JPS59189625A - 半導体装置の製造方法 - Google Patents
半導体装置の製造方法Info
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- JPS59189625A JPS59189625A JP6476983A JP6476983A JPS59189625A JP S59189625 A JPS59189625 A JP S59189625A JP 6476983 A JP6476983 A JP 6476983A JP 6476983 A JP6476983 A JP 6476983A JP S59189625 A JPS59189625 A JP S59189625A
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Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
- H01L21/28—Manufacture of electrodes on semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/268
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は半導体装置の製造方法、特にオーミック工程に
関するものである。
関するものである。
半導体装置の製造方法に於いては、拡散工程で形成され
た特許を装置として作動させるためにげリードフレーム
や、ステムなどを用い組立て外部回路と半導体チップ全
電気的につながなければならない。この両者のつなぎの
役割をしているのが半導体チップ上への電極形成である
。この電極とボンディングやハンダ付けなどにより外部
リードとの電気的妥続ｔ４［かることｌ’（なる。
た特許を装置として作動させるためにげリードフレーム
や、ステムなどを用い組立て外部回路と半導体チップ全
電気的につながなければならない。この両者のつなぎの
役割をしているのが半導体チップ上への電極形成である
。この電極とボンディングやハンダ付けなどにより外部
リードとの電気的妥続ｔ４［かることｌ’（なる。
この電極系はシリコン半導体装置が形成された時、その
要求される性質としては金属自体の抵抗が小さいこと及
びシリコンチップとオーム接触をしていることである。
要求される性質としては金属自体の抵抗が小さいこと及
びシリコンチップとオーム接触をしていることである。
又、 Ａ４ Ａｕ等のボンティング線又はＡｕＳｉ、
Ａｇ８ｎ、 Ｐｂ５ｎ等のハンダとの結合状態が良好で
あることが要求される。一般九オーム啜触ぼ半導体表面
の不純物濃度が高い場合（１０”４３以上）にはそれ程
問題とげならない。それ故高濃度の拡散層に蒸着し友金
属とシリコン基板のオーム接触ｒｘＭ易に形＠すること
が可能である０しかし拡散工程の省略化や最近のウェハ
ーの大口径化に伴い、拡散工程でのウェハー歩留を向上
させるためｑＬウェハーが厚い状態で拡散工程に流し最
後にウェハー全うすく研磨して裏ｉ１［］ニオーム啜触
をとることが可能であれば工程の簡略化及び歩留の大巾
な向上（なる。しかるに従来のオーミック接触のとり方
でに、Ｎ＋メッキ、Ｍ蒸着、 Ａｕ蒸着更ρ：ｔＮｉ、
Ｎｉ−Ａｇ蒸着等を行い熱処理によってオーミック接
触をとっており、このような方法では金属系での蒸着、
熱処理で基板の不純物濃度が低いため安定なオーム接触
を得ることはむずかしい。
Ａｇ８ｎ、 Ｐｂ５ｎ等のハンダとの結合状態が良好で
あることが要求される。一般九オーム啜触ぼ半導体表面
の不純物濃度が高い場合（１０”４３以上）にはそれ程
問題とげならない。それ故高濃度の拡散層に蒸着し友金
属とシリコン基板のオーム接触ｒｘＭ易に形＠すること
が可能である０しかし拡散工程の省略化や最近のウェハ
ーの大口径化に伴い、拡散工程でのウェハー歩留を向上
させるためｑＬウェハーが厚い状態で拡散工程に流し最
後にウェハー全うすく研磨して裏ｉ１［］ニオーム啜触
をとることが可能であれば工程の簡略化及び歩留の大巾
な向上（なる。しかるに従来のオーミック接触のとり方
でに、Ｎ＋メッキ、Ｍ蒸着、 Ａｕ蒸着更ρ：ｔＮｉ、
Ｎｉ−Ａｇ蒸着等を行い熱処理によってオーミック接
触をとっており、このような方法では金属系での蒸着、
熱処理で基板の不純物濃度が低いため安定なオーム接触
を得ることはむずかしい。
本発明はこの問題を解決し、低濃度基板にも安定にオー
ム接触をとる方法を提供するものである。
ム接触をとる方法を提供するものである。
又本方法は従来の高濃度領域の場合にも使用小米ること
ぼもち論である〇 本発明（よれば、低融点にてシリコンと合金層つくる金
属を第ｘＮ目に蒸着し、これ全熱処理し合金化する過程
に於いて、この蒸着層中に不純物源を導入しておくこと
ｖｃより、安定なオーム接触を得る方法を得る○又第１
層目九つかうＡｕのシリコンとの密着性？改善するため
合金化の妨げとならない程度に密着性のよいＣｒ、 ’
ｌ’ｉなどの薄膜を介在させることも可能でおる。その
後２層目としてｉＡｕとの密着性がよく、又ＡｕがＳｉ
と合金化する際のストッパーとなるような金属例えばＮ
ｊ、 ｅｕ、 Ｉｎ 。
ぼもち論である〇 本発明（よれば、低融点にてシリコンと合金層つくる金
属を第ｘＮ目に蒸着し、これ全熱処理し合金化する過程
に於いて、この蒸着層中に不純物源を導入しておくこと
ｖｃより、安定なオーム接触を得る方法を得る○又第１
層目九つかうＡｕのシリコンとの密着性？改善するため
合金化の妨げとならない程度に密着性のよいＣｒ、 ’
ｌ’ｉなどの薄膜を介在させることも可能でおる。その
後２層目としてｉＡｕとの密着性がよく、又ＡｕがＳｉ
と合金化する際のストッパーとなるような金属例えばＮ
ｊ、 ｅｕ、 Ｉｎ 。
Ｃｒ、 Ｍｏなどを蒸着する。蒸着系としてはこれでよ
い訳であるが組立工程でのハンダとのなじみケよくする
ためにこの上ＩＣＡｇやＡｇ−Ａｕなどを積層するとよ
い。
い訳であるが組立工程でのハンダとのなじみケよくする
ためにこの上ＩＣＡｇやＡｇ−Ａｕなどを積層するとよ
い。
次に２本発明を実施例に基づき詳細に説明する。
第１図はトランジスターの断面図である０大口径の例え
ば４インチウェハーで拡散を行うこと？想足するとウェ
ハーの歩留の安定化のため１例えば、３５０μ程度の厚
いウェハーを使用することを考える。ウェハーにμＮ＋
シリコン基板ｌ上【気相成長させたＮ型気相成長層２を
有しており、このＮ型気相成長１２ｖＣＰ型のペース領
域３の拡散及びＮ型エミッター領域４の拡散が行なわれ
ている。
ば４インチウェハーで拡散を行うこと？想足するとウェ
ハーの歩留の安定化のため１例えば、３５０μ程度の厚
いウェハーを使用することを考える。ウェハーにμＮ＋
シリコン基板ｌ上【気相成長させたＮ型気相成長層２を
有しており、このＮ型気相成長１２ｖＣＰ型のペース領
域３の拡散及びＮ型エミッター領域４の拡散が行なわれ
ている。
拡散終了後、上表面の電極を形成するためエミッター及
びベース領域３，４のＳｉ０ｇ膜を選択除去後−１蒸着
を行いエミッター電極６及びベース電極５全形成する。
びベース領域３，４のＳｉ０ｇ膜を選択除去後−１蒸着
を行いエミッター電極６及びベース電極５全形成する。
しかるのちこのウニ・・−〇Ｎ１シリコン基板１の裏面
全研磨した、例えば１８０μ程度の所望の厚さのウェハ
ーＶＣする。次にこの裏面（例えば基板ｌと同−導電型
金示す不純物である程度蒸着する。次にこのウェハー金
３８０〜５００℃程度の温度で数分〜１時間程度不活註
ガス又ｙｌｌ−１２ガスを用い熱処理を行う０その後側
々のチップに分割する〇 本方法に於いて、Ａｕ−８ｂの合金は蒸着だけでな（Ａ
ｕ−８ｂの合金ラスパラターによって付けても又。
全研磨した、例えば１８０μ程度の所望の厚さのウェハ
ーＶＣする。次にこの裏面（例えば基板ｌと同−導電型
金示す不純物である程度蒸着する。次にこのウェハー金
３８０〜５００℃程度の温度で数分〜１時間程度不活註
ガス又ｙｌｌ−１２ガスを用い熱処理を行う０その後側
々のチップに分割する〇 本方法に於いて、Ａｕ−８ｂの合金は蒸着だけでな（Ａ
ｕ−８ｂの合金ラスパラターによって付けても又。
Ａｕ、 Ｓｂ別々のターゲットｉ用いコ・スパッターに
よって付けてもよい。又Ｎ型を示す不純物としてｆｉ８
ｂだけでなくＰも有効である。更ＶＣ２層目３層目の金
属系の種類及び厚さは組立工程との兼ねあいで必璧ニ応
じて、変えることも必要であろう０又、 Ａｕの厚さも
上記範囲とに無関係に定めることは問題ない。但し余り
厚くなると金−シリコン合金層が厚くなジ大型のベレッ
トｃ対しては膨張係数上不利になる〇 本号法によジ製造さｎｆｃ半導体装置は高不純物濃度の
拡散領域に形成された電極糸のものとくらべ遜色のない
電圧−電流特注を示す。又本発明はトランジスターだけ
でなくダイオードサイリスターへの適用げもちろん可能
であり、従来のオーム接触のためだけの高濃度表面拡散
は不要となる。
よって付けてもよい。又Ｎ型を示す不純物としてｆｉ８
ｂだけでなくＰも有効である。更ＶＣ２層目３層目の金
属系の種類及び厚さは組立工程との兼ねあいで必璧ニ応
じて、変えることも必要であろう０又、 Ａｕの厚さも
上記範囲とに無関係に定めることは問題ない。但し余り
厚くなると金−シリコン合金層が厚くなジ大型のベレッ
トｃ対しては膨張係数上不利になる〇 本号法によジ製造さｎｆｃ半導体装置は高不純物濃度の
拡散領域に形成された電極糸のものとくらべ遜色のない
電圧−電流特注を示す。又本発明はトランジスターだけ
でなくダイオードサイリスターへの適用げもちろん可能
であり、従来のオーム接触のためだけの高濃度表面拡散
は不要となる。
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 半導体の電極形成に於ｖｓて、 Ａｕと前記半導体【対
して導電型決足不純物となる物質とを含む第一層目の金
属層を前記半導体に直阪又Ｈ３Ｏ０Ａ以下のＣｒはＴＩ
の薄層を介して形成し１次に該第一層目上ｖｃＮｉ、
Ｃｕ、 Ｓｎ、 Ｉｎ、 Ｃｒ、 Ｍｏからなる群から
選ばれる少なくとも１つがからなる第二層目の金属層を
形成し、その後熱処理すること？特徴とする半導体装置
の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6476983A JPS59189625A (ja) | 1983-04-13 | 1983-04-13 | 半導体装置の製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP6476983A JPS59189625A (ja) | 1983-04-13 | 1983-04-13 | 半導体装置の製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59189625A true JPS59189625A (ja) | 1984-10-27 |
Family
ID=13267731
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6476983A Pending JPS59189625A (ja) | 1983-04-13 | 1983-04-13 | 半導体装置の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59189625A (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH01230237A (ja) * | 1987-11-02 | 1989-09-13 | Motorola Inc | ポリシリコンを選択的にエッチングする方法 |
| JPH03236225A (ja) * | 1990-02-14 | 1991-10-22 | Nippondenso Co Ltd | 半導体装置の製造方法 |
| US7843529B2 (en) | 2006-04-18 | 2010-11-30 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Stacked multi-panel LCD device comprising a first driving signal for driving at least one of said stacked LCD panels and a second driving signal for driving another of said stacked LCD panels being obtained by applying an averaging processing to said first driving signal |
| US7916223B2 (en) | 2006-04-18 | 2011-03-29 | Nec Lcd Technologies, Ltd. | Dual panel liquid crystal display device |
| US8228263B2 (en) | 2007-07-25 | 2012-07-24 | Nlt Technologies, Ltd. | Stacked LCD unit |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS4963382A (ja) * | 1972-10-20 | 1974-06-19 | ||
| JPS51140565A (en) * | 1975-05-30 | 1976-12-03 | Nec Home Electronics Ltd | Semiconductor unit |
-
1983
- 1983-04-13 JP JP6476983A patent/JPS59189625A/ja active Pending
Patent Citations (2)
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|---|---|---|---|---|
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| US8102487B2 (en) | 2006-04-18 | 2012-01-24 | Nlt Technologies, Ltd. | Dual panel liquid crystal display device |
| US8228263B2 (en) | 2007-07-25 | 2012-07-24 | Nlt Technologies, Ltd. | Stacked LCD unit |
| US8552924B2 (en) | 2007-07-25 | 2013-10-08 | Nlt Technologies, Ltd. | Stacked LCD unit |
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