 | 1986-07-12 | Matsushita Electronics Corp | マイクロレンズの製造方法 |
US5561538A (en) * | 1992-11-17 | 1996-10-01 | Sharp Kabushiki Kaisha | Direct-view display apparatus |
JP2730510B2 (ja) * | 1995-02-22 | 1998-03-25 | 日本電気株式会社 | 駆動回路一体型蛍光表示管光ヘッド |
JPH0990337A (ja) * | 1995-09-28 | 1997-04-04 | Sharp Corp | 透過型液晶表示装置 |
US5956001A (en) * | 1996-03-15 | 1999-09-21 | Sharp Kabushiki Kaisha | Image display device |
US5948281A (en) * | 1996-08-30 | 1999-09-07 | Sony Corporation | Microlens array and method of forming same and solid-state image pickup device and method of manufacturing same |
JP4073510B2 (ja) * | 1996-12-13 | 2008-04-09 | 出光興産株式会社 | 有機el発光装置 |
JPH11354271A (ja) * | 1998-06-05 | 1999-12-24 | Canon Inc | 感光材料書込み装置 |
KR20020065893A (ko) * | 1999-10-29 | 2002-08-14 | 트러스티스 오브 프린스턴 유니버시티 | 구형 패턴을 가지는 유기발광 다이오드 |
JP2002182008A (ja) * | 2000-10-04 | 2002-06-26 | Sharp Corp | 光学レンズシステム、画像表示装置、マイクロレンズアレイ、液晶表示素子および投影型液晶表示装置 |
JP4053260B2 (ja) * | 2000-10-18 | 2008-02-27 | シャープ株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス表示素子 |
JP4717200B2 (ja) | 2000-12-15 | 2011-07-06 | キヤノン株式会社 | 有機発光素子 |
US7012363B2 (en) * | 2002-01-10 | 2006-03-14 | Universal Display Corporation | OLEDs having increased external electroluminescence quantum efficiencies |
US6833667B2 (en) * | 2002-02-27 | 2004-12-21 | Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. | Organic electroluminescence element and image forming apparatus or portable terminal unit using thereof |
JP4126531B2 (ja) | 2002-04-01 | 2008-07-30 | セイコーエプソン株式会社 | 有機elアレイ露光ヘッドを用いた画像形成装置 |
ATE381441T1 (de) * | 2002-03-11 | 2008-01-15 | Seiko Epson Corp | Optischer schreibkopf wie organische elektrolumineszente belichtungskopf-matrizen, verfahren zu dessen herstellung und bilderzeugungsvorrichtung, die diesen nutzt |
JP4183427B2 (ja) | 2002-03-11 | 2008-11-19 | 三洋電機株式会社 | エレクトロルミネッセンス素子 |
JP4192494B2 (ja) * | 2002-05-14 | 2008-12-10 | カシオ計算機株式会社 | 発光パネル |
JP4232541B2 (ja) * | 2003-06-04 | 2009-03-04 | セイコーエプソン株式会社 | マイクロレンズ装置の製造方法 |
-
2003
- 2003-06-06 JP JP2003162687A patent/JP2004363049A/ja active Pending
-
2004
- 2004-06-02 CN CNB200410049220XA patent/CN100454568C/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-04 TW TW093116168A patent/TWI259026B/zh not_active IP Right Cessation
- 2004-06-04 US US10/862,189 patent/US7144752B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2004-06-04 EP EP04013252A patent/EP1484946A3/en not_active Withdrawn
- 2004-06-04 KR KR1020040040635A patent/KR20040108606A/ko active Search and Examination
-
2006
- 2006-08-14 US US11/464,317 patent/US20060284554A1/en not_active Abandoned
Cited By (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2006237402A (ja) * | 2005-02-25 | 2006-09-07 | Semiconductor Energy Lab Co Ltd | 半導体装置、及び半導体装置の作製方法 |
JP2006269328A (ja) * | 2005-03-25 | 2006-10-05 | Seiko Epson Corp | 発光装置 |
US7888866B2 (en) | 2005-03-25 | 2011-02-15 | Seiko Epson Corporation | Light-emitting device |
JP2008537291A (ja) * | 2005-04-13 | 2008-09-11 | コーニンクレッカ フィリップス エレクトロニクス エヌ ヴィ | Led用の構造化基板 |
JP2007207656A (ja) * | 2006-02-03 | 2007-08-16 | Dainippon Printing Co Ltd | 有機elディスプレイ |
JP2009272068A (ja) * | 2008-04-30 | 2009-11-19 | Toppan Printing Co Ltd | El素子、el素子を用いた液晶ディスプレイ用バックライト装置、el素子を用いた照明装置、el素子を用いた電子看板装置、及びel素子を用いたディスプレイ装置 |
CN102800814A (zh) * | 2011-05-24 | 2012-11-28 | 佳能株式会社 | 有机电致发光显示装置 |
JP2018037391A (ja) * | 2015-10-30 | 2018-03-08 | エルジー ディスプレイ カンパニー リミテッド | 有機発光表示装置 |
US9978814B2 (en) | 2015-10-30 | 2018-05-22 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
US10396129B2 (en) | 2015-10-30 | 2019-08-27 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device |
CN110199572A (zh) * | 2017-01-20 | 2019-09-03 | 索尼半导体解决方案公司 | 显示装置、电子设备及制造显示装置的方法 |
JPWO2018135189A1 (ja) * | 2017-01-20 | 2019-11-07 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置、電子機器、及び表示装置の製造方法 |
JP7186620B2 (ja) | 2017-01-20 | 2022-12-09 | ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 | 表示装置、電子機器、及び表示装置の製造方法 |
US11769773B2 (en) | 2017-01-20 | 2023-09-26 | Sony Semiconductor Solutions Corporation | Display device, electronic device, and method of manufacturing display device with substrate including light emitting elements adhered to substrate including microlens array |
CN110199572B (zh) * | 2017-01-20 | 2024-01-26 | 索尼半导体解决方案公司 | 显示装置、电子设备及制造显示装置的方法 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP1484946A2 (en) | 2004-12-08 |
US20060284554A1 (en) | 2006-12-21 |
US7144752B2 (en) | 2006-12-05 |
KR20040108606A (ko) | 2004-12-24 |
CN1575056A (zh) | 2005-02-02 |
TW200511893A (en) | 2005-03-16 |
EP1484946A3 (en) | 2007-03-21 |
TWI259026B (en) | 2006-07-21 |
US20050106776A1 (en) | 2005-05-19 |
CN100454568C (zh) | 2009-01-21 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2004363049A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス表示装置の製造方法及び、有機エレクトロルミネッセンス表示装置並びに、有機エレクトロルミネッセンス表示装置を備える表示装置 | |
US7696687B2 (en) | Organic electroluminescent display device with nano-porous layer | |
KR100944311B1 (ko) | 발광 소자 및 이 발광 소자를 이용한 표시 장치 | |
TWI614926B (zh) | 有機發光二極體(oled)顯示器及其製造方法 | |
TWI637657B (zh) | 有機發光二極體顯示器 | |
TWI695364B (zh) | 有機發光二極體顯示裝置 | |
US20050231085A1 (en) | Flat panel display device | |
TW201729444A (zh) | 有機發光顯示裝置及其製造方法 | |
JP2008108439A (ja) | 電界発光素子および電界発光パネル | |
JP2004241130A (ja) | 発光ディスプレイパネルおよびその製造方法 | |
KR20090091706A (ko) | 유기 발광 다이오드형 발광 소자의 전극 | |
JP2012134128A (ja) | 表示装置 | |
JP2008177169A (ja) | 有機エレクトロルミネセンスディスプレイデバイス及びその製造方法 | |
JP2013114772A (ja) | 表示装置 | |
JP2004039500A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法及び電子機器 | |
JP2003036969A (ja) | 発光素子、及びそれを用いた表示装置と照明装置 | |
WO2007114256A1 (ja) | 有機エレクトロルミネセンス多色ディスプレイパネル | |
JP6837410B2 (ja) | 発光領域を含むディスプレイ装置 | |
TW201002123A (en) | Organic el display and manufacturing method thereof | |
JP2008165108A (ja) | リブ機能を併せ持つカラーフィルタ基板、リブ機能を併せ持つ色変換フィルタ基板、および、これらを用いたカラー有機el素子、並びに、これらの製造方法 | |
JP2010186613A (ja) | 有機発光素子及びその作製方法、並びに表示装置 | |
JP2000277266A (ja) | 有機電界発光素子 | |
JP2009151945A (ja) | 有機el発光デバイスおよびその製造方法 | |
GB2570573A (en) | Lighting device and display apparatus | |
JP2003249381A (ja) | 有機エレクトロルミネッセンス素子とその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20051019 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20080718 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20080723 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20080910 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20081008 |