TR201815028T4 - Elektro parlatma yöntemleri. - Google Patents
Elektro parlatma yöntemleri. Download PDFInfo
- Publication number
- TR201815028T4 TR201815028T4 TR2018/15028T TR201815028T TR201815028T4 TR 201815028 T4 TR201815028 T4 TR 201815028T4 TR 2018/15028 T TR2018/15028 T TR 2018/15028T TR 201815028 T TR201815028 T TR 201815028T TR 201815028 T4 TR201815028 T4 TR 201815028T4
- Authority
- TR
- Turkey
- Prior art keywords
- citric acid
- concentration
- current
- equal
- concentrations
- Prior art date
Links
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 56
- 238000005498 polishing Methods 0.000 title description 13
- KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N citric acid Chemical compound OC(=O)CC(O)(C(O)=O)CC(O)=O KRKNYBCHXYNGOX-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 524
- MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 6-methoxy-8-nitroquinoline Chemical compound N1=CC=CC2=CC(OC)=CC([N+]([O-])=O)=C21 MIMUSZHMZBJBPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 144
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 81
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 81
- 239000008151 electrolyte solution Substances 0.000 claims abstract description 73
- 239000002253 acid Substances 0.000 claims abstract description 58
- 239000000243 solution Substances 0.000 claims abstract description 52
- CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N Fe2+ Chemical compound [Fe+2] CWYNVVGOOAEACU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 8
- 238000007710 freezing Methods 0.000 claims abstract description 6
- 230000008014 freezing Effects 0.000 claims abstract description 6
- 238000009835 boiling Methods 0.000 claims abstract description 5
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 121
- QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O Ammonium Chemical compound [NH4+] QGZKDVFQNNGYKY-UHFFFAOYSA-O 0.000 claims description 13
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 10
- BPYKTIZUTYGOLE-IFADSCNNSA-N Bilirubin Chemical compound N1C(=O)C(C)=C(C=C)\C1=C\C1=C(C)C(CCC(O)=O)=C(CC2=C(C(C)=C(\C=C/3C(=C(C=C)C(=O)N\3)C)N2)CCC(O)=O)N1 BPYKTIZUTYGOLE-IFADSCNNSA-N 0.000 claims description 4
- 230000001351 cycling effect Effects 0.000 claims description 2
- 229940021013 electrolyte solution Drugs 0.000 description 65
- 239000003792 electrolyte Substances 0.000 description 35
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 33
- 230000006872 improvement Effects 0.000 description 30
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 29
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 28
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N Nickel Chemical compound [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 24
- 230000008859 change Effects 0.000 description 23
- 230000008569 process Effects 0.000 description 23
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 22
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 22
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 22
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 19
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 18
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 17
- 150000007513 acids Chemical class 0.000 description 15
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 15
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 15
- GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N Nitric acid Chemical compound O[N+]([O-])=O GRYLNZFGIOXLOG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 12
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 12
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 12
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 12
- 229910017604 nitric acid Inorganic materials 0.000 description 12
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- 229910001069 Ti alloy Inorganic materials 0.000 description 11
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 11
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 11
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- -1 fluoride ions Chemical class 0.000 description 10
- 239000000047 product Substances 0.000 description 10
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 description 9
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 9
- 238000005554 pickling Methods 0.000 description 9
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 8
- 239000007864 aqueous solution Substances 0.000 description 8
- 230000015556 catabolic process Effects 0.000 description 8
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 8
- 238000006731 degradation reaction Methods 0.000 description 8
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 7
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 7
- QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N Acetic acid Chemical compound CC(O)=O QTBSBXVTEAMEQO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N Iron Chemical compound [Fe] XEEYBQQBJWHFJM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 6
- 150000002500 ions Chemical class 0.000 description 6
- 230000003746 surface roughness Effects 0.000 description 6
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 5
- 230000006866 deterioration Effects 0.000 description 5
- 238000011161 development Methods 0.000 description 5
- 238000003754 machining Methods 0.000 description 5
- 238000004381 surface treatment Methods 0.000 description 5
- PXRKCOCTEMYUEG-UHFFFAOYSA-N 5-aminoisoindole-1,3-dione Chemical compound NC1=CC=C2C(=O)NC(=O)C2=C1 PXRKCOCTEMYUEG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N Sulfuric acid Chemical compound OS(O)(=O)=O QAOWNCQODCNURD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 229910000883 Ti6Al4V Inorganic materials 0.000 description 4
- 238000005868 electrolysis reaction Methods 0.000 description 4
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 4
- 238000000227 grinding Methods 0.000 description 4
- 229910052500 inorganic mineral Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000011707 mineral Substances 0.000 description 4
- 238000002161 passivation Methods 0.000 description 4
- 238000007517 polishing process Methods 0.000 description 4
- 230000001603 reducing effect Effects 0.000 description 4
- VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N Chromium Chemical compound [Cr] VYZAMTAEIAYCRO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 229910004077 HF-HNO3 Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000007792 addition Methods 0.000 description 3
- 239000013590 bulk material Substances 0.000 description 3
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 238000004090 dissolution Methods 0.000 description 3
- 238000009713 electroplating Methods 0.000 description 3
- 150000004673 fluoride salts Chemical class 0.000 description 3
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 3
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 3
- FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N Butyric acid Chemical compound CCCC(O)=O FERIUCNNQQJTOY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002585 base Substances 0.000 description 2
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011651 chromium Substances 0.000 description 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 description 2
- 230000003749 cleanliness Effects 0.000 description 2
- 238000012937 correction Methods 0.000 description 2
- 239000002537 cosmetic Substances 0.000 description 2
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 2
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 2
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 2
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 2
- 238000009499 grossing Methods 0.000 description 2
- 238000005470 impregnation Methods 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 2
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 description 2
- BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N methanoic acid Natural products OC=O BDAGIHXWWSANSR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000003801 milling Methods 0.000 description 2
- ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N molybdenum titanium Chemical compound [Ti].[Mo] ZPZCREMGFMRIRR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N n-(2,4-dichloro-5-propan-2-yloxyphenyl)acetamide Chemical compound CC(C)OC1=CC(NC(C)=O)=C(Cl)C=C1Cl QPJSUIGXIBEQAC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001000 nickel titanium Inorganic materials 0.000 description 2
- HLXZNVUGXRDIFK-UHFFFAOYSA-N nickel titanium Chemical compound [Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ti].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni].[Ni] HLXZNVUGXRDIFK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 2
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-O oxonium Chemical compound [OH3+] XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-O 0.000 description 2
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 2
- VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N perchloric acid Chemical compound OCl(=O)(=O)=O VLTRZXGMWDSKGL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910001220 stainless steel Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010935 stainless steel Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 229910001247 waspaloy Inorganic materials 0.000 description 2
- RPAJSBKBKSSMLJ-DFWYDOINSA-N (2s)-2-aminopentanedioic acid;hydrochloride Chemical class Cl.OC(=O)[C@@H](N)CCC(O)=O RPAJSBKBKSSMLJ-DFWYDOINSA-N 0.000 description 1
- OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 4-(3-methoxyphenyl)aniline Chemical compound COC1=CC=CC(C=2C=CC(N)=CC=2)=C1 OSWFIVFLDKOXQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000838 Al alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N Molybdenum Chemical compound [Mo] ZOKXTWBITQBERF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910017665 NH4HF2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N Orthosilicate Chemical compound [O-][Si]([O-])([O-])[O-] BPQQTUXANYXVAA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N Zinc Chemical compound [Zn] HCHKCACWOHOZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N Zirconium Chemical compound [Zr] QCWXUUIWCKQGHC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HZEWFHLRYVTOIW-UHFFFAOYSA-N [Ti].[Ni] Chemical compound [Ti].[Ni] HZEWFHLRYVTOIW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 125000002252 acyl group Chemical group 0.000 description 1
- 239000011825 aerospace material Substances 0.000 description 1
- 150000001298 alcohols Chemical class 0.000 description 1
- 229910052783 alkali metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001340 alkali metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001342 alkaline earth metals Chemical class 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 239000010407 anodic oxide Substances 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L calcium difluoride Chemical class [F-].[F-].[Ca+2] WUKWITHWXAAZEY-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000002843 carboxylic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 150000001735 carboxylic acids Chemical class 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 230000008878 coupling Effects 0.000 description 1
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 description 1
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 description 1
- 125000004122 cyclic group Chemical group 0.000 description 1
- 230000007123 defense Effects 0.000 description 1
- 230000000593 degrading effect Effects 0.000 description 1
- 238000002242 deionisation method Methods 0.000 description 1
- 238000012217 deletion Methods 0.000 description 1
- 230000037430 deletion Effects 0.000 description 1
- 230000001419 dependent effect Effects 0.000 description 1
- 230000001627 detrimental effect Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 239000002001 electrolyte material Substances 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- 239000012467 final product Substances 0.000 description 1
- 238000007730 finishing process Methods 0.000 description 1
- 239000012530 fluid Substances 0.000 description 1
- 150000002222 fluorine compounds Chemical class 0.000 description 1
- 235000019253 formic acid Nutrition 0.000 description 1
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 1
- 239000002920 hazardous waste Substances 0.000 description 1
- 230000036541 health Effects 0.000 description 1
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 description 1
- 229910001026 inconel Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 1
- 238000010297 mechanical methods and process Methods 0.000 description 1
- 230000007246 mechanism Effects 0.000 description 1
- 229910000000 metal hydroxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004692 metal hydroxides Chemical class 0.000 description 1
- 239000002923 metal particle Substances 0.000 description 1
- 230000005012 migration Effects 0.000 description 1
- 238000013508 migration Methods 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011733 molybdenum Substances 0.000 description 1
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010955 niobium Substances 0.000 description 1
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052755 nonmetal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000002843 nonmetals Chemical class 0.000 description 1
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 1
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 description 1
- 230000002265 prevention Effects 0.000 description 1
- 230000007420 reactivation Effects 0.000 description 1
- 230000001105 regulatory effect Effects 0.000 description 1
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 238000007493 shaping process Methods 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- 238000001179 sorption measurement Methods 0.000 description 1
- 230000002269 spontaneous effect Effects 0.000 description 1
- 230000000087 stabilizing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010186 staining Methods 0.000 description 1
- 238000006467 substitution reaction Methods 0.000 description 1
- 238000012546 transfer Methods 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N vanadium Chemical compound [V]#[V] GPPXJZIENCGNKB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005406 washing Methods 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
- C25F3/04—Etching of light metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/16—Polishing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23F—NON-MECHANICAL REMOVAL OF METALLIC MATERIAL FROM SURFACE; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL; MULTI-STEP PROCESSES FOR SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL INVOLVING AT LEAST ONE PROCESS PROVIDED FOR IN CLASS C23 AND AT LEAST ONE PROCESS COVERED BY SUBCLASS C21D OR C22F OR CLASS C25
- C23F1/00—Etching metallic material by chemical means
- C23F1/10—Etching compositions
- C23F1/14—Aqueous compositions
- C23F1/16—Acidic compositions
- C23F1/26—Acidic compositions for etching refractory metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F1/00—Electrolytic cleaning, degreasing, pickling or descaling
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F1/00—Electrolytic cleaning, degreasing, pickling or descaling
- C25F1/02—Pickling; Descaling
- C25F1/04—Pickling; Descaling in solution
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/02—Etching
- C25F3/08—Etching of refractory metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/16—Polishing
- C25F3/22—Polishing of heavy metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C25—ELECTROLYTIC OR ELECTROPHORETIC PROCESSES; APPARATUS THEREFOR
- C25F—PROCESSES FOR THE ELECTROLYTIC REMOVAL OF MATERIALS FROM OBJECTS; APPARATUS THEREFOR
- C25F3/00—Electrolytic etching or polishing
- C25F3/16—Polishing
- C25F3/22—Polishing of heavy metals
- C25F3/26—Polishing of heavy metals of refractory metals
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Electrochemistry (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Electrical Discharge Machining, Electrochemical Machining, And Combined Machining (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
Yaklaşık 1.6 g / L ila yaklaşık 982 g / L aralığındaki bir sitrik asit konsantrasyonu ve etkili bir amonyum bifluorür (ABF) konsantrasyonu içeren ve güçlü bir asit içermeyen sulu bir elektrolit çözeltisi. Bir demirli metal iş parçasının bir yüzeyinin mikro-kaplanması için bir yöntem 1.6 g / L ila 780 g / L aralığında bir sitrik asit konsantrasyonu ve 2 g / L ila 120 g / L aralığında bir amonyum bifluorür ve daha fazla 3.35 g / L'den daha güçlü bir asit konsantrasyonu içeren bir sulu elektrolit çözeltisi banyosuna maruz bırakma, ve banyo sıcaklığını, donma noktası ile çözeltinin kaynama noktası arasında olacak şekilde kontrol etme, iş parçasının bir DC güç kaynağının anodik elektroduna bağlama ve DC güç kaynağının katodik bir elektrodunu banyoya daldırma ve banyo boyunca bir akım uygulama adımlarını içerir.
Description
TARIFNAME
ELEKTRO PARLATMA YÖNTEMLERI
Bu bulus, elektro-metal olmayan metal parçalarin ve yüzeylerin genel alaninda ve
daha özel olarak elektro-parlatma, yüksek oranda kontrol edilen metallerin
çikarilmasi, mikro-parlatma ve demir-disi ve reaktif metallerin, özellikle titanyum ve
titanyum alasimlarin çapaklarinin alinmasi için yöntemler ile ilgilidir.
ARKA FON
Kimya ve imalatta elektroliz, aksi halde kendiliginden olmayan kimyasal reaksiyonu
yönlendirmek için dogrudan elektrik akimi (DC) kullanma yöntemidir. Elektro
parlatma, metal parçalarin çapaklarinin alinmasi ve parlak, pürüzsüz bir yüzey kalitesi
elde edilmesi için iyi bilinen bir elektroliz uygulamasidir. Elektro-parlatilacak is
parçasi bir elektrolit çözeltisi banyosuna daldirilir ve dogrudan bir elektrik akimina
maruz kalir. Is parçasi, katot baglantisi, is parçasini banyoda çevreleyen bir veya daha
fazla metal iletkene yapildigi anodik olarak korunur. Elektro-parlatma islemi kontrol
eden iki karsit reaksiyona dayanir. Tepkimelerin ilki, is parçasinin yüzeyindeki
metalin iyonlar formunda çözeltiye geçtigi bir çözünme reaksiyonudur. Metal böylece
is parçasinin yüzeyinden iyonla iyon uzaklastirilir. Diger reaksiyon, bir oksit
tabakasinin is parçasinin yüzeyinde olustugu bir oksidasyon reaksiyonudur. Oksit
filmin olusumu iyon giderme reaksiyonunun ilerlemesini sinirlar. Bu film, mikro
çöküntülerden en kalin ve mikro projeksiyonlar üzerinde en kalin olanidir ve
elektriksel direnç, oksit filmin kalinligina orantili oldugundan, mikro çikintilardaki en
yüksek metalik çözünme orani ve mikro çöküntülerde en düsük metalik çözünme
orani olusur. . Bu nedenle elektro-parlatma, mikroskobik yüksek noktalari veya
oranindan daha hizli seçerek çikarir.
Bir baska elektroliz uygulamasi elektrokimyasal isleme süreçlerinde (ECM)
bulunmaktadir. ECM'de (genellikle 40.000 amperden daha yüksek olan ve metre kare
basina 1.5 milyon amperden daha büyük olan mevcut yogunluklarda uygulanan)
yüksek bir akim, bir elektrot ve bir metal is parçasi arasinda malzeme çikarilmasina
neden olmak üzere geçirilir. Elektrik iletken bir sividan (elektrolit) bir negatif yüklü
elektrottan "alet" (katot) iletken bir is parçasina (anot) geçirilir. Katodik alet, istenen
bir isleme operasyonu ile uyumlu olacak sekilde sekillendirilir ve anodik is parçasina
ilerletilir. Basinçli bir elektrolit, islenen alana ayarlanmis bir sicaklikta enjekte edilir.
Is parçasinin malzemesi is parçasina alet besleme orani tarafindan belirlenen oranda
esas olarak sivilastirilir. Takim ve is parçasi arasindaki boslugun mesafesi 80 ila 800
mikron (0,003 ila 0,030 inç) arasinda degisir. Elektronlar arayi geçtikçe, is
parçasindaki malzeme çözülür ve takim istenen sekle is parçasini olusturur. Elektrolit
akiskan, islemde olusan metal hidroksiti elektrolit ile is parçasi arasindaki
reaksiyondan uzaklastirir. Yikama islemi gereklidir çünkü elektrokimyasal isleme
prosesi, elektrolit çözeltisinde biriken metal kompleksleri için düsük bir toleransa
sahiptir. Aksine, burada açiklanan elektrolit çözeltileri kullanan islemler, elektrolit
çözeltisinde yüksek konsantrasyonlarda titanyumla bile stabil ve etkili kalir.
Metal elektro-parlatma için elektrolit çözeltileri genellikle mineral asitler gibi
konsantre güçlü asitler (su içinde tamamen ayrismis) içeren karisimlardir. Burada tarif
edildigi gibi kuvvetli asitler genellikle sulu solüsyonda hidronyum iyonu (H3O +)
kullanilan güçlü asitlerin örnekleri sülfürik asit, hidroklorik asit, perklorik asit ve
nitrik asittir; zayif asitlerin örnekleri ise formik asit, asetik asit, bütirik asit ve sitrik
asit gibi karboksilik asit grubundakileri içerir. Alkoller, aminler veya karboksilik
asitler gibi organik bilesikler bazen is parçasi yüzeyinin asin asinmasini önlemek için
daglama asindirma reaksiyonunu modüle etmek amaciyla güçlü asitlerle karisimlarda
kullanilir. Örnegin, bir reaksiyon moderatörü olarak asetik asidin kullanilmasini tarif
ABD Patentleri, ayni zamanda, kuvvetli asitler ve daha sonra sitrik asit ve amonyum
bifluorür içeren elektrolit çözeltilerinin kullanimini da tarif etmektedir. Bu kuvvetli
asitlerin metal apreleme banyolarinda kullanimini azaltmak için, öncelikle saglik
tehlikesi ve kullanilmis çözeltinin atik bertaraf maliyetinden dolayi bir tesvik vardir.
Sitrik asit, daha önce hem Savunma Bakanligi hem de ASTM standartlari tarafindan
paslanmaz çelik parçalar için bir pasiflestirme maddesi olarak kabul edilmistir. Fakat,
önceki çalismalar, paslanmaz çeligin pasitlestirilmesi için ticari bir sitrik asit
pasiflestirme banyosu çözeltisinin kullanilmasiyla tasarrutlari göstermis ve
nicellestirmis olsa da, önemli bir sitrik asit konsantrasyonunun güçlü asitlerin
konsantrasyonunu azaltabildigi uygun bir elektrolit çözeltisi bulamadilar.Örnegin,
2002 tarihli "Pasitlestirme ve Elektrokaplamada Sitrik Asit ve Kirlilik Önleme"
baslikli bir yayin, bir miktar daha zayif bir organik asidin ve özellikle de sitrik asitin
ikame edilmesiyle kuvvetli mineral asitlerin miktarinin azaltilmasinin birkaç
avantajini açiklamaktadir. Düsük maliyeti, kullanilabilirligi ve nispeten tehlikesiz
bertarafi nedeniyle, ancak sonuçta az miktarda bir organik asit (sitrik asit degil) ile
çogunlukla fosforik ve sülfürik asidin bir karisimini içeren alternatif bir elektrolit
degerlendirilmistir.
Bulus sahipleri, güçlü bir asit bileseni olmadan, sulu bir elektrolit amonyum bitluorür
(ABF) ve sitrik asit çözeltisi içeren bir elektrolitik banyonun kullanilmasinin, demir
olmayan metallerin, özellikle de titanium ve titanyum alasimlarin elektro-
parlatilmasinda çesitli avantajli sonuçlar sagladigini kesfetmislerdir.
Bir demirli metal is parçasinin bir yüzeyinin mikro-kaplanmasi için bir yöntemin bir
düzenlemesinde, yöntem 1.6 g / L ila 780 g / L araliginda bir sitrik asit
konsantrasyonu ve 2 g / L ila 120 g / L araliginda bir amonyum bifluorür ve daha
fazla 3.35 g / L'den daha güçlü bir asit konsantrasyonu içeren bir sulu elektrolit
çözeltisi banyosuna maruz birakma, ve banyo sicakligini, donma noktasi ile çözeltinin
kaynama noktasi arasinda olacak sekilde kontrol etme adimlarini içerir. Yöntem
ayrica, is parçasinin bir DC güç kaynaginin anodik elektroduna baglanmasi ve DC
güç kaynaginin katodik bir elektrodunu banyoya daldirmak ve banyo boyunca bir
akim uygulamaktir.
Bir demirli metal is parçasinin bir yüzeyinin bir mikro-kaplanmasi yönteminin bir
baska düzenlemesinde, yöntem, yüzeyi 600 g / L'den daha büyük veya ona esit olan
sitrik asit konsantrasyonu ve 20 g / L'ye esit veya daha az olan ve 3.35 g / L'den daha
yüksek bir kuvvete sahip olmayan amonyum biflorür konsantrasyonu içeren bir sulu
elektrolit solüsyonunun banyosuna maruz birakma, banyo sicakligini 71 ° C'den
büyük veya esit olacak sekilde kontrol etmek, is parçasini bir DC güç kaynaginin
anoduna baglamak ve DC güç kaynaginin katotunu banyoya daldirma, ve metre kare
basina 538 amper'e esit veya daha büyük olan ve metrekare basina 255.000 amper'e
esit veya daha az olan bir akimi uygulama adimlarini içerir.
Bir demirli olmayan metal is parçasinin bir yüzeyinin bir mikro-cilama yönteminin
yine bir baska düzenlemesinde, yöntem yüzeyi 780 g/ L`den az veya esit bir sitrik asit
konsantrasyonu ve 60 g / L'ye esit veya daha az olan bir amonyum biflorür
konsantrasyonu ve 3.35 g / L`den daha fazla olmayab güçlü asit içeren bir elektrolit
çözeltisinin banyosuna maruz birakma, banyo sicakligini 54 ° C'ye esit veya daha
düsük olacak sekilde kontrol etme, is parçasini bir DC güç kaynaginin anoduna
baglamak ve DC güç kaynaginin katotunu banyoya daldirma, ve metre kare basina
538 amper'e esit veya daha büyük olan ve metrekare basina 255.000 amper'e esit veya
daha az olan bir akimin uygulama adimlarini içerir.
Bir demirli metal is parçasi üzerinde tekdüze kontrollü yüzey malzemesinin
çikarilmasi için bir yöntemin bir düzenlemesinde, yöntem, yüzeyi, 60 g / L ila 600 g /
L araliginda bir sitrik asit konsantrasyonu ve 120 g / L`ye esit veya daha düsük bir
amonyum biflorür konsantrasyonu ve en fazla 3.35 g / 1 lik güçlü asite sahip bir aköz
elektrolit çözeltisinin banyosuna maruz birakma, iS parçasini bir DC güç kaynaginin
anoduna baglamak ve DC güç kaynaginin katotunu banyoya batirmak ve banyoya bir
akim uygulama adimlarini içerir.
Ayrica, sulu bir elektrolit çözeltisi, yaklasik 1,6 g / L ila yaklasik 982 g / L`lik bir
konsantrasyon araliginda sitrik asit ve etkili bir amonyum bifluorür konsantrasyonu
dahil olmak üzere açiklanmaktadir; bu çözelti, esas olarak güçlü bir asit içermez.
Etkili bir miktarda amonyum bifluorür en az yaklasik 2 g/ L'dir.
Ayrica, sulu bir elektrolit çözeltisi, esas olarak, 16 g / L ila yaklasik 982 g / L
araligindaki bir sitrik asit ve en az yaklasik 2 g / L amonyum bifluorürden olusan, su
dengesi olan bir elektrolit çözeltisi açiklanmaktadir.
Ayni zamanda, yaklasik 1.6 g / L ila yaklasik 982 g / L'lik bir konsantrasyon
araliginda sitrik asit ve en az yaklasik 2 g / L'lik amonyum bifluorürden olusan su
dengesi olan bir sulu elektrolit çözeltisi açiklanmaktadir.
Ayrica, yaklasik 1.6 g / L'den daha büyük veya ona esit olan ve doymaya esit veya
daha az olan bir sitrik asit konsantrasyonu da dahil olmak üzere sulu bir elektrolit
çözeltisi açiklanmakta olup, yaklasik 2 g / L'den daha büyük veya ona esit veya daha
düsük bir amonyum bifluorür konsantrasyonu veya su içinde yaklasik doyma
konsantrasyonuna esittir ve yaklasik 3.35 g / L'den daha yüksek bir güçlü aside sahip
degildir.
Yaklasik 780 g/ L'ye esit veya daha az bir sitrik asit konsantrasyonu, yaklasik 120 g /
L'ye esit ya da daha az olan ve yaklasik 3.35 g / L'den daha fazla bir güçlü aside sahip
olmayan bir amonyum bifluorür konsantrasyona sahip bir sulu elektrolit çözeltisi de
açiklanmaktadir.
SEKILLERIN KISA AÇIKLAMASI
Sekil lA-lB, orta derecede düsük bir konsantrasyonda 20 g / L amonyum bifluoride
sahip aköz bir elektrolit çözeltisi içinde, bir dizi sicaklikta 1076 A / m2'lik yüksek bir
akim yogunluguna sahip bir elektrolit çözeltisi içinde bir yüzey sitrik asit
konsantrasyonu olarak yüzey kaldirma isleminde ve yüzeyde degisiklik oranini
gösterir.
Sekil 2A-2B, bir dizi akim yogunlugu üzerinde temsili düsük ve yüksek sicakliklarda
sirasiyla 120 g / L sitrik asit içeren sulu bir elektrolit çözeltisi içinde amonyum
bifluorür konsantrasyonunun bir fonksiyonu olarak materyal çikarmayi gösteren
verileri gösteren grafiklerdir.
Sekil 2C-2D, sirasiyla Sekil 2A-2B'ye karsilik gelen kosullar altinda, amonyum
bifluorürün bir fonksiyonu olarak yüzey finisindeki degisimi gösteren verilerin
grafikleridir.
Sekil 2E-2F, esas olarak sitrik asit içermeyen bir sulu elektrolit çözeltisi içinde 85 °
C'lik bir sicaklikta akim yogunlugunun bir fonksiyonu olarak, malzemenin çikarilma
oranini ve yüzey finisindeki degisikligi gösteren verilerin grafikleridir.
C ve 85 ° C 'lik bir sicaklikta birkaç amonyum bifluorür konsantrasyonu için sulu bir
elektrolit çözeltisi içinde sitrik asit konsantrasyonunun bir fonksiyonu olarak materyal
çikarmayi gösteren verilerin grafikleridir.
Sekil 4A-4D, bir sulu elektrolit çözeltisi içinde bir sitrik asit konsantrasyonunun bir
A / m2 ve 1076 A / m2`lik akim yogunluklarinda birkaç amonyum bifluorür
konsantrasyonu için materyal kaldirma oranini gösteren verilerin grafikleridir.
Sekil 4E-4G, birkaç yogunluga sahip amonyum bifluorür için sirasiyla 120 g / L, 600
g /L ve 780 g / L sitrik aside sahip bir sulu çözelti içinde 85 ° C'lik bir sicaklikta akim
yogunlugunun bir fonksiyonu olarak materyalin çikarilma hizini gösteren verilerin
grafikleridir.
Sekil 4H-4J, Sekil 4E-4G`ye karsilik gelen kosullar altinda, yüzey yogunlugunun
akim yogunlugunun bir fonksiyonu olarak degisimini gösteren veriler grafigidir.
Sekil 5A-5B, düsük sicaklikta (21 ° C) ve yüksek akim yogunlugunda (538 A / m2),
sitrik asit ve amonyum bifluorür konsantrasyonlarinin çesitli kombinasyonlarinda
sirasiyla çikarilmis malzeme miktarini ve yüzey finisindeki degisimi gösteren
verilerin grafikleridir.
Sekil 6A-6B, düsük sicaklikta (21 ° C) ve yüksek akim yogunlugunda (1076 A / m2),
sitrik asit ve amonyum bifluorür konsantrasyonlarinin çesitli kombinasyonlarinda
sirasiyla çikarilmis malzemenin miktarini ve yüzey finisindeki degisimi gösteren
verilerin grafikleridir.
Sekil 7A-7B, yüksek sicaklikta (85 ° C) ve yüksek akim yogunlugunda (1076 A /
m2), sitrik asit ve amonyum bitluorür konsantrasyonlarinin çesitli
kombinasyonlarinda sirasiyla çikarilmis malzeme miktarini ve yüzey finisindeki
degisimi gösteren verilerin grafikleridir.
Sekil 8A-8B, temsili yüksek sicaklikta (85 ° C) ve düsük akim yogunlugunda (10,8 A/
m2) çesitli sitrik asit ve amonyum bifluorür konsantrasyonlarinda sirasiyla kaldirilan
malzeme miktarini ve yüzey finisindeki degisimi gösteren verilerin grafikleridir.
Sekil 9A-9B, temsili yüksek sicaklikta (85 ° C) ve yüksek akim yogunlugunda (538
A/m2) çesitli sitrik asit ve amonyum bifluorür konsantrasyonlari kombinasyonlarinda
sirasiyla çikarilmis malzeme miktarini ve yüzey finisindeki degisimi gösteren
verilerin grafikleridir.
Sekil. '10A-10B, çikarilmis olan malzeme miktarini ve yüzey finisindeki degisimi,
temsili orta derecede yüksek sicaklikta (71 ° C) ve orta akim yogunlugunda (215 A/ m
2) çesitli sitrik asit ve amonyum bifluorür konsantrasyonlari kombinasyonlarinda
gösteren grafiklerdir.
DETAYLI AÇIKLAMA
Titanyum ve titanyum alasimlari dahil ancak bunlarla sinirli olmamak üzere reaktif
metallerin yüzey islemi için özellikle yararli olan sulu elektrolit çözeltileri burada
açiklanmaktadir. Nispeten az miktarda bir florür tuzu ve sitrik asit, çözelti esas olarak
güçlü bir asit içermeyecek sekilde, bir mineral asidi gibi kuvvetli bir asidin
yoklugunda, su içinde çözülür. Bu elektrolit çözeltisi, tipik olarak güçlü asitler
kullanan ve elektrolit çözeltisindeki su miktarinin elektrolit çözeltisi içinde mutlak
minimum olarak tutulmasi gereken titanyum ve titanyum alasimlari dahil, ancak
bunlarla sinirli olmamak üzere, reaktif metallerin yüzey islemine yönelik elektrolit
banyolarinda daha önceki girisimlerden kayda deger bir harekettir.
Florit tuzu, çözeltiye bir flüorür iyon kaynagi saglar. Tercih edilen bir flüorür tuzu,
bunlarla sinirli olmamak üzere, amonyum bifluorür, NH4HF2 (bazen burada "ABF"
olarak kisaltilmistir) olabilir. Karboksilik asitler gibi diger zayif asitler, sitrik asit için
kabul edilebilir ikameler olabilir, ancak zorunlu olarak ayni konsantrasyonlarda veya
ayni islem kosullari altinda olmayabilir. Teoriye bagli kalmaksizin, sitrik asitin,
muamele edilecek olan reaktif metal yüzeye florür iyonu saldirisini yönlendirdigine
inanilmaktadir. Elektrolit çözeltisinin performansini önemli ölçüde düsürmeden, bir
miktar kuvvetli asit mevcut olabilse de, çözeltiye kasitli olarak herhangi bir miktarda
kuvvetli asit ya da mineral asit eklenmez. Burada kullanildigi sekliyle "büyük ölçüde
yoklugunda" ve "büyük ölçüde içermeyen" terimleri, yaklasik 3.35 g / L'ye esit veya
daha düsük, tercihen yaklasik 1 g / L'ye esit veya daha düsük ve daha çok tercihen
yaklasik 0.35 g / L'den daha düsük güçlü bir asit konsantrasyonlarini belirtmek için
kullanilir.
Ticari olarak saf (CP) titanyumdan olusan test kuponlari, 54 ° C'de 60 g / L sitrik asit
ve 10 g/ L ABF içeren bir sulu çözelti banyosuna daldirildi ve 583 A / m2'de bir akim
uygulandi. Bu çözeltiye 15 dakika boyunca maruz birakilan degirmen yüzeyi
titanyum seridinden (0.52 um yüzey pürüzlülügü) kesilen bir kupon düzgün biçimde
pürüzsüz (045 nm yüzey pürüzlülügü) ve kozmetik olarak yansiticiydi. Daha sonra,
küçük miktarlarda 42 ° Be HNO3 (nitrik asit) eklenmistir ve hazirlanan test kuponu
yüzey degisiklikleri saptanana kadar tekrar tekrar islenmistir. Kuponlar, nitrik asit
konsantrasyonu 3,35 g / L`ye ulasana kadar her bir nitrik asit ilavesinden sonra
islemden etkilenmedi, bu noktada test paneli, çukur ve çukurluk dahil, düzgün
olmayan bir kozmetik görünüm sergiledi. Nitrik asit konsantrasyonu 3,35 g / L'ye
ulasana kadar kuponlar, her nitrik asit ilavesinden sonra islemden etkilenmedi, bu
noktada test paneli, pürüzlülük ve serpme dahil, düzgün olmayan bir kozmetik
görünüm sergiledi, 0.65 ila 2.9 mm arasinda ve daha yüksek yüzey pürüzlülügü ile
kuplajin çevresine düzensiz bir sekilde saldirdi. Nitrik asit, hidronyum iyonundan çok
daha büyük olmayan bir ayrilma sabitine sahip bir sinirda kuvvetli asit olarak kabul
edilir. Bu nedenle, nitrik asite göre ayni veya daha büyük ayirma sabitlerine sahip
diger daha kuvvetli asitler için benzer bir elektrolit çözeltisinin, kontrollü malzeme
çikarmada benzer sekilde etkili olmasi ve yaklasik 3.35 g / L'den daha az güçlü asit
konsantrasyonlarinda mikro parlatilmasi beklenir. Fakat, burada açiklanan diger
elektrolit solüsyonlarinin farkli sitrik asit ve ABF konsantrasyonlarina ve farkli sitrik
asit ve ABF konsantrasyonlarina sahip olmasi, isi ve akim yogunlugu gibi çalisma
parametrelerinin yani sira, belirli bir güçlü aside bagli olarak güçlü bir asitin varligi
için daha düsük bir toleransa sahip olabilir. Bu nedenle, en fazla yaklasik 1 g/ L güçlü
asit ve tercihen yaklasik 0.35 g / L'den fazla olmayan bir asit, sulu elektrolit
çözeltilerinin, genis bir sicaklik ve akim yogunluklari araliginda ve genis bir araliktaki
sitrik asit ve ABF konsantrasyonlari üzerinde malzeme sökme ve yüzey son kat aritma
için etkili bir sekilde kullanilmasini saglamak için mevcut olmalidir.
Bir dizi kimya konsantrasyonu, akim yogunluklari ve sicakliklari kullanilarak
titanyum ve titanyum alasimi örnekleri üzerinde kapsamli elektro-parlatma testleri
yapilmistir.
Özellikle, çesitli çözümlerin kabiliyetini ölçmek için 'temiz' degirmen ürünleri (tipik
degirmen üreticisi 'temsilcisinin' American Society for Testing and Materials (ASTM)
veya Aerospace Material Specification (AMS) standartlarini karsilayan kosullu
metal') üzerinde ve testler, dökme metalin çikarilmasi, düsük malzeme sökme
oranlarina sahip sac metal ürünler üzerinde yüzey finisini iyilestirmek veya
iyilestirmek ve / veya mikro-metal metal yüzeylere çok düsük malzeme kaldirma
oranlariyla çok ince yüzey finisajlari için yöntemler üzerinde test edilmistir. Dökme
metali uzaklastirmak için çesitli solüsyon ve metotlarin, düsük malzeme sökme
oranlarina sahip sac metal yüzeylerde yüzey finisini iyilestirmek veya iyilestirmek ve
/ veya mikro-metal metal yüzeylere çok düsük malzeme kaldirma oranlarina sahip çok
ince yüzey finisajlari için. Buna ek olarak, testlerin çogu titanyum ve titanyum
alasimlarina odaklanmisken, testler ayni çözümlerin ve yöntemlerin daha çok demir
disi metallerin islenmesinde daha genel olarak geçerli oldugunu göstermistir. Örnegin,
altin, gümüs, krom, zirkonyum, alüminyum, vanadyum, niyobyum, bakir, molibden,
çinko ve nikeli içeren titanyum ve titanyum alasimlarina ek olarak metaller üzerinde
iyi sonuçlar elde edilmistir. Ayrica titanyum-molibden, titanyum-alüminyum-
vanadyum, titanyum-alüminyum-niyobyum, titanyum-nikel (Nitinol®), titanyum-
krom (Ti l7®), Waspaloy ve Inconel® (nikel bazli alasim) gibi alasimlar da olumlu
isenmisdir.
Sitrik asit ve amonyum biIluorür içeren bir elektrolit çözeltisinin, her iki bilesenin de
sasirtici biçimde seyreltik konsantrasyonunda demir-disi metalleri ve metal
alasimlarini asindirmada etkili oldugu kanitlanmistir. Bu baglamda, asinmanin, esas
olarak muntazam bir yüzey temizlemesini kapsadigi anlasilmaktadir. Ayrica, yüzey
kalitesindeki gelismeler, hem sitrik asit hem de amonyum bifluorür
konsantrasyonlarinin genis bir yelpazesi üzerinde gösterilmistir. Doyma noktasina
kadar sitrik asit konsantrasyonu, su ile (agirlikça % 59 veya standart sicaklikta ve
basinçta yaklasik 982 g / L sulu çözelti) kullanilabilirken, sitrik asit konsantrasyonu
ve sitrik asidin, amonyum biflorürün ayrismasiyla olusan Ilorid iyonunun asindirma
etkisini, malzeme uzaklastirilma orani önemli ölçüde azaltilarak azaltildigi amonyum
biflüorür konsantrasyonu arasinda bir korelasyon oldugu görülmektedir. Hem
asindirma hem de mikro parlatma için, agirlikça 3,6 kadar düsük miktarlarda sitrik
asit konsantrasyonuna sahip olan çesitli karisimlar. % 60 ya da yaklasik 60 g / L'lik
bir çözelti, yaklasik 36 grama kadar olan miktarin üzerinde, sitrik asit
konsantrasyonlari ile karsilastirilabilir titanyum üzerindeki asinim oranlarini ve yüzey
mikro-parlatma sonuçlarini göstermistir. % veya yaklasik 600 g / L çözelti. Böylece,
bu çözeltilerde, asindirma orani, sitrik asit konsantrasyonu ile karsilastirildiginda ABF
konsantrasyonu tarafindan dogrudan dogruya daha dogrudan etkilenmektedir. Etkili
asindirma ve mikro parlatma, yaklasik yüzde 1 agirlik veya yaklasik 15 g / L'lik
solüsyondan daha az olan oldukça düsük sitrik asit konsantrasyonlarinda bile
gösterilmis bulunmaktadir.
Oyuk orani esas olarak 600 g / L'nin üzerindeki sitrik asit konsantrasyonlarinda
düsmektedir. Bununla birlikte, bu yüksek konsantrasyondaki sitrik asitte, en azindan
ilimlidan yüksek akim yogunluguna sahip durumlarda, asindirma orani düserken
yüzey finisi iyilesir. Bu nedenle, dogru akim uygulandiginda, sitrik asitin daha
seyreltik karisimlari, daha fazla yüzey materyalinin uzaklastirilmasini saglarken, daha
konsantre olan sitrik asit karisimlari, agirlikça yaklasik % 42'ye kadar olan
karisimlara kadar veya yaklasik 780 g / L kadardir. Çözelti, daha az konsantre sitrik
asit karisimlari ile tamamlanmis parçalara kiyasla düzgün düzgün taneli ve hiç korona
etkisi olmayan daha pürüzsüz ve daha parlak bir yüzey saglar.
Yüksek kontrollü metal giderimi, burada tarif edilen banyo solüsyonlari ve yöntemleri
kullanilarak elde edilebilir. Özellikle, kontrol seviyesi 0 kadar ince ki, dökme metal
kalinliklarda çikarilabilir. Böyle bir ince kontrol, sitrik asit ve ABF
konsantrasyonlarinin, sicakligin ve akim yogunlugunun bir kombinasyonunun
ayarlanmasinin yani sira, dogru akimin süresinin ve döngüsel uygulamasinin
degistirilmesiyle de elde edilebilir. Sökme islemi, bir is parçasinin tüm yüzeyleri
üzerinde genel olarak homojen bir sekilde gerçeklestirilebilir veya yalnizca bir
degirmen ürününün veya imal edilen bilesenin belirli seçilmis yüzeylerine seçici
olarak uygulanabilir. Kaldirma kontrolü, sicaklik, güç yogunlugu, güç çevrimi, ABF
konsantrasyonu ve sitrik asit konsantrasyonu dahil ancak bunlarla sinirli olmayan
çesitli parametrelerin ince ayarlanmasiyla elde edilir.
Sökme oranlari dogrudan sicaklikla degisir ve bu nedenle, tüm diger parametreler
sabit tutuldugunda, daha düsük sicakliklarda ve daha yüksek sicakliklarda daha hizli
çikarilir. Fakat, belirli tercih edilen araliklar içinde sitrik asit ve ABF
konsantrasyonlarini koruyarak, yüksek seviyelerde mikro-parlatma da beklenebilir, bu
da beklenilenden farklidir.
Sökme orani, DC gücünün uygulandigi sekle baglidir. Neyin beklenebileceginin
aksine, kaldirma orani sürekli uygulanan DC gücü ile ters orantili görünmektedir ve
sürekli olarak uygulandiginda, DC güç yogunlugunun arttirilmasi kaldirma oranini
azaltmaktadir. Fakat, DC gücünü devirerek, kaldirma oranlari hizlandirilabilir. Sonuç
olarak, önemli malzeme çikarma oranlari istendiginde, DC gücü, bir islem boyunca
sürekli olarak KAPALI'dan AÇIK'a çevrilir. Tersine, çikarma oranlarinin hassas
kontrolü istendiginde, DC gücü sürekli olarak uygulanir.
Teori ile sinirlanmaksizin, metalin yüzeyinde olusan bir oksit tabakasinin kalinligina
göre çikarmanin yavaslatildigina inanilir ve daha yüksek uygulanan DC gücü, metal
yüzeyinde daha fazla oksidasyona neden olur, bu da metalin florid iyon saldirisina bir
engel olarak islev görebilir. Buna göre, DC gücünün öngörülen bir hizda açilmasi ve
kapatilmasi bu oksijen bariyerinin üstesinden gelebilir ya da yüzeyin periyodik olarak
yayilmasi için kalin bir oksidi tesvik eden bir mekanizma olusturur. Burada tarif
edildigi gibi, banyo sicakliginin, uygulanan voltajin, sitrik asit konsantrasyonunun ve
amonyum bitluorür konsantrasyonunun çalisma parametrelerinin degistirilmesi,
elektrolit, yararli sonuçlar, yani yüksek oranda kontrol edilen dökme metal çikarma ve
mikro parlatma özel uygulamasina göre düzenleme yetenegini saglar. Buna ek olarak,
belirli bir islem parametrelerinin içerisindeki degisken çalisma kosullari, metal
çikarma ve yüzey bitirme kontrolünün ince ayarini degistirebilir ve gelistirebilir.
yükseldikçe, 85 ° C'de, 300 g / L sitrik asit, 10 g / L amonyum bitluorürün arttigini
göstermektedir. Eszamanli olarak, Sekil SB ve 9B, ayni kosullar altinda, akim
yogunlugunun 10.8 A / m2'den 538 A / m2'ye yükseldigi zaman, yüzey bitislerinin
degrade oldugunu göstermektedir. Bu iki akim yogunlugu arasindaki DC güç
kaynagini çevirerek, tüm islem için mevcut yogunluklarin yalnizca birinde
çalismaktansa daha iyi bir net sonuç elde edilebilir. Özellikle, belirli bir miktardaki
malzemenin çikarilmasi için islem süresi, sadece 10,8 A/ m2'de çalistirilmaya kiyasla
azaltilabilir. Ek olarak, daha düsük akim yogunlugunun yumusatma etkisi nedeniyle,
nihai ürünün toplam yüzey kalitesi, sadece 538 A / m2'de islenerek elde edilenin
üstündedir. Bu nedenle, iki veya daha fazla güç ayari arasindaki döngü (akim
yogunlugunda ortaya çiktigi gibi) hem gelistirilmis yüzey hem de hassas dökme metal
gideriminin ücretsiz sonuçlanmasini saglar; süreç, tek basina yüzey gelistirmesi ya da
tek basina dökme metal giderimi için tek tek islemlerden daha az toplam süre
gerektirir.
Görev döngüsünü degistirmeye ek olarak, elektrolit çözeltisi ve yarim dalga, tam
dalgali rektifiye, kare dalga ve ilave ara sonuçlar elde etmek için diger ara düzeltmeler
de dahil olmak üzere, nihai yüzey finisini feda ederek, DC güç kaynaklarindan temin
edilebilen çesitli dalga formlarinda is parçasi araciligiyla elektrik uygulanabilir. 50
kHz ila 1 MHz kadar hizli geçis hizlari veya yavasça 15 ila 90 dakikalik DC
anahtarlama çevrimler, islenecek yüzey alanina, is parçasinin kütlesine ve is
parçasinin özel yüzey durumuna bagli olarak faydali olabilir. Ek olarak, DC
anahtarlama çevriminin kendisi kendi döngüsünü en iyi sekilde gerektirebilir.
Örnegin, çok kaba bir baslangiç yüzeyi finisine sahip olan büyük bir kütle is parçasi,
baslangiçta yavas bir anahtarlama çevriminden en büyük yarar saglayabilir, ardindan
malzeme çikarildikça ve yüzey bitisi iyilestikçe artan frekansta bir anahtarlama
çevrimi elde edilebilir.
Burada tarif edilen tipteki elektrolitik banyolarin test edilmesi ayrica, elektro-
parlatmanin, metal yüzeyinde hidrojen konsantrasyonunu arttirmadan belirli
düzenlemelerde gerçeklestigini ve bazi durumlarda hidrojen konsantrasyonunu
azalttigini ortaya koymustur. Malzeme yüzeyindeki oksijen bariyeri, metalin
matriksine hidrojen göçünün olmamasindan sorumlu olabilir. Veriler, bu oksijen
bariyerinin ayrica, metal yüzeyden hidrojen çikarilabilecegini düsündürmektedir.
Daha yüksek florür iyonu konsantrasyonlari daha hizli çikarma oranlari ile sonuçlanir,
ancak metal matrisine hidrojen adsorpsiyonu üzerinde bilinmeyen bir etkiye sahiptir.
Daha yüksek sitrik asit konsantrasyonlari, çikarma oranlarini yavaslatir ve elektro-
parlatma sirasinda daha yüksek güç yogunluklari talep eder, ayni zamanda yüzeye
Bazi avantajlar, metal ürünleri bitirmek ve / veya almak için önceki teknik
çözümlerine kiyasla ABF ve sitrik asitin sulu bir elektrolit çözeltisinin
kullanilmasindan kaynaklanir. Açiklanan elektrolit çözeltileri, kesin olarak kontrol
edilen bir finis ölçüsünün elde edilmesini mümkün kilar. Konvansiyonel üretici
alasimli yassi ürünlerin (levha ve plaka) bitirilmesi, son derece hassas ögütme
ortamini kullanarak bitmis masuraya çok adimli ögütmeyi içerir, bunu takiben kalinti
Ögütme malzemelerini, ögütülmüs lekeli metalleri ve yüzey anonnalliklerini ortadan
kaldirmak için tipik olarak hidroflorik asit (HF) ve nitrik asit (HNO3) içeren bir asit
banyosunda "durulama" ile devam eder. HF-HNO3 asit dekapaji ekzotermiktir ve bu
nedenle kontrol edilmesi zordur ve çogu zaman, metalin daha yüksek bir hurda orani
veya daha düsük bir degere sahip olmasi ile sonuçlanan, ölçekteki metal ile
sonuçlanir. Açiklanan elektrolit solüsyonlari kullanilarak, tipik ikincil ve üçüncü]
ögütücüler, durulama tursusuna olan ihtiyaç gibi ortadan kaldirilabilir. Mevcut
taslama ve kesme isleminin mevcut durumu ile elde edilemeyen kesin bir önceden
belirlenmis bitmis ölçüye ulasilabilir. Ayrica, açiklanan elektrolit çözeltileri, tedavi
edilen kisma gerilmeler getirmez. Karsilastirma yapildiginda, herhangi bir mekanik
ögütme islemi, malzeme bükülmesine neden olabilen ve tipik veya müsteri tarafindan
belirlenmis düzlük sartnamelerini karsilayamayan bir miktar malzemenin
sonuçlanmasina neden olan önemli yüzey gerilimleri kazandirir.
HF-HNO3 asit dekapajini kullanan tipik bir islem, malzemenin gevreklesmesini
önlemek için siklikla pahali olan vakumlu gaz giderici ile giderilmesi gereken hedef
malzemeye hidrojen yükleyecektir. Tipik degirmen üretimi tam boyutlu saclar Ti-
6Al-4V ve CP titanyum, 6A1-4V titanyum ve nikel bazli alasim 718 kuponlari
üzerinde sitrik asit ve ABF içeren sulu bir elektrolit banyosu kullanilarak yapilan test,
geleneksel güçlü asit dekapaj çözeltilerine maruz kalan örneklere kiyasla hidrojen
emdirrne sonuçlarinin azaldigini göstermistir. Özellikle Ti-6Al-4V ve CP titanyumun
ayni alfa-kilifsiz, temiz yüzey son sonucunu elde etmek için, tipik olarak güçlü asitle
asitleme yoluyla elde edilirken, amonyum biiluorür ve sitrik asit dahil olmak üzere
sulu elektrolit çözeltisi bilesimlerinin kullanilmasi, Is parçasinin malzemesine hiçbir
hidrojenin yüklenmedigi sicaklik ve akim yogunluklari belirlendi ve bu çalisma
kosullarinin çogunda hidrojen aslinda malzemeden disari çekildi. Tüm metaller ve
alasimlar için, tercih edilen çalisma araliklarini iyilestirmek için testler devam
ederken, sonuçlar simdiye kadar tutarli olmayan bir sekilde, ayni çalisma kosullari
altinda doldurulacak olana göre malzemeye en uygun, daha az hidrojen yüklü kosullar
altinda bile yüklendigini göstermektedir. Güçlü asitli asitleme banyosu kullanilir.
Genel olarak, daha düsük amonyum bifluorür konsantrasyonlari, elektrolit çözeltisine
maruz kalan malzemeden daha fazla hidrojen ayrismasina veya daha az hidrojen
emdirilmesine neden olur.
Yüksek Kontrollü Metal Sökme, Yüzey Islemi ve Mikro Parlatma.
Bilesenlerin mikro-parlatilmasi veya mikro-parçalanmasi ve özellikle de nispeten
pürüzsüz yüzeylerin mikro-düzlestirilmesi, elle veya makine ile cilalama ile
karsilastirildiginda üstün bir hassasiyetle burada açiklanan çözeltiler ve yöntemler
kullanilarak elde edilebilir. Mikro parlatma islemi, hedef is parçasinda veya
malzemede zararli kalinti gerilmeler üretmeden ve is parçasinda metal lekesi
olmaksizin, her ikisi de mevcut mekanik yöntemlerde mevcut olan sorunlardan
kaynaklanir. Ek olarak, insan degiskenligini ortadan kaldirarak, elde edilen cila
seviyeleri spesifiktir ve tekrarlanabilir. Maliyet tasarrufu, açiklanan yöntemlere göre
açiklanan elektrolit çözeltisi kullanilarak da elde edilebilir.
Testlerde, yüksek oranda sitrik asit, düsük ila orta yogunluklu ABF konsantrasyonlari,
yüksek sicaklik ve yüksek DC akim yogunlugunda, sürekli veya döngüsel olarak
uygulanabilen mikro-parlatma için iyi sonuçlar elde edilmistir. Fakat, DC güç
yogunlugu tedavi edilen alasima göre ayarlanmalidir. Alüminyum içeren titanyum
alasimlari (tipik Ti-6Al-4V alasimi dahil olmak üzere tipik olarak alfa-beta
metalurjisi alasimlari), 40 volttan fazla uygulanan DC gerilimlerinde parlaklik
kaybetme egilimindedir. Fakat, bu metaller için, voltaji yaklasik 40 voltta kapama ve
daha yüksek bir akimin uygulanmasi (yani, daha yüksek bir güç yogunluguna ulasmak
için), malzeme parlakliginin yeniden gerçeklestirilmesini saglar. Teori ile
sinirlanmaksizin, bu, alfa-beta alasimlarinin çogunda (Ti-6Al-4V dahil) A1203 'e göre
parlatilmadan daha eloksal olan alfa stabilizasyon elemaninin bir sonucu olabilir.
Buna ek olarak, titanyum-molibden (tüm beta faz metalurjisi) ve ticari olarak saf (CP)
titanyum (tüm alfa fazi), benzer bir üst voltaj siniri tarafindan görünüse bagli
olmaksizin artan DC güç yogunluklari ile daha parlak hale gelir. Özellikle, diger
metaller için, örnegin burada açiklanan elektrolit solüsyonlari kullanilarak elektro-
parlatma, mikro parlatma ve yüzey islemlerinde yararli sonuçlar elde etmek için,
örnegin nikel baz alasim 718 ile, en az 150 volta kadar daha yüksek voltajlarin
kullanilabilecegi bulunmustur.
Burada açiklanan çözümler ve yöntem, özellikle parçalarin titanyum ve nikel bazli
alasimlar gibi makine metallerinden zorlandigi zaman islenmis metal parçalari
üzerindeki çapaklarin islenmesiyle islenmis parçalarin çapaklarinin alinmasi için
kullanilabilir. Teknigin bilinen durumunda, islenmis bilesenlerin çapak alma islemi
tipik olarak manüel islem olarak gerçeklestirilir ve dolayisiyla insan hatasi ve insan
tutarsizligi ile ilgili birçok sorundan muzdariptir. Açiklanan çözeltilerle yapilan
testler, elektrokimyasal hücrede Sitrik asitin dirençli yapisi nedeniyle ve en iyi sekilde
ABF'den florür iyonu yüksek oldugunda, Sitrik asit konsantrasyonu düsük oldugunda
çapak alma isleminin en etkili oldugunu göstermistir. Benzer çözeltiler, yüzeydeki
kirleri gidermek veya bir islenmeyi parçalandiktan sonra temizlemek için de
kullanilabilir, örnegin bir HF-HNO3 banyosu ile güçlü bir asit asitleme kullanilarak
yapilabilir.
Demir içermeyen ve özellikle reaktif metaller, yukarida tarif edildigi gibi çok çesitli
seyreltik Sitrik karisimlarda etkili bir kimyasal asit oranini gösterirler. Bu, elektro
parlatma isleminin pik alanlari seçici olarak azaltmaya baslamadan önce yüzey
metalinin bir kismini çikarmak ve reaksiyona sokmak için elektrik akimini
uygulamadan önce banyoda seçilen bir bekleme süresini içerebilen özel bir demir disi
metal is parçasi için bir terbiye isleminin özellestirilmesine izin verir.
Sitrik asit bazli elektrolit, normal olarak elektro-elektrolit elektrolitlerinde kullanilan
kuvvetli asitlere kiyasla sitrik asitin çok daha düsük ayrisma sabitine bagli olarak,
geleneksel elektro-parlatma karisimlarindan daha düsük bir viskoziteye sahiptir.
Düsük viskozite, malzeme tasimada yardimci olur ve elektrik direncini düsürür,
böylece geleneksel elektro-parlatmada oldugundan daha düsük voltajlar kullanilabilir.
Nihai olarak elde edilen elektro-parlatma islemi, kullanilan elektrolitin viskozitesi ve
direncinden büyük oranda etkilenmistir. En iyi yüzey finislerinin (yüksek derecede
mikro parlatilmis), yüksek bir elektro-voltaj ile (ve böylece orta ve yüksek akim
yogunlugunda) birlikte yüksek dirençli bir elektrolit çözeltisi kullanilarak elde
edilebildigi bulunmustur. Ek olarak, biraz daha iletken (daha az dirençli) bir elektrolit
çözeltisi kullanildiginda, yüksek mikroplarda ve yüksek akim yogunluklarinda ince
mikro parlatma elde edilebilir.
Elektrokimyasal isleme için karsilik gelen faydalarin geçerli olacagi takip edilmelidir.
Özellikle, burada tarif edilen bilesimlere sahip olan elektrolit banyolarinin, önemli
çevresel ve maliyet avantajlari ile geleneksel elektrokimyasal isleme ve / veya
asitleme çözeltileri yerine etkili bir sekilde kullanilabilmesi beklenmektedir. Burada
açiklanan elektrolit solüsyonlari esasen güçlü asit içermediginden, tehlikeli atik
bertarafi ve kullanimi sorunlari en aza indirgenir. Ayrica, gerekli akim yogunluklari
geleneksel elektrokimyasal islemede gerekenden çok daha azdir.
Genel olarak, amonyum bifluorürün konsantrasyonunun arttirilmasi, elektrolit
çözeltisinin elektrik direncini azaltma egilimindedir (yani, amonyum bifluorür
elektrolit çözeltisinin elektriksel iletkenligini arttirir), sitrik asit mevcudiyetinde veya
sitrik asidin konsantrasyonunu arttirir. amonyum bifluorürün konsantrasyonu,
amonyum bifluorürün elektrik direnci üzerindeki etkilerini hafifletme egilimindedir.
Baska bir deyisle, elektrolit solüsyonunun mikro-dayanikliligi arttirmak için yüksek
bir seviyede elektriksel direncini korumak için, amonyum bifluorür
konsantrasyonlarinin düsük tutulmasi veya daha yüksek bir sitrik asit konsantrasyonu
ile baglantili olarak daha yüksek bir amonyum bifluorür konsantrasyonu kullanilmasi
arzu edilir. Bu nedenle, amonyum bifluorür ve amonyum bifluorür ve sitrik asitin
nispi konsantrasyonlarinin konsantrasyonunu degistirerek, elektrolit çözeltisinin
elektriksel direnci, bir is parçasinin yüzeyinin arzu edilen mikro-seviyelerini elde
etmek için yararli bir sekilde kontrol edilebilir.
Burada açiklanan islemlerde, islenecek parçanin (anot) katoda olan yakinliginin,
geleneksel elektro-parlatma veya elektrokimyasal islemenin aksine kesin olmasi
gerekmez. Is parçasindan yaklasik 0.1 cm ila yaklasik 15 cm araliginda katot ile
basarili bir islem gerçeklestirilmistir. Katot ve anodik is parçasi arasindaki maksimum
mesafedeki pratik sinirlamalar çogunlukla ticari olarak elde edilir ve banyo boyutu, is
parçasi boyutu ve elektrolit çözeltisinin elektrik direncini içerir. Genel akim
yogunluklari, elektrokimyasal islemenin gerektirdiginden daha düsük ve genellikle
çok daha düsük oldugundan, daha fazla is parçasi ila katot mesafeleri kullanmak ve
daha sonra güç kaynaginin kapasitesini buna göre arttirmak mümkündür. Ayrica,
burada açiklanan düsük viskoziteli elektrolit solüsyonlari, yüksek düzeyde kontrollü
dökme metal giderimi, yüzey finisaji ve mikro parlatma saglar, ayni çözeltilerin
elektrokimyasal islemede de etkili olmasi beklenir.
Bir metal is parçasinin elektro-parlatilmasi, is parçasini ve en az bir katodik elektrodu
bir elektrolit çözeltisinin banyosuna maruz birakarak ve is parçasini bir anodik
elektrota baglayarak gerçeklestirilir. Elektrolit çözeltisi, agirlikça yaklasik % 0.1 ila
yaklasik % 59 arasinda bir miktarda sitrik asit içerir. Elektrolit çözeltisi ayrica
agirlikça yaklasik % 0.1 ila yaklasik % 25 alkali metal Ilorürler, alkali toprak metal
florürler, silikat asindirma bilesikleri ve / veya bunlarin kombinasyonlarindan seçilen
bir Ilorür tuzunu içerebilir. Akim, is parçasina baglanan en az bir anodik elektrot ile is
parçasinin yüzeyinden metali çikarmak için banyoya daldirilan katodik elektrot
arasindaki bir güç kaynagindan uygulanir. Akim yaklasik 0.6 milivolt dogru akim
(mVDC) ila yaklasik kadar bir gerilimde uygulanir.
ABF, tercih edilen bir florür tuzudur.
Elektrokaplama yönteminin baska bir yönünde, akim yaklasik 0.6 VDC ila yaklasik
150 VDC voltajda uygulanir. Akim, metre kare basina yaklasik 255.000 amper (a /
m2) (yaklasik olarak her bir ayak için yaklasik 24.000 amper) degerine esit veya daha
düsük akim yogunlugunda uygulanabilir; burada payda, is parçasinin toplam etkin
yüzey alanini temsil eder. Nikel bazli alasimlar gibi bazi demir disi metaller için,
yaklasik 5000 A / m2`ye kadar olan ve yaklasik kabaca 450 A / ft2 dahil olmak üzere
mevcut yogunluklar kullanilabilir ve titanyum ve titanyum alasimlari için yaklasik 1
edilir. Elektrolit çözeltisini kullanan elektro-parlatma islemleri, çözeltinin donma ve
kaynama noktalari arasinda kullanilabilir, örnegin yaklasik 2 ° C ila yaklasik 98 ° C
arasindaki bir sicaklikta ve tercihen yaklasik 21 ° C ila yaklasik 85 ° C arasindadir.
mm) ila yaklasik 0.01 inç (0.254 mm) oraninda çikarilabilir. Asagidaki örnekler,
çesitli konsantrasyonlarda ve çalisma kosullarinda elektrolitin etkinligini
göstermektedir.
Örnek 1: Ticari Saf Saf Titanyum Asindirma
Temel olarak yaklasik olarak agirlikça,% 56 su, % 43 sitrik asit (716 g / L) ve % 1
amonyum bifluorür (15.1 g/ L) içeren bir elektrolitte, 185 ° F (85 ° C) 'de çalistirilir. ,
ticari olarak saf bir titanyum levha numunesi, malzemenin yüzey kalitesini arttirmak
için islenmistir (yani, degirmeni standart bitirmeyi daha düzgün hale getirmek için).
Materyal, yaklasik 406 mikron (160 mikron) 'lik bir yüzey kaplamasmda basladi ve
islemden sonra, yüzey cidari, 127 mikron (50 mikron) bir son okumasina kadar 152
mikron (90 mikroinç) veya yaklasik% 69'luk bir gelisme ile azaltildi. Süreç, 30
dakikalik bir süre boyunca çalistirildi ve 0.45 mm (0.0178 inç) malzeme kalinliginda
bir azalmaya neden oldu.
Birçok son kullanim uygulamalari için titanyum plaka ürününün önemli bir özelligi
olan soguk sekillendirilebilirlik, ürünün yüzey kalitesine büyük ölçüde bagimlidir.
Burada açiklanan elektrokimyasal islemin düzenlemelerini kullanarak, malzeme
yüzey finis iyilestirmeleri, geleneksel ögütme ve dekapaj yöntemlerinden daha düsük
maliyetle elde edilebilir. Açiklanan çözümlerin ve yöntemlerin düzenlemeleri
kullanilarak elde edilen kaplamalarin, plaka ürününün soguk sekillendirme
özelliklerini geleneksel yöntemlerden daha yüksek bir seviyeye yükseltdigi
gösterilmistir.
Örnek 2: Etkili 6Al-4V Kupon
Asagidaki örnekler, 52 mm x 76 mm ölçülerinde 6Al-4V titanyum alasimli levha stok
kuponlari üzerinde islenmistir. Elektrolit, farkli konsantrasyonlarda ve sicakliklarda
su (H20), sitrik asit (CA) ve amonyum bifluorür (ABF) içerir. Elde edilen gözlemler
ve okumalar asagida Tablo 1`de kaydedilmistir.
H20 (30%) CA ( ›
Örnek 3: Elektrokaplama 6A] -4V Kupon
Asagidaki örnekler, 52 mm x 76 mm ölçülerinde 6Al-4V titanyum alasimli levha stok
kuponlari üzerinde islenmistir. Elektrolit, farkli konsantrasyonlarda ve sicakliklarda
su (H20), sitrik asit (CA) ve amonyum bifluorür (ABF) içerir. Elde edilen gözlemler
ve okumalar asagida Tablo 2`de kaydedilmistir.
Hzo CA ABF SicaklikC'F› 4- Zaman Güç (VIAmp) Msih'ni'i: Kêii'l'iiUn.)
(agva (agva (agva aware) (dak) (x25.4mmi
Daha fazla kapsamli test, yaklasik 0 g / L ila yaklasik 780 g / L (agirlikça yaklasik %
0 ila yaklasik % 47) araliginda sitrik asit içeren sulu elektrolit solüsyonlari ve yaklasik
yaklasik % 50'lik amonyum bifluorür kullanilarak gerçeklestirilmistir. 0 g / L ila
yaklasik 120 g / L (agirlikça yaklasik% 0 ila yaklasik% 8) ve güçlü bir asitten (yani,
yaklasik 1 g / L'den daha az veya agirlikça% 0.l'den daha az) büyük ölçüde arinmis
olan, banyo sicakliklarinda yaklasik 21 ° C ila yaklasik 85 ° C arasinda ve uygulanan
akim yogunluklari is parçasi yüzey alaninin yaklasik 0 A / m2 ila yaklasik 1076 A /
m2 araligindadir. (Sudaki 780 g / L sitrik asitin 21 ° C'de doygunluk konsantrasyonu
volt veya daha fazla uygulanan gerilimlerde kullanilabilir. Test edilen metaller, ticari
olarak saf titanyumun yani sira 6Al-4V titanyum ve nikel bazli alasimi 718 üzerinde
bazi nokta testlerini de içeriyordu. Bu sonuçlara dayanarak, benzer elektro-parlatma,
mikro-parlatma ve yüzey islem sonuçlarinin, non-siniflar sinifi boyunca elde
edilebilmesi bekleniyordu. demirli metaller ve alasimlar. Sonuçlar asagidaki tablo ve
açiklamalarda ve sekillere referansla özetlenmistir. Aksi belirtilmedikçe, testler
yaklasik 21 ° C, yaklasik 54 ° C, yaklasik 71 ° C ve yaklasik 85 ° C sicakliklarda ve
yaklasik 538 A / m2 ve yaklasik 1076 A/ m2 yogunluklarda gerçeklestirilmistir.. Test
edilen çözeltilerden herhangi birine kuvvetli bir asit kasten ilave edilmemistir, ancak
eser miktarlar sonuçlari önemli ölçüde etkilemeyebilir.
Sekil 1A-1B, 20 g / L'lik orta derecede düsük bir amonyum bifluorür konsantrasyonu
ve yaklasik 0 g / L ila yaklasik 780 g/ L arasindaki sitrik asit konsantrasyonlari ve
1076 Nm2 lik akim yogunlugu, dahil olmak üzere sulu bir elektrolit çözeltisi
kullanilarak dört farkli sicaklikta malzeme temizleme orani ve yüzey kalitesinde
degisimi göstermektedir. Sekil 1A, malzeme çikarma oraninin, özellikle düsük sitrik
asit konsantrasyonlarinda, sicaklikla dogrudan degistigini göstermektedir. Banyo
sicakligi arttikça, kaldirma orani da artar. 21 ° C, 54 ° C ve 71 ° C'lik daha düsük
sicakliklarda, 180 g / L sitrik asit, amonyum biflorürün materyal kaldirma etkinligini
hafifletmeye baslamak için yeterli iken, 85 ° C'lik daha yüksek bir sicaklikta, nispeten
Hizli malzeme giderimi yaklasik 300 g / L sitrik asit kadar devam eder. 300 g / L ve
daha yüksek sitrik asit konsantrasyonlarinda, tüm sicakliklarda çikarma oranlari
azaltilir. Tersine, Sekil lB, özellikle 120 g / L ila 180 g / L arasindaki veya daha
düsük olan sitrik asit konsantrasyonlarinda, yüzey finisinin en düsük sicaklikta
düstügünü göstermektedir. Baska bir deyisle, düsük sitrik asit konsantrasyonlarinda
önemli materyallerin çikarilmasindan sorumlu olan Ilorür iyonu, ayni zamanda yüzey
hasari olusturur, ancak yeterli konsantrasyonlarda sitrik asitin varligi, flüorür iyon
saldirisina faydali bir engel olarak islev görür. Fakat, sitrik asit konsantrasyonu 180 g
/ L'ye ve daha yüksek bir degere yükseldikçe, yüzey kaplamasi, özellikle 600 g / L'lik
sitrik asit seviyelerinde ve malzeme giderim oraninin önemli ölçüde azaldigi yerlerde
daha fazla gelisir. Dahasi, 120 g/ 1 ile 600 g/ L arasindaki sitrik asit seviyelerinde bile
malzeme giderimi hala devam ederken, yüzey finisindeki gelismeler ayni anda elde
edilebilir.
Testler, istenen malzeme çikarma ve yüzey bitirme iyilestirmelerini elde etmek için,
amonyum bifluorür gibi bir florid iyon kaynaginin gerekli oldugunu ortaya çikardi.
Esas olarak amonyum bifluorürün yoklugunda, esas olarak su içinde sitrik asit içeren
elektrolit çözeltilerinde, banyonun sicakligi veya akim yogunluguna bakilmaksizin,
hemen hemen hiç materyal çikarilmasi elde edilmez ve yüzey kaplamasindaki
degisiklikler de minimaldir. Titanyum ya da baska bir reaktif metalin sadece sitrik asit
içeren bir sulu elektrolit içinde islendigi zaman, malzemenin yüzeyinin esas olarak
çok ince ince (yani, yaklasik 200 nm ila yaklasik 600 nm kalinliginda)olan ve hizla
meydana gelen bir oksit tabakasi ile anodize oldugu düsünülür. Anodik oksit tabakasi
olustuktan sonra, uygulanan DC gücü artik malzeme yüzeyine saldiramayacagi için
suyu hidrolize eder. Olusan ortaya çikan yeni dogan oksijen hizla baska bir mono-
atomik oksijen bulur ve anotta 02 gaz olarak verilir.
Sek. 2A-2B ve 2C-2D, 120 g / L'lik bir sitrik asit konsantrasyonu ve yaklasik 0 g / L
ila yaklasik 120 g / L arasindaki amonyum bifluorür konsantrasyonlari içeren sulu bir
elektrolit çözeltisi kullanilarak sirasiyla malzeme çikarma ve yüzey kaplamadaki
degisikligi gösterir. Sekil 2A ve 2C, 21 ° C'lik temsili bir düsük sicaklikta verileri
gösterir ve Sek. 2B ve 2C, 71 ° C'lik temsili bir yüksek sicaklikta verileri gösterir.
Sekil. 2A-2B, materyalin uzaklastirilmasinin amonyum biIluorür konsantrasyonu ve
sicaklik ile kuvvetli bir sekilde iliskili oldugunu, ancak akim yogunlugu tarafindan
minimal olarak etkilendigini göstermektedir. Daha yüksek malzeme oranlari
genellikle amonyum bifluorür konsantrasyonunun ve sicakliginin bir veya ikisini
artirarak elde edilir. Sekil 2C-2D, materyal çikarmanin bazi yüzey bozulmalariyla
birlikte geldigini göstermektedir. Fakat, sasirtici bir sekilde, sicaklik arttikça ve
malzeme uzaklastirilma orani arttikça, yüzey bitiminde bozulma miktari azalir. Sekil
2C'deki gibi 21 ° C'lik düsük bir sicaklikta, artan akim yogunlugu yüzey bozulma
etkilerini azaltir ve en yüksek akim yogunlugunda bazi yüzey bitirme iyilestirme
kanitlanmistir. Sekil 2B'deki gibi 71 ° C'lik daha yüksek bir sicaklikta, yüzey
finisindeki degisim akim yogunlugundaki degisikliklerle önemli ölçüde degismez.
Sekil 2E-2F, su içinde amonyum biflorürden olusan bir sulu elektrolit çözeltisi
kullanarak, 85 C dereceik yüksek sicaklikta çalistirildiginda akim yogunlugunun bir
fonksiyonu olarak, kasitli olarak ilave edilmis sitrik asit olmaksizin, malzeme çikarma
ve yüzey finisindeki degisim oranini göstermektedir. Yüksek oranda malzeme
uzaklastirilmasi, ABF'ye sadece elektrolitle saglanabilir, ancak bu malzeme giderimi,
genellikle elektrolit çözeltisi tarafindan önemli ölçüde bozunmak üzere orta derecede
yüzey finisaji pahasina gelir. Fakat, belirli çalisma kosullarinda (sekillerde
gösterilmemistir), yüzey kalitesinde minimum bozulma veya mütevazi iyilestirme
saglanmistir. Örnegin, ABF-sadece elektrolit çözeltilerinden yüzey finisajinda
1076 A / m2'de 60 g/ L ABF çözeltisi ile. elde edildi.
Teoriye bagli kalmaksizin, malzeme yüzeylerini iyilestirmek için minimum akim
yogunlugunu arttirmak için akim yogunlugunu arttirmak için olasi bir açiklama,
elektrik akiminin bir fonksiyonunun malzemenin yüzeyindeki dogal oksit tabakasini
büyütmesidir. Bu asiri oksijenin, sitrik asit ile kombinasyon halinde, malzeme
yüzeyine saldirmak için faydali bir engel olarak hareket ettigine inanilmaktadir. Buna
göre, akim yogunluklari arttikça, anodda daha yüksek oksijen konsantrasyonlarinin
üretildigine inanilmaktadir ki bu da bir kütle aktarim engeli olarak hareket edebilir.
Alternatif olarak, malzemenin yüzey morfolojisini bir dizi i'zirve" ve "vadi" olarak
basit bir sekilde inceleyerek, sitrik ve oksijenin, vadiler içinde oturdugunu ve yüzey
morfolojisinin sadece zirvelerini Ilorür iyonuna maruz biraktigini varsayar. Sitrik ve
oksijen engelleri mukavemet arttikça (yani, daha yüksek sitrik asit konsantrasyonlari
ve daha yüksek akim yogunluklari), kimyasal saldiri için sadece yüzeyin en yüksek
zirveleri mevcuttur. Bu teori altinda, düsük akim yogunluklari ve düsük sitrik asit
konsantrasyonlarinin, yüzey yumusatma için en az yetenekli bir islem saglamasi
beklenirken, yüksek akim yogunluklarinin ve yüksek sitrik asit konsantrasyonlarinin,
yüzey yumusatma için en uygun islemi saglamasi beklenir. Bu teorilerin dogru olup
olmadigina bakilmaksizin, veriler yukaridaki analiz ile tutarli sonuçlar ortaya
koymaktadir.
Oksijenin (elektrik akimi ile üretilen) ve sitrik asidin, çikarma islemine mikro engeller
olarak isledigi anlasilirsa, ABF konsantrasyonunun ve sicakliginin, malzeme giderimi
ve mikro parlatma sonuçlarinin kontrol edilmesi için kullanilmasi en uygun olan
degiskenler oldugu açikça anlasilir. Bu nedenle, burada tarif edilen islemlerde, akim
yogunlugunun esas olarak oksijen olusturmak için etkili oldugu görülmektedir, çünkü
çogunlukla, genel malzeme giderimini arttirmak için önemli bir madde degildir. Daha
ziyade, materyalin uzaklastirilmasi, hemen hemen sadece florür iyonu tarafindan
tahrik edilir, bunun aktivitesi, bir dereceye kadar, isinin termodinamik etkisi ile
yönetilir. Özet olarak, bir kontrol degiskeni olarak akim yogunlugu, sasirtici bir
sekilde, nispeten önemsiz bir sekilde görülmektedir ve florür iyonunun varligi, akim
yogunlugunun etkisine maruz kalmaktadir.
Sek. 3A-3D, 538 A/ m2'lik temsili bir akim yogunlugunda, malzeme uzaklastirilma
orani, sicaklikla dogrudan iliskili olarak degisebilir, böylece ayni sitrik asit, amonyum
bifluorür ve su karisimi için, daha yüksek sicakliklarda daha fazla malzeme
çikarilmasi meydana geldigini göstermektedir. Tüm akim yogunluklarinda 0 A /
m2'den 1076 A / m2'ye benzer egilimler gözlemlenmistir.
Sek. 4A-4D, 54 ° C'lik temsili bir sicaklikta, malzeme yogunlugunun orani, akim
yogunlugu ile nispeten sabittir, böylece herhangi bir banyo sicakliginda ayni sitrik asit
ve amonyum bifluorür karisimi için, malzeme kaldirma orani, akim yogunlugundaki
degisikliklere nispeten duyarsiz oldugunu göstermektedir. 21 ° C'den 85 ° C'ye kadar
tüm sicakliklarda benzer egilimler gözlemlenmistir ve bu egilimlerin 21 ° C'nin
altinda (fakat çözeltinin donma noktasinin üstünde) ve 81 ° C'nin üzerinde (fakat
çözeltinin kaynama noktasinin altinda) olduguna inanilmaktadir. Sitrik asit
konsantrasyonu, tipik olarak 600 g / L ve 780 g / L arasinda belirli bir seviyenin
üzerine çiktiginda, ABF konsantrasyonundan bagimsiz olarak hemen hemen tüm
sicaklik ve akim kosullarinda oldugu gibi, malzeme giderimi önemli ölçüde azalir. Bu
nedenle, bir malzeme parçasinin sekillendirilmesi istendiginde bir miktar malzeme
çikarmaya yönelik kabiliyetin muhafaza edilmesi için, sitrik asit konsantrasyonu
genellikle 600 g/ L'den daha düsük bir seviyede muhafaza edilmelidir.
Sekil 4E-4G, temsili 85 ° C'lik yüksek bir sicaklikta ve üç farkli sitrik asit
konsantrasyonunda, akim yogunlugunun malzeme çikarma oranlari üzerindeki etkisini
göstermektedir; 4H-4J, akim yogunlugunun yüzey kosullari üzerindeki etkisini ayni
kosullar altinda gösterir. Sekil 4E, Sek. 4F ve 4G, ancak daha az bir ölçüde, elektrolit
çözeltisinin malzeme kaldirma yetenekleri, en yüksek amonyum bifluorür
konsantrasyonlarinda en yüksek seviyededir ve yüksek sicaklikta oldukça önemlidir.
Sekil 4E'nin sadece 120 g / L sitrik asitte verileri göstermesine ragmen, esasen ayni
materyal kaldirma oranlarinin 60 g / L, 120 g / L ve 300 g / L*de sitrik asit
konsantrasyonlarinda görüldügü belirtilmelidir. Ancak, Sekil 4F'de gösterildigi gibi,
600 g / L sitrik asitte, sitrik asit konsantrasyonu büyük ölçekli saldirilardan yüzey için
bir miktar koruma saglamakta ve malzeme kaldirma oranlari, düsük sitrik asit ile
karsilastirildiginda düsmektedir. konsantrasyonlari. Sekil 4G'de gösterildigi gibi 780 g
/ L'de, çikarma oranlari daha da azalir. Amonyum bifluorür ve sitrik asit
konsantrasyonlari dikkate alinmaksizin, materyalin uzaklastirilmasi akim
yogunlugundan çok az etkilenir.
Sekil 4H, yüksek sicaklikta ve mütevazi sitrik asit konsantrasyonunda, hemen hemen
tüm amonyum bif'luorür konsantrasyonlarinda ve akim yogunluklarinda orta miktarda
bir yüzey bitirme bozulmasinin deneyimlendigini göstermektedir. Ancak, Sek. 4E ve
4H birlikte, bir islem kosulu öne çikar. 120 g / L'lik bir sitrik asit konsantrasyonunda,
düsük bir 10 g / L amonyum bifluorür seviyesi ve 1076 A / m2'1ik bir yüksek akim
yogunlugu altinda, malzeme giderimi bastirilir ve yüzey kalitesinde önemli bir
gelisme ortaya çikar. Bu, yukarida tartisilan teorinin daha fazla kanitini saglayabilir,
çünkü yüksek akim yogunlugu, yüzey morfolojisindeki "vadileri" doldurmak için
malzeme yüzeyinde yeterince yüksek oksijen olusturabilir, böylece 'zirveler', tercihen,
amonyum bifluorürün ayrismasiyla olusturulan fluorür iyonu tarafindan saldiriya
ugrar. Bu etki, sitrik asitin olasi mikro bariyer etkisiyle birlikte, Sekil 4I'de (600 g / L
sitrik asitte) ve yüzey kalitesinde azalmayi ve bazi durumlarda daha yüksek sitrik asit
konsantrasyonlarinda ve daha yüksek akim yogunluklarinda ve hatta daha yüksek
sitrik asit konsantrasyonlari ve daha yüksek akim yogunluklarinda bile yüzey
finisinde iyilesmeyi gösteren Sekil 4J'de (780 g / L sitrik asitte) daha güçlü bir sekilde
görülebilir. Örnegin, 10 g / L ve 20 g / L amonyum bifluorürde yüzey kaplamasinda
600 g / L ila 780 g / L sitrik asit arasinda önemli bir gelisme vardir.
Fakat, bu etkinin bir siniri var gibi görünmektedir, çünkü yüzey finisinin 120 g / L
amonyum biIluorürün en yüksek konsantrasyonunda ve 120 g / L'den 600 g / L'ye ve
ayrica 780 g / L e sitrik asit çikmakta olan daha yüksek akim yogunluklarinda önemli
ölçüde kötü1estigi görülebilir. Benzer bir sonuç 60 g / L amonyum bifluoride elde
edildi, en azindan 600 g / L'den 780 g / L'ye kadar sitrik asit konsantrasyonu
yükseltildi.
Asagidaki Tablo 3A-3C ve 4A-4C'de gösterildigi gibi, asgari malzeme giderimine
ihtiyaç duyulan ve yüksek yüzey kalitesinin iyilestirilmesine ihtiyaç duyan ve mikro
parlatma islemine tabi tutulan levha mamulleri için proses kosullari, hemen hemen hiç
bir malzeme çikarmaya gerek duyulmayan ve çok yüksek bir yüzey bitirmesi
istendiginde, çok çesitli elektrolit karisimlari, sicakliklari ve akim yogunluklari
üzerinde elde edilebilir. Tablolar 3A-3C ve 4A-4C esasen su ve sitrik asit içeren
elektrolit içermez ve esasen sifir malzeme uzaklastirmasi ve genis bir sicaklik
araliginda yüksek yüzey iyilestirmesi için makul miktarda çözelti elde edebilmesine
ragmen büyük ölçüde amonyum bifluorür içermez. akim yogunlugu, çünkü bu
kosullar çünkü bu kosullar Sekil lA-lD'ye referansla ayri ayri tartisilmistir. Benzer
sekilde, tablolar 3A-3C ve 4A-4C, esasen su ve amonyum bifluorürden olusan ve esas
olarak sitrik asit içermeyen elektroliti içermez, Tablolar 3A-3C, yüzey son kat aritma
seviyeleri ile ayrilir ve daha sonra ABF konsantrasyonunun arttirilmasi için
düzenlenir. Tablolar 4A-4C, sitrik asit konsantrasyonu seviyeleri ile ayrilir ve daha
sonra ABF konsantrasyonunun arttirilmasi için düzenlenir.
Tablo 3A-3C'deki verilerden birkaç trend ortaya çikmaktadir. Ilk olarak, düsük ya da
sifira yakin malzeme çikarilmasi ve iyilestirilmis yüzey kaplamalari, tüm sitrik asit
konsantrasyonlari (60 g / L ila 780 g / L), amonyum bifluorür konsantrasyonlari (10 g
m2 ila 1076 A / m2) elde edilmistir.
Bu nedenle, kuvvetli bir asidin yoklugunda, 60 g / L sitrik asit ve 10 g / L ABF gibi
düsük konsantrasyonlarda minimum malzeme kaybi ve 780 g / L sitrik asit ve 120 g /
L ABF gibi yüksek konsantrasyonlarda ve çesitli kombinasyonlarda ince yüzey
finisajlari üretebilir.
Genel olarak, Tablo 3A'da gösterildigi gibi, en yüksek yüzey kalitesi iyilestirmeleri
akim yogunluklarinda, 120 ila 780 g / L arasindaki orta ila yüksek sitrik asit
konsantrasyonlarinda ve genellikle daha düsük ABF konsantrasyonlari olan 10 - 20 g /
L olarak elde edilmistir. ABF konsantrasyonu 10 - 20 g / L araliginda oldugunda, 71 -
85 ° C arasindaki daha yüksek sicakliklar 600 - 780 g / L arasinda daha yüksek sitrik
asit konsantrasyonlarinda daha iyi yüzey finisaji üretirken, daha ilimli sicaklikta 54 °
C 'de 120 - 300 g / L' lik orta sitrik asit konsantrasyonlarinda ince yüzeyler elde
edilmistir. Fakat, yüzey kalitesindeki önemli gelismeler de düsük ABF, orta sitrik asit
ve yüksek sicaklik kosullarinda (10 g / L ABF, 120 g / L sitrik asit, 85 ° C) ve düsük
ABF, orta sitrik asit ve düsük sicaklikta (20 g/L ABF, 180 g/L sitrik asit, 54 °C) elde
edilmistir. ABF konsantrasyonu daha yüksek oldugunda, 60 - 120 g / L araliginda,
konsantrasyonlarinda ve daha yüksek akim yogunluklarinda daha iyi yüzey kalitesi
üretme egilimindedir. Ayrica, 10.8 - 53.8 A / m2'lik daha düsük akim yogunluklari,
780 g / L'lik yüksek sitrik asit konsantrasyonlari ve hem de düsük ABF
konsantrasyonu 10 g / L ve yüksek ABF konsantrasyonu 120 g/ L için 71 -85° C'lik
yüksek sicakliklar ile belirgin yüzey finisaji iyilestirmesi saglanmistir.
Tablo 3B: Yüksek Yüzey Finis Aritma
Siirik ABF Sicaklik Akim Yogunlugu Kaldirilan Malzeme Yuzey Finis Oegisimi
Asil (gIL) (°C) (Almî) (mmi'sa) (Vu)
Genel olarak, Tablo 3B'de gösterildigi gibi, yüksek, fakat en yüksek yüzey düzeltmesi
seviyeleri (yani, yüzey pürüzlülügündeki yaklasik % 15 ila yaklasik % 30 arasinda
azalma), daha düsük ABF konsantrasyonlari olan 10 - 20 g / L ve orta ila yüksek
yüksek akim yogunluklarinda elde edilmemistir. Tipik olarak, bu sonuçlar 600-780 g/
L'lik yüksek sitrik asit konsantrasyonlarinda elde edildi. Örnegin, 10 - 20 g / L ABF
konsantrasyonlari genellikle yüksek akim yogunluklarinda ve yüksek sitrik asit
konsantrasyonlarinda iyi sonuç verirken, ayrica, düsük akim yogunlugu 10,8 A / m2,
yüksek sicaklik 85 ° C ve mütevazi bir sicaklik 54 ° C ve düsük akim yogunlugu 53.8
A / m2 olan 60 - 300 g / L düsük sitrik asit konsantrasyonlari kullanilarak da iyi
sonuçlar elde edilmistir. Yüksek sicaklik ve düsük akim yogunlugunda (71 - 85 ° C ve
ABF de yüksek yüzey iyilestirmeleri elde edilmistir. Tüm yüzeylerde 780 g / L
yüksek sitrik asit konsantrasyonlarinda hem yüksek sicaklikta hem de düsük akim
iyilestirmeleri elde edildi. Bu baglamda, sicaklik ve akim yogunlugu arasinda bir
miktar tamamlayici aktivite oldugu, daha düsük bir sicaklikta daha yüksek bir akim
yogunlugu kullanarak veya daha yüksek bir sicaklikla daha düsük bir akim yogunlugu
kullanarak yüksek bir sitrik asit konsantrasyonuna sahip bir çözelti için benzer yüzey
sonlandirma sonuçlari elde edilebildigi anlasilmaktadir. Ayrica yüksek akim
yogunlugu ile kombine edilmis yüksek sicaklik kosullarinin en iyi yüzey kalitesi
iyilestirmelerini saglama egiliminde oldugunu gösteren 4H-4J e bakiniz.
Tablo 3C: Orta Yüzey Finis Aritma
Sitrik ABF Sicaklik Akim Yogunlugu Kaldirilan Malzeme Yüzey Finis Degisimi
Genel olarak, Tablo 3C'de gösterildigi gibi, 10 - 20 g / L'lik daha düsük ABF
konsantrasyonlari ve 71 - 85 ° C'lik daha yüksek sicakliklarda ve büyük ölçüde 10.8 -
1076 A / m2'1ik tüm akim yogunluklari genelinde yüzey finis iyilestirme seviyeleri
(yani, yüzey pürüzlülügündeki yaklasik % 15'ten az bir azalma) elde edilmistir. Tipik
olarak, bu sonuçlar 600-780 g / L'lik yüksek sitrik asit konsantrasyonlarinda elde
edildi. Bu egilimin dikkate deger bir istisnasi, yüksek yüzey finisi iyilestirmelerinin
de mütevazi oldugu, 10 - 120 g / L'lik tüm ABF konsantrasyonlarinda ve 21 ° C`lik
L'lik düsük - orta Sitrik asit konsantrasyonlarinda elde edilmistir.
Tablo 4A: En Düsük Sitrik Asit Konsantrasyonlari
Sitrik ABF Sicaklik Akim Yogunlugu Kaldirilan Malzeme Yüzey Flnis Degisimi
Asit (gIL) (“C) (AlmZ) [miru'sai (Vu)
Tablo 4A'da gösterildigi gibi, 60-180 g / L`lik düsük sitrik asit konsantrasyonlarmda,
yüzey finisinin muntazam sekilde gelistirilmesi yüksek akim yogunlugu
gerektirmektedir. Tipik olarak, en iyi yüzey finisi iyilestirmeleri, düsük ABF
konsantrasyonlari 10-20 g / L ve orta ila yüksek sicakliklarda 54 - 85 ° C arasinda
elde edilmistir. Düsük ve orta yüzey finis iyilestirmesi, 10 - 60 g / L ABF
konsantrasyonlarinda ve 21 ° C düsük sicakliklarda elde edildi.
Tablo 4B: Orta Sitrik Asit Konsantrasyonlari
Sitn't( ABF Sicaklik Akim Yogunlugu Kaldirilan Malzeme Yüzey Finis Degisimi
Asil (gIL) (“C) WM” 'mm/531 1%›
Tablo 4B'de gösterildigi gibi, 300 - 600 g / L'lik orta sitrik asit konsantrasyonlarinda,
yüzey kalitesinin önemli ölçüde iyilestirilmesi genellikle 538 - 1076 A / m2'1ik daha
yüksek akim yogunluklari gerektirir ve esas olarak 10 - 20 g / L ABF'nin düsük ABF
konsantrasyonlarinda gerçeklesir. En düsük 10 g / L ABF konsantrasyonunda, 54 - 85
° C arasindaki daha yüksek sicakliklar en iyi sonuçlara ulasirken, 20 g / L ABF
konsantrasyonunda, 21 - 85 ° C araliginda iyi sonuçlar elde edilir. 60 - 120 g / L'lik
daha yüksek ABF konsantrasyonlarinda, yüzey finisi gelisimi daha tipik olarak 21 °
C'lik daha düsük bir sicaklikta ortaya çikar.
Tablo 4C: En Yüksek Sitrik Asit Konsantrasyonu
Tablo 4C'nin Tablo 4A ve 4B ile karsilastirilmasi, hemen hemen hiç veya minimum
malzeme kaybiyla yüzey iyilestirme elde etmek için en çok islem kosulunun, 780 g /
L'lik yüksek sitrik asit konsantrasyonlarinda meydana geldigi görülebilir. Tablo 4C'de
gösterildigi gibi, 780 g / L'lik yüksek sitrik asit konsantrasyonlarinda, yüzey
sonlandirmasinin önemli ölçüde iyilestirilmesi, 10.8 - 1076 A / m2'lik tüm akim
yogunluklarinda ve 21 ila 85 ° C'lik düsük ila yüksek sicakliklarda ve hem de düsük
ABF konsantrasyonlari olan 10 - 20 g / L ABF ve 120 g / L ABF lik yüksek ABF
konsantrasyonlarinda elde edilebilir.
Sekil 5A ve 5B, 21 ° C'lik temsili bir düsük sicaklikta ve 538 A / m2'lik bir temsili
yüksek akim yogunlugunda malzemenin çikarilma ve yüzey kaplamasindaki
degisiklikleri göstermektedir. Sekil 5B'den, 60 g / L'nin altindaki ABF
konsantrasyonlari için 600 g / L'nin altindaki tüm sitrik asit konsantrasyonlarinda
yüzey kalitesinin azalmasinin mütevazi oldugu ve yüzey kaplamasinin, 600 g / L'nin
üzerindeki yüksek sitrik asit konsantrasyonlarinda ve spesifik olarak 780 g / L'de 10-
120 g / L olan tüm ABF konsantrasyonlari için gerçekten iyilestigi görülmektedir. Ek
olarak, Sekil 5A, bu islem kosullarinda malzeme çikarmanin oraninin nispeten düsük
oldugunu göstermektedir. Bu nedenle, bu yüzey bilesimi, sicaklik ve akim yogunlugu
araliginda çalismak, minimum yüzey bozulumu veya belki de mütevazi yüzey finisi
iyilestirmesi ile mütevazi kontrollü malzeme uzaklastirrnanin basarilmasi için arzu
edilebilir, ancak büyük ölçekli malzeme giderimi için özellikle etkili olmayacaktir.
Ayni sekilde, Sekil 6A ve 6B, 21 ° C'lik temsili bir düsük sicaklikta ve 1076 A /
m2'lik bir yüksek akim yogunlugunda, malzeme kaldirma ve yüzey cidarindaki
degisiklikleri göstermektedir. Sekil 6B'de, 10 g / L'den daha büyük ve 120 g / L'den
daha düsük ABF konsantrasyonlari için 600 g / L'nin altindaki tüm sitrik asit
konsantrasyonlarinda küçük ve mütevazi yüzey finis gelisiminin elde edildigi ve ve
yüzey finisinin 600 g / L ve üzeri sitrik asit konsantrasyonlarinda en belirgin sekilde
iyilestigini görülmektedir. Ek olarak, Sekil 6A, bu islem kosullarinda malzeme
çikarilma oraninin, 300 g / L sitrik asit ve 120 g / L ABF`ye yakin bilesimler hariç,
nispeten düsük oldugunu göstermektedir, burada malzeme çikarma orani, önemli bir
yüzey degradasyona neden olmaksizin daha yüksektir. Bu nedenle, minimal yüzey
bozulumu veya belki de mütevazi yüzey finisi iyilestirmesi ile mütevazi kontrollü
malzeme uzaklastirmanin elde edilmesi için, bu bilesimler, sicaklik ve akim
yogunlugu araliklarinda çalisilmasi arzu edilebilir, ancak büyük ölçekli malzeme
giderimi için özellikle etkili olmayacaktir.
Sekil 7A ve 7B, belirli kosullar altinda kontrollü malzeme çikarmanin ve yüzey
iyilestirmesinin eszamanli olarak gerçeklestirilebilecegini göstermektedir. Özellikle,
yaklasik 10 g / L'lik bir ABF konsantrasyonunda, Sekil 7A, nir is parçasi, 85 ° C'lik
yüksek bir sicaklikta ve 1076 A / m2'lik yüksek bir akim yogunlugunda elektrolit
çözeltisine maruz kaldiginda, tüm sitrik asit konsantrasyonlari boyunca tutarli
mütevazi malzeme kaldirma oranlarini gösterir. Ayni kosullarda, Sekil 7B, 60 g / L'ye
esit veya daha büyük tüm sitrik asit konsantrasyonlarmda yüzey cilasinda önemli bir
gelismeyi göstermektedir. Daha yüksek ABF konsantrasyonlarinda, 20 g / L ila 120 g
/ L ABF'de bile, yüzey temizliginde önemli bir bozulma olmaksizin ABF
konsantrasyonuna dogrudan baglantili olarak malzeme giderimi elde edilebilir. Fakat,
600 g / L sitrik asit veya daha yüksek sitrik asit konsantrasyonlarinda, malzeme
çikarma oranlari önemli ölçüde azalir.
Yüzey pürüzlülügünü sadece alçakgönüllüyken, pürüzlülügü yaklasik % 50'den az bir
oranda arttirirken, kontrollü malzeme çikarmanin gerçeklestirilebildigi çesitli çalisma
kosullari tanimlanmistir. Sekiller 8A-8B, 9A-9B ve lOA-IOB, bu kategorideki örnek
çalisma kosullarini göstermektedir.
Sekil 8A, yüksek sicaklikta (85 ° C) ve düsük akim yogunlugunun (10.8 A / m2)
sartlarinda, sitrik asit konsantrasyonlari için tüm ABF konsantrasyonlarinda oldukça
sabit bir madde kaldirma oraninin elde edilebildigini göstermektedir. Yaklasik 60 g /
L ila yaklasik 300 g / L araliginda, ABF konsantrasyonuna dogrudan baglantili olarak
daha büyük malzeme çikarma oranlari elde edilmektedir. Sekil 8B, bu sitrik asit ve
ABF konsantrasyon araliklari için, yüzeyin bozulmasinin, spesifik sitrik asit ve ABF
konsantrasyonlari göz önüne alinmaksizin, neredeyse tutarli oldugunu göstermektedir.
600 g / L'lik ve daha yüksek sitrik asit konsantrasyonlari, elektrolit çözeltisinin
malzeme kaldirma kapasitesini büyük ölçüde azaltir veya hatta durdurur ve ayrica, 60
g / L'lik bir ABF konsantrasyonunda, orta yüzeyde yüzey bozulmasinda ve hatta
yüzey finisinde hafif bir artisa neden olabilir. Sekil. 9A ve 9B, yüksek sicaklikta (85 °
C) ve yüksek akim yogunlugunda (538 A / m2) durumdaki çok benzer sonuçlari
göstermektedir. Sekil 10A ve 10B, benzer sonuçlarin, 71 ° C'lik daha düsük bir
sicaklikta ve 215 A / m2'lik bir ilimli akim yogunlugunda bile yaklasilabilecegini
göstermektedir.
Burada açiklanan test verilerine dayanarak, sicakligin ve akim yogunlugunun kontrol
edilmesiyle, ayni sulu elektrolit çözeltisi banyosunun, nispeten düsük bir miktarda ilk
ve kontrollü bir malzeme miktarinin çikarilmasini içeren çok asamali bir islemde
kullanilabilecegi asikardir. akim yogunlugu ve daha sonra sicakligi korurken veya
hafif bir sekilde düsürürken akim yogunlugunu yüksek bir seviyeye yükselterek
yüzeyi iyilestirir. Örnegin, 300 g / L sitrik asit ve 120 g / L ABF içeren bir çözelti
kullanildiginda, yüzey finisini % 30'dan daha az oranda düsürürken, daha az malzeme
çikarilirken ayni sicaklikta ve 1076 A / m2'lik bir akim yogunlugunda (bakiniz Sekil
7A ve 7B) yüzey iyilestirmesi elde edilebilirken, 85 ° C'lik bir sicaklikta ve 53.8 A /
m2'lik bir akim yogunlugunda mütevazi materyal çikarma oranlari elde edilebilir
(Sekil 3D'e bakiniz).
Sitrik asit konsantrasyonu 600 g / L'dir veya daha yüksek bir degere yükseldiginde
ortaya çikan güçlü malzeme giderme azaltma etkisine bagli olarak, sitrik asit
konsantrasyonunun, sicaklik ve akim yogunluguna ek olarak degistirilmesiyle, çok
adimli islem için birçok sartin kombinasyonlari bulunabilir. Örnegin, Sek. 8A ve
yogunluguna sahip olan bir elektrolit çözeltisi kullanilarak, mütevazi bir yüzey
degradasyonu ile agresif malzeme giderimi, bir sitrik asit konsantrasyonunda elde
edilebilir. Bir birinci islem basamaginda 300 g / L, ve daha sonra ikinci islem
asamasinda sitrik asit konsantrasyonunu 780 g / L'ye yükseltmek suretiyle, yüzey
temizligi önemli ölçüde gelistirilirken malzeme çikarilmasi neredeyse durdurulabilir.
Benzer sonuçlar Sekil 9A ve 9B'deki yüksek sicaklik, daha yüksek akim yogunlugu
kosullari veya Sekil 10A ve lOB'nin orta yüksek sicaklik, orta yogunluktaki kosullar
kullanilarak elde edilebilir.
Çok düsük konsantrasyonlarda amonyum bifluorürün hem malzeme gideriminde hem
de mikro parlatmada etkili oldugu bulunmustur. Sekil lA'da gösterildigi gibi, malzeme
kaldirma oranlari yüksek sicakliklarda en yüksektir, bu nedenle daha düsük
konsantrasyonlarda amonyum bifluorürün 85 ° C veya daha yüksek sicakliklarda daha
yüksek sicakliklarda daha etkili olmasi beklenir. Hem sitrik asit hem de amonyum
bifluorür konsantrasyonlari 2 g / L olan örnek bir elektrolit çözeltisinde, malzeme
giderimi ve yüzey kaplama degisiklikleri gözlenmistir. 285 A / m2`de, 0,188 mm /
s'lik malzeme çikarma oranlari kaydedildi ve % -156'lik bir yüzey kalitesi degisikligi
(bozunma) kaydedildi. 0 A / m2'de, 0.0035 mm / s'lik bir malzeme çikarma orani,% -
187`lik bir yüzey yüzeyi degisikligi ile kaydedildi.
Benzer sekilde, 2 g / L ABF`nin sulu bir çözeltisinde islendiginde ve 271 A / m2'1ik
bir uygulanmis akim ile hiçbir sitrik asitte islenmediginde, 0.004 mm / s`lik malzeme
çikarma oranlari kaydedildi, buna karsilik gelen yüzey bitirme degisimi (bozunma) %
yüzey kalitesi degisikligi ile kaydedildi.
Etkili olmasi için gerekli olan en az miktarda ABF'nin kullanilmasi tercih edilirken,
240 g / L ila 360 g/ L kadar yüksek seviyelerde amonyum bifluorür konsantrasyonlari
dahil olmak üzere, 120 g / L'yi asan konsantrasyonlar, ve hatta sudaki doygunluktan
fazla konsantrasyonlar kullanilabilir. Yüksek konsantrasyonlarda ABF`de elektrolit
çözeltilerinin etkinligi, ABF`nin 179.9 g / L'lik bir sitrik asit çözeltisine, 67 ° C'de
eklenmesiyle test edildi. Bu çözelti nispeten düsük elektrik direncine sahip oldugu
için, daha yüksek ABF konsantrasyonlarinin, özellikle daha yüksek akim yogunlugu
seviyelerinde, çözeltide daha yüksek iletkenlik saglayabilecegi beklenmistir. Sicaklik,
elektrolitin direncini azaltmak için oda sicakliginin üzerinde de yükseldi. Hem CP
titanyum hem de nikel bazli alasimi 718 numuneleri elektrolite maruz birakilmis ve
ABF eklendiginde, yigin malzeme giderimi ve mikro parlatma devam etmistir. ABF,
elektrolit içindeki doyma noktasinin üstüne ve ötesine eklenmistir. Bu parametreler
altinda ABF`nin doyma noktasi (sicaklik ve basinçla degisir) yaklasik 240 g / L ve
yaklasik 360 g / L arasindaydi. Tablo 5'teki veriler, elektrolit çözeltisinin, hem dökme
metal giderimi hem de ABF konsantrasyonlarinda, sudaki doyma konsantrasyonlarina
kadar ve bunlarin asilmasi için mikro-parlatma için etkili oldugunu göstermektedir.
255.000 A / m2`ye yaklasanlar da dahil olmak üzere nispeten yüksek akim
yogunluklarinda mikro parlatma ve dökme metal giderimi için elektrolit çözeltilerinin
etkinligini belirlemek için testler yapilmistir. Literatürden düsük direnç degerlerine
sahip elektrolitlerin yüksek akim yogunluklarini tolere edebildigi anlasilmaktadir.
Bazi sitrik asit konsantrasyonu kombinasyonlari ve ABF konsantrasyonu özellikle
düsük direnç sergiler. Örnegin, yaklasik 71 ° C ila 85 ° C sicaklik araliginda yaklasik
180 g / L sitrik asit içeren bir elektrolit çözeltisi, yüksek akim yogunluklarinda
incelenmistir. Ticari olarak saf (CP) titanyum ve nikel bazli alasimi 718 numuneleri,
artan akim yogunlugu ile maruz birakilmistir. Tablo 5'teki veriler, 255,000 A / m2 de
dahil olmak üzere, araliktaki tüm test edilen akim yogunluklarinda dökme malzeme
çikarma ve mikro parlatma islemlerinin gerçeklestirildigini göstermektedir. Titanyum
ve titanyum alasimlarinin islenmesine kiyasla, Özellikle yaklasik 5000 A / m2'de daha
yüksek akim yogunluklari, nikel bazli alasimlari islemek için yararli olabilir.
CP titanyum, yaklasik 40 volta esit olandan daha düsük nispeten düsük voltajlar
kullanilarak etkin bir sekilde islenirken, daha yüksek voltajlar da kullanilabilir. Örnek
bir testte, CP titanyum, bir 64.7 VDC'lik bir potansiyel ve 53.160 A/ m2'lik bir akim
yogunlugu uygulayarak 85.6 ° C'de yaklasik 180 g / L sitrik asit ve yaklasik 120 g / L
ABF içeren bir sulu elektrolit çözeltisi banyosunda islendi. Bu kosullar altinda, 5 mm
/ saatlik bir toplu metal giderim orani, yüzey profilometresi pürüzlülügünün % 37.8
iyilesmesi ile birlikte elde edildi ve bu, görsel olarak parlak, yansitici bir görünüm
sergileyen bir yüzeye neden oldu. Ayni kimyasal elektrolit, voltaji 150 VDC'ye
yükselttikten ve akim yogunlugunu 5.067 A / m2`ye indirdikten sonra dökme
metallerin çikarilmasi için CP titanyum numuneleri üzerinde etkili olmaya devam etti,
ancak bu kosullar altinda metal çikarma orani 0.3 mm / saat'e yavasladi ve kaplama,
bir satin görünümüne hafifçe ayrildi.
Bazi metaller ve alasimlar için, daha yüksek voltajlar, yigin malzemenin çikarilmasi
ve yüzey bitirmesinin bir veya her ikisinin elde edilmesinde esit veya daha etkili
olabilir. Özellikle, nikel bazli alasimlar (Waspaloy ve nikel alasimi 718 gibi, 18k
altin, saf krom ve Nitinol alasimlari dahil ancak bunlarla sinirli olmayan belirli
metaller, daha hizli dökme metal giderimi ve / veya daha iyi yüzey finisi iyilestirmesi
ile daha yüksek voltaj isleminden fayda görürler. 718 nikel baz alasiminda nispeten
yüksek voltajdaki örnek bir deneyde, 150 VDC'lik bir potansiyel ve bir akim
ABF içeren bir sulu elektrolit içinde islenen örnekler 4,934 A / m2, sadece 0.09 mm /
saat'lik bir dökme metal çikarma orani ile sonuçlanmistir, ancak yüzey profili
ölçümüne dayali olarak % 33.8'1ik bir düzgün yüzey bitirme performansi elde
edilmistir.
Birikmis erimis metalin elektrolit çözeltisi içindeki etkisini degerlendirmek için,
yaklasik 1135 litrelik bir banyo içinde sirayla 6.6 cm x 13.2 cm boyutlarinda yaklasik
3.3 metre boyutlarinda 21 Ti-6Al-4V dikdörtgen çubuklar sirayla islenmistir. Islem,
tipik degirmen ürün formlarinda yüksek kontrollü metal çikarmayi göstermek idi. 21
parça dikdörtgen çubuk üzerinde, toplam 70,9 kg malzeme hacmi çubuklardan
çikarildi ve elektrolit çözeltisi içinde süspanse edildi. Birinci çubuk, çözelti içinde 0 g
/ L çözünmüs metal ile islem baslatti ve son çubuk, 60 g / L'nin üzerinde çözünmüs
metal içerigi ile islendi. islemin baslangicindan islemin sonuna kadar, metalin yüzey
kosullari veya metal çikarma oranlari üzerinde herhangi bir zararli etki görülmemistir
ve elektrolit solüsyonu içindeki artan çözünmüs metal içeriginin bir sonucu olarak
isletim parametrelerinde herhangi bir önemli degisiklik gerekmemektedir. Bu,
titanyumun HF / HN03 asit dekapajindan elde edilen sonuçlarin aksine, solüsyon 12
g/ L'lik çözelti içindeki titanyum konsantrasyonlarinda bile daha az etkili olmaktadir.
Benzer sekilde, elektrokimyasal isleme elektrolit solüsyonunda yüksek seviyelerde
çözünmüs meta] tarafindan engellenir, çünkü metal parçaciklari katot ile anodik is
parçasi arasindaki boslugu engelleyebilir ve eger kati madde elektriksel olarak
iletkense kisa devre bile verebilir.
Bunlarin örnek düzenlemeleri ile baglantili olarak tarif edilmesine ragmen, teknikte
uzman kisilerce takdir edilecektir ki, özel olarak tarif edilmeyen eklemeler,
delesyonlar, modifikasyonlar ve sübstitüsyonlar, ekteki istemlerde tanimlandigi gibi
bulusun sahasindan ayrilmadan yapilabilir ve bulusun açiklanan belirli düzenlemelerle
sinirli degildir.
Claims (10)
1. Demir içermeyen bir metal is parçasinin bir yüzeyini mikro-kaplamanin bir yöntemi olup yöntem: yüzeyi, 1.6 g / L ila 780 g / L araliginda bir sitrik asit konsantrasyonu ve 2 g / L ila 120 g / L araliginda bir amonyum bifluorür konsantrasyonu ve 3.35 g / L'den daha az güçlü bir asit içeren bir sulu elektrolit çözeltisi banyosuna maruz birakma; banyo sicakligini donma noktasi ile çözeltinin kaynama noktasi arasinda olacak sekilde kontrol etme; is parçasini bir DC güç kaynaginin anodik elektroduna baglamak ve DC güç kaynaginin katodik bir elektrotunu banyoya daldirma; ve banyo boyunca bir akim uygulama adimlarini içerir.
2. Istem l'in mikro-kaplama yöntemi olup, akim uygulamasi akimin açilip kapanmasi döngüsünü içerir.
3. Istem l'in mikro-kaplama yöntemi olup, akim uygulamasi en az iki farkli akim yogunlugu arasinda döngü içerir.
4. Istem l e göre bir mikro-kaplama yöntemi olup, akim metre kare basina 10.8 amper ila metre kare basina 1076 amper araliginda uygulanir.
5. Istem 1`in mikro-kaplama yöntemi olup, sulu elektrolit çözeltisi, 600 g / L'den büyük veya buna esit bir sitrik asit konsantrasyonu ve 10 g / L ila 120 g/ L araliginda bir amonyum biIluorür konsantrasyonu içerir.
6. Istem 5'e ait bir mikro-kaplama yöntemi olup, sulu elektrolit çözeltisi, 20 g / L'den daha az veya buna esit olan bir amonyum bifluorür konsantrasyonunu içerir ve sicaklik 71 ° C'den büyük veya ona esit olarak kontrol edilir.
7. Istem l'in mikro-kaplama yöntemi olup, sulu elektrolit çözeltisi, 300 g / L'den az veya buna esit bir sitrik asit konsantrasyonu ve 10 g / L ila 120 g / L araliginda bir amonyum bifluorür konsantrasyonu içerir.
8. Istem l 'e göre mikro parlatma yöntemi olup, burada sulu elektrolit çözeltisi 600 g / L'den daha büyük veya ona esit bir sitrik asit konsantrasyonu ve 20 g / L'den daha az veya esit bir amonyum biflorür konsantrasyonu içerir; burada banyonun sicakligi 54 ° C'den büyük veya ona esittir; ve burada akim, metre kare basina 538 amperden büyük veya esit bir yogunlukta ve metrekare basina 255.000 amperden az veya esit olarak uygulanir.
9. Demir içermeyen bir metal is parçasi üzerinde, tek biçimli kontrollü yüzey materyali çikarma yöntemi olup, yöntem: yüzeyi, 600 g / L'den az veya buna esit bir sitrik asit konsantrasyonu ve '120 g / L'ye esit veya daha düsük bir amonyum biflorür konsantrasyonu ve en fazla 3,35 g/ L lik güçlü asite sahip olan bir sulu elektrolit çözeltisi banyosuna maruz birakma; banyo sicakligini 71 ° C'den büyük veya esit olacak sekilde kontrol etme; is parçasini bir DC güç kaynaginin anoduna baglama ve banyodaki DC güç kaynaginin katotunu daldirma; ve banyo boyunca bir akim uygulama adimlarini içerir.
10. Istem 9'un yöntemi olup, uygulanan akim metre kare basina 1076 amperden küçük veya esittir.
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US26360609P | 2009-11-23 | 2009-11-23 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TR201815028T4 true TR201815028T4 (tr) | 2018-11-21 |
Family
ID=44060399
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TR2018/15028T TR201815028T4 (tr) | 2009-11-23 | 2010-11-22 | Elektro parlatma yöntemleri. |
Country Status (17)
Country | Link |
---|---|
US (2) | US8357287B2 (tr) |
EP (1) | EP2504469B1 (tr) |
JP (2) | JP5973351B2 (tr) |
KR (1) | KR101719606B1 (tr) |
CN (2) | CN102686786B (tr) |
AU (1) | AU2010321725B2 (tr) |
BR (1) | BR112012012250B8 (tr) |
CA (1) | CA2781613C (tr) |
DK (1) | DK2504469T3 (tr) |
EA (2) | EA201500017A1 (tr) |
ES (1) | ES2690200T3 (tr) |
MX (1) | MX2012005909A (tr) |
PL (1) | PL2504469T3 (tr) |
SI (1) | SI2504469T1 (tr) |
TR (1) | TR201815028T4 (tr) |
UA (1) | UA109537C2 (tr) |
WO (1) | WO2011063353A2 (tr) |
Families Citing this family (18)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US8580103B2 (en) | 2010-11-22 | 2013-11-12 | Metcon, Llc | Electrolyte solution and electrochemical surface modification methods |
US9322109B2 (en) | 2013-08-01 | 2016-04-26 | Seagate Technology Llc | Electro-chemically machining with a motor part including an electrode |
RU2545169C1 (ru) * | 2013-11-08 | 2015-03-27 | Федеральное государственное казенное военное образовательное учреждение высшего профессионального образования Военная академия Ракетных войск стратегического назначения имени Петра Великого МО РФ | Устройство контроля плотности электролита аккумуляторной батареи |
CN103990874A (zh) * | 2014-04-18 | 2014-08-20 | 张家港华宝机械制造有限公司 | 一种用于钛合金电解加工的非水基电解液及其制备方法 |
CN104028862B (zh) * | 2014-05-06 | 2017-02-22 | 张家港华宝机械制造有限公司 | 一种钛合金细长轴的电解加工方法及加工设备 |
DE102014006739B3 (de) * | 2014-05-12 | 2015-06-25 | Albert-Ludwigs-Universität Freiburg | Verfahren zur Beschichtung von Oberflächen mit Nanostrukturen, nach dem Verfahren her- gestelltes Bauteil und Verwendung des Bauteils |
US9648723B2 (en) | 2015-09-16 | 2017-05-09 | International Business Machines Corporation | Process of fabricating printed circuit board |
GB2543058B (en) | 2015-10-06 | 2022-04-06 | Wallwork Cambridge Ltd | Smoothing the surface finish of rough metal articles |
DE102016125244A1 (de) | 2016-12-21 | 2018-06-21 | Airbus Defence and Space GmbH | Verfahren für das Elektropolieren von einem metallischen Substrat |
KR102518398B1 (ko) * | 2018-06-20 | 2023-04-04 | 에스케이넥실리스 주식회사 | 고신뢰성 동박, 그것을 포함하는 전극, 그것을 포함하는 이차전지, 및 그것의 제조 방법 |
CA3133711A1 (en) * | 2019-04-09 | 2020-10-15 | 3DM Biomedical Pty Ltd | Electropolishing method |
US11447887B2 (en) | 2020-12-10 | 2022-09-20 | Saudi Arabian Oil Company | Surface smoothing of copper by electropolishing |
US11512400B2 (en) | 2020-12-10 | 2022-11-29 | Saudi Arabian Oil Company | Electrochemical reduction of carbon dioxide |
US11718575B2 (en) | 2021-08-12 | 2023-08-08 | Saudi Arabian Oil Company | Methanol production via dry reforming and methanol synthesis in a vessel |
US11578016B1 (en) | 2021-08-12 | 2023-02-14 | Saudi Arabian Oil Company | Olefin production via dry reforming and olefin synthesis in a vessel |
US11787759B2 (en) | 2021-08-12 | 2023-10-17 | Saudi Arabian Oil Company | Dimethyl ether production via dry reforming and dimethyl ether synthesis in a vessel |
JP7108984B1 (ja) | 2021-09-22 | 2022-07-29 | 哲男 原田 | チタン合金表面の酸化被膜の除去 |
US11617981B1 (en) | 2022-01-03 | 2023-04-04 | Saudi Arabian Oil Company | Method for capturing CO2 with assisted vapor compression |
Family Cites Families (73)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3242062A (en) * | 1966-03-22 | Fluorine-cuntaining electrolyte for electrolytic cutting of metals | ||
US3019194A (en) * | 1957-02-18 | 1962-01-30 | Alan D Brite | Cleaning composition and method |
US3003896A (en) * | 1958-01-17 | 1961-10-10 | Rohr Aircraft Corp | Process and composition for treating aluminum alloys |
NL241653A (tr) * | 1958-08-07 | |||
US2942956A (en) * | 1958-10-13 | 1960-06-28 | Wyandotte Chemicals Corp | Aluminum brightener compositions |
US3087874A (en) * | 1961-02-13 | 1963-04-30 | Don H Greisl | Electropolishing of titanium base alloys |
US3290174A (en) * | 1961-10-09 | 1966-12-06 | Rohr Corp | Two-stage process for derusting and protecting the surfaces of ferrous materials |
US3239440A (en) * | 1964-11-23 | 1966-03-08 | Titanium Metals Corp | Electrolytic pickling of titanium and titanium base alloy articles |
US3300896A (en) | 1965-05-10 | 1967-01-31 | Res Engineering Co | Hydroponic growth of plants |
US3489522A (en) * | 1965-10-15 | 1970-01-13 | Synvar Ass | Electron spin resonance labeling of biomolecules |
US3817844A (en) * | 1968-10-04 | 1974-06-18 | Rohr Corp | Method of electrolitic descaling activating and brightening and plating titanium and its alloys |
US3725224A (en) | 1971-06-30 | 1973-04-03 | Rohr Industries Inc | Composition for electrolytic descaling of titanium and its alloys |
US3841978A (en) * | 1972-12-11 | 1974-10-15 | Kerr Mc Gee Chem Corp | Method of treating a titanium anode |
US3975245A (en) * | 1975-12-05 | 1976-08-17 | United Technologies Corporation | Electrolyte for electrochemical machining of nickel base superalloys |
US4220706A (en) * | 1978-05-10 | 1980-09-02 | Rca Corporation | Etchant solution containing HF-HnO3 -H2 SO4 -H2 O2 |
US4189357A (en) * | 1978-10-10 | 1980-02-19 | Kerr-Mcgee Corporation | Method of treating a substrate material to form an electrode |
SU881157A1 (ru) * | 1979-07-10 | 1981-11-15 | Предприятие П/Я Р-6585 | Раствор дл электрохимического полировани титановых сплавов |
US4220509A (en) * | 1979-07-30 | 1980-09-02 | Karyazin Pavel P | Electrolyte for electrochemical polishing of articles made of titanium and titanium alloys |
DE2949807B1 (de) * | 1979-12-11 | 1981-07-16 | Schenk Filterbau Gmbh, 7076 Waldstetten | Elektrolytloesung zum Elektropolieren |
GB2074189A (en) * | 1980-04-16 | 1981-10-28 | Rolls Royce | Treating a titanium or titanium base alloy surface prior to electroplating |
EP0139958B1 (de) * | 1983-08-23 | 1986-11-05 | BBC Aktiengesellschaft Brown, Boveri & Cie. | Verfahren zum elektrolytischen Polieren eines Werkstücks aus einer Legierung auf Nickel-, Kobalt- oder Eisenbasis |
CN85102448A (zh) * | 1985-04-01 | 1986-04-10 | 周继龙 | 汽缸串联四冲程往复式活塞内燃机 |
JPS63195300A (ja) * | 1987-02-09 | 1988-08-12 | Mitsubishi Metal Corp | ジルコニウムおよびジルコニウム合金の電解研摩用電解液 |
JP2508520B2 (ja) * | 1987-02-09 | 1996-06-19 | 三菱マテリアル株式会社 | ZrおよびZr合金電解研摩用電解液 |
KR930021830A (ko) * | 1992-04-03 | 1993-11-23 | 정광식 | 금속 피막의 박리 방법 |
US5538600A (en) * | 1994-07-27 | 1996-07-23 | Aluminum Company Of America | Method for desmutting aluminum alloys having a highly-reflective surface |
TW387936B (en) * | 1997-08-12 | 2000-04-21 | Kanto Kagaku | Washing solution |
US6479443B1 (en) | 1997-10-21 | 2002-11-12 | Lam Research Corporation | Cleaning solution and method for cleaning semiconductor substrates after polishing of copper film |
US6165956A (en) * | 1997-10-21 | 2000-12-26 | Lam Research Corporation | Methods and apparatus for cleaning semiconductor substrates after polishing of copper film |
US6147002A (en) * | 1999-05-26 | 2000-11-14 | Ashland Inc. | Process for removing contaminant from a surface and composition useful therefor |
US6673757B1 (en) * | 2000-03-22 | 2004-01-06 | Ashland Inc. | Process for removing contaminant from a surface and composition useful therefor |
FR2795433B1 (fr) | 1999-06-25 | 2001-08-31 | Org Europeene De Rech | Composition de bain pour le polissage electrolytique du titane, et son procede d'utilisation |
US6352636B1 (en) * | 1999-10-18 | 2002-03-05 | General Electric Company | Electrochemical system and process for stripping metallic coatings |
US7128825B2 (en) * | 2001-03-14 | 2006-10-31 | Applied Materials, Inc. | Method and composition for polishing a substrate |
JP2002343797A (ja) * | 2001-03-16 | 2002-11-29 | Ebara Corp | 配線形成装置及びその方法 |
JP3907432B2 (ja) * | 2001-03-16 | 2007-04-18 | 株式会社荏原製作所 | 電解研磨用電解液及び電解研磨方法 |
US6549443B1 (en) * | 2001-05-16 | 2003-04-15 | Rockwell Collins, Inc. | Single event upset resistant semiconductor circuit element |
US6627546B2 (en) * | 2001-06-29 | 2003-09-30 | Ashland Inc. | Process for removing contaminant from a surface and composition useful therefor |
JP3484525B2 (ja) * | 2001-07-06 | 2004-01-06 | 株式会社ケミカル山本 | ステンレス鋼表面の清浄、不動態化処理方法 |
KR100807524B1 (ko) * | 2001-10-12 | 2008-02-26 | 엘지.필립스 엘시디 주식회사 | 펜타일 매트릭스 패널의 데이터배선 구조 |
US20070295611A1 (en) * | 2001-12-21 | 2007-12-27 | Liu Feng Q | Method and composition for polishing a substrate |
JP2003193300A (ja) * | 2001-12-26 | 2003-07-09 | Sony Corp | 半導体装置の製造方法、電解エッチング装置および半導体製造装置 |
DE10259365A1 (de) * | 2002-04-08 | 2003-10-30 | Siemens Ag | Vorrichtung und Verfahren zur Entfernung von Oberflächenbereichen eines Bauteils |
JP4221191B2 (ja) * | 2002-05-16 | 2009-02-12 | 関東化学株式会社 | Cmp後洗浄液組成物 |
TW567545B (en) * | 2002-06-04 | 2003-12-21 | Merck Kanto Advanced Chemical | Electropolishing electrolytic solution formulation |
US6835300B2 (en) * | 2002-09-13 | 2004-12-28 | General Electric Company | Electropolishing solution and methods for its use and recovery |
US6969457B2 (en) * | 2002-10-21 | 2005-11-29 | General Electric Company | Method for partially stripping a coating from the surface of a substrate, and related articles and compositions |
JP2004143530A (ja) * | 2002-10-24 | 2004-05-20 | Ekusebun:Kk | 金属表面洗浄剤 |
DE10259934B3 (de) * | 2002-12-20 | 2004-10-14 | H.C. Starck Gmbh | Verfahren zur Herstellung von Formteilen aus Niob oder Tantal durch elektrochemisches Ätzen und so erhältliche Formteile |
KR20040059132A (ko) * | 2002-12-28 | 2004-07-05 | 주식회사 포스코 | 우수한 내식성 및 용접성을 갖는 도금강판 및 이에사용되는 도금용액 |
DE10320909A1 (de) * | 2003-05-09 | 2004-11-18 | Poligrat Holding Gmbh | Elektrolyt zum elektrochemischen Polieren von Metalloberflächen |
KR100680255B1 (ko) * | 2003-11-24 | 2007-02-09 | 신홍섭 | 마그네슘 및 마그네슘 합금의 친환경적 표면처리방법 |
CN1754992A (zh) * | 2004-09-28 | 2006-04-05 | 北京有色金属研究总院 | 钛镍合金电化学抛光液 |
TWI294923B (en) | 2004-10-06 | 2008-03-21 | Basf Electronic Materials Taiwan Ltd | Electropolishing electrolyte and method for planarizing a metal layer using the same |
US20060266657A1 (en) * | 2005-05-31 | 2006-11-30 | Igor Berkovich | Electropolishing in organic solutions |
US20060278535A1 (en) * | 2005-06-10 | 2006-12-14 | Aeromet Technologies, Inc. | Apparatus and methods for removing tungsten-containing coatings from a metal component |
KR20070006061A (ko) * | 2005-07-07 | 2007-01-11 | 한국아이디켐주식회사 | 금속 세정제 |
AU2006283664B2 (en) * | 2005-08-19 | 2012-04-12 | Houghton Technical Corp. | Methods and compositions for acid treatment of a metal surface |
JP2007231413A (ja) * | 2006-02-06 | 2007-09-13 | Chiaki Taguchi | ステンレス鋼の電解研磨法に用いる電解液 |
EP1870497A1 (de) * | 2006-06-23 | 2007-12-26 | Siemens Aktiengesellschaft | Verfahren zum elektrochemischen Entfernen einer metallischen Beschichtung von einem Bauteil |
US20080067077A1 (en) * | 2006-09-04 | 2008-03-20 | Akira Kodera | Electrolytic liquid for electrolytic polishing and electrolytic polishing method |
CN101168847A (zh) * | 2006-09-04 | 2008-04-30 | 株式会社荏原制作所 | 用于电解抛光的电解液以及电解抛光方法 |
DE102006047713B3 (de) * | 2006-10-09 | 2008-03-27 | Poligrat Gmbh | Elektropolierverfahren für Niob und Tantal und Elektrolyt |
DE102007011632B3 (de) * | 2007-03-09 | 2008-06-26 | Poligrat Gmbh | Elektropolierverfahren für Titan |
US20100155655A1 (en) * | 2007-07-24 | 2010-06-24 | Yoshiyuki Matsumura | Polishing composition |
JP2009108405A (ja) * | 2007-10-10 | 2009-05-21 | Ebara Corp | 基板を電解研磨する方法及び電解研磨装置 |
US20090107851A1 (en) * | 2007-10-10 | 2009-04-30 | Akira Kodera | Electrolytic polishing method of substrate |
CN100535186C (zh) * | 2007-11-27 | 2009-09-02 | 重庆科技学院 | 镁合金材料的表面处理溶液及处理镁合金材料表面的工艺 |
KR100916479B1 (ko) * | 2007-11-30 | 2009-09-08 | 삼성전기주식회사 | 금속제품 전해가공용 전해액 |
KR100976787B1 (ko) * | 2008-04-25 | 2010-08-18 | 남동화학(주) | 전기아연도금강판 제조용 하지도금용액으로서의철도금용액과 철도금용액이 하지도금액으로 도금된전기아연도금강판 및 그 제조방법 |
KR20090112912A (ko) * | 2008-04-25 | 2009-10-29 | 김낙주 | 옥상 단열 방수층 세라믹 방수 시공방법 및 시공구조 |
CN101265605B (zh) * | 2008-05-09 | 2010-11-17 | 沈阳工业大学 | 一种镁及镁合金阴极电泳表面处理方法 |
CN101591798B (zh) * | 2008-06-01 | 2011-04-20 | 比亚迪股份有限公司 | 一种金属件及其表面处理方法 |
-
2010
- 2010-11-22 CA CA2781613A patent/CA2781613C/en active Active
- 2010-11-22 MX MX2012005909A patent/MX2012005909A/es active IP Right Grant
- 2010-11-22 EA EA201500017A patent/EA201500017A1/ru unknown
- 2010-11-22 EA EA201290385A patent/EA021898B1/ru not_active IP Right Cessation
- 2010-11-22 ES ES10832335.3T patent/ES2690200T3/es active Active
- 2010-11-22 PL PL10832335T patent/PL2504469T3/pl unknown
- 2010-11-22 CN CN201080059249.XA patent/CN102686786B/zh active Active
- 2010-11-22 BR BR112012012250A patent/BR112012012250B8/pt active IP Right Grant
- 2010-11-22 JP JP2012541145A patent/JP5973351B2/ja active Active
- 2010-11-22 CN CN201510889174.2A patent/CN105420805B/zh active Active
- 2010-11-22 TR TR2018/15028T patent/TR201815028T4/tr unknown
- 2010-11-22 EP EP10832335.3A patent/EP2504469B1/en active Active
- 2010-11-22 KR KR1020127016528A patent/KR101719606B1/ko active IP Right Grant
- 2010-11-22 AU AU2010321725A patent/AU2010321725B2/en active Active
- 2010-11-22 WO PCT/US2010/057672 patent/WO2011063353A2/en active Application Filing
- 2010-11-22 SI SI201031768T patent/SI2504469T1/sl unknown
- 2010-11-22 US US12/952,153 patent/US8357287B2/en active Active
- 2010-11-22 UA UAA201207656A patent/UA109537C2/uk unknown
- 2010-11-22 DK DK10832335.3T patent/DK2504469T3/en active
-
2012
- 2012-05-22 US US13/477,550 patent/US20120267254A1/en not_active Abandoned
-
2016
- 2016-02-05 JP JP2016021044A patent/JP2016074986A/ja not_active Abandoned
Also Published As
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TR201815028T4 (tr) | Elektro parlatma yöntemleri. | |
CN105369340A (zh) | 一种钛合金抛光方法 | |
RU2631575C2 (ru) | Раствор электролита и электрохимические способы модификации поверхности | |
Yi et al. | Mechanism study of electropolishing from the perspective of etching isotropy | |
JP2006526071A (ja) | 金属表面を電気化学的に研磨するための電解質 | |
US20170051428A1 (en) | Electrolyte solution and electrochemical surface modification methods | |
JP6219991B2 (ja) | 電解質溶液及び電気化学的な表面改変方法 | |
Wang et al. | Comparison of electrochemical dissolution properties of Hastelloy X in NaCl and NaNO3 solutions | |
CN114059068A (zh) | 一种心脏支架表面化学及等离子体电化学复合抛光方法 | |
IL127079A (en) | Method for obtaining well defined edge radii by electropolishing |