TW200301504A - Single wafer dryer and drying methods - Google Patents

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TW200301504A TW091132449A TW91132449A TW200301504A TW 200301504 A TW200301504 A TW 200301504A TW 091132449 A TW091132449 A TW 091132449A TW 91132449 A TW91132449 A TW 91132449A TW 200301504 A TW200301504 A TW 200301504A
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Description

200301504 玖、 【發丨 基材. 【先 程的 潔， 潔槽 程移 揮發 在基 續的 出時 力梯 留下 條紋 將可 上， 是當 高於 被吸 發明說明 所屬之技術領域】 .發明係關於一種半導體製程，特別是一種將半導體 t燥的方法。 •技術】 L著半導體元件尺寸持續縮小，超潔淨（ultra ^㈡…製 「要性也持續升高在一槽（或盆）之液體内以水溶液清 r後緊接著旋乾沖洗（例如在另一個槽中，或是更換清 中的液體），就可以獲得所期望的潔淨程度^在由旋乾製 出之後，若不使用旋乾設備，清洗液體將由基材表面 ，並且導致條紋或斑點的產生，或是留下清洗殘留物 付表面上。這些條紋、斑點以及清洗殘留物可能導致後 疋件失效因此很多注意力被導向改善基材由液體槽移 ’使其乾燥的方法。 種眾所週知的Marangoni乾燥法，可以產生表面張 度，以將沖洗液引導而離開基材，使其表面基本上不 、'先液，並且藉此所產生的流動方式，得以避免產生 &斑點以及，沖洗液殘留物特別是利用Marang〇ni方法， '先液（例如IPA蒸氣）溶混的溶劑導入到液體凹面 此液體凹面係在基材被由沖洗盆舉起時所形成的，或 ，中洗液體漏出而流過基材時所形成的，溶劑蒸氣係以 後把凹面之頂端的被吸收蒸氣濃度，而沿著液體表面 此被吸收氣體的較高濃度，導致液體凹面頂端之 200301504 表面張力較沖洗液體内部的表面張力為低，因此使得沖 液體由乾燥中的液體凹面，流向沖洗液體内部。這樣的 動就是所謂的「Marangoni」流動，且可加以利用，以避 在基材上留下斑紋、斑點或是洗液殘留物的情況下，進 將基材乾燥〇 【内容】 在本發明的第一個態樣中，提供第一模組，用以 理时圓’此模組包含處理埠（pr〇cessing p〇rti〇n)，該處理 包含負載埠和卸載埠。晶圓可以被負載埠降低而進入處 淳’而卸載埠係由該負載槔處進行水平置換，使得該晶 可以在卸載埠上被舉高而離開該處理埠。該處理埠也包含 轉動晶圓支持器，此係用於轉動輸入晶圓由第一定向轉 第二定向，該輸入晶圓具有該第一定向時，係與該負載 對齊’孩輸入晶圓具有該第二定向時，係與該卸載埠對齊 在本發明的第二個態樣中，提供第二模組，用以處 0曰圓，此第二模組包含處理埠，該處理埠包含如第一態 足第—模組内功能相當的負載埠和卸載埠。第二模組也包 (1)外郅溢流堰（an external overflow weir)，其係位於沿 刖迷處理埠之外部表面上；以及（2)分隔板，其係位於負載 2卸載埠之間，以將處理埠的上面區域分隔成第一區域 第一區域，並且可制止表面液體在第一區域和第二區域 間的流動。 在本發明的第三個態樣中，提供了第三模組，用以 洗 流 免 而 處 埠 理 圓 可 到 埠 Ο 理 樣 含 著 埠 和 之 處 200301504 理晶圓，此第三模組包含處 奸^ σ愿理埠，其係具有如第一態樣中 弟一挺組内相同功能的g ^ ”載埠。矛三模組也包含喷灑機構， 此噴灑機構係能於虛琿眭μ 、 寺，又入處理埠之液體中，且該噴灑 機構的位置係要能崎潘治_ 麗及肢到卵圓位於水面下的表面上（該 卵圓係經由負載阜被降低進入水面）0 。在本發明的第四個態樣中，提供第四模组1以處理晶 圓此弟四模組包含處理璋，該處理蜂包含如第一態樣中 第-模:且内相同功能的負載埠和卸載埠。第四模組也包含輸 皁“輸出埠具有⑴第一晶圓接收器，係用於接收經由 卸料所舉高的晶圓；以及（2)捕獲器，其㈣合到第一晶圓 接收益’ 1被用於接觸被卸料升高的晶圓，並且也隨著 被動地升高。 在本發明的第五個態樣中，提供第五模组，用以處理 晶圓’此第五模組包含處料，該處理埠包含如第一態樣 中的第-模組内相同功能的負載埠和卸載琿。第五模組也包 含輸出埠’該輸出埠具有一第_晶圓接收器，係用於接收 經由卸載埠所舉高的晶圓；以及—圍體㈣_e)，此圍體 環繞第-晶圓接收器。此圍體包含有⑴第一開口，係用於 使得晶圓可以由處理埠舉高，經卸料而到該晶圓接 收器；(2)第二開口，係用於使得晶圓可以被 圓接收器中抽取出來;以及(3)多數個外加開口，係：於允許 在前述圍體之中，建立起流動的空氣氣流。 在本發明的第六個態樣中，提供第六模組，用以處理 曰曰圓此第六模組包含處理埠，該處理埠包含如第一態樣 200301504 中的第—模组内相同功能的負載埠和卸料第六模組也包 含輸出埠，該輪出追且古 八 (1)第一晶圓接收器，係用於接收 經由卸載埠所舉高的晶圓;以及⑺第二晶圓接收器，用於接 收經由該卸載琿所舉高的晶圓。其中上述之第—晶圓接收器 以及第：晶圓接收器係用於分別位在第一位置和第二位置 之間傳达阳圓，其中m第-晶圓接收器被置放的位置係要 接收Us卸載埠所舉高的該晶Ε，該第二晶圓接收器被 置放的位置係要接收經由該卸载埠所舉高的該晶圓。如所提 出：數種其他態樣’有關於本發明的方法、設備以及系統 的態樣，係依據這些而提出者a 經由後續的有關本發明之詳細描述、申請專利範圍以 及其所伴隨的圖式’本發明的其他特徵和態樣也將會變得 更加顯而易見。 【實施方式】 依據本發明所提出的一個乾燥設備包含處理部和輸出 、則l處理#包含—王室，而主室的建構可以是依據兩 個王要的態樣而完成。在第'態樣(沒入± 18心中，晶圓沉 浸在清洗液中’並且可以參照第i至21圖所顯示及其所伴 隨所說明㈣二態樣（噴霧室18b)料未沒人㈣體中的晶 X以喷麗液體於其表面上’並且可以參照第5圖所顯示 及其所伴隨所說明者。 類似前段所述，輸出部包含輸出平台，而此輸出平台 的建構可以是依據兩個主要的態樣而完成。在第一態樣(轉 200301504 動平台 5 8)中，曰问 、 τ 册卵囫由大致垂直方向轉動到大體是水平的 方向，並且可0 & μ ^ 參照罘1至第21圖所顯示及其所伴隨所說 明者，弟—態樣（傳送平台158)水平地傳送，以在多數個晶圓 接：蒜中，接收-個大體是垂直方向的晶®，並且可以參 …第3 Α至第4Κ圖所顯示及其所伴隨所說明者。 、處理#和輸出邵的每一個態樣就其本身而言，都被認 為疋個獨义的發明。也因此，每一個處理部的態樣就可 以利用不同的每-個輸出部之態€，同理，反之亦然。另 外處理邵和輸出部也可以分別使用傳統的處理部和輸出 部取後，處理部和輸出部之數個各別的特徵係具有發明 f生的並且可以藉由參照下列圖式及其描述而獲得。 第1圖所顯示的是依據本發明所提出的乾燥設備11之 結構的側視圖’其中所顯示的處理部和輸出部係依據本發 明的第-態樣所提出者。依據本發明所提出的—種乾燥設 備11包含處理部10和輸出部12。 處理部-第一態檨 處理部10包含一沒入室18a，其將晶圓沉浸在例如去 離子水的液體中，其中可能包含也可能不包含表面活性劑 (surfactant)或是其他的化學清潔劑，例如應用材料 Material)公司的 ElectraCleanTM 溶液。 上分隔板24(罘2A圖）將沒入室iga分隔成兩個部分， 一個旋乾部分26和「乾燥」部分28。藉著將乾燥部分28 與旋乾邵分2 6隔離開來’可以獲得並維持一個較乾淨的出 200301504 口區域，並且可以降低要移除的微粒重新附著於晶圓，諸 如此類的、/了染之危險性，因為微粒很容易在此旋乾部分％ 中被移除，並由此被排出。沒入室1Sa可以具有—圍繞著 沒入室1 8a的溢流堰2〇 ,以使得液體得以流入。液體可能 持續供應到，例如較低部位之沒入室18a，所以液體持續地 溢流到溢流堰20。溢流堰2〇(第2A至21圖）可以被耦合到 上分隔板24，以幫助由旋乾部分26及乾燥部分中移除 微粒。（圖中所未顯示的）高準位和低準位液體感測器可以被 耦合到沒入罜18a以及溢流堰2〇、2〇a。在另一個並未顯示 出來的®樣中，溢流堰2 0可以包含一室，而處理部丨〇則 嵌入在其中。排氣管線（例如設施排氣管線）可以被耦合到此 室（例如靠近其底邵），並且洩出管線可以被安排於沿著此室 底部的位置’其可以被傾斜以加速排除洩出物。 旋乾部分26可以裝配有頂頭噴嘴3〇，並且/或者沒入 噴嘴32,前述每一個都是要在晶圓進入旋乾部分％時，將 液體導流到晶圓表面上。此旋乾部分26，在一態樣中，乃 是用來將傳送到依據本發明所提出的乾燥設備丨丨之前，已 經噴灑於晶圓上的任何液體之薄膜（例如表面活性劑）加以旋 乾。這樣的介面活性劑噴灑步驟，已知能防止晶圓在送入 依據本發明所提出的乾燥設備U之前，其表面的液體就乾 化而殘留。因此在將晶圓載入乾燥設備之前，若有對晶圓 喷灌以介面活性劑（經常適合使用的是含有低濃度的介面活 性劑噴溢，例如Alfonic介面活性劑），將可以避免晶圓進 入乾燥設備义前，晶圓表面上的液體乾化而留下水痕。這 200301504 樣個依據本發明所提出的步驟可 晶圓傳遞(例如晶圓“ “備中或是在 介面活性劑，…可以包含將基材施以 以4其在清洗過程中 置移出，或是在芦由0ni 戍疋在基材被由清洗裝 接i、s 由θθ囫握持器傳送基材的時候，都&保 持其濕潤）過程中進行。 τ佚郡把保
V 旋乾部分26可以承 位罟曰冋 w負載# 34，其可以只是一個 可以是二此區域進入旋乾部分26;或者負載部也 的^斤定義=^分26之頂部溢流壤或是蓋子（若是有蓋子 w冶）所疋義的一個開口 0 接此正广於或是靠近沒入室18a底部的是托架36，被用於 或是支持大體是垂直方向的晶圓(可能有稍微的與鉛直 2有出入）’托架36可更進-步地產生一個轉動，此^
'個托架36可以接收經由負載部34進入旋乾部分26 =圓的 '個第—位置，轉到第二位置，…位置係晶 以被托架36舉起’經由乾燥部分28的出口埠η的位 置離開。當托架36將晶圓由旋乾部分“轉動到乾燥部分a 時，晶圓係保持沒入在液體中D 通常使用來轉動托架36的機構常常是嵌在處理部⑺ 的外部上，並且係經由處理部1G料溢流堪，而被直接或 巷磁吸在耦合到托架36上在第！圖例示性的實施例中，當 鏈接系統被啟動是往下時，鏈接系統38可把托架刊由第 —位置（在旋乾部分26中）旋轉到第二位置（在乾燥部分28 中）》當鏈接系統被啟動往上時，鏈接系統3 8可把托架3 6 由乾燥部分28撤回旋乾部分26所顯示的促動器4〇被輯合 10 200301504 40可以是任何傳統的促 到鏈接系統3 8上，其中的促動器 動器，例如汽缸或是諸如此類者〇 得以驅使托架轉動的另一種結構可以包含將托架％ 截於一棍狀物上’此棍狀物系沿著沒入言〗8 、 王 Α ο α 白勺^^4司$ 平延伸，所以托架36可以沿著該棍狀物轉動，在這樣一個 結構中，托架36可以是例如與沒入室丨8a同寬，使得一磁 性物質得以同時嵌在前述二者之上，並且可以是經^沒1 室18a的側壁而耦合到外部的磁性物質此外部磁性物質可 以被某種促動器（例如氣動式的促動器4〇)向前驅動或是向 後驅動。為了使托架36和外部磁性物質轉動，滾筒可以被嵌 置於其上’以接觸並且沿著沒入室18a的側壁滾動沒 一對感測器（未圖示）可以被耦合到促動器4〇、鏈接系 統3 8以及/或者托架3 6上，以偵測得知第一及第二托架位 置進一步而言，一個感測器，例如光學感測器（未圖示）可 以偵測晶圓是否存在於托架36上，一旦偵測到晶圓存在， 則一訊號被送到促動器40 ,以使得促動器4〇將托架36由 第一位置轉動到第二位置σ 乾燥邵分28可以包含推進器44 ,其係被設計成能以 最小接觸面積來接觸晶圓之一較低的邊緣。這樣的一個推進 器即是傳統所指稱的刀緣推進器（knife-edge pushers),此刀 緣推進器44可以被耦合到一垂直導引（未圖示）上，其係沿 著乾燥邵分2 8的後壁而放置的，並且可以被進一步（例如磁 性地）輕合到促動器（例如一個由馬達所驅動的，如第1圖的 ^質螺旋物48)上，其是被用來沿著導引而將推進器44舉 200301504 冋或疋降低：以至於推進器44得以將晶圓由乾燥部分28 處舉起來’並可以在此之後讓該推進器 原始位置。 木36下面的 此乾燥部分28的後壁通常是傾斜的，（例如 度）使得認推進器可以在晶圓被由乾燥部分Μ舉起時 晶圓維持在其傾斜的位[也可以確保晶圓位於一較可： 複實現的位置，亦，較一非傾斜的垂直方向更能 位置〇 一對傾斜導引46也可以被耦合到乾燥部分U的後 壁，並且其所放置的位置係使其在晶圓由托架％經由乾燥 部分28而被舉起時，彳以接觸晶圓的反面邊，“每一個“ 46可以包含一個插槽，其可以是U型的或是v型的插槽， 而晶圓的邊緣可以被抓住於其中或者，每一個導引46 ^〆 包含晶圓邊緣所會倚靠的一個斜表面，咬是 叫&予51 46可以形 成-個由晶圓開始向外遠離的角纟，以盡可能降低接觸面 積0 乾燥部分28的出口蜂37通常是被定義成乾燥部分μ 的-個頂部牆或是蓋子，使得乾燥時所產生的蒸氣得以由 此排出（例如經由幫浦），而不是由逸散到周園的空氣中。在 液體準位之上及出口库37之下，辞著古 jt» 早义下汉置有一對的噴灑機構50 , 其係被用來在晶圓被舉起而離開液體表面的時候，提供跨 過晶圓正表面和反面表面之全面連續性之蒸氣噴灑。噴灑機 構50所擺放的位置係要噴灑蒸氣到晶圓被由液體中舉起 時，所形成的凹面上〇雖然噴灑機構可能包含一個單—線陡 12 200301504 噴嘴或是多數個噴嘴’其通常包含有一個具有一連辛洞孔（例 如具有直徑0.005至0.007英吋直徑的114個洞孔，並且沿 著與晶圓相鄰8 ·5英吋的距離均勻地分佈）形成於其中的管 子，前述的噴灑機構（管子）50通常是由石英或是不鏽鋼所 建構而成。 每一個喷灑機構（管子）50可以是人工手動調整方向 的，以導流出一個具有預期角度（此角度可以如下所述，相 對於經過喷》麗管子5 0中心所畫出的水平線，以及垂直於第 8 A圖中的液體表面之垂直線）的蒸氣流（例如ip a蒸氣）當 進一步參照到第6圖時，此IPA蒸氣流之導向，可以有也 可以沒有氣流變流裝置的幫助。此氣流的特定角度可能視該 晶圓將要乾燥的物質之不同而有所改變，第8B圖所列出的 對照表，係舉例所常使用的物質，以及其相對應常使用的 氣流角度〃 此被供應到液體凹面之IPA蒸氣流產生了一個 Marangoni力，其引起了與晶圓舉起方向相反的向下液體 流，因此在凹面上的該晶圓表面會被乾燥。 為了要容納以及排出在乾燥部分2 8内的IP A蒸氣， 所以提供了廢氣歧管51和全（blanket)氮氣歧管54，這些歧 管之製作可以伸入位於噴灑機構50上面的乾燥部分28之 頂蓋56氣流模組（未圖示）被耦合到噴灑機構50，廢氣歧管 5 1和全氮氣歧管54控制了 IPA蒸氣流率、廢氣流率和氮氣 遮掩流率此外廢氣管線（未圖示）可以是被製作在輸出部12 之下方，經由輸出部1 2可以維持一垂直的流線型之氣流， 13 200301504 並且可以將由乾燥部分28散出的IPA蒸氣稀釋掉嘴灑機構 50通常是被放置在靠近凹面的地方，並且全氮氣歧管54通 常是被製作在靠近卸載埠37的地方。 晶圓處理-第一熊樺
第2A至第21圖係侧面立視圖的結構概要圖，其顯示 當晶圓被本發明所提出的設備所傳送時，該晶圓所處的不 同階段參照第2A圖，當一機械臂（例如走動橫杆機械臂/ 未於此圖不，於美國申請專利案編號第〇9/558,8 15，西元 年4月26日送件申請，其全部的揭露都作為此篇的參照前 案）經由負載埠34而將晶圓W載入旋乾部分26，噴嘴 與噴嘴32,都噴灑去離子水於晶圓w的兩個面上，此機械 臂釋放晶圓於托架36上，然後由旋乾部分26退回其位^ 負載埠34上万的原始位置一個光學感測器（未圖示）偵剛到 晶圓存在於托架36(第2B圖）上，並且送訊號到促動器4〇, 以啟動鏈接系統38,使其由旋乾部分26轉動到乾燥部分28 托架36被製作的位置，係在沒入室18&的底部上， 或是與前述底部靠近的地方’而其製作的功能是可以傳送 晶圓，由旋乾部份26傳送到乾燥部分28在此傳送過程之 中’晶圓㈣持沒人在液體面之下，因此托架36為了要接 时圓* *直位置開始轉動’為了晶圓升高通過乾燥 邵分28(第2C B)而轉動一個傾斜位置（例如，傾斜9度 然後晶圓W被舉起’經由推進器44以-個舉起速度 向卸載部 3 7靠近，其盛a、， 、 、t係以一進行速度（例如每秒十爱
14 200301504 米')’起始於當晶圓頂端沒入箱内液體時（此時即是乾燥蒸氣 開七f灑之時），直到晶圓的下緣（例如下面邵分的三十至四 十I米之部分的晶圓）没入箱内液體當晶圓下緣沒入箱内液 體中並且通過乾燥蒸氣時，此晶圓會被以一種較慢（例如小 於每秒五釐米）的速度舉起，因為晶圓較低的部分較不好將 其乾燥（起因於晶圓的曲率），在整個晶圓乾燥之後，此晶圓 可以被以一種較高（例如高於每秒十釐米）的速度舉起，以進 入到傳，送位置當晶圓被舉起，晶圓邊緣會因為重力而倚靠 在兩個平行傾斜引導46上，該導引係沉沒在液體中a 當晶圓W被舉出液體表面時，該對嘴灑機構(第2D 圖）噴灑IPA蒸氣以及氮的混合氣體，於晶圓w的兩面所形 成的凹面上此IPA蒸氣流可以借助或是不借助如第6圖所 進一步參照說明的氣流變流裝置，而得以導引氣流方向此 氣流的該特定角度，可以視晶圓上所要乾燥的物質之不同 而有所改變。 第8A圖是一個有助於說明蒸氣氣流之概略圖參照第 8A圖，如所示，蒸氣/承載氣體氣流72之流動角度0係相 對於水/空氣介面（並且/或者經過噴灑管子5〇的水平中心線） 而量測出來的（在一較佳實施例中，噴灑管子5〇係被建構 在晶圓W側面水平距離〇.5英吋的地方，此時的流動角度 被選擇在大⑼25度，並且喷嘴高度係被選㈣Hn，使得氣 流72敲擊晶圓W，大約在晶圓/氣流介面以上3 7釐米，亦 即高度Hv的地彳也可使用其他水平間隔、流動角度、喷 嘴高度ην以及蒸氣敲擊高度Ην)。第8Β表列出例示性物質 15 200301504 材料之較佳流動角度（係相對於水/空氣介面作測量）表面物 質係指晶圓表面上所欲乾燥的物質乾進（drjMn)或濕進 (wet-m)係指在乾燥設備η内處理之前的晶圓是濕的或是乾 的，乾出（dry-out)表示當晶圓由乾燥設備u移出時是乾的 黑鑽石（Black Diamond®)是一個應用材料公司所可以使用的 低k(介電常數）值的介電物質（例如摻雜有碳的氧化物）逆八 蒸氣流產生一個，，Marangoni”力遒，此會導致與晶圓舉起方 向相反的向下液體流，藉此，在凹面上方的晶圓表面會被 乾燥化。 在乾燥步驟中’ IPA蒸氣係經廢氣歧管5 1，由處理埠 10排出，並且氮氣流被導向橫跨過輸出埠37(經由全氮氣歧 管54)，以制止IPA蒸氣逸散出處理埠1〇此氣體傳遞模組（未 圖示）控制IPA蒸氣流、廢氣流率以及全氮氣氣流流率y 輸出部-第一熊蝉 在如第1圖至第21圖所顯示的較佳實施例中，輸出部 1 2包含平台5 8，係被用於在兩個位置之間轉動，該二位置 係：用於由乾燥部分28接收晶圓之處理位置（第2E圖），以 及用於輸出晶圓到傳輸機械臂之FAB介面位置（第2G圖） 處理位置係與晶圓被由乾燥部分28舉起之傾斜位置相符， 並且處理部份大致而言係為水平的被耦合到輸出部1 2的馬 達或是其他驅動機構，可以驅動平台58的轉動p 輸出部12可以包含用來與晶圓w被動地移動的捕獲 器60 ’其可以被架在線性球切片（iinear> bail slide)(未圖示） 16 200301504 上，該線性球切片之每一邊的端點上都具有阻擋器λ當平台 58在處理位置（例如以一個與傾斜的導引杉傾斜角相同的 角度一九度，向處理部10傾斜）中時，此捕獲器6〇因為重 力的因素會掉到線性球切片的底部，可以利用光學感測器（未 圖示)來偵測出此低位。捕獲器6〇彳以於兩個相隔一距離的 點上接觸晶圓’並且也能夠緊密跟隨晶圓所處環境，而只 在一容許誤差值内變化，因此捕獲器6〇可以對於精確的晶 圓定位有所幫助。
輸出部12也可以包含抓指62 (finger 62)，係用於在 晶圓固定位置和晶圓通行位置之間移自，當其在晶圓固定 位置，在晶圓被舉起而位在抓指62之上時，抓指62可以 鎖住並且固定晶圓，因此可以容許推進器44撤回，留下晶 圓被抓指62和捕獲器60固定在輸出部12中的位置上抓指 62可以是，例如汽缸（未圖示）所促動，並且配備有一對的 開關（未圖示）以偵測抓指62的晶圓固定以及晶圓通過位置。 也可以利用光學偵測器（未圖示）來偵測何時晶圓已經到達抓
指62以上足夠高的位置，使得抓指62可以安全地假設晶 圓固定位置。 i圓輸出-第一 樣 在舉起晶圓w通過乾燥部分28之前，平台58大致而 口疋垂直傾斜(例如以一個九度的角度傾斜穴第2C圖”捕 獲器60係在其低位置，並且抓指62是在晶圓通過位置上a 田0曰圓w離開乾燥部分28(第2D圖），其推動捕獲器6〇(例 17 200301504 如接觸^的兩個點），並且導致捕獲器60抗拒重力而向上移動 此阳圓W因此固定在三點（經由推進器44以及捕獲器60) 間，ttjp 路44到達其高位時，抓指62被啟動而來到 晶圓固定位罾，、fc Λ 以將晶圓固定在平台5 8上，然後推進器44 撤回（抓4曰62顯示在第2Ε圖中的晶圓固定位置中）因為捕 隨著升起的晶圓W —起被動地移動，所以在傳送進 入輸出4 1 2的時候，晶圓摩擦和所產生的微粒都得以大量 減少。 當晶圓W被固定在平台58上時，平台58轉到其水平 4置（第2F圖），汽缸64(第1圖），其可包含一可調整式制 動器和震動吸收器（未圖示），並且可以被用來將平台58降 低到個已疋的輸出位置，例如，在一個晶圓握持.器（第2Η 圖）可以抽出晶圓W處做一升起動作的地方然後抓指62如 第2H圖所示的撤回，並且晶圓握持器將晶圓w拿起以將 其轉換到K固位置（例如，轉換到卡g )然後平纟58回到 其大體是垂直傾斜的處理位置（第21圖），以準備好接收下 一個處理好的晶圓w，，而使其當被由乾燥部分28舉起時， 作為下一個處理中的晶圓w，0 在本發明的較佳實施例或是其他更多的實施例中，可 以使用精岔的氣體傳遞和廢氣排放模組（未圖示），藉此以傳 遞異丙醇（iS〇Pr〇Pyl alchol，IPA)蒸氣、氮氣以及廢氣到乾燥 設備11(例如，靠近噴灑機構）例如乾燥而乾淨的空氣伴隨 以一個或更多個控流管（venturis)(未圖示）可以提供其排出 (例如氣體管線（未圖示）可以供應清潔乾燥的空氣到嵌於卸 18 200301504 載埠42附近的控流管的壓力埠以供排放）。 為了要將IPA/氮氣流提供到噴灑機構5 〇 , 一個質量流 控制器（未圖示）可以提供一個預設氣流量的氮氣流，供應到 IPA喷口（未圖示）至少在一實施例中，一個1 · 4公升的喷口 被用來傳遞IPA /亂氣混合氣體，其具有的成分大約5 %的 IPA，當然也可以使用其他尺寸的喷口以及/或者其他濃度的 IPA。 在依據本發明所提出的另一個特定之較佳實施例中， 此噴口可以配備有三個準位感測器：低、高以及高_高，首二 個準位感測器，被使用的場合可以是，例如，在IpA喷口 的自動重新填充期間。而後者的高-高感測器可以被使用的場 合是，例如，作為硬體互鎖，以避免重新充填時過度填充 噴口 一個被加壓的供應容器（未圖示），例如一公升或是適 合容量的容器，可以被使用來對噴口重新填充IPA液體β此 供應容器可以包含一個低準位感測器，並且在其低準位感 測器被觸發時，可以自動地或是人工手動地進行重新填充^ 全氮氣氣流流率（例如為了防止IPA蒸氣氣流由處理 部10逸散而出）可以利用針狀閥門或是其他合適的機構加以 控制，為了安全的目的，清潔的乾燥空氣以及全氮氣供應 管線任一個都可以被加上氣流開關（例如當廢氣或是全氮氣 氣流喪失時，硬體互鎖氣流開關可以被用來關掉IPA蒸氣 供應），壓力調節器可以被用來控制每一個供應管線中的壓 力。 19 200301504 輸出邵-第二熊蝉 第3A圖至第3B圖，分別是依據本發明所提出的第二 較佳實施例所提出的輸出部i 2，其概略的側視圖和俯視的 概略圖此處依據本發明所提出的第3A圖至第38圖中的設 備n a，其包含圍繞輸出部12的圍體111，輸出部12的可 傳動平台158可以包含兩個或更多個晶圓接收器n3a及 113b，參照第i圖至第21圖，每一個都包含捕獲器6〇和抓 指62在此較佳實施例中，可傳動平台158係被用於水平地 移動（例如，經由一個鉛質螺旋物、汽缸、馬達或是諸如此 類者），所以被由乾燥部分28所舉起的晶圓可以被第一或是 第二晶圓接收器113a、U3b所接收，利用此種方式，得以讓 晶圓產出最大化p當第一晶圓可以被第一晶圓接收器i i 3 a握 住，以供晶圓握持器（未圖示）所提起，而此時第二晶圓正被 輸出到第二晶圓接收器u 3b，反之亦然❶ 此圍體111具有可以被建構在鄰近於傳送機械臂（未圖 示）的第一侧壁115a，此第一側壁U5a具有開口 117，經此 開口 ’傳送機械臂可以抽出晶圓圍體111也可以具有位置 在與第一側壁115a相反的内部分隔壁n5b，其乃用以將圍 體111分隔成兩個氣室111a與111b第一氣室111a可以包 圍可傳動平台158，並且也包圍了足夠空間以容許可傳動平 台向前或是向後傳，並且也可以接收晶圓在第一或第二晶 圓接收器113a與113b上第二氣室111b可以包圍用以傳遞 可傳動平台158以及任何其他移動部件（大體上由第3B圖 中的參考數字159所代表）的機構”這樣分隔兩個氣室的内部 20 200301504 分隔壁U5b，可以具有多數個小開口…（第3入圖卜 常涵蓋了整個内部分隔壁115b當鄰接於傳動機械臂的區通 义壓力，較鄰接於依據本發明所提出的設備丨“之區^域 壓力為高B寺，空氣可能流動式地流動 品域的
Y ,趟W 第一及第二晶圓接收器U3a和n3b(如箭頭F所表示的β 平行於晶圓的主要表面），並且通過小開口丨丨9到達第:巧 〒111b ’第二氣f 1Ub可以藉由廢氣排放系統而排放廢： 此外’廢氣管線（未圖示）位在輸出部1 2之下，奴 | ^由輸 出部12維持一可接受的垂直流線型氣流，並且也稀釋由乾 燥部分28逸散而出的任何IpA蒸氣輸出部112的圍體 作用如一外加的污染機構，以防止IpA蒸氣進入環繞乾燥 設備11 a周圍的空氣中p 為了要容許晶圓可以被輸出到第一晶圓接收器u 3 a , 而不會阻擔主谷箱118的旋乾部分26,主容箱ιι8的前壁 12 1(也就是旋乾部分26的前壁），可以如第三圖所示的，使 其具有一定角度（例如九度）藉由將旋乾部分26的前壁彎曲 一角度，負載琿34將可以被製作在一個離輸出璋；37足夠 遠的地方，以避免被圍體丨丨丨所阻擋，但是處理部1 〇的液 月豆m積之增加，並沒有和使用直的前壁時所會增加的體積 一樣多在使用前述具有角度前壁之實施例中，托架36可以 被舉起到一個靠近負載埠3 4的位置，使得晶圓握持器可以 放置晶圓於被舉起的托架36這樣一個舉起的托架36，容許 使用沒有能力轉動以讓負載埠34和處理埠i 〇角度符合的 21 200301504 晶圓握持器。這一個可提高的托架3 6可以被偶合到一個導 引’此導引的位置係沿著具有某角度的前壁之内部表面， 並且經由前壁可以磁性地耦合到外部促動器，並且因此可 以與可提高的推進器44具有相類似的運作方式。 遇-1^#出-第二熊蝉 弟4A圖至第41圖’係顯示晶圓在如第3A圖到第3B 圖所顯示的另一個不同的設備11 a，於不同的處理階段時的 概略之側視圖，如第4A圖所示，晶圓W1被放置在輸出平 台158的晶圓接收器113a上，並且輸出平台158係在其最 右邊的位置，而第二晶圓接收器U3b被放置的位置，係使 其可以接收由乾燥部分28所輸出的晶圓晶圓W2係被放置 在沒入的托架36上，並且推進器44所在的位置係在托架％ 下方在第4B圖中，推進器44被舉高（例如經由托架36中 的槽或是開口），以由托架36上舉起晶圓W2，並且托架％ 已經被轉回到垂直位置。 在第4C圖中，推進器44已經到達升高的位置，此位 置係晶I® W2通過卸載埠37的位置，並且晶圓们的頂緣 接觸到捕獲器60。當晶圓W2移動進入卸載埠37，IpA蒸氣 喷灑、全氮氣以及廢氣開始啟動，第4C圖也顯示托架、36 已經舉起，並且被放置在負料34中，以準備好接收下一 個要進入的晶圓❶ 如第4D圖所示，第一晶圓wi ρ β、丄， ^ ^ W W1已經被由圍體111的 第一晶圓接收器113a所抽出，並且捕獏 调熳器60已經回其較 22 200301504 低的位置，第二晶圓W2已經提升到第二晶圓接收器11 3b 上的一個抓指62的上方，抓指62已經移動進入到第二晶 圓W2的下方，並且推動器44已經降低其位置，並不在支 持第二晶圓W2，其於此時係被握持在抓指62和捕獲器60 之間a第三晶圓W3被負載在托架36之上，並且托架36已 經降低到處理部1 〇的底部，值得注意的是因為第三晶圓W3 經由可能是在被沒入喷嘴32以及/或是未沒入噴嘴3〇(未圖 示）所噴灑的負载埠3 4而降低其位置〇 如第4E圖所顯示的，平台15 8被移動到其最左側的 位置，使第一晶圓接收器11 3a所處的位置能夠接收由乾燥 部份2 8所輸出的晶圓，此推進器44已經降低到一個位置 低於托架36所提高者，並且托架36將會旋轉第三晶圓W3， 使其由旋乾部分-26到乾燥部分28 β 如第4F圖所示，托架36轉動到乾燥部分36中的第 二晶圓W 3的位置’並且第三晶圓W 3的上侧部分停駐在晶 圓導引46上。 如第4G圖所示，推進器44已經升高，舉起托架％ 的第三晶圓W3而升高，並且托架36轉動而回到—個垂直 位置〇 如第4H圖所顯示，經由IPA蒸氣噴灑，推進器44開 始舉起第三晶圓W3而升高，並且經由全氮氣，到達第三晶 圓W 3的頂端接觸到第一晶圓接收器11 3 a的捕獲器6 〇梦托 架36已經舉高，以將其本身放到負載埠34之中，以準備 好接收下一個要進入的晶圓a 23 200301504
如第41圖所顯示，第二晶圓W2已經由輸出圍體jh 的弟一晶圓接收器11 3 b所抽出’並且捕獲器6 〇已經回到 其較低的位置，此第三晶圓W3已經被舉起在第一晶圓接收 器113a上，而到達抓指62上方，抓指62已經移動進入第 二晶圓W3之下的位置，並且推進器44已經降低其位置， 已不再支持第三晶圓W3，其此時被握持在介於抓指62和 捕獲器60之間的位置，第四晶圓W4負載到托架36之上， 並且托架3 6已經降低到旋乾邵分1 〇的底部上，值得注意 的是因為第三晶圓W4經由可能是在被沒入噴嘴32以及/或 是未沒入喷嘴（未圖示）所噴灑的負載埠34而降低其位置P 處分-第二能蝉 第5圖係為依據本發明所提出的一個乾燥設備2ιι之 侧視概略圖，其中只顯示處理部份1〇此處理部份ι〇係依 據本發明所提出的第二個態樣所建構，特別的是不使用要 浸入晶圓(例如顯示於第i圖至第21圖的沒入室ιμ的主室 在本發明所提出的第二態樣中，主室對以液體對於未沒入 的晶圓噴灑，以旋乾並且/或是維持在旋乾氣室226中的晶 圓之潮濕度，並且以洁轉祖、人1 便m對於未〉又入的晶圓進行喷灑，以 產生在乾燥器s 228中的液體凹面(用於Marangoni乾燥方 有夕數硬把差異存在於為了沒入器室處理方式所建構 的處理部，以$五了 & 為了非沒入器室處理方式所建構的處理部 之間。 如參照第5圖所可以看見者，第i圖至第Μ圖的溢流 24 200301504 溢流堰20和20a可w』 了 乂被省略，通常所使用的一對頂頭嘴嘴 斤製作的^置’係使得當晶圓進入而經過負載埠34 b寺， 其可以對晶圓的前表面和後表面都噴灑液ϋ在第5圖所顯 示的較佳實施例中， " ψ ^離牆24制止了所喷灑的液體由旋 邵分2 2 6賤入到齡德却八 l 、 j乾魬碩分228所提供的液體噴嘴上方的區 ”:並因此制止了已經乾燥的晶圓不小心被重新弄濕)。在乾 燥屌刀228中，一個额外的液體供應喷灑機構5〇a被提供 在IPA供應噴灑機構5〇之下。 " 在操作時，正在進入的晶圓被噴灑的液體，例如去離 子水，其可以有或沒有包含介面活性劑，或是其他清潔用 的化學藥劑，例如應用材料公司的ElectraCleanTM溶液，以 用於旋乾以及/或是維持晶圓表面的潮濕度當晶圓離開乾燥 邵分228時，晶圓被噴灑以例如去離子水的液體，其中可 以摻雜或是不摻雜介面活性劑或是其他清潔劑，此出口液 體噴灑形成了 一個橫跨晶圓之均勻液體凹面0此IPA噴灑機 制5 0噴灑IPA蒸氣到凹面上，因此創造了可以將晶圓乾燥 化的Marangoni流。值得注意的是晶圓傳輸是在處理部, 並且晶圓輸出到輸出邵1 2可以如第i圖至第41圖所插述者 氣流變流裝罾 IPA蒸氣傳送到水/空氣/水介面（亦即凹面）之效率，可 以因為對於每個IPA傳遞蒸氣噴嘴/管5〇建立蒸氣氣流變沭 裝置而獲得改善，一個這樣建構的裝置之概略圖顯示在第6 圖中雖然在實務上的噴管50以及氣流變流裝置68， 6 25 200301504 被提供在晶圓w的每一個側邊，為了繪製上的簡化，噴管 5 0(可以包含上述的喷嘴5 0)以及氣流變流裝置68只顯示在 晶圓W的—個侧邊上，雖然晶圓W可以用一個傾斜角（雖然 可以使用其他的角度，但是在此例中是利用為垂直線算起 約九度的角度）離開水7 6的表面，晶圓w也可以如圖所示 的’離開垂水7 6時，係垂直於其表面的。 在本發明所提出的一較佳實施例中，氣流變流裝置68 可以利用兩個部分套管的形式，其係用於配合噴嘴5 0，氣 流變流裝置68定義出一個楔型空間70，一股氣流的IPA蒸 氣（例如混雜以氮氣的承載氣體）被噴灑，並且被設計將氣流 72以一特定的角度導流入楔形空間70中，此角度係相對於， 例如經過噴嘴50中心並且平行於水表面，的一條水平線L 氣流變流裝置68的第二邵分（例如低翼74)可以dip在水76 的下面，以限制水暴露在IPA蒸氣下的部分之體積IPA蒸 氣的氣流72通常是使用向下的角度，如第6圖所示地，打 在氣流變流裝置68的第一部分69之内部表面78然後IPA 蒸氣的氣流72可以被内部表面78反射（未圖示）到形成於水 /空氣/水介面的凹面80上0在本發明所提出的一個或更多的 較佳貫施例當中，IPA氣流72與内部表面之間的角度並 不會超過四十五度，雖然IPA氣流72角度的選擇，通常是 使得IPA氣流以一個預期的角度範圍内（如以下所述並參照 第8A圖到第8B圖）打在，凹面8〇上，並且/或是以一個預期 的氣洗速度使传IP A蒸氣傳遞到凹面8 〇上得以最隹化p 在一個用以說明本發明而舉例的實施例中，氣流變流 26 200301504 裝置6 8具有一個細缝開口 8 2，其寬度可以是〇 · 〇 5英对， 並且細縫可以是被隔開的，例如遠離晶圓w達〇·丨英对的 地方’使其有效率地傳遞IP A蒸氣到凹面8〇同理，對於其 他寬度的細縫、在水76表面上方不同距離以及/或者與晶圓 W具不同的距離，這些上述條件也都可以適用氣流變流裝 置68可以訂在對於水76表面具有四十五度的一個角度上， 然而也可以利用其他的角度細縫開口 82的角度通常會被定 在剛好位於凹面8 0下方〇
此氣流變流裝置6 8係用以限制曝露在IPA蒸氣下的 水之體積，因此可以降低IPA的浪費和使用量，同時也改 進了乾燥器效率以及其性能，並且降低了安全性的風險。在 依據本發明所提出的一較佳實施例中，雖然其他數據仍能 進行，但是一般而言，對於300釐米的晶圓而言，曝露在IpA 蒸氣下的水之體積的範圍大約是零至十二亳升（milHliter)， 對於200釐米的晶圓而言，曝露在IpA蒸氣下的水之體積 的範圍大約是零至八亳升。
若沒有使用氣流變流裝置68，IPA蒸氣的氣流72可 以在一角度範圍上，約為22度到3〇度，打在水％表面上， 此已經被發現適合於形成在晶圓上的數個不同種類的薄膜 之乾燥化製程，其他入射角也可以使用在本發明卜此氣流 變流裝ί 6"以用單一個整體物#，或者是兩個以上的物 件合併而成，氣流變流裝置68可以由不鏽鋼或是其他適合 的物質來作成。 27 200301504 低濃度的IPA混合$辦 要進一步改善此清潔/乾燥化模組的安全性以及效率， 可以降低腕負載氣體的混合氣體中的心蒸氣濃度(例如 降低到0.2%)，同時也可以增加混 ^ > 礼如*的軋體流率（例如 至少每分鐘二至三公升，當當你爾 ― 开吊吊使用的是每分鐘五公升 辦 加的氣流流率補償了低濃度的IpA 日 ^ 、 礼隨並且也因此逵到 咼效率以及高乾燥率下之低缺 认曰 低缺的乾燥製程(使# 200釐米
的印圓，在假設都是使用相同的晶圓升高速度 例如每秒十董米’其乾燥時間是2〇秒)。第7圖是一個書出 了具有粒徑0.12微米（第士 土 —圖中，一般稱的）的粒子之數目 的圖形，其為發現於被氣體 、乱）乾燥的晶圓上所發現，其中 的氣體具有不同的IPA濃户1 π η ^ ' 度和不同的氣流流率結果可能也 因為噴嘴直徑、噴嘴相隔、於曰圓 、阳圓表面的距離、氣流變流器 的使用及角度…等等因素而有 祖A —八A ., $不冋。對於每分鐘五公升的承 載氣體流率所做的實驗性數摅，飽一此TTW # γ Λ ^ I踝’顯不當IPA蒸氣的濃度由1 〇/0 降低到0 · 2 /〇時，碎上面的缺陷和包含晶圓的低&介電物質 上面的缺陷，並沒有增加。
如前面所敛述的，當晶圓W的較低部分被乾燥時，晶 圓舉起速度可以被降低。相似地，當晶圓w的較低部分已經 乾燥化時，在IPA/承載氣體混合氣體中的IpA濃度可以增 加，並且/或者IPA/承載氣體混合氣體的氣流流率可以增加σ 如眾所周製的，以上的氮氣可以被其他惰性氣體所取代仍 旎正常進行製程，而同時廣為了解的是，ΙρΑ可以被其他傳 統用於Marangoni乾燥製程···等等的有機氣體所取代，並仍 28 200301504 能正常進行製程。 佳實施例被揭露之後，其 落在本發明的精神和範園 用來舉起之機制，以及本 ，顯然地可以被使用在任 當此發明連同其所描述的較 他的實施例如眾所週知的，也都 之中特別的是，本發明所提出的 發明所提出的IPA氣流變流裝置 何乾燥化系統中’並且不限定只能使用在所揭露的系統中〃 相似地，當基材進入祐盐制& 乾I程鈿中時，可以使用噴嘴（水下
的以及/或是水/液體面之上的）來進行旋乾製程，然而也可 乂用在本發明實施例所揭露以外的系統中。具有—傾斜角度 的至土’配合以用-已知方向輸出晶圓的模組，被認為是 具有發明性的，作為一個被動的輸出捕獲器。更進一步的發 月特徵’其包含用於傳送晶圓(特別是一個沒入液體中的晶 圓）由第一角度在傳送過程中轉變到到第二角度的模組與 万法，也包含一個模組，其用於傳送晶圓，由一個角度到 下個角度，以移動該晶圓由對齊一輸入璋，到此晶圓對 其輸出埠因此，所能被了解的是，在此所描述的所有實施
例八疋解說舉例，並且本發明所提出的設備可以使用以下 的一個或多個特徵 有些能被單獨使用的發明特徵係如下所述： 結合旋乾部分和乾燥部分，而沒有旋乾的晶圓表面曝 露在空氣中的一個模組； 配備有用於改善移除介面活性劑和製程箱微粒（頂頭嘴 嘴提供了最有效的旋乾）之沒入以及/或是頂頭喷嘴的一個旋 乾部分； 29 具有兩個部分，以分開負載 ， 程箱； 取部分的一個主要製 管子、噴嘴以及/或是氣流變流 遞送Π>Α蒸氣（例如傳送到液體凹5 ’此係Μ精確地 耗最小化； 3 了員端），以將ΙΡΑ的消 ΙΡΑ噴灑管子’可以被精確 ^ 」疋万向在一個最佳角 度上，以供應ΙΡΑ到液體凹面上參昭、， fi〇/97. 7〇. π , ，1苓“、、吴國專利序列編號為 60/273,786，运件日是20(^年3日ς
J 5日，標題是喷灑棒， 其整個揭露曰係作為本申請案的參考前案）· 不碎裂的導引機制，其使用嵌 5 1文用敢入輸出站頂端的一個，， 捕獲器”； 托架，簡化水面下晶圓由旋乾部傳遞到乾燥部的過程； 可變速度推進器，其具有一個舉高速度機制； 傾斜的後壁以及/或是傾斜的前壁； 内部溢流溢流堰，用於具有分離的輸入和輸出埠的製 程箱；
具有流線型氣流之被包圍的輸出； 變流器’係用於限制曝露在乾燥化（例如IPA)蒸氣的 液體之表面的面積； 使用限流管的排放，用於稀釋有機溶劑的濃度； 乾燥化混合氣體的使用，其具有被降低濃度的有機溶 劑，並被提高空氣流率； 多數個輸出晶圓支持器，係用於由乾燥器而來的至少 部分的同時輸出，並且以機械臂取拾；以及 30 200301504 一個模組，具有旋乾埠，以及可以在其内部使用 Marangoni乾燥方法的埠，前述兩個埠皆使用噴灑機構而不 是使用晶圓沒入處理。 與傳統的SRD比較，本發明所提出的設備丨丨可以提 供特別優越的表現，並在將斥水性或是親水性晶圓進行乾 燥製程時’都容許較大的製程誤差。此新的植基 於’’Marangoni”原理之乾燥技術，以下僅為舉例說明，可以 只留下3奈米（neon_meter)厚的層，相對的，傳統的Srd所 會留下的是大約200奈米厚的層。藉由將處理模組與輸出站 結合’本發明所提出的設備可以快速的乾燥，以致對於各 種不同的薄膜種類的晶圓之乾燥製程，都可以具有高產出4 此旋乾部分噴嘴，也有能力去除可能在刷洗以及傳送到乾 燥模組時，被施於斥水性晶圓表面的介面活性劑β 應該注思的是全氮氣只是舉例說明，並且任何的惰性 氣體或是空氣或是或是多數個氣體混合，都可以用來形成 橫越過輸出埠的一個包圍，並且接著制止乾燥蒸氣由此設 備逸散出去。也應該注意的是IPA蒸氣也只是舉例說明所用 的’並且可以溶解於液體（被施於乾燥埠中）的其他蒸氣或氣 體’其用於產生可將乾燥化的Marangoni氣流，這些氣體都 可以使用在本發明中。因此這樣的蒸氣或是氣體在此將會被 指認為乾燥化氣體σ在此揭露書所使用的詞句，，捕獲器，，、”抓 指”以及，’托架’’，並非用以限定本發明的相應物件到特定的 形狀或結構，而是廣泛地指稱任何與在此所描述的捕獲器、 抓指以及托架，具有相同功能的結構之物件。 31 200301504 因此’當本發明既被揭冑’連同其所伴隨的較佳實施例， 所可以輕易理解的是其他實施例的使$，也都會落在，下 列的㈣專利範圍所界定之本發明的精神與範圍之‘ 【圖式簡單說明】 第1圖所顯示的是所提出的一個乾燥設備的侧視圖，其中 的設備至少包含了處理部以及輸出部，二者的結構皆 疋依據弟一態樣所提出； 罘2A圖至第21圖為本發明所提出的第i圖之乾燥設備的 概略之侧視圖，其顯不了晶圓傳輸通過及輸出來源之 一連串階段的乾燥設備； 第3A圖與第3B圖分別為本發明所提出的第ι圖之乾燥設 備的概略之侧視圖以及倚視平面圖，其中的輸出卑係 依據第二態樣所建造而成； 罘4A圖至第41圖為本發明所提出的第3a圖與帛π圖之 乾燥設備的概略之侧視圖’其顯示了晶圓輸出的過程 中，輸出埠所處的一連串位置. 弟5圖為本發明所提出的乾燥設備的概略之側視圖，其處 _埋埠係依據本發明所提出的第二態樣所建構而成； 弟6圖為可以和蒸氣喷嘴-同建構在本發明所提出的乾燥 κ設#1^蒸氣氣流變流裝置的概略之侧視圖； 弟7、圖為依據所觀察到經由被不同ΙρΑ濃度和不同氣流率 〈下’被乾燥化處理的晶圓，其表面上被發現的粒子 數目之圖表； 32 200301504 第8A圖係對於描述蒸氣氣流角度時，可以幫助了解的概略 性圖式；以及 第8B圖係將含有不同材料的基材乾燥化時，所常常使用的 蒸氣氣流角度之一個列表。 【元件代表符號簡單說明】 10 處理部 11 乾燥設備 11a 設備 12 輸出部 18a 沒入室 18b 喷霧室 20 溢流堰 24 上分隔板 26 旋乾部分 28 乾燥部分 30 頂頭噴嘴 32 沒入噴嘴 34 負載埠 36 托架 37 出口埠 38 鏈接系統 40 促動器 44 推進器 46 傾斜導引 48 鉛質螺旋物 50 喷灑機構 51 廢氣歧管 54 全氮氣歧管 56 頂蓋 58 平台 60 捕獲器 62 抓指 64 汽缸 69 第一部分套管 70 楔形空間 72 氣流 76 水 78 内部表面 80 凹面 82 細缝開口 111 圍體
33 200301504
Ilia第一氣室 11 3 a第一晶圓接收器 11 5 a第一側壁 117 開口 119 開口 2 11乾燥設備 111b第二氣室 113b第二晶圓接收器 115b内部分隔壁 11 8主容箱 1 5 8可傳動平台 226旋乾氣室
34

Claims (1)

  1. 200301504 拾、申請專利範圍
    1 · 一種用於處理晶圓之模組，該模組至少包含一處理 .、· 卵囪可以被該負載埠降低進入該處理埠； 一卸载埠，其由該負載埠進行水平置換，使得該晶圓可 以在該卸载埠上被舉高而離開該處理埠；以及 定向轉到第二定向， 與該負載埠對齊，售 該卸載埠對齊9 一可轉動晶圓之支持器，其係用於轉動輸入晶圓由第一 ’當該輸入晶圓具有該第一定向時，係 當該輸入晶圓具有該第二定向時，係 2·如申請專利範圍第丨項所述之一種模組，其中上述 可$動晶圓之支持器係要使得該第一定向為垂直的，而且 孩第二定向係與該第一定向成傾斜狀態。 3·如申請專利範圍第丨項所述之一種模組，其中上數 可轉動晶圓之支持器係要使得該第一定向於第一方向傾 斜，而且遠離該卸載埠，並使得該第二定向於第二方向傾 斜，而且係朝向該卸載埠。 •如申明專利範圍第2項所述之一種模組，其中上述 之處理埠更包含—鄰接於該卸載蜂之傾斜的後壁。 5·如申請專利範圍第3項所述之一種模組，其中上述 35 200301504 車更。含—鄭接於孩負載埠之傾斜的前壁，以及鄭 接於該卸載埠之傾斜的後壁。 種用於處理晶圓之模組，該模組至少包含處理 埠，該處理埠包含： 負载埠，晶圓可以被該負載埠降低進入該處理埠； 曰。一卸载埠，其係可由該負载埠進行水平置換，使得該 卵圓可以在孩卸载埠上被舉高而離開該處理埠； 外#溢流堪，其係位於沿著該處理埠外部表面的位 置上；以及 ^ 隔板其係位於該負載埠和該卸載埠之間，以將 μ處理埠的上端區域分隔成第一區域以及第二區域，並且 制止衣面液體在孩第一區域和該第二區域之間的流動。 申叫專利範圍第6項所述之一種模組，其中上述 <刀隔板至少包含一内部溢流堰，該内部溢流堰係用於接 收由至少該第一區域以及該第二區域的其中一個所流出的 溢流液體。 8 ·如申清專利範圍第6項所述之一種模組，其中上述 之义隔板至少包含一内部溢流堰，該内部溢流堰係用於接 收由孩第一區域以及該第二區域所流出的溢流液體ρ 9· 一種用於處理晶圓之模組，其至少包含： 36 200301504 處理埠，該處理埠包含·· 負載埠’ 一晶圓可以被該負載埠降低進入處 以及 千 ’灑機構，該喷灑機構係可於處理期間沒入處理 棒之液I# Φ 、 a r ’且其所在位置係要使得該晶圓經過該處理痒 被降低位詈& 罝時，可噴灑液體到該晶圓在水面下部分之表面c 一 1〇·如申請專利範園第9項所述之一種模組，其更包含 其^理期間位於處理埠中液體位準以上之附噴邀機構，且 、所在位置係要使得當該晶圓經由該處理埠被降低位置 可噴灑液體到該晶圓位於水面上的晶圓表面。 ^在如申請專利範圍第9項所述之一種模組，其更包^ 曰·卸載埠，其係可由該負載埠進行水平置換，使得: 卵圓可以=孩卸載埠上被舉高而離開該處理埠；以及
    掷後/隔板，其係位於負載埠和卸載埠之間，以將該> …上端區域分隔成鄰接該負載棒的第-區域，以及I 要Γ —p載埠的第二區域，並且該分隔板可制止表面液體 孩弟一區域流動到該第二區域。 1 2 ·如申凊專利範園第11 述之第二區域至少包含一嘴灌 一晶圓在該卸載埠上被舉高而 噴灑以乾燥氣體。 項所述之一種模組，其中上 機構’該噴灑機構係用於當 離開該處理埠時，對該晶圓 37 200301504 13 ·—種處理模組至少包含： 一處理埠’該處理埠包含： 負載埠，一晶圓可以被該負載埠降低進入處理埠； 卸載琿’其係可由該負載崞水平進行置換，使得 一晶圓可以在該卸載璋上被舉高而離開該處理埠；以及 一輸出埠，該輸出埠包含：
    第一晶圓接收器，係用於接收經由該卸載埠所 舉高的該晶圓；以及 一捕獲器，該捕獲器被耦合到該第一晶圓接收 器，並被用於接觸被該卸載埠升高的該晶圓，並且 也隨著被動地升高。 14.如申請專利範圍第1 3項所述之一種模組，其中 述之捕獲器係被用來固定一晶圓之上端區域。
    1 5 ·如申請專利範圍第1 4項所述之一種模組，其更包 含一耦合到晶圓接收器之抓指，該抓指係可於晶圓通過位 置和晶圓固定位置之間做選擇性的移動，其中上述之晶圓 固定位置係用於接觸並且固定一晶圓較低的部分，使得當 抓指係位於該晶圓固定位置時，該晶圓可被固定於捕獲器 和抓指之間0 1 6 · —種用於清潔及乾燥一晶圓之處理模組，其至少包 38 200301504 一處理埠，該處理埠包含： 一負載埠，晶圓可以被該負載埠降低進入處理埠； 一卸載埠，由該負載埠水平地替換，使得該晶圓可 以在該卸載琿上被舉高而離開該處理埠；以及 一輸出璋’該輸出璋包含： 一第一晶圓接收器，係用於接收經由該卸載埠所 舉高的該晶圓；以及 一圍體’該圍體環繞該第一晶圓接收器，該圍體 包含： 一第一開口，該第一開口係用於使得晶圓可以 由孩處理埠舉高，經卸載埠而到該第一晶圓接收器； 一第二開口，該第二開口係用於使得晶圓可以 被該晶圓握持器由該晶圓接收器中抽取出來；以及 多數個外加開口，係用於允許在該圍體之中， 建立起流動的空氣氣流。 17 · —種模組，其至少包含： 一處理埠，該處理埠包含： 一負載埠，一晶圓可以被該負載埠降低進入處理埠； 一卸載埠’其係可由該負載埠進行水平置換，使得 孩晶圓可以在該卸載埠上被舉高而離開該處理埠；以及 一輸出埠，該輸出埠包含： 第一晶圓接收器，係用於接收經由該卸载琿所 39 200301504 舉1¾的該晶圓；以及 第二晶圓接收器，係用於接收經由該卸載埠所 舉局的該晶圓；
    其中上述之第一晶圓接收器以及該第二晶圓接收器 係用於分別位在第一位置和第二位置之間傳送晶圓， 其中該第一晶圓接收器被置放的位置係要接收經由該 卸載埠所舉高的該晶圓，該第二晶圓接收器被置放的 位置係要接收經由該卸載埠所舉高的該晶圓， 1 8.如申請專利範圍第1 7項所述之一種模組，其更包 含一平台，其中該第一晶圓接收器以及該第二晶圓接收器 皆被耦合到該平台，該平台係被用來水平地傳送，以將該 第一晶圓接收器以及該第二晶圓接收器在該第一位置與該 第二位置之間移動。
    1 9·如申請專利範圍第1 7項所述之一種模組，其更包 含環繞著該第一晶圓接收器以及該第二晶圓接收器的圍 體，該圍體包含： 一第一開口，該第一開口係用於使得晶圓可以由該處 理埠舉高，經卸载埠而到該第一晶圓接收器； 一第二開口 ，該第二開口係用於使得晶圓可以被該晶 圓握持器由該晶圓接收器中抽取出來；以及 多數個外加開口，係用於允許在該圍體之中，建立起 流動的空氣氣流。 40 200301504 20.如申請專利範圍第1 9項所述之一種模組，其中上 述之處理埠更包含： 一第一對噴灑機構，其係緊鄰於負載埠，並且係能供 應液體到該晶圓的正面和背面，以使得該液體沿著該晶圓 的正面和背面的表面往下流，因此得以將該晶圓的正面和 背面的表面維持在潮濕的狀態；以及
    一第二對喷灑機構，其係緊鄰於卸載埠，並且係能供 應液體到該晶圓的正面和背面，以使得該液體分別在該晶 圓的正面和背面表面上形成液體凹面；以及 一第三對喷灑機構，其係位於該第二對噴灑機構上方， 並且係能供應乾燥蒸氣到形成於該晶圓正面和背面的該液 體凹面上。
    2 1.如申請專利範圍第1 2項所述之一種模組，其更包 含一氣流變流裝置，該氣流變流裝置係被耦合到該乾燥氣 體喷灑機構上，並且係被用來限制該處理埠中暴露於該乾 燥氣體下之液體的體積。 41
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