JPS6036668A - 無電解銅めつき用触媒 - Google Patents

無電解銅めつき用触媒

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JPS6036668A
JPS6036668A JP14463383A JP14463383A JPS6036668A JP S6036668 A JPS6036668 A JP S6036668A JP 14463383 A JP14463383 A JP 14463383A JP 14463383 A JP14463383 A JP 14463383A JP S6036668 A JPS6036668 A JP S6036668A
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JP
Japan
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palladium
compound
copper
catalyst
bivalent
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Pending
Application number
JP14463383A
Other languages
English (en)
Inventor
Isao Matsuzaki
松崎 五三男
Haruki Yokono
春樹 横野
Takehiko Ishibashi
石橋 武彦
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Resonac Corp
Original Assignee
Hitachi Chemical Co Ltd
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Publication date
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    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/20Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
    • C23C18/28Sensitising or activating
    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31Coating with metals
    • C23C18/38Coating with copper
    • C23C18/40Coating with copper using reducing agents

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemically Coating (AREA)
  • Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 不発帽ハ無邂解銅めっき用触媒に閃する〇無電解銅めつ
きは、印刷配線板の分封で、積層板等の絶縁端板vcm
路盆形成丁ゐために広く用いらrしている。
この場合、絶縁か板の無電解鋼めっきか施されゐ囲は活
性化2丁なわち無電解銅めっきのための触媒核か形成さ
n心。この触媒核r中心V(して、無イし駒組めつ@酒
中の餉イオンか析出し。
成長して銅膜となり、回路とな◇0 杷kt15板?活性化丁ゐために、無電解銅めっきのた
めの触媒となめ金掬バンジ9ムr絶縁基板表聞に7し成
させてい心。
従来、この金栖パラジウムは PdC1t +5nC1t−”’iPd +5nC4の
反応で・14すらnており、硅礫土などの担体V’tl
担持さn、触媒作用τ未了ように工夫ちnでいる。
そのため* Sn、C4なとの不純物r多(甘むうぇK
s指担体使用丁ゐため、接盾剤混入し、アディティブ印
刷配線板用の接漕沖」(触媒式#))付槓WM仮ン製造
丁Φ場合、そ凱ねしitが発生し、絶縁性に難点ρ・あ
り、又、絶縁電線の絶縁層中に混入丁ゐことは国難であ
った。
と反応させて侍らfL、加熱にニジ金屑パラジウム’a
lE成丁ゐ鰭化合物r宮む無電解銅めっさ用触媒であゐ
21曲のパラジウム化合物としては%塩化バクジウム(
nL フッ化パラジウム(川、臭化パラジウム(川、ヨ
ウ化バラジクム(川、銅酸バラジヮム(旬。
硫酸パラジウム(賠酸化パラジウム(JI几統1ヒバラ
ジウム<11)及びこn、らの混合物が使用さj7ゐ0
ハロゲン化’LL時に塩化パラジウム(II)が好まし
い。11曲、21曲の4A句1土合物Jとして汀、塩化
銅(1)、塩化銅(■)、儲酸銅(II)及びこtl−
らの71も合物が使用きj・ゐO アミノ糖に、楯のアミノ赫得体であり、ガラクトザばン
、グルコサミン(塩酸)等が使用さfl、/b。
21曲のパラジウム化会物tアミノ循と反応させて錯化
什物r得るには、例えば、メタノール0.2g中に、D
−ゲルコサばン・m酸0.24gケ力ロえ振とうし、ア
ミノフ′チルに0.Ig刀口え。
#i歌?除云した伏、塩化パラジウム(旬2o i g
加λ伽とり丁ゐことにより倚らn々0この錯体1J40
“′C以上の加熱で金属パラジウムが析出す/)0 傅らn、 7を錯化合物でに、塩化パラジウム(II)
はアミノ糖に當ま11.Φアミノ基に配位し、−1−分
子(ハ)に宮よ几ゐ゛アルデヒド基で加熱により缶部パ
ラジウム?生成する〇 )JD熱は50−2 o n ”cが々ヂましく、アミ
ノ1后の独力(Ig、Lり調部か決めらn、々0(1)
卸化付物忙汀む水浴欣甲に破めっき物2撹偵(、引さ土
け、力n#!%丁4)ことにL9扱めっき′@衆而面(
金属パラジウム忙生成さぜ心○(2ン 錯什、@9勿t
1コ゛ムーフェノール系寺の按甜剤中Vζ分散し、この
」夛應剤オカラス布にユボキシr@反L−7を績層似表
面に塗布し、力n熱乾燥丁^段階で釜ねパラジワム會生
カ又さぜゐ。
(6)8化付物ケ、エボキシイ用脂のアセトン浴液中に
方散さ−ぜにワニス紮カラス布等の丞相に西醍ざゼ、#
宮の方法によ!:)槓層恨葡製造する。フ゛リフレクの
乾煉喘、槓J曽似の刀IJ熱カロ庄時の熱V(より公用
パラジウムが生成丁ゐ〇(4)飴化合物忙、ポリエステ
ル佃8盲のM悄浴斉り俗蔽中に分散ざ−に、νjぽ五で
フィルムtつ(ゐ。有情m剤の加熱藷去中の加熱にエリ
金稙バシジウムが生X丁ゐ。
(り) i沿化合+)J k sポリイミドのテトラビ
トロフラン浴液中に分散きぜ、銅勝VC被柑丁め0焼き
付は時の熱により金お4パラジウムが生成し触媒件7M
″f″絶縁電縁が狗らn、々0以上睨明したように、不
発明の無電解銅めっき用触腺は、次の)0点が達ゼら1
.る0(1)生成丁々金檎パラジウムの粒子が細〃・い
ため、141らnた無電解めつさの軸性が潰ノLゐ0(
2)硅繰土寺の担体を使用しないで丁むので、浴液中で
の使用が可能でめり、均−重付が容易0 (5) Sn、CI等の不純物を宮萱ないたり、侍ら力
、た無電解めっきの物性が艮い0 5− 丁”−糸ノδ ・ン市 韮[二 −11:1.51汁[
0)表示 昭Fl1511年特ill願第144633 ’;2、
発明の名称 無電j41゛銅め−2き用触媒 3、補正をする者 3J■件との関1系 特許出願人 山すi 東京都新宿区西新宿二二丁目1番1り名称(4
45)日立り戊工業株式会社 代表者横山亮次 、4. fl、J!4!人 ■160 居所 東京占噺宿区西新宿二丁目1番1り口立1圀J業
株式会社内 (電話 東京 346−3111 (大代表)6、補正
の内容 別紙の通り。
明 I和 ★ 1、発明の3倒\ 焦4L所鋼めっき用触蝋 2、待itl’ifA求(1)皐1ユ囲1.21曲りパ
ラジウム化合物又は、111i11% 211111■
粛I!l化合物4アミノ槍と反羞乙\ざゼて侍らノL1
加勲VCまり金榴パラジウム又は金編廟ケ生戟する緒什
付9勿γに−fr無岨牌鋒りめっさ月i鳴。
6、発明の+1−1−昶1な睨明 A弁明は、然直解朔めっさ用触媒に関丁ゐ。
無屯屑給めっさrJ1印刷配誇板の分野で、績層板寺の
徒・5緘第恨i/(回路を形成丁ゐだIll’)K広(
用いら7じ(いる。
この場名・、絶線基板の無rK所銅めっきが施婆れ4)
1川は菖註化、丁fiりち焦亀購胎めっさのための1龍
媒俵〃コ形成さγLる0この触媒核τ甲七にして、焦−
屑′@l〕つき准申り廟イオンか析出し、h51艮して
71IIl俟となり、回路となる。
帖線泰叡tγ凸・陛化丁4ンためi5無屯屑組めつさく
t)kめの融媒となる普撫パラジウム又に笠糊舅・シ 
自:水1縁ノ八板3豪1川 V(ル填、δ ぜ−こ い
4)。
9[米、輿λV;1(−〇伶を町パラジウムクJ10g 1’d(、、’jL +SnC/L−→Pd +5n(
J4(1)戊比−T″1仔らjlており、(1ト礫土な
との相体V(相持さt[、触媒四相ケ米−f−よりに工
大3扛てぃな。
そのだめ、Sn、Ll l((’ (/、J不11!物
’e多(故むうえK + −ftJ 1+ ’e ’n
:用丁、67tめ、kkj sl *りに混入し、アデ
ィティブ印刷〜;―促7Hすi、’i石剤(触媒入り)
↑・j4讐−4ルr IJ il、+−J−Φ場りへ 
てり、ねじ扛力S弁午し、&’、に、1”+ K k 
、It!a 7ノ島th Cノ 、又、納k ’f↓i
: 24 ’t)k mIIFl甲Vc混入することC
」国都、であっに0本y各+セ」(1丁このようlf点
V(湛みて々さ扛πもりで、21曲りバラシワム化什午
勿又L111曲、21曲の銅化付物r1アミノ糖と反応
させて得られ、加熱K 、1:り金屓パラジウム又げ金
桓銅を生成する錯化合物r會む無電解銅めっき用触媒で
ある。
21+Iu Q)パラジウム化合物としては、塩化パラ
ジウム(si)+ フッ化パラジウム(Ll、1.臭化
パラジウム(jす、ヨウ化パラジウム(”)s 硝酸パ
ラジウム(u)、饋【狭パラジウム(11、飲什パラジ
ウム(11ハ傭化パラジウム(Ill及びこれらの混合
物か使用憾れる0ハロゲン化物、 ’SFK塩化パラジ
ウム([1が好ましい。1曲% 211113の銅化合
物としては、穆化蛸(I)。
堪化組(■)、硫ば銅(川及びこnらの混合物が1四相
式t1./)。
れ/)0 2価のパラジウム化合物rアミノ糖と反応させて鮒化酋
吻を得るには、例えは、メタノール0.2g甲に、D−
グルコサミン・増哨0.24gt〃口え振とつし、アミ
ノフ′チル70.1 glJnえ。
聰ばt除去した恢、塩化ノくラジウム(II)τ0.1
g刀]lえ振とうすることにエリ得られる。この@捧は
40℃以上の加熱で金^パラジウムか析出する0 狗らf″した錯化−8−物でeゴ、塩化パラジウム(川
はアミノ糖F(宮1nるアミン基に配位し、同一分子内
に汀1′nるアルデヒド基で加熱にまり並楠バラジウA
2生成する。
5− 刀1]熱は50〜20 iJ ’C塵好1しく1アミノ
(J占の槓知iCより通幅が決められる。
木兄jiljV)錯化合物の1ψ用シIJkルl明する
。使用m仁E Pd、Coり用でr、Jl、;扛輩%以
下が好なしい。
(1)錯化合物11r7に的欣甲に・故のっき9レノ忙
反泊し引さ−11F、加熱丁く〕ことVCより伝めっさ
′+9/J表間V(す相パラジウム又θ蜜r1地τ生j
)’1.δぜゐQ (2)鉛化合mγ、コムーフェノール系寺の接冶ハリ中
VC分散し、こVJ接7fM卸」τカラスイljにエホ
キシγ色−反した槓鳩板表旧yc塗布し、刀1熱乾祿丁
心埃南でくcす4 ハラシワム又6菫橘網τ住j仄妊ぜ
ゐ。
(6)剖i化付@、1−t エホキシiql Il’i
sのアセトン浴竹中姓分敢さゼーたワニスτカラス布寺
の基材に宮反迫ゼ、荊′吊り方法により4貞層似忙装造
T心。ノリプレクの乾燥時、積層板の加熱力0圧II在
(1)熱VCJ二、!7弐タ象謁パラジウム又は勺2踊
鋼が住1戊丁ゐ0 <4) 卸化村’tグツτ1ポリエステル倒!jifり
自伽ω細4− 俗欣中V(、>、)畝ちぜ、匪延法でノイルムとつぐf
′)o 李J1毀陥創■/Jl’l熱勿ミ云申り力1卸
6に」、り金総バラジ9ム父に↓蒼槁鉋j751生ノ戎
丁ゐ。
(5)鰯化’it Mlγ、ポリイミドのテトラビトロ
フラン的准甲C(分触芒ゼ、誓河紛に扱彷丁心0基tさ
づ・1けlI;3−の熱により釜梢パラジウム又は苔−
困がコニl戊 しPI玉にに1゛土τ・1丁杷本吠畦丞
−が1灯 しンtしゐ0以上欣明したよ′)に1本軸+
311の黒山、h″LL井1さ用/!T!妊a、び、の
51(1点か通−Jらγしゐ。
(1)生成了◇番病パラジウム又は賊縞納の粒子プノコ
外用力・いたんテ)、爵らt−L 7こ無用りも制用の
っさの封rトカ)v!ノI る。
(2)什士麻」−嚢の1且俸τ1史用しないで丁むので
酌欣甲−〇の1vi用かり1Lであり、均−混打が谷易
く) (31Sn、C#轡の不純9りJ〒詮ばないため、狗ら
nた無r4.1)ツtめっきの般社が良い。
6青\ ″ \ 5− Aす0

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. 1.2111IIのパラジウム化合物又は、i1i+u
    、2価の銅化合物tアミン抛と反応させて得らn1加熱
    により金楓パラジウムを生成丁/)妬化付物葡含む無電
    解銅めっき用触媒。
JP14463383A 1983-08-08 1983-08-08 無電解銅めつき用触媒 Pending JPS6036668A (ja)

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Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
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KR20190142003A (ko) 2018-06-15 2019-12-26 지엠 글로벌 테크놀러지 오퍼레이션스 엘엘씨 디플렉터를 구비한 워터자켓

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