SE514289C3 - Förfarande för katalytisk förbehandling av ett underlag vid strömfri plätering - Google Patents

Förfarande för katalytisk förbehandling av ett underlag vid strömfri plätering

Info

Publication number
SE514289C3
SE514289C3 SE9500571A SE9500571A SE514289C3 SE 514289 C3 SE514289 C3 SE 514289C3 SE 9500571 A SE9500571 A SE 9500571A SE 9500571 A SE9500571 A SE 9500571A SE 514289 C3 SE514289 C3 SE 514289C3
Authority
SE
Sweden
Prior art keywords
chitosan
substrate
solution
electroless plating
plating
Prior art date
Application number
SE9500571A
Other languages
English (en)
Other versions
SE514289C2 (sv
SE9500571D0 (sv
SE9500571L (sv
Inventor
Omura Tottori City Japan Yoshihiko
Original Assignee
Daishin Chemical Co Ltd Tokyo Japan
Omura Toryo Co Ltd Tottori City Japan
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP33109794A external-priority patent/JP3022226B2/ja
Application filed by Daishin Chemical Co Ltd Tokyo Japan, Omura Toryo Co Ltd Tottori City Japan filed Critical Daishin Chemical Co Ltd Tokyo Japan
Publication of SE9500571D0 publication Critical patent/SE9500571D0/sv
Publication of SE514289C3 publication Critical patent/SE514289C3/sv
Publication of SE9500571L publication Critical patent/SE9500571L/sv
Publication of SE514289C2 publication Critical patent/SE514289C2/sv

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/2006Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30
    • C23C18/2046Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins by other methods than those of C23C18/22 - C23C18/30 by chemical pretreatment
    • C23C18/2073Multistep pretreatment
    • C23C18/2086Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/22Roughening, e.g. by etching
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/22Roughening, e.g. by etching
    • C23C18/24Roughening, e.g. by etching using acid aqueous solutions
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/28Sensitising or activating
    • C23C18/285Sensitising or activating with tin based compound or composition
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/28Sensitising or activating
    • C23C18/30Activating or accelerating or sensitising with palladium or other noble metal
    • FMECHANICAL ENGINEERING; LIGHTING; HEATING; WEAPONS; BLASTING
    • F02COMBUSTION ENGINES; HOT-GAS OR COMBUSTION-PRODUCT ENGINE PLANTS
    • F02BINTERNAL-COMBUSTION PISTON ENGINES; COMBUSTION ENGINES IN GENERAL
    • F02B75/00Other engines
    • F02B75/02Engines characterised by their cycles, e.g. six-stroke
    • F02B2075/022Engines characterised by their cycles, e.g. six-stroke having less than six strokes per cycle
    • F02B2075/027Engines characterised by their cycles, e.g. six-stroke having less than six strokes per cycle four
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/10Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
    • H05K3/18Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
    • H05K3/181Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material by electroless plating
    • HELECTRICITY
    • H05ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H05KPRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
    • H05K3/00Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
    • H05K3/38Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
    • H05K3/386Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive
    • H05K3/387Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by the use of an organic polymeric bonding layer, e.g. adhesive for electroless plating

Description

514 289 2 ningssteg användes nu en kromsyraetslösning för plaster och liknande i de flesta fall. Vid det kemiska etssteget ruggas underlagsytan upp mikroskopiskt för att underlätta fysikalisk förankring av en katalysatormetall under katalyseringssteget och för att säkerställa en förankringseffekt i samband med adhesionen av resulterande metalliska beläggning eller plätering på underlaget. I detta avseende är det kemiska etssteget ett mycket viktigt steg (se fig l och 2).
Enligt sensibilisering-aktiveringsmetoden, som är en tvàstegs process, nedsänkes ett underlag först i en lösning av tenn- klorid i sensibiliseringssteget för att adsorbera Sn” pà underlagsytan och behandlas sedan med en lösning av palla- diumklorid i aktiveringssteget för att fälla ut Pd-kärnor enligt en redoxreaktion representerad av formeln ' sn” + Paz* _; sn” + Pa Kemiska ämnen som kan användas vid sensibilisering, dvs sensibilatorer, har länge studerats och beskrives redan i patent från ca 1936 (US-A-2 063 034). Typen av sensibilisator varieras inte så ofta beroende pà typen av underlag och typen av strömfri plätering. En rad olika saltsyrasurgjorda lös- ningar av tennklorid som huvudingrediens användes i sensibi- liseringssteget; Föreslagna andra sensibilisatorer än tenn- klorid inkluderar platinaklorid och titanklorid, som också kan användas i form av en saltsyrasurgjord lösning. Vidare användes en lösning av palladiumklorid (0,2-l g/l, saltsyra: Sml/l) mestadels som aktiveringslösning. Salter av ädelmetal- ler, såsom Pt, An och Ag andra än Pd är också effektiva för en strömfri kopparpläteringslösning.
Katalysatorn som användes vid katalysator-acceleratormetoden är en blandad lösning av tennklorid och palladiumklorid med saltsyra, som är kommersiellt tillgänglig i form av en kon- centrerad lösning, som vanligen spädes med stor mängd av en lösning av saltsyra för att vara klar för användning} Kataly- sator-acceleratormetoden:utföres vid en behandlingstemperatur av 30 - 40°C under en neddoppningstid_av l-3 minuter. 5-10 514 289 3 vol-% svavelsyra eller saltsyra användes i allmänhet som accelerator, som alternativt kan vara en lösning av natrium- hydroxid eller ammoniak. Rantell et al har rapporterat att den blandade lösningen av tennklorid och palladiumklorid med saltsyra ej är kolloidal utan en lösning av ett komplext salt med sammansättning SnPd7Cll6 och solubiliserad i närvaro av överskott av tennklorid. Vidare drog Rantell et al följande slutsats beträffande framåtskridandet av en reaktion i acce- leratorsteget [A. Rantell, A. Holtzman; Plating, 61, 326 (1974)].
I katalysatorsteget adsorberas Sn2+-Pd2+-komplexsalter först på ytan hos ett underlag och det adsorberade komplexsaltet hydrolyseras sedan när substratet tvättas med vatten. Genom hydrolysen utfälls tenn i form av en Sn(OH)Cl-fällning, som är i ett tillstånd av samexistens med fyrvärt tenn och palla- diumsaltet. I det efterföljande acceleratorsteget löses det utfällda tennsaltet och reageras sedan med palladiumsaltet som redan frigjorts från ett komplexsalttillstånd för er- hållande av palladiummetall i enlighet med följande redox- reaktion: snz* + Paz*-è>sn4* + Pd Som resultat kvarstannar palladiummetall och små mängder tvåvärda och fyrvärda tennsalter på underlagsytan.
De reaktionsmekanismer som är inbegripna vid sensibilise- rings-aktiveringsmetoden och katalysator-acceleratormetoden som de konventionella katalyseringsmetoderna för strömfri plätering har väsentligen utvärderats såsom angetts ovan.
Många reaktioner är dock involverade innan katalytiska kärnor av en metall, såsom palladium, utfälles. Katalysatormetallen går sålunda förlorad efter hand i form av olika reaktionsmel- lanprodukter bildade vid respektive reaktioner varje gång vid tvättning av ett underlag med vatten och samma saker gäller för varje sådan reaktion. Den slutliga återstoden av kataly- satormetallen påverkas starkt av många faktorer såsom kon- centrationer, pH-värden och temperaturer på lösningar som 514 289 4 användes i respektive steg samt nedsänkningsperioder för sådana lösningar liksom betingelserna vid avfettning och uppruggning av underlagsytan. När den slutgiltiga upptag- ningen av katalysatormetallen är otillräcklig är sålunda vidhäftningen av resulterande metalliska beläggning på under- laget alltid oriktig och förorsakar ett fel i pläteringen.
Ovannämnda fenomen tillskrives den "fysikaliska adsorptionen" av sådana katalyserade mellanprodukter och metallkatalysatorn förankrad i mikroporer i ytdelen av underlaget som mikro- skopiskt ruggats upp genom kemisk etsning.
Ett mål för uppfinningen var att ta fram ett helt nytt för- farande, som möjliggör starkare adsorptiv bindning av en katalysator på ytan hos ett underlag för att åstadkomma en klar förbättring i adhesionen av en metallisk avsättning eller plätering på underlaget genom att inte tillämpa vare sig sensibilisering-aktiveringsmetoden eller katalysator- acceleratormetoden.
Enligt uppfinningen avses ett förfarande för katalytisk förbehandling av ett underlag vid strömfri plätering innefat- tande att man bildar en beläggningsfilm innefattande chitosan eller ett chitosan-derivat på ytan av ett icke ledande under- lag och därefter behandlar beläggningsfilmen med en lösning av ett salt av en katalysatormetall för att åstadkomma kemisk sorption därav på beläggningsfilmen. Enligt uppfinningen möjliggör den starka kemiska sorptionen av katalysatormetal- len på beläggningsfilmen innefattande chitosan eller chito- sanderivatet smidig strömfri plätering på ytan av det icke ledande underlaget.
Chitosan (ß-1,4-poly-D-glukosamin), som kan användas enligt uppfinningen, erhålles genom deacetylering av chitin (ß-l,4- poly-N-acetylglukosamin), som extraheras som naturpolymer ur skal och liknande från krabbor och liknande. Chitosan är en katjonisk biopolymer uppvisande aminogrupper och ett nytt material med nyttiga egenskaper såsom fuktretentioner, fungi- cida egenskaper och förmåga att absorbera tungmetaller. 514 289 Chitosan har en om chitin påminnande biologisk anpassbarhet och användningen därav inom farmaceutiska och biokemiska områden, såsom artificiell hud, är därför under studier.
Föreliggande uppfinning har fullbordats med uppmärksamheten inriktad på förmågan hos chitosan att absorbera metall, i synnerhet en specifik förmåga hos chitosan att absorbera ädelmetaller såsom palladium, platina och rhodium. Förutom chitosan kan också användas chitosanderivat såsom karboxime- tylchitosan och glykolchitosaner. De acetyleringsgrader hos chitosan eller chitosanderivatet för användning enligt upp- finningen är helst minst 80%, företrädesvis minst 90%. När chitosan användes, som uppvisar en deacetyleringsgrad lägre än 80%, kan dess adsorptivitet för en katalysatormetall såsom palladium, beläggningsfilmens hydrofilicitet etc eventuellt menligt påverkas.
Exempel på icke ledande ämnen som kan användas som underlag i samband med uppfinningen inkluderar plaster, keramer, papper, glas och fibrer, som inte direkt kan pläteras genom strömplä- tering.
Vid bildandet av en strömfri plätering på ytan av det icke ledande underlaget belägges i enlighet med förfarandet enligt uppfinningen ytan av det icke ledande underlaget med en behandlingsvätska som innehåller åtminstone chitosan eller chitosanderivatet (nedan enbart benämnd "chitosan") för att bilda en hydrofil beläggningsfilm på ytan av det icke ledande underlaget före katalyseringssteget och det strömfria pläte- ringssteget. I den sålunda bildade hydrofila beläggnings- filmen adsorberar, förankrar och fixerar chitosan kemiskt en katalysatormetall såsom palladium. Vid det strömfria pläte- ringssteget kan sålunda tillförsäkras ett sådant tillstånd att en tillräcklig mängd av en aktiv katalysator återfinns på underlagets yta, på vilken den strömfria pläteringen med god vidhäftning till underlaget likformigt och fiktigt kan bildas (Fig 3).
Chitosankoncentrationen i behandlingsvätskan innehållande chitosan ligger helst inom området 0,01-1%, företrädesvis 514 289 6 inom området 0,05-0,2%. När den är lägre än 0,01% sjunker effekten av koncentrationen av tillsats av chitosan så lågt att man ej får en effektiv förankring av katalysatorn. När å andra sidan halten överstiger 1% är effekten av tillsatt chitosan så mättad att beläggningseffekten med behandlings- vätskan sjunker.
Förutom chitosan kan behandlingsvätskan innehållande chitosan innehålla en utspädd syra, såsom ättiksyra, myrsyra eller saltsyra. Den utspädda syran kan användas för att lösa chito- san i behandlingsvätskan. Koncentrationen av den utspädda syran beräknas i ekvivalenstermer i förhållande till de fria aminogrupperna i chitosan som användes. Vidare kan behand- lingsvätskan ibland blandas med ett harts som väl häftar vid underlaget även om det beror på typen av underlag. Vilket som helst harts kan användas så vida det låter sig kombineras eller blandas med chitosan. Exempel på harts som kan till- sättas behandlingsvätskan inkluderar vattenlösliga hartser såsom polyvinylalkohol och hydroxietylcellulosa, vattensolu- biliserade hartser av en alkyd, polyester, akryl, epoxi eller liknande harts och emulsioner av vinylacetat, akryl eller liknande harts. Chitosan själv kan tvärbindas med polyety- lenglykoldiglycidyleter eller liknande för att göra belägg- ningsfilmen så stabil att katalyseringsreaktionen kan för- stärkas. Vidare kan en rad oorganiska pigment tillsättas behandlingsvätskan för att åstadkomma en mera säker adhesion till resulterande strömfria plätering. I detta fall är ytan hos beläggningsfilmen som bildas genom applicering av behand- lingsvätskan mikroskopiskt ojämn för att åstadkomma en sådan förankringseffekt under loppet av bildandet av den strömfria pläteringen för att ytterligare bidra till en förbättring i dess adhesion till den strömfria pläteringen och därmed utgör ett alternativ till det kemiska etsningssteget vid konventio- nella förfaranden. Exempel på användbara oorganiska pigment inkluderar aluminiumsilikat, titanoxid och bariumsulfat.
Mängden oorganiskt pigment kan utgöra 10-85%, företrädesvis 50-70%, räknat på torrhalten. När mängden överstiger 85% avtar adhesionen av den chitosanhaltiga behandlingsvätskan till underlaget. Nästan hela resten av behandlingsvätskan är 514 289 7 vatten och ett organiskt lösningsmedel såsom metanol, etanol, isopropanol och/eller etylacetat. Ett sådant lösningsmedel förmår att effektivt förbättra kombinerbarheten för olika hartser i de fall sådana tillsättes och åstadkommer viss erodering av underlaget och snabb torkning av behandlings- vätskan efter det att den påförts. Vidare kan vid behov ett hydrofilt ytreglerande medel tillsättas behandlingsvätskan för att förläna lämplig grad av utflytning och hydrofilisitet åt den bildade beläggningsfilmen. Exempel på ytreglerande medel inkluderar perfluoralkyletylenoxider. Det ytreglerande medlet kan tillsättas genom en mängd av 0,05-1%, företrä- desvis 0,1-0,5%, räknat på fast mängd chitosan.
Behandlingsvätskan innehållande chitosan kan påföras ytan av underlaget med någon konventionell appliceringsmetod, såsom spraybeläggning, valsbeläggning, pensling eller doppbelägg- ning för erhållande av en beläggningsfilm, som kan fungera som hydrofil bärare för fixering av katalyatormetallen.
Efter bildandet av katalysatormetall-fixeringsbäraren på underlagets yta företas steget att fixera katalysatormetallen genom den katalytiska reaktionen följt av steget med strömfri plätering. Den strömfria pläteringen innebärande god vidhäft- ning till underlaget kan sålunda effektivt bildas. Enligt uppfinningen kan vidare endast en del av ytan av det icke ledande underlaget som underlag förbehandlas med behandlings- vätskan innehållande chitosan. I detta fall kan katalyatorn selektivt anbringas enbart på den eller de förbehandlade partierna av underlagsytan och därmed medge partiell strömfri plätering i efterföljande steg. Enligt uppfinningen kan vidare polyesterhartser såsom polyetentereftalat, tekniska plaster, olika legeringar etc, som hittills varit svåra att pläteras strömfritt, underkastas strömfri plätering på ett nöjaktigt sätt. Även om behandlingsvätskan innehållande chitosan anbringas direkt på ytan av det icke ledande underlaget kan dessutom en underbeläggning appliceras på underlagsytan innan behand- lingsvätska i vissa fall påföres, varvid vilken som helst 514 289 8 underbeläggning med bäst adhesion till underlaget kan an- vändas utan avseende på kombinerbarhet med chitosan, ehuru antalet steg ökar. Exempel på underbeläggningar inkluderar akryllacker, akrylbeläggningar och uretanakrylbeläggningar med utmärkt vidhäftning till plaster såsom akrylhartser, ABS, polystyren, polykarbonat, polypropen och polyestrar.
Vid katalyseringssteget nedsänkes underlaget med den därpå beläggningsfilmen som katalysatormetallfixerande bärare innehållande chitosan på ytan i en saltsyra-, salpetersyra- eller ättiksyra-surgjord lösning av hydroklorid, nitrat eller acetat av en ädelmetall, som Pd, Pt, Au eller Ag, eller liknande under en kort tidsperiod för att åstadkomma fixering av katalysatorkärnor i endast ett steg till skillnad från den konventionella sensibiliserings-aktiveringsmetoden eller katalysator-acceleratormetoden. Representativt ädelmetallsalt är palladiumklorid, som kan användas i form av en lösning (palladiumklorid: 0,2-l g/l, saltsyra: 5 ml/l) i likhet med en aktiveringslösning använd vid sensibilisering-aktiverings- metoden. Kemisk sorptionen av palladium på den katalysatorme- tallfixerande bäraren innehållande chitosan tros bero på koordinationsbindningar såsom illustreras i fig 4 [Baba et al.; Bull. Chem. Soc. Jpn., 66, 2915 (1993)]. Kemisorptionen kan förhindra palladium från att falla av bäraren i efter- följande strömfria pläteringssteg. Vidare kan de fria amino- grupperna i chitosan omsättas med en aldehyd såsom formalde- hyd, salicylaldehyd, glutaraldehyd, pyridin-2-aldehyd, tio- fen-2-aldehyd eller 3-(metyltio)propionaldehyd under bildning av en Schiff-bas, som därefter kan reduceras med natrium- bortetrahydrid eller liknande under bildning av en katalysa- tormetall-fixerande bärare, pà vilken katalysatormetallen mera selektivt och starkare kan bindas även om detta beror av typen av katalysatormetall (se fig 5).
Substratet med den katalysatormetall-fixerande bäraren in- nehållande chitosan och med katalysatormetall därpå nedsänkes därefter i ett strömfritt pläteringsbad av Cu, Ni, Co, Pd, Au eller en legering därav,2varpå den strömfria pläteringen med utmärkt vidhäftning till underlaget kontinuerligt och effek- e _^_ _ 514 289 9 tivt erhålles genom reducerande inverkan av de fixerade katalysatorkärnorna endast på den eller de delar av ytan av underlaget där katalysatormetal1-fixerande bärare återfinns.
Det icke ledande ämnet kan sålunda metalliseras i enlighet med önskemålet.
Med den kända sensibilisering-aktiveringsmetoden, katalyator- acceleratormetoden etc som katalyseringsmetod vid konventio- nella strömfria pläteringsförfaranden, återfinns en katalysa- tormetall på ytan av ett underlag som mikroskopiskt ruggats upp genom kemisk etsning genom flera reaktionssteg utförda på underlagsytan och medelst fysikalisk adsorption av reak- tionsprodukten på underlagsytan med resultat att den del av katalysatormetallen som återstår är så instabil att menliga effekter uppträder såsom brister i vidhäftningen under loppet av bildandet av pläteringen i många fall. Enligt förfarandet enligt föreliggande uppfinning anbringas däremot en behand- lingsvätska som innehåller chitosan i form av en beläggning på ytan av ett underlag under bildning av en katalysatorme- tallfixerande bärare, på vilken en katalysatormetall starkt binds genom kemisorption och sålunda medger likformig metal- lisk beläggning med god adhesion till underlaget genom ström- fri plätering. Vidare återfinns katalysatorn endast på den eller de delar av ytan av underlaget där behandlingsvätska är påförd och sålunda kan partiell strömfri plätering åstadkom- mas. Vidare kan man bortse från kemisk etsning och minska antalet steg och förenkla hanteringen av behandlingsvätskan, vilket starkt bidrar till förbättringar vad gäller miljö- problem.
Kort beskrivning av ritningsfigurer.
Fig 1 visar ett flödesdiagram för en konventionell strömfri pläteringsprocess innefattande katalysering enligt sensibili- sering-aktiveringsmetoden; Fig 2 visar ett flödesdiagram över en konventionell strömfri pläteringsprocess innefattande katalysering enligt katalysa- tor-acceleratormetoden; 514 289 Fig 3 visar ett flödesdiagram för en strömfri plätering, varvid katalys utföres genom bildande av en katalysatorme- tall-fixerande bärare innehållande chitosan i enlighet med uppfinningen; Fig 4 illustrerar adsorptionsmekanismen för palladium vid inverkan av chitosan och Fig 5 illustrerar adsorptionsmekanismen för palladium genom inverkan av ett chitosanderivat.
Exempel 1 Chitosan (SK-10 tillverkat av San-Ei Chemical Industries, Ltd.) löstes i en 1% lösning av ättiksyra för erhållande av en 1 vikt-% lösning av chitosan, som därefter späddes med metanol till en förbehandlingsvätska som innehöll 0,5% chito- san. Förbehandlingsvätskan anbringades på japanskt papper (300 mmz papper tillverkat av mullbärsmassa och framtaget av Dai-Inshu Seishi Kyogyo Kumiai) med användning av spray eller pensel och torkning med forcerad luft vid 50°C under 1 timma.
Det belagda pappret nedsänktes sedan i en lösning av palla- diumklorid (PdCl2.2H2O: 0,3 g/l, saltsyra: 5 ml/l) under 30 minuter, tvättades sedan med vatten och underkastades sedan strömfri kopparplätering i ett pläteringsbad med en samman- sättning som framgår av tabell 1.
Tabell 1 Ingrediens Koncentration kopparsulfat 0,12 mol/l EDTA 0,12 mol/l 2,2-pyridyl 10 mg/l kalium-ferrocyanid 10 ~ 20 mg/l formalin 0,5 mol/l pH 12,5, vätsketemperatur: 60°C, omrörning med luft. ll Som ett resultat erhölls en likformig kopparbeläggning på hela ytan av japanpappret i de fall förbehandlingslösningen anbringades på hela pappersytan och endast på en del av ytan av japanpappret i de fall förbehandlingsvätskan endast påför- des en del av pappersytan.
Exempel 2 Chitosan (SK-100, sats 414-05; tillverkad av San-Ei Chemical Industries, Ltd.) löstes i en 1% lösning av ättiksyra för erhållande av en 1 vikt-% lösning av chitosan, som därefter blandades med 1 vol-% av en lösning av salicylaldehyd (till- verkad av Kishida Chemical Co., Ltd.) utspädd med 10-faldiga mänden metanol för erhållande av en Schiff-bas och vidare spädd med metanol efter 1 timma för erhållande av en behand- lingsvätska som innehöll 0,5% Chitosan.
Ett aluminiumoxidkeramsubstrat (99,9%) (69 mm x 29 mm x 0,63 mm-t) underkastades ultraljudrengöring 2 ggr med destil- lerat vatten i 5 minuter och underkastades därefter ultra- ljudbehandling med metanol och torkades därefter för erhål- lande av ett rengjort provstycke.
Provstycket nedsänktes i ovan angivna behandlingsvätska och torkades sedan vid 120°C i 30 minuter. Provstycket nedsänktes därefter i en O,5% lösning av en dimetylaminoboran för att reducera den Schiffska basen, nedsänktes sedan i en lösning av palladiumklorid (pdCl2 . 2H2O: 0,03 g/l, saltsyra: 5 ml/l) under 2 minuter och tvättades sedan med vatten och torkades.
Därefter mättes palladiumadsorptionen enligt följande pro- cedur. 100 ml av en 1% lösning av saltpetersyra sattes till provstycket och upphettades för upplösning av palladium, som sålunda föll av provstycket. Lösningen upphettades vidare för att åstadkomma förångning, placerades sedan i en 50 ml grade- rad mätcylinder, vari destillerat vatten hälldes upp till den markerade linjen på cylindern. Den resulterande lösningen placerades i ett rör av pyrolyserad grafit och utsattes för en förbränningstemperatur av 2600°C under 3 sekunder med användning av en atomabsorptionsspektroskopanalysator 12 (AA-670G, tillverkad av Shimadzu Seisakusho Ltd.) och en grafitugn-atomizer (modell GFA-4) för mätning av absorbansen av palladium, med ledning varav palladiumadsorptionen fram- räknades. Som resultat visade det sig att mängden adsorberad palladium på den katalysatormetallfixerande bäraren innehål- lande chitosan var 11,5 pg per provstycke i detta exempel.
Därefter nedsänktes ett annat provstycke i behandlingsvätskan och därefter i lösningen av dimetylaminoboran på samma sätt som ovan och nedsänktes vidare i lösningen av palladiumklorid under 2 minuter, tvättades och torkades och underkastades strömfri nickelplätering i en pläteringsbad med en samman- sättning enligt tabell 2 under 30 minuter för erhållande av en likformig nickelplätering.
Tabell 2 Ingrediens Koncentration nickelsulfat 20 g/l natriumhypofosfit 15 g/l citronsyra 7 g/l mjölksyra 5 g/l glycin 3 g/l tiourea 5 ppm bly-nitrat 3 ppm pH 9,0, vätsketemperatur: 83 ~ 87°C.
Exempel 3 Chitosan (SK-100, sats 802-05; tillverkad av San-Ei Chemical Industries, Ltd.) löstes i en 1% lösning av ättiksyra för erhållande av en 1 vikt-% lösning av chitosan. 20 delar titanoxid och 80 delar aluminiumsilikat blandades och dis- pergerades i 100 delar av ett akrylharts av epoxihärdande typ (tillverkat av Toray Industries, Inc.) för erhållande av en lösning, som därefter späddes med en lösningsmedelblandning av metanol/isopropylalkohol/etylacetat/butylcellosolv (80:12:3:5) för erhållande av en 20 vikt-% lösning. Denna lösning blandades med ovan beredd lösning av chitosan i ett 514 289 13 förhållande 10:1 för erhållande av en förbehandlingsvätska innehållande chitosan som aktiv ingrediens.
Ett ABS-hartsstycke (50 mm x 150 mm x 2,0 mm-t) iordning- ställdes som underlag, torkades med en duk indränkt i isopro- pylalkohol för avfettning och rengöring och sprayades sedan med en lösning beredd genom att sätta 0,5 del av en epoxihär- dare (DENACOL EX-850 tillverkad av Nagase Chemicals, Ltd.) till 100 delar av ovannämnda förbehandlingsvätska och späda resulterande blandning med 5-faldiga mängden av en lösnings- medelsblandning av butylacetat/etylacetat/n-butanol/toluen/- butylcellosolv (20:25:20:25:10), följt av torkning vid 60'C i en timma.
Det belagda ABS-hartsstycket nedsänktes i en lösning av palladiumklorid (PdCl2 . 2H2O: 0,25 g/l, saltsyra: 5 ml/l) under 3 minuter, tvättades därefter med vatten, pläterades därefter i ett strömfritt kopparpläteringsbad med en samman- sättning enligt tabell 1 under 3 minuter och pläterades sedan ytterligare i ett strömfritt nickelpläteringsbad med en sammansättning enligt tabell 3 under 5 minuter för erhållande av en likformig koppar/nickelplätering med en tjocklek av 1,5-2,0 pm.
Den sålunda erhållna koppar/nickelpläteringen visade sig ha ett gott utseende och utmärkt vidhäftning vid olika tester såsom framgår av tabell 4. För fastställande av adhesionen utgick man från en 10 mm x 10 mm stor yta av koppar/nickel- pläteringen och skar upp denna i 100 små fyrkanter vardera med längden 1 mm och sidan 1 mm, varpå en kontakthäftande cellofantejp fästes mot den skurna ytan av pläteringen och därefter revs av att utvärdera adhesionen i termer av [antal kvarvarande fyrkanter med plätering/antal samtliga fyrkan- ter]. 514 289 14 Tabell 3 Ingrediens Koncentration nickelsulfat 20 g/l natriumhypofosfit 15 g/l citronsyra 5 g/l natriumacetat 3 g/l glycin 2 g/l mjölksyra 3 g/l tiourea 5 ppm blynitrat 3 ppm pH 6,0; vätsketemperatur: 55-60°C 514 '289 .x.x :mxfim øøwxma >m @mxnm>HHflu n G>Emo~o|mo_o mmwwamü Hwvwšflufiøñ flmufimflo wwfi mcmuwfiwmu xmfihuxwfiw z w uwøcø o.o~ ooH\oofi umflHcm>o uwmcfi vfl> wcflcxcmmuwc _mnHocflxmm§ flwfi >oummcwuw«mwumwHo www om mxmnfififlv zoo Ewan mcflcbflcm _~|E0mx m_H~.x.x mnmoxflm >m ømxum>fififiv owmuh flwøwëmmcflnæm >onQwcmuw«mwn _HwUmE ooH\oofl umfiHcm>o uwucfl |cwuxm> u>fiuøuflHm>xmæs Umš nmwcfluwmcmu uxmflšmx nam uwwwxumfiw .no«~x:m wmmxu.o« _»uw>m ooH\oofi luwwwwwš uumfi xmflvwucæw Uwš .fi|< ñoumñ æ<æo|A mHh >0hmmfimum«wwnvvw>m Umm vwwuxowflu .n o«Nxmm >o~m ooH\ooH |umwwmfifi anwa wmmxU.o«_umm|>: >m_mcficmmH:wuum> æm nwcmumflwwmucwmuwuwø Axøø nwfiflseonv :fl&\nmo owfi mcflcøflcw ~|&o ooH\ooH u@flHcm>o uwwcfi mxfl _Hocmum >m mcflcmæHcwu»m> wow >onmwcwumfimwnflon0xfim ooH\æm u@fiHcm>o uwvcfl Aumfixæouvv z fi%u.oß _: Hxu.o~| >onmxoozow§nw> ooH\ooH um«Hcm>o uwwcfl Q mm x u.om| umwumuøumuwmâmumwfi S wa x U.oßm oofi\oofl umfiH:ø>o ummcfl n owm x u.omH >0ummcmvwflmwHwEuw> ^»w;mflpz:« >fi»øHwH u mmv ooH\ooH uwfiH=~>o uwwzfi n ovm x mm www x u.o« >oumm:w»wfimw»»xs« | uomwn muumfl Hwvmc øwš mcflcmøuxm >onmwumsm«øcmummnmwu Hflocwm flco I m N fismwm|øwufiä uwñ uwmumvwzøumnmunwæfin >oummvws¶Hmn oofl\oofi umumnUm>x w:uøxw|wm>nx EE|H oofi mmm cofimwnøø nmfiwnm 1 ummummmu wucmuwmnuxmucoxcmwofifiwu vwwuwcofimwnflm coflmmnuø umøcøxmm mflcmmmus umufiøwmuumwa uoumëuwmfi umwfi umuflsmwnwwma v Hfiwnmß

Claims (3)

514 289 16 Patentkrav
1. Förfarande för katalytisk förbehandling av ett underlag vid strömfri plätering, kännetecknat av att en beläggnings- film innefattande chitosan eller ett chitosanderivat{ och ett harts, bildas på ytan av ett icke ledande underlag, varpå beläggningsfilmen behandlas med en lösning av ett salt av en katalysatormetall för att åstadkomma kemisorption därav på beläggningsfilmen. V
2. Förfarande för katalytisk förbehandling av ett underlag 'vid strömfri plätering enligt krav l, kannetecknat av att beläggningsfilmen innefattande chitosan eller _ chitosanderivat, och ett harts, dessutom innefattar ett oorganiskt pigment.
3. Förfarande för katalytisk förbehandling av ett underlag vid strömfri plätering enligt krav l eller 2, kännetecknat av att saltet av katalysatormetallen är ett salt av en ädelmetall.
SE9500571A 1994-12-08 1995-02-16 Förfarande för katalytisk förbehandling av ett underlag vid strömfri plätering SE514289C2 (sv)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP33109794A JP3022226B2 (ja) 1994-12-08 1994-12-08 無電解めっき法における触媒化方法

Publications (4)

Publication Number Publication Date
SE9500571D0 SE9500571D0 (sv) 1995-02-16
SE514289C3 true SE514289C3 (sv) 1996-06-09
SE9500571L SE9500571L (sv) 1996-06-09
SE514289C2 SE514289C2 (sv) 2001-02-05

Family

ID=18239827

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
SE9500571A SE514289C2 (sv) 1994-12-08 1995-02-16 Förfarande för katalytisk förbehandling av ett underlag vid strömfri plätering

Country Status (19)

Country Link
US (1) US5660883A (sv)
JP (1) JP3022226B2 (sv)
KR (1) KR960023235A (sv)
CN (1) CN1124301A (sv)
AU (1) AU699029B2 (sv)
BE (1) BE1008679A3 (sv)
CA (1) CA2142683C (sv)
CH (1) CH689394A5 (sv)
DE (1) DE19506551C2 (sv)
DK (1) DK172134B1 (sv)
FI (1) FI950446A (sv)
FR (1) FR2727984B1 (sv)
GB (1) GB9502096D0 (sv)
IT (1) IT1281942B1 (sv)
NL (1) NL9500293A (sv)
NO (1) NO310627B1 (sv)
RU (1) RU2126459C1 (sv)
SE (1) SE514289C2 (sv)
TW (1) TW254971B (sv)

Families Citing this family (28)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6046107A (en) * 1998-12-17 2000-04-04 Industrial Technology Research Institute Electroless copper employing hypophosphite as a reducing agent
US6703186B1 (en) 1999-08-11 2004-03-09 Mitsuboshi Belting Ltd. Method of forming a conductive pattern on a circuit board
JP2001236885A (ja) * 2000-02-22 2001-08-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd プラズマディスプレイパネルおよびその製造方法
JP4897165B2 (ja) * 2000-09-27 2012-03-14 名古屋メッキ工業株式会社 金属めっきされた有機高分子繊維の製造方法
JP2002348673A (ja) * 2001-05-24 2002-12-04 Learonal Japan Inc ホルムアルデヒドを使用しない無電解銅めっき方法および該方法に使用される無電解銅めっき液
US7223694B2 (en) * 2003-06-10 2007-05-29 Intel Corporation Method for improving selectivity of electroless metal deposition
US7049234B2 (en) * 2003-12-22 2006-05-23 Intel Corporation Multiple stage electroless deposition of a metal layer
JP2005243499A (ja) * 2004-02-27 2005-09-08 Fujitsu Ltd フラットディスプレイパネルの電極形成方法
US7732330B2 (en) * 2005-06-30 2010-06-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Semiconductor device and manufacturing method using an ink-jet method of the same
CN101319315A (zh) * 2008-07-03 2008-12-10 东华大学 一种基于分子自组装技术的柔性基材化学镀前活化方法
JP2012523677A (ja) * 2009-04-13 2012-10-04 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 金属化カーボンナノチューブおよびナノファイバを含む複合材料
JP5663886B2 (ja) * 2010-02-08 2015-02-04 三菱電機株式会社 半導体装置の製造方法
US20110303644A1 (en) * 2010-06-09 2011-12-15 Arlington Plating Company Methods for Plating Plastic Articles
DE102011053509A1 (de) * 2010-09-13 2012-03-15 Chemetall Gmbh Verfahren zur Beschichtung von Oberflächen und Verwendung der nach diesem Verfahren beschichteten Gegenstände
EP2695581B1 (en) 2012-08-07 2019-03-13 Critical Innovations, LLC Device for simultaneously documenting and treating tension pneumothorax and/or hemothorax
CN103114437B (zh) * 2013-02-01 2014-11-05 东华大学 一种纺织品表面无钯化学镀金属镍的方法
US10046147B2 (en) 2013-12-26 2018-08-14 Critical Innovations, LLC Percutaneous access pathway system and method
CN103805971B (zh) * 2014-03-11 2017-02-15 东华大学 一种镍盐活化化学镀铜纺织品的方法
CN104372313B (zh) * 2014-09-29 2018-07-13 安科智慧城市技术(中国)有限公司 一种薄膜太阳能电池背电极的制备方法及薄膜太阳能电池
DE102015201562A1 (de) * 2015-01-29 2016-08-04 Helmholtz-Zentrum Dresden - Rossendorf E.V. Verfahren zur Metallisierung von Kunststoffteilen sowie Lösung
CN105821396A (zh) * 2016-03-27 2016-08-03 华南理工大学 一种无钯化学镀铜的方法
US10814119B2 (en) 2017-09-22 2020-10-27 Critical Innovations, LLC Percutaneous access pathway system
CN110093596A (zh) * 2019-04-24 2019-08-06 南昌大学 一种自动脱落的超薄铜箔的制备方法
CN112063998B (zh) * 2020-08-28 2022-10-11 南昌大学 一种超薄铜/石墨烯复合箔的制备方法
CN112522687A (zh) * 2020-11-02 2021-03-19 深圳市先进连接科技有限公司 树脂表面改性溶液和化学镀银方法
CN112979344B (zh) * 2021-03-16 2022-04-08 河海大学 基于化学镀法在混凝土表面制备的抗菌保护层及制备方法
US20240050127A1 (en) 2022-08-11 2024-02-15 Critical Innovations Llc Percutaneous access pathway system
CN116782516B (zh) * 2023-07-13 2024-01-23 南华大学 一种基于均相离子型催化油墨制备铜印刷电路的普适工艺

Family Cites Families (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6036668A (ja) * 1983-08-08 1985-02-25 Hitachi Chem Co Ltd 無電解銅めつき用触媒
US4670306A (en) * 1983-09-15 1987-06-02 Seleco, Inc. Method for treatment of surfaces for electroless plating
US4663240A (en) * 1984-11-06 1987-05-05 Enthone, Incorporated RFI shielded plastic articles and process for making same
US5338822A (en) * 1992-10-02 1994-08-16 Cargill, Incorporated Melt-stable lactide polymer composition and process for manufacture thereof
US5336415A (en) * 1993-02-10 1994-08-09 Vanson L.P. Removing polyvalent metals from aqueous waste streams with chitosan and halogenating agents
EP0627253B1 (en) * 1993-05-28 2000-03-08 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Denitrification system

Similar Documents

Publication Publication Date Title
SE514289C3 (sv) Förfarande för katalytisk förbehandling av ett underlag vid strömfri plätering
SE514289C2 (sv) Förfarande för katalytisk förbehandling av ett underlag vid strömfri plätering
DK174699B1 (da) Dannelse af en sølvbelægning på et glassubstrat
EP0512724A2 (en) Acidic palladium strike bath
TWI449804B (zh) 被覆金屬層之基材及其製造方法
JP2001271171A (ja) 無電解めっき処理法、および前処理剤
KR20040007643A (ko) 패턴화 방법
CN1790059A (zh) 石英光纤光栅表面湿化学金属化工艺
US20030108751A1 (en) Plated articles and methods for producing the plated articles
JP2003277941A (ja) 無電解めっき方法、および前処理剤
US6776826B1 (en) Composition and method for electroless plating of non-conductive substrates
JPH06184792A (ja) アルミニウム又はアルミニウム合金の無電解着色法
JPH03271375A (ja) 無電解めっき方法及び無電解めっき用前処理剤
JP3879982B2 (ja) プラスチックの金属めっき方法及びその方法でめっきされた製品
JP2003155574A (ja) めっき製品及びその製造方法
JP2000212758A (ja) 無電解めっき層を備える積層品及びその製造方法
JP2001271172A (ja) めっき前処理剤およびめっき方法
JPH05339517A (ja) 顔料の製造方法
TH19391A (th) &#34;ขบวนการสำหรับการแคทไลซ์เซชั่นในการชุบแบบไม่ใช้ไฟฟ้า&#34;
TH8310B (th) &#34;ขบวนการสำหรับการแคทไลซ์เซชั่นในการชุบแบบไม่ใช้ไฟฟ้า&#34;
CA1066688A (en) Catalyst solution for electroless deposition of metal on a substrate
KR20220055340A (ko) 광환원법을 활용한 기판 표면 산화물 코팅의 무전해 도금 방법 및 이를 이용하여 도금된 기판
RU2063461C1 (ru) Способ получения никелевого покрытия на материалах из углеродных волокон
KR20050078380A (ko) 석재의 무전해도금방법
CN112225464A (zh) 高荧光增强效果的金银合金纳米岛状薄膜及其制备方法