RU98110367A - Термоэлектрический модуль и способ его изготовления - Google Patents
Термоэлектрический модуль и способ его изготовленияInfo
- Publication number
- RU98110367A RU98110367A RU98110367/28A RU98110367A RU98110367A RU 98110367 A RU98110367 A RU 98110367A RU 98110367/28 A RU98110367/28 A RU 98110367/28A RU 98110367 A RU98110367 A RU 98110367A RU 98110367 A RU98110367 A RU 98110367A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- layer
- named
- alloy
- tin
- thermoelectric semiconductor
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims 9
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 claims 16
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims 14
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims 11
- ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N tin hydride Chemical compound [Sn] ATJFFYVFTNAWJD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 11
- 229910001128 Sn alloy Inorganic materials 0.000 claims 10
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims 6
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims 6
- REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N aluminium(3+) Chemical class [Al+3] REDXJYDRNCIFBQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N nickel Substances [Ni] PXHVJJICTQNCMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 6
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims 4
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 claims 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims 3
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims 3
- 229910016339 Bi—Sb—Te Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910001245 Sb alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 229910001370 Se alloy Inorganic materials 0.000 claims 2
- 238000004140 cleaning Methods 0.000 claims 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 2
- 238000005507 spraying Methods 0.000 claims 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 claims 2
- 229910002909 Bi-Te Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910016338 Bi—Sn Inorganic materials 0.000 claims 1
- 210000004681 Ovum Anatomy 0.000 claims 1
- 229910020830 Sn-Bi Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910020935 Sn-Sb Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910018728 Sn—Bi Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910008757 Sn—Sb Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910008772 Sn—Se Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910001215 Te alloy Inorganic materials 0.000 claims 1
- 125000004429 atoms Chemical group 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 claims 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims 1
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims 1
- 238000001020 plasma etching Methods 0.000 claims 1
- 239000006104 solid solution Substances 0.000 claims 1
- 238000004506 ultrasonic cleaning Methods 0.000 claims 1
Claims (10)
1. Термоэлектрический элемент, в состав которого входит: термоэлектрический полупроводник из Bi-Sb-Te или Bi-Te-Se, при этом названный термоэлектрический полупроводниковый сплав имеет две противолежащие грани, слой сплава олова, нанесенный на каждую из названных граней названного полупроводника, при этом названный слой из сплава олова включает олово как основной металлический элемент, который взаимно диффундирует с, по крайней мере, одним элементом названного полупроводника до образования, по крайней мере, одного сплава олова, при этом элемент выбирался из группы элементов, в состав которой входит Sn-Bi сплав, Sn-Te сплав, Sn-Sb сплав, Sn-Se сплав, Sn-Bi-Te сплав, Sn-Bi-Sb сплав, Sn-Bi-Se сплав, Sn-Te-Se сплав и Sn-Te-Sb сплав, при этом названный сплав олова находится в форме одного из твердых растворов, интерметаллического соединения и их сочетания, диффузионный слой, нанесенный на каждый из названных слоев из сплава олова, при этом названный диффузионный слой выполняется из, по крайней мере, одного элемента, выбранного из группы элементов, в состав которой входят Мо, W, Nb и Ni для предотвращения диффузии элементов названного термоэлектрического полупроводника и материала припоя, применяемого для выполнения электрического соединения названного термоэлектрического полупроводника к внешней электрической цепи.
2. Термоэлектрический элемент по п. 1, отличающийся тем, что масса атомов олова в названном слое из сплава олова должна составлять 10% или более, при этом толщина названного слоя из сплава олова должна составлять 0,1 - 3,0 мкм, а толщина названного диффузионного слоя 0,1 - 0,5 мкм.
3. Термоэлектрический элемент по п. 2, отличающийся тем, что названный слой из сплава олова образуется из слоя олова, масса атомов которого составляет более 90%, при этом толщина названного слоя олова составляет менее 2,0 мкм.
4. Способ изготовления термоэлектрического элемента, состоящий из следующих этапов: подготовка термоэлектрического полупроводника из Bi-Sb-Te или Bi-Te-Se с противолежащими гранями, нанесение слоя олова на каждую из противолежащих граней термоэлектрического полупроводника, взаимодиффузия олова и, по крайней мере, одного элемента термоэлектрического полупроводника для образования слоя из сплава олова на каждой из противолежащих граней термоэлектрического полупроводника, нанесение диффузионного слоя на каждый из названных слоев из сплава олова, при этом диффузионный слой изготавливается, по крайней мере, из одного элемента, выбранного из группы элементов, в которую входят: Мо, W, Nb и Ni для предотвращения диффузии элементов названного термоэлектрического полупроводника, а также материала припоя, применяемого для выполнения электрического соединения между названным термоэлектрическим полупроводником и внешней электрической цепью.
5. Способ изготовления по п. 4, отличающийся тем, что названный диффузионный слой выполнен по крайней мере из одного элемента, выбранного из группы элементов, в состав которой входят Мо, W и Nb, а также тем, что названный способ изготовления включает также следующие этапы: нанесение дополнительного диффузионного слоя из никеля на каждый из названных диффузионных слоев из Мо, W, или Nb для предотвращения дальнейшей диффузии элементов названного термоэлектрического полупроводника и материала припоя, нанесение последнего слоя на каждый названный дополнительный диффузионный слой из никеля, при этом названный последний слой выполняется из элементов, выбранных из группы элементов, в состав которой входят Сu, Аu, Bi-Sn и Sn для выполнения паяного соединения с электродом.
6. Способ изготовления по п. 4, отличающийся тем, что слой олова и названный диффузионный слой нанесены соответственно распылением или способом осаждения из паровой фазы.
7. Способ изготовления по п. 5, отличающийся тем, что названный дополнительный диффузионный слой нанесен распылением или способом осаждения из паровой фазы.
8. Способ изготовления по п. 4, включающий также этап нагрева слоя олова при температуре 120 - 300oС в течение 1 - 60 мин после нагрева названного слоя олова.
9. Способ изготовления по п. 4 или 5, который перед нанесением названного слоя олова включает также этап предварительной чистки названных противолежащих граней названного термоэлектрического полупроводника, при этом названный этап предварительной чистки включает механическое шлифование названных противолежащих граней во влажной среде; ультразвуковую чистку названных противолежащих граней, плазменное травление названных противолежащих граней.
10. Способ изготовления по одному из пп. 4 - 8, отличающийся тем, что названный слой олова, названный слой из сплава олова, названный диффузионный слой, названный дополнительный диффузионный слой, и названный последний слой образуются непрерывно в вакууме.
Applications Claiming Priority (2)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP34287896A JP3144328B2 (ja) | 1996-12-24 | 1996-12-24 | 熱電変換素子およびその製造方法 |
JP8-342878 | 1996-12-24 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU98110367A true RU98110367A (ru) | 2000-05-20 |
RU2151450C1 RU2151450C1 (ru) | 2000-06-20 |
Family
ID=18357210
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU98110367/28A RU2151450C1 (ru) | 1996-12-24 | 1997-12-22 | Термоэлектрический модуль и способ его изготовления |
Country Status (8)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6083770A (ru) |
JP (1) | JP3144328B2 (ru) |
KR (1) | KR100310478B1 (ru) |
CN (1) | CN1125493C (ru) |
DE (1) | DE19781457C2 (ru) |
RU (1) | RU2151450C1 (ru) |
TW (1) | TW362293B (ru) |
WO (1) | WO1998028801A1 (ru) |
Families Citing this family (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR100445317B1 (ko) * | 1999-02-24 | 2004-08-18 | 조창제 | 열 운동 전자 정류 장치 및 이를 이용하여 물체 열을 전기에너지로 전환하는 방법 |
US6700053B2 (en) * | 2000-07-03 | 2004-03-02 | Komatsu Ltd. | Thermoelectric module |
KR100440268B1 (ko) * | 2001-04-21 | 2004-07-30 | 김창선 | 열전재료의 제조방법 |
US6709882B2 (en) | 2001-08-27 | 2004-03-23 | Lightwave Microsystems Corporation | Planar lightwave circuit active device metallization process |
JP2003198117A (ja) * | 2001-12-28 | 2003-07-11 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | はんだ付け方法および接合構造体 |
DE10314876B4 (de) * | 2003-04-01 | 2008-02-14 | Infineon Technologies Ag | Verfahren zum mehrstufigen Herstellen von Diffusionslötverbindungen und seine Verwendung für Leistungsbauteile mit Halbleiterchips |
GB2403173A (en) * | 2003-06-25 | 2004-12-29 | King S College London | Soldering refractory metal surfaces |
WO2005036660A2 (en) * | 2003-09-12 | 2005-04-21 | Board Of Trustees Operating Michigan State University | Silver-containing thermoelectric compounds |
EP1946363A4 (en) * | 2005-09-19 | 2011-01-26 | Carrier Corp | SURFACE MODIFICATION OF THERMOELECTRIC MATERIAL FOR THE MINIMIZATION OF INTERFACIAL RESISTANCE IN THERMOELECTRIC DEVICES |
KR100721925B1 (ko) * | 2005-12-21 | 2007-05-28 | 주식회사 포스코 | 열전모듈의 제조 방법 |
JP2008010612A (ja) * | 2006-06-29 | 2008-01-17 | Komatsu Ltd | 熱電素子及びその製造方法、並びに、熱電モジュール |
CN100583478C (zh) * | 2007-10-16 | 2010-01-20 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种π型CoSb3基热电转换器件及制备方法 |
KR101524544B1 (ko) * | 2008-03-28 | 2015-06-02 | 페어차일드코리아반도체 주식회사 | 펠티어 효과를 이용한 열전기 모듈을 포함하는 전력 소자패키지 및 그 제조 방법 |
CN101358313B (zh) * | 2008-05-09 | 2010-06-02 | 北京科技大学 | 一种提高Bi-S二元体系热电材料性能的方法 |
KR20100009455A (ko) * | 2008-07-18 | 2010-01-27 | 삼성전자주식회사 | 열전재료 및 칼코게나이드 화합물 |
US8710348B2 (en) * | 2008-10-21 | 2014-04-29 | Dirk N. Weiss | Stacked thin-film superlattice thermoelectric devices |
US20100258154A1 (en) * | 2009-04-13 | 2010-10-14 | The Ohio State University | Thermoelectric alloys with improved thermoelectric power factor |
KR101101704B1 (ko) | 2009-12-22 | 2012-01-05 | 한국세라믹기술원 | 열전소자용 전극 및 그 제조방법 |
US20130000688A1 (en) * | 2010-03-23 | 2013-01-03 | Cho Hans S | Thermoelectric device |
US20120060886A1 (en) * | 2010-09-10 | 2012-03-15 | Hamilton Sundstrand Corporation | High temperature flexible electrode |
US8995134B2 (en) | 2011-05-27 | 2015-03-31 | Lear Corporation | Electrically-cooled power module |
KR101207300B1 (ko) | 2012-07-27 | 2012-12-03 | 한국기계연구원 | 열전 소자 제조방법 |
DE102012214700A1 (de) * | 2012-08-17 | 2014-02-20 | Behr Gmbh & Co. Kg | Thermoelektrischer Wärmetauscher |
KR102094995B1 (ko) | 2012-10-08 | 2020-03-31 | 삼성전자주식회사 | 열전모듈, 이를 구비한 열전장치, 및 열전모듈의 제조방법 |
CN102925861A (zh) * | 2012-11-20 | 2013-02-13 | 大连理工大学 | 具有高导电性和高热稳定性的Cu-Ni-Sn合金薄膜及其制备工艺 |
CN103060750B (zh) * | 2012-11-20 | 2015-03-25 | 深圳大学 | 一种铋锑碲基热电薄膜的制备方法 |
DE102013214988A1 (de) * | 2013-07-31 | 2015-02-05 | Behr Gmbh & Co. Kg | Thermoelektrisches Modul |
JP6078438B2 (ja) * | 2013-08-30 | 2017-02-08 | 株式会社Kelk | 熱電発電モジュール |
JP6164569B2 (ja) * | 2013-10-15 | 2017-07-19 | 住友電気工業株式会社 | 熱電素子および熱電素子の製造方法 |
KR101469760B1 (ko) * | 2013-10-15 | 2014-12-05 | 국방과학연구소 | 열전 특성에 최적화된 열전 소재 |
KR101439461B1 (ko) | 2013-11-08 | 2014-09-17 | 한국기계연구원 | 열전 반도체 모듈 및 이의 제조방법 |
CN104934523B (zh) * | 2014-03-19 | 2017-11-10 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 一种中高温热电模块 |
TWI557957B (zh) * | 2014-12-08 | 2016-11-11 | 財團法人工業技術研究院 | 熱電模組結構及其製造方法 |
RU2601243C1 (ru) * | 2015-06-25 | 2016-10-27 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ) | Способ получения термоэлектрического элемента |
CN109219893B (zh) | 2016-06-01 | 2023-06-30 | Lg伊诺特有限公司 | 热电臂及包括该热电臂的热电元件 |
WO2018038285A1 (ko) * | 2016-08-23 | 2018-03-01 | 희성금속 주식회사 | 열전소자 및 이를 포함하는 열전모듈 |
CN109524536B (zh) * | 2017-09-19 | 2020-03-17 | 中国科学院上海硅酸盐研究所 | 热电元器件扩散阻挡层的筛选方法 |
JP6733706B2 (ja) * | 2018-06-12 | 2020-08-05 | ヤマハ株式会社 | 熱電変換モジュール |
EP3817073B1 (en) * | 2018-06-27 | 2023-03-08 | Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. | Thermoelectric conversion element and thermoelectric conversion module |
RU2686493C1 (ru) * | 2018-08-09 | 2019-04-29 | Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" | Магниторезистивный сплав на основе висмута |
JP7419917B2 (ja) * | 2020-03-26 | 2024-01-23 | 株式会社プロテリアル | 熱電変換素子の製造方法 |
Family Cites Families (16)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US3045057A (en) * | 1960-02-26 | 1962-07-17 | Westinghouse Electric Corp | Thermoelectric material |
GB952678A (en) * | 1961-01-23 | 1964-03-18 | Wfstinghouse Electric Corp | Composite thermoelectric elements and devices |
US3444005A (en) * | 1965-01-04 | 1969-05-13 | Martin Marietta Corp | Thermoelectric hot shoe contacts |
US4180415A (en) * | 1965-06-11 | 1979-12-25 | Minnesota Mining And Manufacturing Company | Hot-junction electrode members for copper/silver chalcogenides |
US3650844A (en) * | 1968-09-19 | 1972-03-21 | Gen Electric | Diffusion barriers for semiconductive thermoelectric generator elements |
US3859143A (en) * | 1970-07-23 | 1975-01-07 | Rca Corp | Stable bonded barrier layer-telluride thermoelectric device |
US3988171A (en) * | 1971-06-07 | 1976-10-26 | Rockwell International Corporation | Bonded electrical contact for thermoelectric semiconductor element |
US3808670A (en) * | 1972-05-24 | 1974-05-07 | Isotopes Inc | Exothermic bonding of thermoelectric couples |
FR2261639B1 (ru) * | 1974-02-15 | 1976-11-26 | Cit Alcatel | |
US4489742A (en) * | 1983-07-21 | 1984-12-25 | Energy Conversion Devices, Inc. | Thermoelectric device and method of making and using same |
US4650919A (en) * | 1984-08-01 | 1987-03-17 | The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy | Thermoelectric generator and method for the fabrication thereof |
JPH04249385A (ja) * | 1991-02-06 | 1992-09-04 | Komatsu Electron Kk | 熱電装置 |
US5241828A (en) * | 1992-07-17 | 1993-09-07 | Conductus, Inc. | Cryogenic thermoelectric cooler |
US5429680A (en) * | 1993-11-19 | 1995-07-04 | Fuschetti; Dean F. | Thermoelectric heat pump |
US5817188A (en) * | 1995-10-03 | 1998-10-06 | Melcor Corporation | Fabrication of thermoelectric modules and solder for such fabrication |
JP3459328B2 (ja) * | 1996-07-26 | 2003-10-20 | 日本政策投資銀行 | 熱電半導体およびその製造方法 |
-
1996
- 1996-12-24 JP JP34287896A patent/JP3144328B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
1997
- 1997-12-22 US US09/068,456 patent/US6083770A/en not_active Expired - Lifetime
- 1997-12-22 WO PCT/JP1997/004757 patent/WO1998028801A1/en not_active Application Discontinuation
- 1997-12-22 RU RU98110367/28A patent/RU2151450C1/ru not_active IP Right Cessation
- 1997-12-22 DE DE19781457T patent/DE19781457C2/de not_active Expired - Fee Related
- 1997-12-22 KR KR1019980703542A patent/KR100310478B1/ko not_active IP Right Cessation
- 1997-12-22 CN CN97191237A patent/CN1125493C/zh not_active Expired - Lifetime
- 1997-12-23 TW TW086119578A patent/TW362293B/zh not_active IP Right Cessation
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
RU98110367A (ru) | Термоэлектрический модуль и способ его изготовления | |
US4176443A (en) | Method of connecting semiconductor structure to external circuits | |
RU2151450C1 (ru) | Термоэлектрический модуль и способ его изготовления | |
US4840302A (en) | Chromium-titanium alloy | |
US20100183896A1 (en) | Tin-silver bonding and method thereof | |
US5427983A (en) | Process for corrosion free multi-layer metal conductors | |
US5622305A (en) | Bonding scheme using group VB metallic layer | |
US3298093A (en) | Bonding process | |
JP3918424B2 (ja) | 熱電変換モジュールの製造方法 | |
JPH0945691A (ja) | チップ部品用ハンダバンプ及びその製造方法 | |
JP3407839B2 (ja) | 半導体装置のはんだバンプ形成方法 | |
US4132813A (en) | Method for producing solderable metallized layer on a semiconducting or insulating substrate | |
JPS6074539A (ja) | 光半導体素子用サブマウント | |
JPS60176231A (ja) | 化合物半導体素子の電極の形成方法 | |
JPH09148331A (ja) | 半導体集積回路装置およびその製造方法 | |
JPS62229973A (ja) | 半導体装置 | |
JPS61225839A (ja) | バンプ電極の形成方法 | |
JP4055399B2 (ja) | チップ型半導体素子及びその製造方法 | |
JP3297717B2 (ja) | 半導体装置の電極形成方法 | |
US10347602B1 (en) | Micro-bonding structure | |
JPS62234352A (ja) | ハンダバンプ電極の形成方法 | |
JPS63161631A (ja) | シリコン半導体素子 | |
JPS5811096B2 (ja) | ハンドウタイソシノ パツケ−ジヘノセツチヤクホウホウ | |
JPH0693466B2 (ja) | シリコン半導体装置の製造方法 | |
JPH10251837A (ja) | 電子部品 |