CN110093596A - 一种自动脱落的超薄铜箔的制备方法 - Google Patents

一种自动脱落的超薄铜箔的制备方法 Download PDF

Info

Publication number
CN110093596A
CN110093596A CN201910326924.3A CN201910326924A CN110093596A CN 110093596 A CN110093596 A CN 110093596A CN 201910326924 A CN201910326924 A CN 201910326924A CN 110093596 A CN110093596 A CN 110093596A
Authority
CN
China
Prior art keywords
substrate
copper foil
extra thin
thin copper
chitosan
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Withdrawn
Application number
CN201910326924.3A
Other languages
English (en)
Inventor
唐建成
韦朝龙
叶楠
余方新
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Nanchang University
Original Assignee
Nanchang University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Nanchang University filed Critical Nanchang University
Priority to CN201910326924.3A priority Critical patent/CN110093596A/zh
Publication of CN110093596A publication Critical patent/CN110093596A/zh
Withdrawn legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/1601—Process or apparatus
    • C23C18/1633—Process of electroless plating
    • C23C18/1655—Process features
    • C23C18/1657—Electroless forming, i.e. substrate removed or destroyed at the end of the process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/18—Pretreatment of the material to be coated
    • C23C18/1803—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces
    • C23C18/1824—Pretreatment of the material to be coated of metallic material surfaces or of a non-specific material surfaces by chemical pretreatment
    • C23C18/1837—Multistep pretreatment
    • C23C18/1844—Multistep pretreatment with use of organic or inorganic compounds other than metals, first
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • C23C18/38—Coating with copper
    • C23C18/40—Coating with copper using reducing agents

Abstract

本发明公开了一种自动脱落的超薄铜箔的制备方法，步骤包括有将处理液均匀涂覆在基板表面，处理液为壳聚糖和甲醇的混合物，基板为玻璃基板、塑料基板和陶瓷基板中任意的一种；将所得的基板取出放入烘箱中干燥；然后放入含有氯化钯和盐酸的活化液中反应，再用次磷酸钠水溶液还原；将所得的基板放入化学镀液中，在水浴中反应一定时间后铜层逐渐从基板上脱落，取出干燥即可得到超薄铜箔，本发明利用壳聚糖这一性质使得钯离子吸附在基板表面，将钯离子还原后便可催化化学镀铜的发生。此外，在碱性化学镀液中，随着反应的进行，镀液将壳聚糖上的亲水基团逐渐中和，使镀铜层与基板自动脱离，无需后期将基板去除的步骤便可得到独立式的超铜箔。

Description

一种自动脱落的超薄铜箔的制备方法
技术领域
本发明属于超薄铜箔制备技术领域，具体涉及一种自动脱落的超薄铜箔的制备方法。
背景技术
铜具有低电阻性、高导热性，良好的加工和连接性能，因而广泛应用于电子领域。据统计，有60％的铜被加工应用于电气工业中。铜箔主要用作PCB的导电体和用于制造多层印刷电路板，电子行业的快速发展使得铜箔的需求量也不断增大。当今电子产品正朝着低成本、高性能和便携性方向发展，对铜箔的性能和质量要求也越来越高，厚度为12μm或12μm以下的超薄铜箔成为市场的主要需求。
目前制备铜箔的方法主要分为压延法和电解法。压延铜箔是将铜碾压成箔片，再经过热处理、抗氧化处理、粗化处理等工艺后得到最终产品。压延铜箔的纯度高并且力学性能优良，但其对设备的要求较高，需要投入大量的人力物力。电解铜箔则是利用电镀液中的铜离子得到电子在电极上沉积，再经过剥离、抗氧化处理、粗化处理等工艺后得到最终产品。电解铜箔的制备成本低，但所得铜箔的致密度不高，易断。
由此可见，探索新型铜箔制造工艺对于降低铜箔制造成本、提高铜箔性能具有良好的现实意义和应用前景。
发明内容
本发明的目的是针对现有铜箔制备技术上的不足，提出一种自动脱落的超薄铜箔的制备方法，铜箔厚度为7～10μm。壳聚糖含有大量的羟基和氨基官能团，这些基团能够与金属离子发生螯合作用将金属离子吸附，本发明利用壳聚糖这一性质使得钯离子吸附在基板表面，将钯离子还原后便可催化化学镀铜的发生。此外，在碱性化学镀液中，随着反应的进行，镀液将壳聚糖上的亲水基团逐渐中和，使镀铜层与基板自动脱离，无需后期将基板去除的步骤便可得到独立式的超铜箔。
为了实现本发明的目的，采用的技术方案是，设计一种自动脱落的超薄铜箔的制备方法，包括有如下步骤：
(1)将处理液通过超声雾化喷涂在基板表面，所述处理液为壳聚糖和甲醇的混合物，所述基板可为玻璃基板、塑料基板和陶瓷基板中任意的一种；
(2)将处理后的基板取出放入烘箱中以60～80℃干燥30～120min；
(3)将烘干后的基板放入含有质量浓度为0.2g/L的氯化钯和摩尔浓度为1mol/L的盐酸的活化液中反应10-30min，然后用质量浓度为0.2g/L的次磷酸钠水溶液还原；
(4)将活化还原后的基板放入化学镀液中，在50～70℃水浴中反应1～2h后铜层逐渐从基板上脱落，取出干燥即可得到超薄铜箔。
具体的，本发明中所述处理液的配置方法是将脱乙酰度≥95％的壳聚糖溶于2％的乙酸溶液，得到10g/L的壳聚糖溶液，再向其加入适量的甲醇得到壳聚糖含量为5g/L的处理液。
进一步的，所述烘箱的温度设定为60～80℃，干燥时间为30～120min。
优选的，所述活化液的配置方法是将氯化钯和盐酸溶于去离子水中，其中氯化钯的质量浓度为0.2g/L，盐酸的摩尔浓度为1mol/L，活化时间为10-30min；所述次磷酸钠水溶液中次磷酸钠的质量浓度为0.2g/L。
优选的，所述基板在镀液中反应的时间为1～2h，水浴温度为50～70℃。
优选的，所述化学镀液在配置后使用NaOH溶液调节PH值。
与现有技术相比，本发明的工艺中镀铜层与基板自动脱离，无需后期将基板去除的步骤便可得到独立式的超铜箔，节省了操作步骤和工艺成本，且无需使用昂贵、大型的仪器设备；本发明提供的通过化学镀铜制备超薄铜箔的工艺所得到的的铜箔厚度均匀可控，导电率和力学性能优良。
附图说明
下面结合附图对本发明进行进一步的描述。
图1为实施例1所得的铜箔的宏观图；
图2为实施例1所得的铜箔的SEM图；
图3为实施例1所得的铜箔的XRD图；
图4为实施例2所得的铜箔的SEM图；
图5为实施例3所得的铜箔的TEM图
图6为对比例所得的铜箔的宏观图。
具体实施方式
下面通过具体实施方式结合附图对本发明作进一步详细说明。
本发明将通过以下实施例作进一步说明，但本发明的保护范围不仅限于此。
实施例1：
(1)配置处理液，配置方法为将脱乙酰度≥95％的壳聚糖溶于2％的乙酸溶液，再向其加入适量的甲醇得到壳聚糖含量为5g/L的处理液。
(2)将处理液通过超声雾化喷涂在玻璃基板表面。
(3)将处理后的玻璃板取出放入烘箱中以60℃干燥30min。
(4)将烘干后的玻璃板放入含有质量浓度为0.2g/L的氯化钯和摩尔浓度为1mol/L的盐酸的活化液中反应10min，然后用质量浓度为0.2g/L的次磷酸钠水溶液还原。
(5)配置化学镀液，包含五水合硫酸铜7g/L、四水合酒石酸钾钠12g/L、二水合柠檬酸钠10g/L、硫酸镍0.3g/L、次磷酸钠32g/L、2-2’联吡啶10mg/L。用NaOH溶液调节镀液PH值为11。
(6)将活化还原后的玻璃板放入上述化学镀液中，在50℃水浴中反应1h后铜层逐渐从基板上脱落，取出干燥即可得到超薄铜箔。
附图中图1为所得的铜箔的宏观图，图2为所得的铜箔的SEM图，图3为所得的铜箔的XRD图。
实例2：
(1)配置处理液，配置方法为将脱乙酰度≥95％的壳聚糖溶于2％的乙酸溶液，再向其加入适量的甲醇得到壳聚糖含量为5g/L的处理液。
(2)将处理液均匀涂覆在玻璃基板表面。
(3)将处理后的玻璃板取出放入烘箱中以80℃干燥30min。
(4)将烘干后的玻璃板放入含有质量浓度为0.2g/L的氯化钯和摩尔浓度为1mol/L的盐酸的活化液中反应20min，然后用质量浓度为0.2g/L的次磷酸钠水溶液还原。
(5)配置化学镀液，包含五水合硫酸铜10g/L、37％的甲醛溶液15ml/L、乙二胺四乙酸二钠40g/L、2-2’联吡啶25mg/L。用NaOH溶液调节镀液PH值为12.5。
(6)将活化还原后的玻璃板放入上述化学镀液中，在70℃水浴中反应1.5h后铜层逐渐从基板上脱落，取出干燥即可得到超薄铜箔。
实例3：
(1)配置处理液，配置方法为将脱乙酰度≥95％的壳聚糖溶于2％的乙酸溶液，再向其加入适量的甲醇得到壳聚糖含量为5g/L的处理液。
(2)将处理液均匀涂覆在玻璃基板表面。
(3)将处理后的玻璃板取出放入烘箱中以80℃干燥60min。
(4)将烘干后的玻璃板放入含有质量浓度为0.2g/L的氯化钯和摩尔浓度为1mol/L的盐酸的活化液中反应20min，然后用质量浓度为0.2g/L的次磷酸钠水溶液还原。
(5)配置化学镀液，包含五水合硫酸铜10g/L、次磷酸钠30g/L、二水合柠檬酸钠25g/L、2-2’联吡啶15mg/L。用NaOH溶液调节镀液PH值为9。
(6)将活化还原后的玻璃板放入上述化学镀液中，在70℃水浴中反应2h后铜层逐渐从基板上脱落，取出干燥即可得到超薄铜箔。
实例4：
(1)配置处理液，配置方法为将脱乙酰度≥95％的壳聚糖溶于2％的乙酸溶液，再向其加入适量的甲醇得到壳聚糖含量为5g/L的处理液。
(2)将处理液均匀涂覆在ABS塑料板表面。
(3)将处理后的ABS塑料板取出放入烘箱中以80℃干燥30min。
(4)将烘干后的ABS塑料板放入含有质量浓度为0.2g/L的氯化钯和摩尔浓度为1mol/L的盐酸的活化液中反应20min，然后用质量浓度为0.2g/L的次磷酸钠水溶液还原。
(5)配置化学镀液，包含五水合硫酸铜10g/L、次磷酸钠30g/L、二水合柠檬酸钠25g/L、2-2’联吡啶15mg/L。用NaOH溶液调节镀液PH值为9。
(6)将活化还原后的ABS塑料板放入上述化学镀液中，在60℃水浴中反应2h后铜层逐渐从基板上脱落，取出干燥即可得到超薄铜箔。
对比例：
本对比例给出一种独立铜箔制备方法，与本发明所给实施例1不同的是，将清洗和粗化后的塑料基板放入含有20g/L的氯化亚锡和1mol/L的盐酸溶液中敏化15分钟。敏化后的镀铜步骤与所给实例1相同。镀铜结束后，需将镀铜塑料板放入高温管式炉中450℃通入氢气煅烧一个小时，得到独立铜箔。但是所得铜箔表面有明显的褶皱和裂纹，并且存在塑料基底的残留，见附图6。
将所述实例与对比例所得铜箔进行对比列入表1：
表1实例与对比例的对比
从表1可以看出，本发明所述的铜箔制备方法可以在不同的基板上制备的到自动脱落的独立式铜箔。相比于先在基底上镀铜后再将基底去除的方法，可以得到完整致密的铜箔。此外，本发明所述实例与传统的电解铜箔和压延铜箔相比较，电解铜箔存在组织不够致密，易折断的缺点，而压延铜箔需要使用大型且昂贵的设备。本发明无需使用昂贵的仪器就可得到组织致密、力学性能良好的铜箔。
在本说明书的描述中，参考术语“一个实施方式”、“一些实施方式”、“一个实施例”、“一些实施例”、“示例”、“具体示例”、或“一些示例”等的描述意指结合该实施例或示例描述的具体特征、结构、材料或者特点包含于本发明的至少一个实施例或示例中。在本说明书中，对上述术语的示意性表述不一定指的是相同的实施例或示例。而且，描述的具体特征、结构、材料或者特点可以在任何的一个或多个实施例或示例中以合适的方式结合。
以上内容是结合具体的实施方式对本发明所作的进一步详细说明，不能认定本发明的具体实施只局限于这些说明。对于本发明所属技术领域的普通技术人员来说，在不脱离本发明构思的前提下，还可以做出若干简单推演或替换。

Claims (6)

1.一种自动脱落的超薄铜箔的制备方法，其特征在于包括有如下步骤：
a)将处理液均匀涂覆在基板表面，所述处理液为壳聚糖和甲醇的混合物，所述基板为玻璃基板、塑料基板和陶瓷基板中任意的一种；
b)将步骤a)所得的基板取出放入烘箱中干燥；
c)将步骤b)所得的基板放入含有氯化钯和盐酸的活化液中反应，然后用次磷酸钠水溶液还原；
d)将步骤c)所得的基板放入化学镀液中，在水浴中反应一定时间后铜层逐渐从基板上脱落，取出干燥即可得到超薄铜箔。
2.根据权利要求1所述的一种自动脱落的超薄铜箔的制备方法，其特征在于：所述处理液的配置方法是将脱乙酰度≥95％的壳聚糖溶于2％的乙酸溶液，得到10g/L的壳聚糖溶液，再向其加入适量的甲醇得到壳聚糖含量为5g/L的处理液。
3.根据权利要求1所述的一种自动脱落的超薄铜箔的制备方法，其特征在于：所述烘箱的温度设定为60～80℃，干燥时间为30～120min。
4.根据权利要求1所述的一种自动脱落的超薄铜箔的制备方法，其特征在于：所述活化液的配置方法是将氯化钯和盐酸溶于去离子水中，其中氯化钯的质量浓度为0.2g/L，盐酸的摩尔浓度为1mol/L，活化时间为10-30min；所述次磷酸钠水溶液中次磷酸钠的质量浓度为0.2g/L。
5.根据权利要求1所述的一种自动脱落的超薄铜箔的制备方法，其特征在于：所述基板在镀液中反应的时间为1～2h，水浴温度为50～70℃。
6.根据权利要求1所述的一种自动脱落的超薄铜箔的制备方法，其特征在于：所述化学镀液在配置后使用NaOH溶液调节PH值。
CN201910326924.3A 2019-04-24 2019-04-24 一种自动脱落的超薄铜箔的制备方法 Withdrawn CN110093596A (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910326924.3A CN110093596A (zh) 2019-04-24 2019-04-24 一种自动脱落的超薄铜箔的制备方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN201910326924.3A CN110093596A (zh) 2019-04-24 2019-04-24 一种自动脱落的超薄铜箔的制备方法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
CN110093596A true CN110093596A (zh) 2019-08-06

Family

ID=67445563

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN201910326924.3A Withdrawn CN110093596A (zh) 2019-04-24 2019-04-24 一种自动脱落的超薄铜箔的制备方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN110093596A (zh)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111485231A (zh) * 2020-03-17 2020-08-04 南昌大学 一种用于制备自剥离金属薄膜的自耗层制备方法
CN112063998A (zh) * 2020-08-28 2020-12-11 南昌大学 一种超薄铜/石墨烯复合箔的制备方法
CN112962128A (zh) * 2021-01-29 2021-06-15 山东金宝电子股份有限公司 一种高抗剥铜箔的粗化工艺方法

Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1124301A (zh) * 1994-12-08 1996-06-12 大伸化学株式会社 化学镀方法中的催化剂化方法
CN101126156A (zh) * 2007-06-06 2008-02-20 南开大学 一种用于abs塑料基体化学镀前处理的新工艺
CN101577148A (zh) * 2009-06-23 2009-11-11 中国乐凯胶片集团公司 一种透明导电膜及其制备方法

Patent Citations (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN1124301A (zh) * 1994-12-08 1996-06-12 大伸化学株式会社 化学镀方法中的催化剂化方法
CN101126156A (zh) * 2007-06-06 2008-02-20 南开大学 一种用于abs塑料基体化学镀前处理的新工艺
CN101577148A (zh) * 2009-06-23 2009-11-11 中国乐凯胶片集团公司 一种透明导电膜及其制备方法

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111485231A (zh) * 2020-03-17 2020-08-04 南昌大学 一种用于制备自剥离金属薄膜的自耗层制备方法
CN112063998A (zh) * 2020-08-28 2020-12-11 南昌大学 一种超薄铜/石墨烯复合箔的制备方法
CN112962128A (zh) * 2021-01-29 2021-06-15 山东金宝电子股份有限公司 一种高抗剥铜箔的粗化工艺方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN110093596A (zh) 一种自动脱落的超薄铜箔的制备方法
JP5648232B1 (ja) 無電解めっき用触媒、これを用いた金属皮膜及びその製造方法
CN110670050B (zh) 化学镀铜活化液及其制备方法
CN106757245A (zh) 一种黑化铜箔的表面处理工艺
US10076032B2 (en) Substrate for printed circuit board, printed circuit board, and method for producing substrate for printed circuit board
WO2015182881A1 (ko) 직접 도금에 의한 도전성 박막소재 및 이의 제조방법
TWI732045B (zh) 印刷配線基板之製造方法
CN110265190A (zh) 一种三维柔性导体的制备方法
CN107020374B (zh) 一种Ti3SiC2/Cu复合导电粉体的制备方法
JP6484026B2 (ja) プリント配線板用基板及びプリント配線板並びにプリント配線板用基板の製造方法
CN107699871B (zh) 一种利用化学镀铜溶液在硅基底表面制备镀铜层的工艺
CN105153447B (zh) 一种三明治结构柔性镀铜功能粒子导电膜的制备方法
CN109897213B (zh) 一种电磁屏蔽用柔性复合材料的制备方法
CN110029331A (zh) 一种用于非金属材料化学镀铜的敏化液及其敏化工艺
KR102373554B1 (ko) 유전체 기재 표면의 금속화 방법 및 금속막 부착 유전체 기재
CN114105494B (zh) 偶联剂复配离子镍无钯活化液及制备导电玄武岩纤维方法
CN109280945A (zh) Pcb/fpc干膜前处理用金属基铜面防氧化增强剂及其处理方法
KR20170055642A (ko) 회로 인쇄용 및 전도성 접착제용 페이스트에 적용 가능한 구리분말의 은코팅 방법
CN112063998B (zh) 一种超薄铜/石墨烯复合箔的制备方法
CN103484840A (zh) 用于制备埋入式薄膜电阻的活化剂、埋入式薄膜电阻的制备方法及埋入式薄膜电阻
CN114016011B (zh) 一种用于5g基站的玻璃布基板表面金属化方法
CN113897600A (zh) 一种双络合体系低应力化学镀铜液及其制备方法和应用
CN114433839B (zh) 一种电镀制备银包铜粉的方法
JP2006237322A (ja) 銅ポリイミド基板の製造方法
CN116791160B (zh) 一种高耐热电解铜箔的制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
WW01 Invention patent application withdrawn after publication
WW01 Invention patent application withdrawn after publication

Application publication date: 20190806