JPS5811096B2 - ハンドウタイソシノ パツケ−ジヘノセツチヤクホウホウ - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】 本発明は、例えばＰ−Ｎ接合型ＧａＡｓインパットダイ
オードなどの、Ｐ型ＧａＡｓを表面に有する半導体素子
のパッケージへの接着方法に関するものである。

従来、Ｐ形ＧａＡｓに対するオーム性電極は、例えば金
−亜鉛合金などが用いられていたが、銀−亜鉛合金を使
用することにより、さらに良好なオーム性電極ができる
ことが、実験の結果判明した。

ところが、銀−亜鉛合金は、融点が高く、パッケージへ
接着することが困難である。

そこで前記、銀−亜鉛合金上に、金−ゲルマニウム、合
金を被着させ、金−ゲルマニウム合金、をハンダ材とし
て、半導体素子をパッケージに接着することを試みてみ
たが、このようにすると、パッケージへの接着は可能で
あるが、金−ゲルマニウムと銀−亜鉛の両方の合金が融
は合い、半導体素子へのオーム性が失われることがわか
った。

本発明は上記の点にかんがみてなされたものであり、オ
ーム性電極の銀−亜鉛合金と、ハンダ材としての金−ゲ
ルマニウム合金とをモリブデンを間にはさんで分離する
ことを特徴とするものである。

このようにすることにより、オーム性を失うことなく、
パッケージへの接着を完全に行なうことができる。

次に、本発明による素子作成法を簡単に述べる。

まず、オーム性電極をつけるべきＰ形ＧａＡｓに、銀、
及び亜鉛を、重量比で９：１の割合で連続的に、あるい
は同時に真空蒸着する。

銀−亜鉛の厚みは約１０００Å程度である。

次いでモリブデンを電子ビーム蒸着、またはスパッタ法
により約３０００Å蒸着し、さらに連続的にニッケルを
５００Å、金−ゲルマニウムの共晶合金を約１μ蒸着す
る。

このようにして得られたウェハを、水素雰囲気中で４５
０℃で１０分間熱処理する。

熱処理されたウェハは小さなペレットにへき開し、ペレ
ットをパッケージにマウントする。

このとき、モリブデン上に蒸着された金−ゲルマニウム
合金がハンダ材として使われる。

なお、上記実施例では、モリブデン上にニッケルを蒸着
したもの、つまり、一般に、モリブデン表面が酸化し易
く、モリブデンの蒸着時の条件や、次の金−ゲルマニウ
ム合金の蒸着時の条件により、モリブデンと金−ゲルマ
ニウム合金の界面に汚れや酸化膜がつき易いため、これ
らの影響で両者間がはがれやすくなるので、モリブデン
と金−ゲルマニウム合金の界面における接着性改善のた
め、両者間にニッケルを介在させたものを示したが、要
は両者間の接着性が問題なきようにすれば良いものであ
り、例えばモリブデンの蒸着時の条件及び金−ゲルマニ
ウム合金の蒸着時の条件を充分注意して行なうことによ
り、界面における汚れや酸化膜をつきにくくでき、その
結果両者の界面におけるはがれも抑制できるものであり
、このものにおいても、この発明の主眼とする銀−亜鉛
と金−ゲルマニウム合金間の相互拡散をモリブデンによ
り防ぐことができるという効果は達成できるものである
。

以上の説明では、金属被覆は全て真空蒸着法により形成
しているが、これ以外の方法、例えばメッキ法を併用し
ても良いことは当然である。

また、各金属層の厚みも上記の説明で述べたもの以外で
あってもよい。

また、熱処理方法についても、例えば、銀−亜鉛を蒸着
した段階で一度熱処理をし、次いで、他の金属をつけて
も良い。

熱処理温度、時間等についても上記のものに限らない。

Claims (1)

【特許請求の範囲】
1. １ 表面にＰ形ＧａＡｓ層を有する半導体素子の前記表
   面に銀、及び亜鉛から成る金属被覆を形成し、熱処理を
   行ない表面のＰ形ＧａＡｓに対し、オーム性接触を形成
   した後、前記銀−亜鉛被膜上に、モリブデン被膜を形成
   し、さらにその上に、金−ゲルマニウム合金から成る被
   膜を形成し、前記金−ゲルマニウム合金をハンダ材とし
   てパッケージに接着することを特徴とする半導体素子の
   パッケージへの接着方法。