JPS6036672A - 無電解銅めつきに対する活性化法 - Google Patents
無電解銅めつきに対する活性化法Info
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- JPS6036672A JPS6036672A JP14463883A JP14463883A JPS6036672A JP S6036672 A JPS6036672 A JP S6036672A JP 14463883 A JP14463883 A JP 14463883A JP 14463883 A JP14463883 A JP 14463883A JP S6036672 A JPS6036672 A JP S6036672A
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- Japan
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- compound
- article
- copper plating
- plating
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- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/31—Coating with metals
- C23C18/38—Coating with copper
- C23C18/40—Coating with copper using reducing agents
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
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- C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
- C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
- C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
- C23C18/20—Pretreatment of the material to be coated of organic surfaces, e.g. resins
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明ｒＪ、無竜解餉めっきに対する活性化法に関丁ゐ
〇 無電解銅めっきは、印刷配線板の分野で、槓ＪｗＩ板等
の絶縁基板に回路會形成するために広く用いらｔｌてい
ゐ。
〇 無電解銅めっきは、印刷配線板の分野で、槓ＪｗＩ板等
の絶縁基板に回路會形成するために広く用いらｔｌてい
ゐ。
この場合、絶縁基板の無電解銅めっ＠が施さｎ、る１１
１１はｄＪ性化、すなわち無電解銅めりきのための触媒
核が形成さｎ、／）。この触媒核紫中心にして、無電解
銅めっ１！液中の銅イオンが析出し、成長して銅膜とな
り１回路となぁ。
１１はｄＪ性化、すなわち無電解銅めりきのための触媒
核が形成さｎ、／）。この触媒核紫中心にして、無電解
銅めっ１！液中の銅イオンが析出し、成長して銅膜とな
り１回路となぁ。
杷縁丞板ケ活性化丁ゐために、無電解銅めっきのための
触媒となる金属パラジウムｒ絶縁基板表ｒｋＩＫ形成さ
せていゐ。
触媒となる金属パラジウムｒ絶縁基板表ｒｋＩＫ形成さ
せていゐ。
従来、この金属パラジウムは。
Ｃ７１
Ｐ ｄｃｌ ＊ ＋ ５ｎＣｋ−→Ｐｄ＋５ｎＣＪ４の
反応で僧らｎており、硅礫土などの担体に担持さハ、触
媒作用を果すように工夫さｎ、ている。
反応で僧らｎており、硅礫土などの担体に担持さハ、触
媒作用を果すように工夫さｎ、ている。
そのため、 Ｓｎ、ＣＩなどの不純？ｌゲ多（宮むうぇ
に、担体葡便月４丁ゐたわ、接涜剤混入し、アティティ
プ印刷配線板用の＋７宥剤（触媒人Ｖ）付槓層儀τ製輩
丁ゐ場合、そり、ねじｎ、が発生し。
に、担体葡便月４丁ゐたわ、接涜剤混入し、アティティ
プ印刷配線板用の＋７宥剤（触媒人Ｖ）付槓層儀τ製輩
丁ゐ場合、そり、ねじｎ、が発生し。
杷Ｈ性に難点かをクリ、父、絶縁篭勝の絶縁層中１’ｉ
：混入することは困難であった。
：混入することは困難であった。
させた錯化合ｖ／Ｊｋ刀Ｉ熱し金属パラジウムγ生成さ
ぜゐことｒ待機と丁ゐ無電解鋼めっきに対する活性化法
でおる。
ぜゐことｒ待機と丁ゐ無電解鋼めっきに対する活性化法
でおる。
２１１′ｌｌＩのパラジウム化合物としては、塩化パラ
ジウム（■）、フッ化パラジウム（”）、某化バラジウ
ム（■几 ヨウ化パラジウム（■）、硝酸パラジウム（
ＩＩ）、硫酸パラジウム（ｎ）Ｔｈ 錯化パラジウム０
Ｊ）ｓ 硫化パラジウム（ＩＴ）及びこｎらの混合物が
使用さｎ、ゐ。
ジウム（■）、フッ化パラジウム（”）、某化バラジウ
ム（■几 ヨウ化パラジウム（■）、硝酸パラジウム（
ＩＩ）、硫酸パラジウム（ｎ）Ｔｈ 錯化パラジウム０
Ｊ）ｓ 硫化パラジウム（ＩＴ）及びこｎらの混合物が
使用さｎ、ゐ。
ハロゲン化物、特に塩化パラジウム（ＩＩ）が好ましい
。１価、２Ｉｌｉ１１の銅化合物としては、塩化鋼（す
、塩化鋼０Ｊ）Ｔｈ儲取組（川及びこｊ、らの混合物が
使用式れ心。
。１価、２Ｉｌｉ１１の銅化合物としては、塩化鋼（す
、塩化鋼０Ｊ）Ｔｈ儲取組（川及びこｊ、らの混合物が
使用式れ心。
アば）版としては、クルタミン叡、アスパラギンｔ’ｓ
！ りシン、アシニン、バリン、フェニルアラニン及
びこ几らの混合物が便月１６几る０２ｉＩ１１］のパラ
ジウム化合＃’にアミン醜と反応させて錯化付物を侍ゐ
ＶＣは、例えば、メタノール１．５ＣＣＫ、Ｌ−グルタ
ミン０．１７ｇ、塩化バラシｒ）ム（ＩＯ２，１ｇケ加
え振と９すめことによジ得らｎる。この錯化付物は８０
℃の加熱で金属パラジウムｒ生成丁ゐ。侶ら′ｆした錯
化合物では１１ｎ化バランウム（ｎ）はアミノ酸のアミ
ノ基に配位しており、アミ７基が結合する炭來ｖｃ結合
丁０分極した水素により金属パラジウムが生成さｎゐＯ 加熱温度は、例えば、５０〜２００℃が好１しく、アミ
ノ酸の線類により適崗が決めら７１．る〇（１） 錯化
合物ケ含む水浴液中に被めっき物ケ浸ｔｕシ引き上げ、
加熱丁０ことにより被めっきｖｌＪ表匍に金用パラジウ
ムｒ生成芒１り心〇（２）錯化合物ケ、ゴム−７エノー
ル系弄の接層剤中に分散し、この接噛剤ｔガラス布にエ
ポキシを含浸した積層板表向に塗布し、加熱乾燥丁ゐ設
階で金属パラジウム忙生成させる。
！ りシン、アシニン、バリン、フェニルアラニン及
びこ几らの混合物が便月１６几る０２ｉＩ１１］のパラ
ジウム化合＃’にアミン醜と反応させて錯化付物を侍ゐ
ＶＣは、例えば、メタノール１．５ＣＣＫ、Ｌ−グルタ
ミン０．１７ｇ、塩化バラシｒ）ム（ＩＯ２，１ｇケ加
え振と９すめことによジ得らｎる。この錯化付物は８０
℃の加熱で金属パラジウムｒ生成丁ゐ。侶ら′ｆした錯
化合物では１１ｎ化バランウム（ｎ）はアミノ酸のアミ
ノ基に配位しており、アミ７基が結合する炭來ｖｃ結合
丁０分極した水素により金属パラジウムが生成さｎゐＯ 加熱温度は、例えば、５０〜２００℃が好１しく、アミ
ノ酸の線類により適崗が決めら７１．る〇（１） 錯化
合物ケ含む水浴液中に被めっき物ケ浸ｔｕシ引き上げ、
加熱丁０ことにより被めっきｖｌＪ表匍に金用パラジウ
ムｒ生成芒１り心〇（２）錯化合物ケ、ゴム−７エノー
ル系弄の接層剤中に分散し、この接噛剤ｔガラス布にエ
ポキシを含浸した積層板表向に塗布し、加熱乾燥丁ゐ設
階で金属パラジウム忙生成させる。
（５）油化合物ｒ１エポキシ樹脂のアセトン浴液中に分
散させたワニスｔカラス布等の基材に宮陵場せ、通常の
方法によジ槓層板を製造する。ズリグレグの乾燥時、積
〜板の力り熱加圧時の熱により金属パラジウムか化成す
る。
散させたワニスｔカラス布等の基材に宮陵場せ、通常の
方法によジ槓層板を製造する。ズリグレグの乾燥時、積
〜板の力り熱加圧時の熱により金属パラジウムか化成す
る。
（４）錯化ｆｆｉ ’＋ＪＡ ｋ ｓポリエステル側層
の有像俗剤溶液中に分散妊ゼ、流延法でフィルム忙つぐ
る０Ｍ８Ｍ剤のカロ熱除去中の力ｎ熱により金属パラジ
ウムが生成丁ゐ。
の有像俗剤溶液中に分散妊ゼ、流延法でフィルム忙つぐ
る０Ｍ８Ｍ剤のカロ熱除去中の力ｎ熱により金属パラジ
ウムが生成丁ゐ。
（５）錯化合物？、ポリイミドのテトラビドロン２７ｍ
液中に分散させ、銅線に被柑丁ゐ。焼き付は時の熱によ
り金属パラジウムが生成し触媒性紫肩丁絶＃電線が得ら
ｆＬる。
液中に分散させ、銅線に被柑丁ゐ。焼き付は時の熱によ
り金属パラジウムが生成し触媒性紫肩丁絶＃電線が得ら
ｆＬる。
以−に脱明したように、本発明の方法では次の利点が達
せらｒＬる。
せらｒＬる。
（リ 生成する金属パラジウムの粒子が軸かいため、得
らｎた無電ルＦめっきの特性が優ｎる〇（２）硅楡土等
の担体を１史用しｌいで丁むので、ｕ液中でのｆ費用が
可能であり１均−混８が容易。
らｎた無電ルＦめっきの特性が優ｎる〇（２）硅楡土等
の担体を１史用しｌいで丁むので、ｕ液中でのｆ費用が
可能であり１均−混８が容易。
（５） Ｓｎ、Ｃｊ等の不純物？含互ないため、得らｎ
た無′ＦＪＬ解めっきの特性が艮い。
た無′ＦＪＬ解めっきの特性が艮い。
５−
手 本売 ζ市 韮Ｌ ｉυ：
ＩＩｌ拝ＩＪ５Ｂ年 ９月１６ＥＪ
昭川５８年特許願第１４４６３８５３
２、発明の名称
無ｉ１１”ｌめっきに対する活性化法
３、補正をする者
事ｌｆｔとの関係 特許出願人
住所 東京都新宿区西新宿−丁目１番１繋名称（４４５
）口立イｕＶＬ業株式会社代表者横山亮次 ４、 イ（Ｊｌｌ）、 ■１６０ 居所 東京都新宿区西新宿二丁目１番１司日立イＩＩ＆
ＴＪ！朱代会社内 （電話 東京 ３４６−３１１１ （大代表）６、補正
の内容 別紙の通り。
）口立イｕＶＬ業株式会社代表者横山亮次 ４、 イ（Ｊｌｌ）、 ■１６０ 居所 東京都新宿区西新宿二丁目１番１司日立イＩＩ＆
ＴＪ！朱代会社内 （電話 東京 ３４６−３１１１ （大代表）６、補正
の内容 別紙の通り。
明 １Ａｆｉ＊
１、発明の名称
無電解鋼めっきＶｃ対する活性化法
２’ 竹ｅｆｔ 請求の範囲
１、 ２１１ｉ１１のパラジウム化付物又は、１１曲、
２１曲の銅化合物τアミノ酸と反応さぜた錯化合物τ力
口熱し、金属パラジウム又に金塊ｍｋ生成さぜることｋ
ｌＦＶｆ畝と丁ゐ勲屯屏銅めつさｒＣ対するｔ占性化法
。
２１曲の銅化合物τアミノ酸と反応さぜた錯化合物τ力
口熱し、金属パラジウム又に金塊ｍｋ生成さぜることｋ
ｌＦＶｆ畝と丁ゐ勲屯屏銅めつさｒＣ対するｔ占性化法
。
６、発明の詳細な説明
本発明ｆＪｓ無電解銅めっきに対する佑性化伝に関する
。
。
無′１旺冷ｆ銅めっ＠は、印刷配輸板の分封で、積層板
等の絶縁跳板Ｖｃ＋！：！Ｊ路笛形成するために広（用
いらｔている。
等の絶縁跳板Ｖｃ＋！：！Ｊ路笛形成するために広（用
いらｔている。
この場合、絶縁基板の無電解鋼めっきが施される面は活
性化、丁ｌわち無′覗購銅めつきのための触媒核が形成
され６ｏこの触媒核を中心にして、無電解鋼めつ＠液中
の鋼イオンが廿「出し、ｂ’ｇ長して銅膜となり１回路
となる。
性化、丁ｌわち無′覗購銅めつきのための触媒核が形成
され６ｏこの触媒核を中心にして、無電解鋼めつ＠液中
の鋼イオンが廿「出し、ｂ’ｇ長して銅膜となり１回路
となる。
絶縁基板忙活性化するために、無電Ｐ？ｌ銅めっきのた
めの触媒となる金栖パラジウム又は金属＊＠７杷峠基板
表向に形成させている。
めの触媒となる金栖パラジウム又は金属＊＠７杷峠基板
表向に形成させている。
従来１例えばこの金ｐｊｉ パラジウムに、Ｃｌ
ＰｄＣ６−＋５ｎ（４−−一９Ｐｄ ＋５ｎＣｊｌａの
反応で侍ら扛ており、硅櫟士などの担体に担持さ扛、触
媒作用を果すように工夫されている。
反応で侍ら扛ており、硅櫟士などの担体に担持さ扛、触
媒作用を果すように工夫されている。
そ６！Ｊため、 Ｓｎ、ＣＩなどの不純物？多（廿ひり
λに、担体葡使用するため、接漕剤に混入し、アティテ
ィプ印刷配鍼板用の接宥刑（触媒人！ｌｌ）何種層板を
製造する場合、そり、ねじれか発生し、絶縁性に餌点か
あり１又、絶縁電解の絶縁層中に混入丁にとは困難であ
った。
λに、担体葡使用するため、接漕剤に混入し、アティテ
ィプ印刷配鍼板用の接宥刑（触媒人！ｌｌ）何種層板を
製造する場合、そり、ねじれか発生し、絶縁性に餌点か
あり１又、絶縁電解の絶縁層中に混入丁にとは困難であ
った。
本発明はこのような点ｖｃ鑑みてなさｎたもので、２価
のパラジウム化付物又は１価、２価の銅化合物ｔアミノ
酸と反応させた錯化付物ケ加熱し金属パラジウム又は金
蝿銅【生成ざぜることｒ特徴とする無゛屯屏組めっきに
対する活性化法である。
のパラジウム化付物又は１価、２価の銅化合物ｔアミノ
酸と反応させた錯化付物ケ加熱し金属パラジウム又は金
蝿銅【生成ざぜることｒ特徴とする無゛屯屏組めっきに
対する活性化法である。
２価のパラジウム化付物としては、塩化パラジウム（■
）、フッ化パラジウム（ＩＩ）、Ｍ化パラジウム（ＴＩ
） ％ ヨウ化パラジウム（ｎ）、硝酸パラジウム（１
す、硫酸パラジウム（Ｈ）、酸化パラジウム（ＩＩ）、
硫４１＝パラジウム（１１）及びこれらの混合物が使用
芒扛る〇ハロゲン化物、轡に塩化パラジウム（ｉｆ）が
好ましい。１１１１１１，２価の物化合物としては、塩
化鋼（Ｉ）。
）、フッ化パラジウム（ＩＩ）、Ｍ化パラジウム（ＴＩ
） ％ ヨウ化パラジウム（ｎ）、硝酸パラジウム（１
す、硫酸パラジウム（Ｈ）、酸化パラジウム（ＩＩ）、
硫４１＝パラジウム（１１）及びこれらの混合物が使用
芒扛る〇ハロゲン化物、轡に塩化パラジウム（ｉｆ）が
好ましい。１１１１１１，２価の物化合物としては、塩
化鋼（Ｉ）。
塩化銅（■几＃Ｌ酸銅（ＩＩ）及びこ扛らの混合ｖ！Ｉ
が使用される。
が使用される。
アミノ酸としては、グルタミン酸、アスパラギン酸、グ
リシン、アラニン、バリン、フェニルアラニン及びこ扛
らの混合物が使用される。
リシン、アラニン、バリン、フェニルアラニン及びこ扛
らの混合物が使用される。
２１１ｆＩ＋のパラジウム化合＊’にアミノ酸と反応ざ
ゼて錯化合物葡得るには１例えは、メタノール１、５
ｃｃに、Ｌ−グルタミン０．１７ｇ５塩化パラジウム（
ＩＩ） ｌ １ ｇＴ刀口え振とうすることによＶ侍ら
ｎる。この錯化合物は８０℃の刀ｎ熱で金属パラジウム
葡生成する。侮られた錯化付物では、塩化パラジウム（
ＩＩ）にアミノ酸のアミノ基に配位しており、アずノ羞
が結付する炭素に結付する分極した水素により金属パラ
ジウムか生成δ扛５− るＯ 加熱１Ｍ度は、例えば、５０〜２００℃が好ましく、ア
ミノ献の狸傾ｒより通崗が決めら扛る。
ゼて錯化合物葡得るには１例えは、メタノール１、５
ｃｃに、Ｌ−グルタミン０．１７ｇ５塩化パラジウム（
ＩＩ） ｌ １ ｇＴ刀口え振とうすることによＶ侍ら
ｎる。この錯化合物は８０℃の刀ｎ熱で金属パラジウム
葡生成する。侮られた錯化付物では、塩化パラジウム（
ＩＩ）にアミノ酸のアミノ基に配位しており、アずノ羞
が結付する炭素に結付する分極した水素により金属パラ
ジウムか生成δ扛５− るＯ 加熱１Ｍ度は、例えば、５０〜２００℃が好ましく、ア
ミノ献の狸傾ｒより通崗が決めら扛る。
本発明の襖用例を説明する０錯化合物の使用ＮはＰｄ
、Ｃｕ麺で汀１厘ｈ％以下が好ましい。
、Ｃｕ麺で汀１厘ｈ％以下が好ましい。
（１）錯化合物τ言むボ浴故申に桧めっさ９勿を反慣し
引き上Ｖ丁、加熱丁ゐことにより被めっき物表面に雀属
パラジウム又＆Ｊ金禰綱忙生成させる。
引き上Ｖ丁、加熱丁ゐことにより被めっき物表面に雀属
パラジウム又＆Ｊ金禰綱忙生成させる。
（２）餡化合吻τ、ゴムーフェノール糸等の接虐創中に
分散し、この恢＊割ｔガラス布にエポキシ樹脂反した槙
鳩儀衣囲に塗布し、澗熱乾珠する段階で金属パラジウム
又は金属銅を生成させる。
分散し、この恢＊割ｔガラス布にエポキシ樹脂反した槙
鳩儀衣囲に塗布し、澗熱乾珠する段階で金属パラジウム
又は金属銅を生成させる。
（５）錯化合物を、エポキシ樹脂のアセトン浴漱申に分
散名ぜたワニスｔガラス布寺の羞拐に８撹さぜ、通富υ
方法によ！ｌ１棟層板を製造丁ゐ。ブリグレグの転線時
、積層板の加熱加圧時の熱により金属パラジウム又ａ金
ＩＩ４給が生成する０ ４− （４） 昏１１化合９勿ヱ、ポリエステル但（月りの・
ｈ１故的Ｒす浴液中に分ｉ￥ｉ−ざゼ、流処法でフィル
ムτつ（る０南４対ｍ削り力１１熱除去中の力１）熱に
よＶ金属パラジウム又げ金属鋼が生成する〇 （ｓＩ ＜＊ｌ′４化付物ｔ１ポリイミドのテトシピド
ロンシン心欣甲に分散芒−よ、紳り載１ｃ被咎する。焼
さ付は時の熱により金桓パラジウム又０１蓋楓条ｉＪＪ
が止１戊し片Ｕ媒ｉ９二’ｔｒ勺丁肥蘇電勝かイＪら扛
る。
散名ぜたワニスｔガラス布寺の羞拐に８撹さぜ、通富υ
方法によ！ｌ１棟層板を製造丁ゐ。ブリグレグの転線時
、積層板の加熱加圧時の熱により金属パラジウム又ａ金
ＩＩ４給が生成する０ ４− （４） 昏１１化合９勿ヱ、ポリエステル但（月りの・
ｈ１故的Ｒす浴液中に分ｉ￥ｉ−ざゼ、流処法でフィル
ムτつ（る０南４対ｍ削り力１１熱除去中の力１）熱に
よＶ金属パラジウム又げ金属鋼が生成する〇 （ｓＩ ＜＊ｌ′４化付物ｔ１ポリイミドのテトシピド
ロンシン心欣甲に分散芒−よ、紳り載１ｃ被咎する。焼
さ付は時の熱により金桓パラジウム又０１蓋楓条ｉＪＪ
が止１戊し片Ｕ媒ｉ９二’ｔｒ勺丁肥蘇電勝かイＪら扛
る。
Ｖ、上直明し／（よりに、木兄ψＪの方法では仄の利点
が違せらｎる。
が違せらｎる。
（１）生成する金践パラジウム又に釜ｈ４銅υ籾子が卸
Ｊ〃・いため、倚らγした無電解めっさの軸性が被ｌ−
ゐ。
Ｊ〃・いため、倚らγした無電解めっさの軸性が被ｌ−
ゐ。
（２）硅醗土等Ｑ）担体を使用しないで丁むので。
浴液中での１史川力■］能で夕）Ｑｌ 均−ｍ台が各局
０ （３） Ｓｎ、Ｃ＃寺の不純物を台−家ない１ζＵハ得
られた無電解めっきの特性が艮い０ ＡりＯ
０ （３） Ｓｎ、Ｃ＃寺の不純物を台−家ない１ζＵハ得
られた無電解めっきの特性が艮い０ ＡりＯ
Claims (1)
- １．２１曲のパラジウム化合物又は、１１曲、２１曲の
銅化合物？アミノ酸と反応させた錯化合物葡加熱し、金
属バ２ジウムケ生成させること′に待畝と丁／ｌ）無電
解鋼めっきに対する活性化法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14463883A JPS6036672A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 無電解銅めつきに対する活性化法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP14463883A JPS6036672A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 無電解銅めつきに対する活性化法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS6036672A true JPS6036672A (ja) | 1985-02-25 |
Family
ID=15366711
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP14463883A Pending JPS6036672A (ja) | 1983-08-08 | 1983-08-08 | 無電解銅めつきに対する活性化法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS6036672A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100047458A1 (en) * | 2005-12-06 | 2010-02-25 | Ebara-Udylite Co., Ltd. | Palladium complex and catalyst-imparting treatment solution using the same |
| US8900666B2 (en) | 2010-10-21 | 2014-12-02 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Stable nanoparticles for electroless plating |
-
1983
- 1983-08-08 JP JP14463883A patent/JPS6036672A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US20100047458A1 (en) * | 2005-12-06 | 2010-02-25 | Ebara-Udylite Co., Ltd. | Palladium complex and catalyst-imparting treatment solution using the same |
| US8354014B2 (en) * | 2005-12-06 | 2013-01-15 | Ebara-Udylite Co., Ltd. | Palladium complex and catalyst-imparting treatment solution using the same |
| EP1959029A4 (en) * | 2005-12-06 | 2013-07-17 | Ebara Udylite Kk | Palladium complex and catalyst-dispersing treatment solution therewith |
| US8900666B2 (en) | 2010-10-21 | 2014-12-02 | Rohm And Haas Electronic Materials Llc | Stable nanoparticles for electroless plating |
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