RU98110367A - Термоэлектрический модуль и способ его изготовления - Google Patents

Термоэлектрический модуль и способ его изготовления

Info

Publication number
RU98110367A
RU98110367A RU98110367/28A RU98110367A RU98110367A RU 98110367 A RU98110367 A RU 98110367A RU 98110367/28 A RU98110367/28 A RU 98110367/28A RU 98110367 A RU98110367 A RU 98110367A RU 98110367 A RU98110367 A RU 98110367A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
named
alloy
tin
thermoelectric semiconductor
Prior art date
Application number
RU98110367/28A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2151450C1 (ru
Inventor
Такехико Сато
Казуо Камада
Original Assignee
Мацушита Электрик Уорк, Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from JP34287896A external-priority patent/JP3144328B2/ja
Application filed by Мацушита Электрик Уорк, Лтд. filed Critical Мацушита Электрик Уорк, Лтд.
Publication of RU98110367A publication Critical patent/RU98110367A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2151450C1 publication Critical patent/RU2151450C1/ru

Links

Claims (10)

1. Термоэлектрический элемент, в состав которого входит: термоэлектрический полупроводник из Bi-Sb-Te или Bi-Te-Se, при этом названный термоэлектрический полупроводниковый сплав имеет две противолежащие грани, слой сплава олова, нанесенный на каждую из названных граней названного полупроводника, при этом названный слой из сплава олова включает олово как основной металлический элемент, который взаимно диффундирует с, по крайней мере, одним элементом названного полупроводника до образования, по крайней мере, одного сплава олова, при этом элемент выбирался из группы элементов, в состав которой входит Sn-Bi сплав, Sn-Te сплав, Sn-Sb сплав, Sn-Se сплав, Sn-Bi-Te сплав, Sn-Bi-Sb сплав, Sn-Bi-Se сплав, Sn-Te-Se сплав и Sn-Te-Sb сплав, при этом названный сплав олова находится в форме одного из твердых растворов, интерметаллического соединения и их сочетания, диффузионный слой, нанесенный на каждый из названных слоев из сплава олова, при этом названный диффузионный слой выполняется из, по крайней мере, одного элемента, выбранного из группы элементов, в состав которой входят Мо, W, Nb и Ni для предотвращения диффузии элементов названного термоэлектрического полупроводника и материала припоя, применяемого для выполнения электрического соединения названного термоэлектрического полупроводника к внешней электрической цепи.
2. Термоэлектрический элемент по п. 1, отличающийся тем, что масса атомов олова в названном слое из сплава олова должна составлять 10% или более, при этом толщина названного слоя из сплава олова должна составлять 0,1 - 3,0 мкм, а толщина названного диффузионного слоя 0,1 - 0,5 мкм.
3. Термоэлектрический элемент по п. 2, отличающийся тем, что названный слой из сплава олова образуется из слоя олова, масса атомов которого составляет более 90%, при этом толщина названного слоя олова составляет менее 2,0 мкм.
4. Способ изготовления термоэлектрического элемента, состоящий из следующих этапов: подготовка термоэлектрического полупроводника из Bi-Sb-Te или Bi-Te-Se с противолежащими гранями, нанесение слоя олова на каждую из противолежащих граней термоэлектрического полупроводника, взаимодиффузия олова и, по крайней мере, одного элемента термоэлектрического полупроводника для образования слоя из сплава олова на каждой из противолежащих граней термоэлектрического полупроводника, нанесение диффузионного слоя на каждый из названных слоев из сплава олова, при этом диффузионный слой изготавливается, по крайней мере, из одного элемента, выбранного из группы элементов, в которую входят: Мо, W, Nb и Ni для предотвращения диффузии элементов названного термоэлектрического полупроводника, а также материала припоя, применяемого для выполнения электрического соединения между названным термоэлектрическим полупроводником и внешней электрической цепью.
5. Способ изготовления по п. 4, отличающийся тем, что названный диффузионный слой выполнен по крайней мере из одного элемента, выбранного из группы элементов, в состав которой входят Мо, W и Nb, а также тем, что названный способ изготовления включает также следующие этапы: нанесение дополнительного диффузионного слоя из никеля на каждый из названных диффузионных слоев из Мо, W, или Nb для предотвращения дальнейшей диффузии элементов названного термоэлектрического полупроводника и материала припоя, нанесение последнего слоя на каждый названный дополнительный диффузионный слой из никеля, при этом названный последний слой выполняется из элементов, выбранных из группы элементов, в состав которой входят Сu, Аu, Bi-Sn и Sn для выполнения паяного соединения с электродом.
6. Способ изготовления по п. 4, отличающийся тем, что слой олова и названный диффузионный слой нанесены соответственно распылением или способом осаждения из паровой фазы.
7. Способ изготовления по п. 5, отличающийся тем, что названный дополнительный диффузионный слой нанесен распылением или способом осаждения из паровой фазы.
8. Способ изготовления по п. 4, включающий также этап нагрева слоя олова при температуре 120 - 300oС в течение 1 - 60 мин после нагрева названного слоя олова.
9. Способ изготовления по п. 4 или 5, который перед нанесением названного слоя олова включает также этап предварительной чистки названных противолежащих граней названного термоэлектрического полупроводника, при этом названный этап предварительной чистки включает механическое шлифование названных противолежащих граней во влажной среде; ультразвуковую чистку названных противолежащих граней, плазменное травление названных противолежащих граней.
10. Способ изготовления по одному из пп. 4 - 8, отличающийся тем, что названный слой олова, названный слой из сплава олова, названный диффузионный слой, названный дополнительный диффузионный слой, и названный последний слой образуются непрерывно в вакууме.
RU98110367/28A 1996-12-24 1997-12-22 Термоэлектрический модуль и способ его изготовления RU2151450C1 (ru)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP34287896A JP3144328B2 (ja) 1996-12-24 1996-12-24 熱電変換素子およびその製造方法
JP8-342878 1996-12-24

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU98110367A true RU98110367A (ru) 2000-05-20
RU2151450C1 RU2151450C1 (ru) 2000-06-20

Family

ID=18357210

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU98110367/28A RU2151450C1 (ru) 1996-12-24 1997-12-22 Термоэлектрический модуль и способ его изготовления

Country Status (8)

Country Link
US (1) US6083770A (ru)
JP (1) JP3144328B2 (ru)
KR (1) KR100310478B1 (ru)
CN (1) CN1125493C (ru)
DE (1) DE19781457C2 (ru)
RU (1) RU2151450C1 (ru)
TW (1) TW362293B (ru)
WO (1) WO1998028801A1 (ru)

Families Citing this family (41)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100445317B1 (ko) * 1999-02-24 2004-08-18 조창제 열 운동 전자 정류 장치 및 이를 이용하여 물체 열을 전기에너지로 전환하는 방법
US6700053B2 (en) * 2000-07-03 2004-03-02 Komatsu Ltd. Thermoelectric module
KR100440268B1 (ko) * 2001-04-21 2004-07-30 김창선 열전재료의 제조방법
US6709882B2 (en) 2001-08-27 2004-03-23 Lightwave Microsystems Corporation Planar lightwave circuit active device metallization process
JP2003198117A (ja) * 2001-12-28 2003-07-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd はんだ付け方法および接合構造体
DE10314876B4 (de) * 2003-04-01 2008-02-14 Infineon Technologies Ag Verfahren zum mehrstufigen Herstellen von Diffusionslötverbindungen und seine Verwendung für Leistungsbauteile mit Halbleiterchips
GB2403173A (en) * 2003-06-25 2004-12-29 King S College London Soldering refractory metal surfaces
WO2005036660A2 (en) * 2003-09-12 2005-04-21 Board Of Trustees Operating Michigan State University Silver-containing thermoelectric compounds
EP1946363A4 (en) * 2005-09-19 2011-01-26 Carrier Corp SURFACE MODIFICATION OF THERMOELECTRIC MATERIAL FOR THE MINIMIZATION OF INTERFACIAL RESISTANCE IN THERMOELECTRIC DEVICES
KR100721925B1 (ko) * 2005-12-21 2007-05-28 주식회사 포스코 열전모듈의 제조 방법
JP2008010612A (ja) * 2006-06-29 2008-01-17 Komatsu Ltd 熱電素子及びその製造方法、並びに、熱電モジュール
CN100583478C (zh) * 2007-10-16 2010-01-20 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种π型CoSb3基热电转换器件及制备方法
KR101524544B1 (ko) * 2008-03-28 2015-06-02 페어차일드코리아반도체 주식회사 펠티어 효과를 이용한 열전기 모듈을 포함하는 전력 소자패키지 및 그 제조 방법
CN101358313B (zh) * 2008-05-09 2010-06-02 北京科技大学 一种提高Bi-S二元体系热电材料性能的方法
KR20100009455A (ko) * 2008-07-18 2010-01-27 삼성전자주식회사 열전재료 및 칼코게나이드 화합물
US8710348B2 (en) * 2008-10-21 2014-04-29 Dirk N. Weiss Stacked thin-film superlattice thermoelectric devices
US20100258154A1 (en) * 2009-04-13 2010-10-14 The Ohio State University Thermoelectric alloys with improved thermoelectric power factor
KR101101704B1 (ko) 2009-12-22 2012-01-05 한국세라믹기술원 열전소자용 전극 및 그 제조방법
US20130000688A1 (en) * 2010-03-23 2013-01-03 Cho Hans S Thermoelectric device
US20120060886A1 (en) * 2010-09-10 2012-03-15 Hamilton Sundstrand Corporation High temperature flexible electrode
US8995134B2 (en) 2011-05-27 2015-03-31 Lear Corporation Electrically-cooled power module
KR101207300B1 (ko) 2012-07-27 2012-12-03 한국기계연구원 열전 소자 제조방법
DE102012214700A1 (de) * 2012-08-17 2014-02-20 Behr Gmbh & Co. Kg Thermoelektrischer Wärmetauscher
KR102094995B1 (ko) 2012-10-08 2020-03-31 삼성전자주식회사 열전모듈, 이를 구비한 열전장치, 및 열전모듈의 제조방법
CN102925861A (zh) * 2012-11-20 2013-02-13 大连理工大学 具有高导电性和高热稳定性的Cu-Ni-Sn合金薄膜及其制备工艺
CN103060750B (zh) * 2012-11-20 2015-03-25 深圳大学 一种铋锑碲基热电薄膜的制备方法
DE102013214988A1 (de) * 2013-07-31 2015-02-05 Behr Gmbh & Co. Kg Thermoelektrisches Modul
JP6078438B2 (ja) * 2013-08-30 2017-02-08 株式会社Kelk 熱電発電モジュール
JP6164569B2 (ja) * 2013-10-15 2017-07-19 住友電気工業株式会社 熱電素子および熱電素子の製造方法
KR101469760B1 (ko) * 2013-10-15 2014-12-05 국방과학연구소 열전 특성에 최적화된 열전 소재
KR101439461B1 (ko) 2013-11-08 2014-09-17 한국기계연구원 열전 반도체 모듈 및 이의 제조방법
CN104934523B (zh) * 2014-03-19 2017-11-10 中国科学院上海硅酸盐研究所 一种中高温热电模块
TWI557957B (zh) * 2014-12-08 2016-11-11 財團法人工業技術研究院 熱電模組結構及其製造方法
RU2601243C1 (ru) * 2015-06-25 2016-10-27 Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Национальный исследовательский университет "Московский институт электронной техники" (МИЭТ) Способ получения термоэлектрического элемента
CN109219893B (zh) 2016-06-01 2023-06-30 Lg伊诺特有限公司 热电臂及包括该热电臂的热电元件
WO2018038285A1 (ko) * 2016-08-23 2018-03-01 희성금속 주식회사 열전소자 및 이를 포함하는 열전모듈
CN109524536B (zh) * 2017-09-19 2020-03-17 中国科学院上海硅酸盐研究所 热电元器件扩散阻挡层的筛选方法
JP6733706B2 (ja) * 2018-06-12 2020-08-05 ヤマハ株式会社 熱電変換モジュール
EP3817073B1 (en) * 2018-06-27 2023-03-08 Panasonic Intellectual Property Management Co., Ltd. Thermoelectric conversion element and thermoelectric conversion module
RU2686493C1 (ru) * 2018-08-09 2019-04-29 Федеральное государственное учреждение "Федеральный научно-исследовательский центр "Кристаллография и фотоника" Российской академии наук" Магниторезистивный сплав на основе висмута
JP7419917B2 (ja) * 2020-03-26 2024-01-23 株式会社プロテリアル 熱電変換素子の製造方法

Family Cites Families (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3045057A (en) * 1960-02-26 1962-07-17 Westinghouse Electric Corp Thermoelectric material
GB952678A (en) * 1961-01-23 1964-03-18 Wfstinghouse Electric Corp Composite thermoelectric elements and devices
US3444005A (en) * 1965-01-04 1969-05-13 Martin Marietta Corp Thermoelectric hot shoe contacts
US4180415A (en) * 1965-06-11 1979-12-25 Minnesota Mining And Manufacturing Company Hot-junction electrode members for copper/silver chalcogenides
US3650844A (en) * 1968-09-19 1972-03-21 Gen Electric Diffusion barriers for semiconductive thermoelectric generator elements
US3859143A (en) * 1970-07-23 1975-01-07 Rca Corp Stable bonded barrier layer-telluride thermoelectric device
US3988171A (en) * 1971-06-07 1976-10-26 Rockwell International Corporation Bonded electrical contact for thermoelectric semiconductor element
US3808670A (en) * 1972-05-24 1974-05-07 Isotopes Inc Exothermic bonding of thermoelectric couples
FR2261639B1 (ru) * 1974-02-15 1976-11-26 Cit Alcatel
US4489742A (en) * 1983-07-21 1984-12-25 Energy Conversion Devices, Inc. Thermoelectric device and method of making and using same
US4650919A (en) * 1984-08-01 1987-03-17 The United States Of America As Represented By The United States Department Of Energy Thermoelectric generator and method for the fabrication thereof
JPH04249385A (ja) * 1991-02-06 1992-09-04 Komatsu Electron Kk 熱電装置
US5241828A (en) * 1992-07-17 1993-09-07 Conductus, Inc. Cryogenic thermoelectric cooler
US5429680A (en) * 1993-11-19 1995-07-04 Fuschetti; Dean F. Thermoelectric heat pump
US5817188A (en) * 1995-10-03 1998-10-06 Melcor Corporation Fabrication of thermoelectric modules and solder for such fabrication
JP3459328B2 (ja) * 1996-07-26 2003-10-20 日本政策投資銀行 熱電半導体およびその製造方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU98110367A (ru) Термоэлектрический модуль и способ его изготовления
US4176443A (en) Method of connecting semiconductor structure to external circuits
RU2151450C1 (ru) Термоэлектрический модуль и способ его изготовления
US4840302A (en) Chromium-titanium alloy
US20100183896A1 (en) Tin-silver bonding and method thereof
US5427983A (en) Process for corrosion free multi-layer metal conductors
US5622305A (en) Bonding scheme using group VB metallic layer
US3298093A (en) Bonding process
JP3918424B2 (ja) 熱電変換モジュールの製造方法
JPH0945691A (ja) チップ部品用ハンダバンプ及びその製造方法
JP3407839B2 (ja) 半導体装置のはんだバンプ形成方法
US4132813A (en) Method for producing solderable metallized layer on a semiconducting or insulating substrate
JPS6074539A (ja) 光半導体素子用サブマウント
JPS60176231A (ja) 化合物半導体素子の電極の形成方法
JPH09148331A (ja) 半導体集積回路装置およびその製造方法
JPS62229973A (ja) 半導体装置
JPS61225839A (ja) バンプ電極の形成方法
JP4055399B2 (ja) チップ型半導体素子及びその製造方法
JP3297717B2 (ja) 半導体装置の電極形成方法
US10347602B1 (en) Micro-bonding structure
JPS62234352A (ja) ハンダバンプ電極の形成方法
JPS63161631A (ja) シリコン半導体素子
JPS5811096B2 (ja) ハンドウタイソシノ パツケ−ジヘノセツチヤクホウホウ
JPH0693466B2 (ja) シリコン半導体装置の製造方法
JPH10251837A (ja) 電子部品