RU2476945C2 - Способ изготовления оксидной сверхпроводящей тонкой пленки - Google Patents
Способ изготовления оксидной сверхпроводящей тонкой пленки Download PDFInfo
- Publication number
- RU2476945C2 RU2476945C2 RU2011110506/07A RU2011110506A RU2476945C2 RU 2476945 C2 RU2476945 C2 RU 2476945C2 RU 2011110506/07 A RU2011110506/07 A RU 2011110506/07A RU 2011110506 A RU2011110506 A RU 2011110506A RU 2476945 C2 RU2476945 C2 RU 2476945C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- heat treatment
- thin film
- equal
- oxide superconducting
- intermediate heat
- Prior art date
Links
- 239000010409 thin film Substances 0.000 title claims abstract description 55
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 31
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims abstract description 86
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract description 33
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical compound O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 14
- BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L Carbonate Chemical compound [O-]C([O-])=O BVKZGUZCCUSVTD-UHFFFAOYSA-L 0.000 claims abstract description 14
- 150000002902 organometallic compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 11
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims abstract description 7
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims description 27
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims description 7
- 239000007858 starting material Substances 0.000 claims description 6
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims description 5
- 239000010408 film Substances 0.000 abstract description 52
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 6
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 27
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 26
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 23
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 23
- AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CCNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 AFCARXCZXQIEQB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 11
- VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 2-(2,3-dihydro-1H-inden-2-ylamino)-N-[3-oxo-3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)propyl]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound C1C(CC2=CC=CC=C12)NC1=NC=C(C=N1)C(=O)NCCC(N1CC2=C(CC1)NN=N2)=O VZSRBBMJRBPUNF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 8
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 8
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 7
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 7
- 229910021521 yttrium barium copper oxide Inorganic materials 0.000 description 7
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 6
- 238000001354 calcination Methods 0.000 description 6
- 239000002184 metal Chemical class 0.000 description 6
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 6
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 6
- 239000002887 superconductor Substances 0.000 description 6
- YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 3-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)-1-[4-[2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidin-5-yl]piperazin-1-yl]propan-1-one Chemical compound N1N=NC=2CN(CCC=21)CCC(=O)N1CCN(CC1)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F YLZOPXRUQYQQID-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 4
- 150000002894 organic compounds Chemical class 0.000 description 4
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 description 4
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N Methanol Chemical compound OC OKKJLVBELUTLKV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N N-Butanol Chemical compound CCCCO LRHPLDYGYMQRHN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000002441 X-ray diffraction Methods 0.000 description 3
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 3
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 3
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 3
- 238000011282 treatment Methods 0.000 description 3
- POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M (z)-4-oxopent-2-en-2-olate Chemical compound C\C([O-])=C\C(C)=O POILWHVDKZOXJZ-ARJAWSKDSA-M 0.000 description 2
- 229910016036 BaF 2 Inorganic materials 0.000 description 2
- MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N Dioxygen Chemical compound O=O MYMOFIZGZYHOMD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 2
- NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N N-[2-oxo-2-(2,4,6,7-tetrahydrotriazolo[4,5-c]pyridin-5-yl)ethyl]-2-[[3-(trifluoromethoxy)phenyl]methylamino]pyrimidine-5-carboxamide Chemical compound O=C(CNC(=O)C=1C=NC(=NC=1)NCC1=CC(=CC=C1)OC(F)(F)F)N1CC2=C(CC1)NN=N2 NIPNSKYNPDTRPC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910000990 Ni alloy Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003277 amino group Chemical group 0.000 description 2
- 229910052788 barium Inorganic materials 0.000 description 2
- 125000003178 carboxy group Chemical group [H]OC(*)=O 0.000 description 2
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 description 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 2
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910001882 dioxygen Inorganic materials 0.000 description 2
- -1 etc.) Chemical class 0.000 description 2
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 2
- 238000005259 measurement Methods 0.000 description 2
- 238000001556 precipitation Methods 0.000 description 2
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 2
- 238000007740 vapor deposition Methods 0.000 description 2
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 2
- YPIFGDQKSSMYHQ-UHFFFAOYSA-N 7,7-dimethyloctanoic acid Chemical class CC(C)(C)CCCCCC(O)=O YPIFGDQKSSMYHQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XZOYHFBNQHPJRQ-UHFFFAOYSA-N 7-methyloctanoic acid Chemical class CC(C)CCCCCC(O)=O XZOYHFBNQHPJRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910002480 Cu-O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M Fluoride anion Chemical compound [F-] KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-M 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N Trifluoroacetic acid Chemical class OC(=O)C(F)(F)F DTQVDTLACAAQTR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910009203 Y-Ba-Cu-O Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 125000005595 acetylacetonate group Chemical group 0.000 description 1
- 229910052784 alkaline earth metal Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000001412 amines Chemical class 0.000 description 1
- DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N barium atom Chemical compound [Ba] DSAJWYNOEDNPEQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 238000004364 calculation method Methods 0.000 description 1
- 125000005586 carbonic acid group Chemical group 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 230000003247 decreasing effect Effects 0.000 description 1
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 1
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 1
- OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N europium atom Chemical compound [Eu] OGPBJKLSAFTDLK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000002474 experimental method Methods 0.000 description 1
- 230000002349 favourable effect Effects 0.000 description 1
- UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N gadolinium atom Chemical compound [Gd] UIWYJDYFSGRHKR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 231100001261 hazardous Toxicity 0.000 description 1
- KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N holmium atom Chemical compound [Ho] KJZYNXUDTRRSPN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000012046 mixed solvent Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 125000005608 naphthenic acid group Chemical class 0.000 description 1
- QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N neodymium atom Chemical compound [Nd] QEFYFXOXNSNQGX-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002823 nitrates Chemical class 0.000 description 1
- 229940110728 nitrogen / oxygen Drugs 0.000 description 1
- WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N octanoic acid Chemical class CCCCCCCC(O)=O WWZKQHOCKIZLMA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000007524 organic acids Chemical class 0.000 description 1
- 150000002926 oxygen Chemical class 0.000 description 1
- PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N praseodymium atom Chemical compound [Pr] PUDIUYLPXJFUGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002994 raw material Substances 0.000 description 1
- 238000011160 research Methods 0.000 description 1
- KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N samarium atom Chemical compound [Sm] KZUNJOHGWZRPMI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004544 sputter deposition Methods 0.000 description 1
- 238000012360 testing method Methods 0.000 description 1
- NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N ytterbium Chemical compound [Yb] NAWDYIZEMPQZHO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N yttrium atom Chemical compound [Y] VWQVUPCCIRVNHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0324—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers from a solution
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
- H01B1/06—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances
- H01B1/08—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors mainly consisting of other non-metallic substances oxides
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B12/00—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines
- H01B12/02—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines characterised by their form
- H01B12/06—Films or wires on bases or cores
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
- H01B13/00—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables
- H01B13/0016—Apparatus or processes specially adapted for manufacturing conductors or cables for heat treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N60/00—Superconducting devices
- H10N60/01—Manufacture or treatment
- H10N60/0268—Manufacture or treatment of devices comprising copper oxide
- H10N60/0296—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers
- H10N60/0548—Processes for depositing or forming copper oxide superconductor layers by deposition and subsequent treatment, e.g. oxidation of pre-deposited material
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Thermal Sciences (AREA)
- Superconductors And Manufacturing Methods Therefor (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
Abstract
Изобретение относится к способу изготовления оксидной сверхпроводящей тонкой пленки для применения при изготовлении сверхпроводящего провода посредством процесса нанесения покрытия пиролизом с использованием бесфтористого металлоорганического соединения в качестве исходного материала. Перед термообработкой спеканием (S20) проводят промежуточную термообработку (S10) с разложением карбоната, содержащегося в тонкой пленке, которая должна быть подвергнута термообработке спеканием (S20) для кристаллизующей термообработки. Промежуточную термообработку (S10) проводят в атмосфере с концентрацией диоксида углерода, меньшей или равной 10 млн-1. Металлоорганическое соединение является металлоорганическим соединением, содержащим комплекс в-дикетона. Изобретение обеспечивает возможность получения пленки увеличенной по толщине при высокой плотности тока и с хорошей воспроизводимостью. 4 з.п. ф-лы, 9 ил., 2 табл.
Description
ОБЛАСТЬ ТЕХНИКИ
Данное изобретение относится к способу изготовления оксидной сверхпроводящей тонкой пленки и, более конкретно, относится к способу изготовления оксидной сверхпроводящей тонкой пленки, имеющей высокую величину критического тока, для применения при изготовлении сверхпроводящего провода.
УРОВЕНЬ ТЕХНИКИ
Для того, чтобы сделать возможным более широко распространенное применение сверхпроводящего провода, в котором используется оксидная сверхпроводящая тонкая пленка, проводятся исследования по изготовлению оксидной сверхпроводящей тонкой пленки с более высокой плотностью критического тока Jc и более высокой величиной критического тока Ic.
Одним из способов изготовления оксидных сверхпроводников является способ, называемый процессом нанесения покрытия пиролизом (осаждение разложением металлоорганических соединений, сокращенно процесс MOD). Этот процесс включает нанесение на подложку раствора металлоорганического соединения, а затем прокаливание металлоорганического соединения, например, при примерно 500°C для пиролиза, и термообработку (спекание) полученного пиролизата (прокаленной MOD-пленки) при еще более высокой температуре (например, примерно 800°C) для достижения кристаллизации, в результате чего получается сверхпроводник. Данный процесс характеризуется более простым производственным оборудованием и облегченной приспособляемостью к большой площади и усложненной форме по сравнению с газофазным процессом, выполняемым в основном под вакуумом (осаждение из паровой фазы, напыление, импульсное лазерное осаждение из паровой фазы и т.п.).
Однако при кристаллизации сверхпроводящий ток не протекает равномерно, если сверхпроводник не имеет выровненной ориентации кристаллов, что уменьшает плотность критического тока Jc (далее кратко именуемую также как «Jc») и величину критического тока Ic (Ic=Jc×толщина пленки × ширина) (далее кратко именуемую также как «Ic»). Поэтому кристаллы должны быть выращены эпитаксиально, чтобы перенимать ориентацию ориентационной подложки, и рост кристаллов должен протекать от подложки к поверхности пленки.
Вышеуказанный процесс нанесения покрытия пиролизом включает в себя процесс TFA-MOD (осаждение разложением металлоорганических соединений трифторацетатов), в котором соль фторсодержащей органической кислоты используется в качестве исходного материала, и бесфтористый процесс MOD, в котором используется бесфтористое металлоорганическое соединение.
Посредством процесса TFA-MOD может быть получена оксидная сверхпроводящая тонкая пленка, обладающая выгодной ориентацией в плоскости, и публикация заявки на патент Японии № 2007-165153 (далее патентный документ 1) предлагает способ изготовления толстопленочного сверхпроводника с помощью процесса TFA-MOD. Однако в ходе процесса TFA-MOD во время прокаливания образуется фторид, конкретнее, например, BaF2, и этот BaF2 пиролизуется во время спекания с образованием опасного газообразного фторида водорода. Поэтому необходимо устройство или оборудование для переработки газообразного фторида водорода ("Toshiya Kumagai et al., "Fabrication of Superconducting Film By Dipping-Pyrolysis Process", The journal of The Surface Finishing Society of Japan, 1991, Vol. 42, № 5, p.500 to 507" (далее непатентный документ 1); ""Fabrication of Superconducting Thin Film Using Laser Beam Irradiation in Combination", AIST TODAY, National Institute of Advanced Industrial Science и Technology, 2006, Vol. 6 to 11, p.12 to 15" (далее непатентный документ 2)).
В противоположность этому, бесфтористый процесс MOD выгоден тем, что не образуется опасный газ, такой как фторид водорода, что благоприятно для окружающей среды и не требует оборудования для переработки. Однако в бесфтористом процессе MOD во время прокаливания образуется карбонат щелочноземельного металла, конкретнее, например, BaCO3, который содержится в прокаленной пленке. Если этот BaCO3 не пиролизуется на стадии спекания, то кристаллизация сверхпроводника не происходит. В обычном процессе термообработки BaCO3 пиролизуется на стадии спекания, однако, ориентация кристаллов может быть разупорядоченной. Это, как полагают, обусловлено созданием пустот в пленке вследствие газообразного CO2, образованного во время пиролиза, что сдерживает рост кристаллов от подложки, и обусловлено пиролизом BaCO3 повсюду в пленке, что вызывает рост кристаллов от этих мест. Поэтому, когда пленке задают определенную толщину, Jc резко уменьшается, резко уменьшая Ic, или же при толщине пленки, при которой легко получается высокая Jc, свойство простого получения высокой Jc не может быть достигнуто с хорошей воспроизводимостью.
Примерный способ изготовления оксидной сверхпроводящей тонкой пленки с помощью бесфтористого процесса MOD описан в непатентном документе 1. Непатентный документ 2 раскрывает способ равномерного пиролиза исходного материала, содержащегося в пленке покрытия, посредством облучения эксимерным лазером, чтобы вызвать равномерный рост кристаллов.
ДОКУМЕНТЫ УРОВНЯ ТЕХНИКИ
ПАТЕНТНЫЕ ДОКУМЕНТЫ
Патентный документ 1: публикация заявки на патент Японии № 2007-165153.
Непатентный документ 1: Toshiya Kumagai et al., "Fabrication of Superconducting Film By Dipping-Pyrolysis Process", The journal of The Surface Finishing Society of Japan, 1991, Vol. 42, No. 5, p.500 to 507.
Непатентный документ 2: "Fabrication of Superconducting Thin Film Using Laser Beam Irradiation in Combination", AIST TODAY, National Institute of Advanced Industrial Science and Technology, 2006, Vol. 6 to 11, p.12 to 15.
СУЩНОСТЬ ИЗОБРЕТЕНИЯ
ПРОБЛЕМЫ, РЕШАЕМЫЕ ИЗОБРЕТЕНИЕМ
Однако способ, раскрытый в непатентном документе 1, является невыгодным тем, что, вследствие недостаточного удаления CO2, образовавшегося на стадии термообработки, пленка не может быть увеличена по толщине без фтора при высокой Jc, и также не может быть получен высокий Ic.
Способ, раскрытый в непатентном документе 2, является также невыгодным тем, что необходимо дорогое лазерное устройство, приводящее к повышенным затратам. Кроме того, этим способом получают Jc порядка 6 МА/см2, однако толщина пленки мала и составляет 0,1 мкм, что не позволяет достигнуть высокого Ic.
Поэтому задача данного изобретения состоит в том, чтобы предоставить способ изготовления оксидной сверхпроводящей тонкой пленки, при котором изготовляют оксидную сверхпроводящую тонкую пленку, используемую при изготовлении сверхпроводящего провода посредством процесса нанесения покрытия пиролизом с использованием бесфтористого металлоорганического соединения, при этом BaCO3, содержащийся в прокаленной пленке, эффективно пиролизуется, чтобы сделать возможным протекание роста кристаллов от подложки, в результате чего пленка может быть увеличена по толщине при высокой Jc (например, выше или равной 1 МА/см2), и высокая величина Ic может быть получена с хорошей воспроизводимостью.
СРЕДСТВО ДЛЯ РЕШЕНИЯ ПРОБЛЕМ
В результате интенсивных исследований с учетом вышеуказанной задачи авторы данного изобретения выяснили, что проведение промежуточной термообработки для пиролиза карбоната заранее перед термообработкой со спеканием (которую далее называют «термообработкой спеканием») для кристаллизующей термообработки может решить вышеуказанную задачу, тем самым создав данное изобретение.
Способ изготовления оксидной сверхпроводящей тонкой пленки в соответствии с данным изобретением представляет собой способ изготовления оксидной сверхпроводящей тонкой пленки для применения при изготовлении сверхпроводящего провода посредством процесса нанесения покрытия пиролизом с использованием бесфтористого металлоорганического соединения в качестве исходного материала. Способ включает в себя стадии проведения промежуточной термообработки с пиролизом карбоната, содержащегося в тонкой пленке, которая еще должна быть подвергнута термообработке спеканием, и проведения термообработки спеканием для кристаллизующей термообработки тонкой пленки, подвергнутой промежуточной термообработке. Промежуточную термообработку проводят в атмосфере с концентрацией диоксида углерода, меньшей или равной 10 млн-1, и эта промежуточная термообработка является термообработкой, проводимой в интервале температуры, большей или равной 620°C и меньшей или равной 750°C.
В способе изготовления оксидной сверхпроводящей тонкой пленки в соответствии с данным изобретением промежуточная термообработка с пиролизом карбоната, содержащегося в тонкой пленке, которая должна быть подвергнута термообработке спеканием для кристаллизующей термообработки, проводится перед термообработкой спеканием, чтобы устранить фактор, который сдерживает рост кристаллов от подложки. Поэтому при термообработке спеканием может быть получена оксидная сверхпроводящая тонкая пленка с улучшенной ориентацией в результате протекающего от подложки роста кристаллов. А именно, может быть изготовлена толстая спеченная MOD-пленка, обладающая высокой Jc (например, выше или равной 1 МА/см2), так что оксидная сверхпроводящая тонкая пленка, имеющая высокую величину Ic, может быть получена с высокой воспроизводимостью. Кроме того, полученная оксидная сверхпроводящая тонкая пленка может быть использована подходящим образом для изготовления сверхпроводящего провода.
Как описано выше, в способе изготовления оксидной сверхпроводящей тонкой пленки в соответствии с данным изобретением промежуточную термообработку предпочтительно проводят в атмосфере с концентрацией диоксида углерода, меньшей или равной 10 млн-1.
Авторы данного изобретения выяснили, что концентрация диоксида углерода в атмосфере существенно влияет на легкость пиролиза карбоната при промежуточной термообработке. При этом исследования взаимосвязи между концентрацией диоксида углерода и пиролизом карбоната выявили, что при концентрации диоксида углерода, меньшей или равной 10 млн-1, пиролиз карбоната протекает легче, так что может быть получена более стабильная оксидная сверхпроводящая тонкая пленка, обладающая высоким Ic.
В способе изготовления оксидной сверхпроводящей тонкой пленки в соответствии с данным изобретением металлоорганическое соединение предпочтительно является металлоорганическим соединением, содержащим комплекс β-дикетона.
Когда металлоорганическим соединением является вещество, содержащее комплекс β-дикетона, промежуточная термообработка оказывает большее действие.
Как описано выше, в способе изготовления оксидной сверхпроводящей тонкой пленки в соответствии с данным изобретением промежуточная термообработка предпочтительно является термообработкой, проводимой в интервале температуры, большей или равной 620°C и меньшей или равной 750°C.
Когда температура при промежуточной термообработке больше или равна 620°C и меньше или равна 750°C, карбонат пиролизуется более надежным образом. В способе изготовления оксидной сверхпроводящей тонкой пленки в соответствии с данным изобретением продолжительность промежуточной термообработки больше или равна 10 минутам. В способе изготовления оксидной сверхпроводящей тонкой пленки в соответствии с данным изобретением тонкая пленка предпочтительно имеет толщину, большую или равную 0,3 мкм, а более предпочтительно тонкая пленка имеет толщину, большую или равную 0,6 мкм.
ЭФФЕКТЫ ИЗОБРЕТЕНИЯ
В соответствии с данным изобретением, в результате протекания роста кристаллов от подложки может быть получена оксидная сверхпроводящая тонкая пленка с улучшенной ориентацией и хорошей воспроизводимостью, обладающая высокой величиной Ic.
КРАТКОЕ ОПИСАНИЕ ЧЕРТЕЖЕЙ
Фиг. 1 представляет собой блок-схему, показывающую способ изготовления оксидной сверхпроводящей тонкой пленки в одном варианте осуществления данного изобретения.
Фиг. 2 представляет собой график, показывающий взаимосвязь между величиной критического тока Ic и толщиной пленки в Примерах 1.
Фиг. 3 представляет собой график, показывающий взаимосвязь между интенсивностью пика Y123(006) и толщиной пленки в Примерах 1.
Фиг. 4 представляет собой график, показывающий взаимосвязь между величиной критического тока Ic и толщиной пленки в Примерах 2.
Фиг. 5 представляет собой график, показывающий взаимосвязь между интенсивностью пика Ho123(006) и толщиной пленки в Примерах 2.
Фиг. 6 представляет собой график, показывающий кривую разложения BaCO3.
Фиг. 7 представляет собой график, иллюстрирующий взаимосвязь между пиролизом BaCO3 и температурой.
Фиг. 8 представляет собой график, иллюстрирующий взаимосвязь между ростом кристалла YBCO и температурой.
Фиг. 9 представляет собой график, иллюстрирующий режим промежуточной термообработки и термообработки спеканием.
ВАРИАНТЫ ОСУЩЕСТВЛЕНИЯ ИЗОБРЕТЕНИЯ
Далее данное изобретение будет описано на основе лучшего варианта его осуществления. Следует заметить, что данное изобретение не ограничивается представленным ниже вариантом осуществления. В представленный ниже вариант осуществления могут быть внесены различные модификации в пределах объема, идентичного и эквивалентного данному изобретению.
Как описано выше, данное изобретение характеризуется проведением промежуточной термообработки с пиролизом карбоната, содержащегося в пленке, которая должна быть подвергнута термообработке спеканием для кристаллизующей термообработки, с использованием бесфтористого металлоорганического соединения в качестве исходного материала, перед термообработкой спеканием. Иными словами, как показано на Фиг. 1, способ изготовления оксидной сверхпроводящей тонкой пленки включает в себя стадию (S10) проведения промежуточной термообработки с пиролизом карбоната, содержащегося в тонкой пленке, которая еще должна быть подвергнута термообработке спеканием, и стадию (S20) проведения термообработки спеканием для кристаллизующей термообработки тонкой пленки, подвергнутой промежуточной термообработке.
(Исходный материал)
В качестве бесфтористого металлоорганического соединения используют соли металлов, имеющие карбоксильную группу (соли нафтеновой кислоты, соли каприловой кислоты, соли неодекановой кислоты, соли изононановой кислоты и т.п.), аминовые соли металлов, имеющие аминогруппу, соли металлов и аминокислот, состоящие из аминогруппы и карбоксильной группы, нитраты, алкоголяты металлов, ацетилацетонаты и т.д. Среди них предпочтительным является комплекс β-дикетона, такой как ацетилацетонат.
Металл в вышеуказанном металлоорганическом соединении может включать иттрий (Y), барий (Ba), медь (Cu), празеодим (Pr), неодим (Nd), самарий (Sm), европий (Eu), гадолиний (Gd), гольмий (Ho), иттербий (Yb) и т.д.
Органическое соединение Ba и органическое соединение Cu объединяют с другим металлоорганическим соединением и растворяют в растворителе так, что соответствующие металлические элементы имеют заданное молярное соотношение, тем самым готовя раствор для MOD в соответствии с данным изобретением с тем, чтобы в конечном счете могла быть получена оксидная сверхпроводящая тонкая пленка. Например, в сочетании с органическим соединением Y получают тонкую пленку YBCO, а в сочетании с органическим соединением Ho получают тонкую пленку HoBCO.
(Промежуточная термообработка)
Стадия (S10) проведения промежуточной термообработки является стадией, на которой подвергают пиролизу карбонат, образованный на стадии прокаливания, и которую следует проводить при температурах ниже температуры в процессе спекания для того, чтобы предотвратить кристаллизацию.
Поэтому первоначально была исследована взаимосвязь между пиролизом карбоната и температурой, как будет описано ниже. Фиг. 6 представляет собой график, созданный посредством извлечения кривой разложения BaCO3, относящейся к данному изобретению, из "Dissociation curve of carbonic acid group in alkaline earth salt" («Кривой разложения группы угольной кислоты в соли щелочноземельного металла»), показанной на странице 387 книги "SCIENCE OF HIGH TEMPERATURE SUPERCONDUCTIVITY" под редакцией Masashi Tachiki и Toshizo Fujita (SHOKABO PUBLISHING CO., LTD., опубликованной в 2001 г.). Фиг. 6 показывает, что, например, при окружающей температуре 700°C BaCO3 пиролизуется в атмосфере с концентрацией CO2, меньшей или равной 1,6 млн-1, превращаясь в BaO.
Затем был проведен следующий эксперимент в отношении вышеизложенного. Вначале на подложке формировали образец a, имеющий пленку BaCO3 толщиной 1,65 мкм, и на этой подложке формировали образец b, имеющий пленку YBCO толщиной 0,30 мкм. Затем каждый из образцов a и b нагревали до температур, указанных на горизонтальных осях Фиг. 7 и 8 соответственно, и выдерживали в течение 10 минут, а после этого печь охлаждали до комнатной температуры. Следует заметить, что концентрация CO2 в это время была ниже или равна 1 млн-1. Затем измеряли интенсивность пика BaCO3(111) на рентгеновской дифрактограмме образца a и интенсивность пика YBCO(006) на рентгеновской дифрактограмме образца b. Результаты испытания представлены на Фиг. 7 и 8 соответственно.
Как показано на Фиг. 7, интенсивность пика BaCO3(111) постепенно уменьшается от примерно 620°C и уменьшается более резко с подъемом температуры, достигая 0 при 700°C. Это показывает, что пиролиз BaCO3 начинается постепенно при примерно 620°C, и степень пиролиза возрастает с подъемом температуры, и пиролиз всего BaCO3 заканчивается при 700°C.
Также, как показано на Фиг. 8, интенсивность пика YBCO(006) резко увеличивается выше 750°C. Это показывает, что скорость роста кристаллов YBCO резко возрастает выше 750°C.
С учетом вышеизложенного были изучены условия для промежуточной термообработки. Конкретнее, промежуточную термообработку предпочтительно проводят в интервале температуры, большей или равной температуре, при которой начинается пиролиз BaCO3, и меньшей или равной температуре, при которой не протекает кристаллизация сверхпроводника, а именно, в интервале температуры, большей или равной 620°C и меньшей или равной 750°C. Предпочтительным является время обработки, превышающее или равное 10 минутам, хотя оно зависит от температуры обработки и толщины пленки. Например, в случае, когда толщина пленки составляет 0,3 мкм, а температура при промежуточной термообработке составляет 680°C, подходит примерно 10 минут, однако эти условия являются неограничивающими.
В качестве атмосферы обработки предпочтительной является атмосфера газовой смеси аргон/кислород или газовой смеси азот/кислород. При этом концентрация кислорода предпочтительно составляет примерно 100 млн-1, а концентрация CO2 предпочтительно меньше или равна 10 млн-1, согласно Фиг. 6. При такой атмосфере легче протекает пиролиз карбоната.
(Термообработка спеканием)
Наиболее высокая температура на стадии (S20) проведения термообработки спеканием предпочтительно ниже или равна 800°C, однако особо не ограничивается и определяется при подходящей температуре в зависимости от вида металла и т.д.
(Подложка)
В подложке, используемой в данном изобретении, кристаллы, составляющие самый верхний слой, предпочтительно двуосно ориентированы. Сверхпроводящий слой формируют на двуосно-ориентированной подложке, так что выращивают кристаллы с хорошей ориентацией. Самый верхний слой включает, например, слой CeO2, а подложка включает, например, подложку CeO2/YSZ/CeO2/Ni-ый сплав.
Ниже будут описаны примеры и сравнительные примеры.
(Примеры 1 и Сравнительные примеры 1)
Данные примеры и сравнительные примеры являются примерами, в которых на подложке была изготовлена тонкая пленка YBCO, обозначенная как Y123 (оксидная сверхпроводящая тонкая пленка из Y-Ba-Cu-O, молярное соотношение Y:Ba:Cu составляет 1:2:3).
В качестве подложки использовали подложку CeO2/YSZ/CeO2/Ni-ый сплав. Эту подложку покрывали раствором исходных материалов, полученным приготовлением соответствующих ацетилацетонатных комплексов Y, Ba и Cu так, что молярное соотношение Y:Ba:Cu составляло 1:2:3, и растворением их в растворителе (смешанном растворителе из метанола и 1-бутанола), нагревали в атмосферном воздухе до 500°C при скорости повышения температуры 20°C/мин и выдерживали в течение 2 часов, после чего охлаждали в печи, тем самым выполняя термообработку прокаливанием. На этой стадии толщина пленки увеличивалась на примерно 0,15 мкм в расчете за одну обработку. Эту стадию нанесения покрытия и прокаливания повторяли несколько раз, чтобы получить пленку заданной толщины.
Затем проводили следующие промежуточную термообработку и термообработку спеканием. Эти термообработки проводили лишь один раз на образец. Примерный режим термообработки показан на Фиг. 9.
Вначале проводили промежуточную термообработку посредством нагревания при температурах и выдерживания в течение периодов времени, указанных в Примерах 1-1, 1-2 и 1-3 в Таблице 1, в атмосфере газовой смеси аргон/кислород (концентрация кислорода: 100 млн-1, концентрация CO2: меньше или равна 1 млн-1).
После промежуточной термообработки проводили термообработку спеканием посредством нагревания при температурах термообработки и в течение периодов времени, указанных в Таблице 1, в атмосфере газовой смеси аргон/кислород (концентрация кислорода: 100 млн-1, концентрация CO2: меньше или равна 1 млн-1) для кристаллизации, с последующим охлаждением в печи в атмосфере с концентрацией кислорода 100%, тем самым получив тонкие пленки Y123, имеющие толщины, указанные в Примерах 1-1, 1-2 и 1-3 в Таблице 1.
Затем, в качестве сравнительного примера, получали тонкую пленку Y123 Сравнительного примера 1-1 при условиях, идентичных условиям в Примере 1-1, за исключением того, что промежуточную термообработку не проводили. Тонкую пленку Y123 Сравнительного примера 1-2 также получали при условиях, идентичных условиям в Примере 1-2, за исключением того, что промежуточную термообработку не проводили.
Jc и Ic в каждой из тонких пленок Y123, полученных в соответствующих Примерах и Сравнительных примерах, измеряли при температуре 77 K в собственном магнитном поле. Также измеряли интенсивность пика Y123(006) на рентгеновской дифрактограмме, чтобы подтвердить состояния ориентации c-оси кристаллов в спеченной пленке.
Результаты измерений также представлены в Таблице 1. Взаимосвязь между Ic и толщиной пленки показана на Фиг. 2, а взаимосвязь между интенсивностью пика Y123(006) и толщиной пленки показана на Фиг. 3.
Таблица 1 | ||||||
Примеры 1 | Сравнительные примеры 1 | |||||
1-1 | 1-2 | 1-3 | 1-1 | 1-2 | ||
Толщина пленки после спекания (мкм) |
0,3 | 0,6 | 1,2 | 0,3 | 0,6 | |
Промежуточная термообработка | Температура (°C) | 680 | 680 | 680 | Нет | Нет |
Время (мин) | 10 | 180 | 180 | |||
Термообработка спеканием | Температура (°C) | 770 | 770 | 770 | 770 | 770 |
Время (мин) | 90 | 90 | 90 | 90 | 90 | |
Плотность критического тока Jc (МА/см2) |
2,5 | 1,9 | 1,1 | 2,4 | 0,5 | |
Критический ток Ic (А) | 75 | 114 | 132 | 72 | 27 | |
Интенсивность пика Y123(006) (счетов/с) |
8000 | 17000 | 20000 | 7600 | 4000 |
Таблица 1 и Фиг. 2 и 3 показывают следующее. Более конкретно, в случае, когда толщина пленки составляет 0,3 мкм (Пример 1-1 и Сравнительный пример 1-1), Ic в Примере 1-1 составляет 75 A, в то время как Ic в Сравнительном примере 1-1 составляет 72 A, так что имеет место небольшая разница между ними, которая означает, что влияния промежуточной термообработки почти не оказываются в случае, когда толщина пленки мала. Это предположительно обусловлено тем, что в случае, когда толщина пленки мала, BaCO3 пиролизуется в достаточной степени на ранней стадии нагревания, даже когда термообработку спеканием проводят без проведения промежуточной термообработки, вызывая протекание кристаллизации с менее разупорядоченной ориентацией, что приводит к небольшой разнице между присутствием и отсутствием промежуточной термообработки.
В противоположность этому, в случае, когда толщина пленки составляет 0,6 мкм (Пример 1-2 и Сравнительный пример 1-2), Ic в Примере 1-2 увеличивается до 114 A по сравнению с Примером 1-1, в то время как Ic в Сравнительном примере 1-2 уменьшается до 27 A по сравнению со Сравнительным примером 1-1. В случае, когда толщина пленки составляет 1,2 мкм (Пример 1-3), Ic далее увеличивается до 132 A по сравнению с Примером 1-2.
Это предположительно обусловлено тем, что в случае, когда толщина пленки велика, BaCO3 пиролизуется в достаточной степени при проведении заранее промежуточной термообработки, а затем термообработки спеканием, вызывая протекание роста кристалла от подложки, что приводит к увеличенному Ic.
Это может также легко быть понято из Фиг. 3, иллюстрирующей взаимосвязь между интенсивностью пика Y123(006) и толщиной пленки в Примерах и Сравнительных примерах в Таблице 1. Более конкретно, интенсивность пика представляет собой показатель, указывающий на ориентацию c-оси кристаллов, и увеличивается прямо пропорционально количеству кристаллов, ориентированных вдоль c-оси. Как показано на Фиг. 3, интенсивность пика в Примере 1-2 больше, чем в Сравнительном примере 1-2. Эти пленки имеют одну и ту же толщину пленки, и более высокая интенсивность пика означает, что ориентация c-оси была улучшена. Кроме того, в данном варианте осуществления интенсивность пика увеличивается по мере того, как увеличивается толщина пленки. А именно, интенсивность пика в Примере 1-2 более высокая, чем в Примере 1-1, а интенсивность пика в Примере 1-3 еще более высокая, чем в Примере 1-2, что отчетливо указывает на то, что даже при увеличенной толщине пленки протекает рост кристаллов от подложки, и количество ориентированных вдоль c-оси кристаллов возрастает.
В противоположность этому, предполагается, что пиролиз BaCO3 недостаточен, когда термообработку спеканием проводят без проведения промежуточной термообработки, что вызывает протекание кристаллизации с разупорядоченной ориентацией, приводящей к уменьшению Ic.
(Примеры 2 и Сравнительные примеры 2)
Данные примеры и сравнительные примеры являются примерами, в которых на подложке была изготовлена тонкая пленка HoBCO, обозначенная как Ho123 (оксидная сверхпроводящая тонкая пленка из Ho-Ba-Cu-O, молярное соотношение Ho:Ba:Cu составляет 1:2:3).
За исключением того, что Y в Примерах 1 и Сравнительных примерах 1 был заменен на Ho, а условия промежуточной термообработки и термообработки спеканием были заменены теми, что указаны в Таблице 2, тонкие пленки Ho123, имеющие толщины, указанные в Примерах с 2-1 по 2-3 и Сравнительных примерах 2-1 и 2-2 в Таблице 2, были получены аналогично Примерам 1 и Сравнительным примерам 1 и были подвергнуты измерениям аналогично Примерам 1.
Результаты измерений также представлены в Таблице 2. Взаимосвязь между Ic и толщиной пленки показана на Фиг. 4, а взаимосвязь между интенсивностью пика Ho123(006) и толщиной пленки показана на Фиг. 5.
Таблица 2 | ||||||
Примеры 2 | Сравнительные примеры 2 | |||||
2-1 | 2-2 | 2-3 | 2-1 | 2-2 | ||
Толщина пленки после спекания (мкм) |
0,3 | 0,6 | 1,2 | 0,3 | 0,6 | |
Промежуточная термообработка | Температура (°C) | 680 | 680 | 680 | Нет | Нет |
Время (мин) | 10 | 180 | 180 | |||
Термообработка спеканием | Температура (°C) | 780 | 780 | 780 | 780 | 780 |
Время (мин) | 90 | 90 | 90 | 90 | 90 | |
Плотность критического тока Jc (МА/см2) |
2,1 | 1,8 | 1,0 | 2,0 | 0,1 | |
Критический ток Ic (А) | 63 | 108 | 120 | 60 | 4 | |
Интенсивность пика Ho123(006) (счетов/с) |
8500 | 16500 | 21800 | 8000 | 3500 |
Как показано в Таблице 2 и на Фиг. 4 и 5, тенденции, аналогичные тем, что имеют место в Примерах 1, могут также быть подтверждены в данных примерах, что показывает влияния, оказываемые также и при проведении промежуточной термообработки в тонких пленках HoBCO.
Более конкретно, в случае, когда толщина пленки составляет 0,3 мкм (Пример 2-1 и Сравнительный пример 2-1), Ic в Примере 2-1 составляет 63 A, в то время как Ic в Сравнительном примере 2-1 составляет 60 A, так что имеет место небольшая разница в Ic аналогично Примерам 1, которая означает, что влияния промежуточной термообработки почти не оказываются в случае, когда толщина пленки мала. В противоположность этому, в случае, когда толщина пленки составляет 0,6 мкм (Пример 2-2 и Сравнительный пример 2-2), Ic в Примере 2-2 увеличивается до 108 A по сравнению с Примером 2-1, в то время как Ic в Сравнительном примере 2-2 уменьшается до 4 A по сравнению со Сравнительным примером 2-1. В случае, когда толщина пленки составляет 1,2 мкм (Пример 2-3), Ic далее увеличивается до 120 A по сравнению с Примером 2-2.
Как описано выше, в данном изобретении проведение промежуточной термообработки заранее перед термообработкой спеканием может вызывать протекание роста кристаллов от подложки, приводя к улучшенной ориентации кристаллов, в результате чего может быть получена с хорошей воспроизводимостью высокая величина Ic даже в случае толстой пленки.
Claims (5)
1. Способ изготовления оксидной сверхпроводящей тонкой пленки для применения при изготовлении сверхпроводящего провода посредством процесса нанесения покрытия пиролизом с использованием бесфтористого металлоорганического соединения в качестве исходного материала, содержащий следующие стадии:
проведение (S10) промежуточной термообработки с пиролизом карбоната, содержащегося в тонкой пленке, которая еще должна быть подвергнута термообработке спеканием; и
проведение (S20) упомянутой термообработки спеканием для кристаллизующей термообработки упомянутой тонкой пленки, подвергнутой упомянутой промежуточной термообработке, при этом упомянутую промежуточную термообработку проводят в атмосфере с концентрацией диоксида углерода, меньшей или равной 10 млн-1, и упомянутая промежуточная термообработка является термообработкой, проводимой в интервале температуры, большей или равной 620°С и меньшей или равной 750°С.
проведение (S10) промежуточной термообработки с пиролизом карбоната, содержащегося в тонкой пленке, которая еще должна быть подвергнута термообработке спеканием; и
проведение (S20) упомянутой термообработки спеканием для кристаллизующей термообработки упомянутой тонкой пленки, подвергнутой упомянутой промежуточной термообработке, при этом упомянутую промежуточную термообработку проводят в атмосфере с концентрацией диоксида углерода, меньшей или равной 10 млн-1, и упомянутая промежуточная термообработка является термообработкой, проводимой в интервале температуры, большей или равной 620°С и меньшей или равной 750°С.
2. Способ изготовления оксидной сверхпроводящей тонкой пленки по п.1, отличающийся тем, что упомянутое металлоорганическое соединение является металлоорганическим соединением, содержащим комплекс β-дикетона.
3. Способ изготовления оксидной сверхпроводящей тонкой пленки по п.1, отличающийся тем, что продолжительность упомянутой промежуточной термообработки больше или равна 10 мин.
4. Способ изготовления оксидной сверхпроводящей тонкой пленки по п.1, отличающийся тем, что упомянутая тонкая пленка имеет толщину, большую или равную 0,3 мкм.
5. Способ изготовления оксидной сверхпроводящей тонкой пленки по п.1, отличающийся тем, что упомянутая тонкая пленка имеет толщину, большую или равную 0,6 мкм.
Applications Claiming Priority (3)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2008212082A JP5421561B2 (ja) | 2008-08-20 | 2008-08-20 | 酸化物超電導薄膜の製造方法 |
JP2008-212082 | 2008-08-20 | ||
PCT/JP2009/052769 WO2010021159A1 (ja) | 2008-08-20 | 2009-02-18 | 酸化物超電導薄膜の製造方法 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2011110506A RU2011110506A (ru) | 2012-09-27 |
RU2476945C2 true RU2476945C2 (ru) | 2013-02-27 |
Family
ID=41707042
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2011110506/07A RU2476945C2 (ru) | 2008-08-20 | 2009-02-18 | Способ изготовления оксидной сверхпроводящей тонкой пленки |
Country Status (7)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110166026A1 (ru) |
JP (1) | JP5421561B2 (ru) |
KR (1) | KR101482543B1 (ru) |
CN (1) | CN102132359B (ru) |
DE (2) | DE112009002003T8 (ru) |
RU (1) | RU2476945C2 (ru) |
WO (1) | WO2010021159A1 (ru) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2580213C1 (ru) * | 2015-02-02 | 2016-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского" | Способ формирования сверхпроводящей тонкой пленки с локальными областями переменной толщины |
Families Citing this family (5)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP2011253766A (ja) * | 2010-06-03 | 2011-12-15 | National Institute Of Advanced Industrial & Technology | 酸化物超電導薄膜の製造方法 |
JP5505867B2 (ja) * | 2010-06-17 | 2014-05-28 | 住友電気工業株式会社 | 酸化物超電導薄膜の製造方法 |
JP2012234649A (ja) * | 2011-04-28 | 2012-11-29 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 酸化物超電導膜とその製造方法 |
WO2013153651A1 (ja) * | 2012-04-12 | 2013-10-17 | 住友電気工業株式会社 | 酸化物超電導薄膜線材とその製造方法 |
JP5892480B2 (ja) * | 2015-04-20 | 2016-03-23 | 住友電気工業株式会社 | 酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液 |
Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0264012A (ja) * | 1988-04-22 | 1990-03-05 | Ngk Spark Plug Co Ltd | YBa↓2Cu↓3O↓7↓−δ系酸化物超伝導体薄膜の形成方法 |
JPH05147941A (ja) * | 1989-12-27 | 1993-06-15 | Agency Of Ind Science & Technol | 超電導体の製造方法及び超電導体 |
RU2039383C1 (ru) * | 1992-08-07 | 1995-07-09 | Институт монокристаллов АН Украины | Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих покрытий |
RU2124775C1 (ru) * | 1997-06-10 | 1999-01-10 | Государственный научный центр Российской Федерации Всероссийский научно-исследовательский институт неорганических материалов им.акад. А.А.Бочвара | Способ получения длинномерных высокотемпературных сверхпроводящих изделий |
RU2124774C1 (ru) * | 1997-06-10 | 1999-01-10 | Государственный научный центр Российской Федерации Всероссийский научно-исследовательский институт неорганических материалов им.акад. А.А.Бочвара | Способ получения длинномерных высокотемпературных сверхпроводящих изделий |
RU2148866C1 (ru) * | 1998-12-09 | 2000-05-10 | Государственный научный центр Российской Федерации Всероссийский научно-исследовательский институт неорганических материалов им.акад.А.А.Бочвара | Способ получения длинномерного провода с высокотемпературным сверхпроводящим покрытием |
Family Cites Families (8)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE3872430T2 (de) | 1987-04-10 | 1992-12-03 | American Telephone & Telegraph | Verfahren zur herstellung einer schicht aus supraleitendem material. |
US4897378A (en) | 1987-05-22 | 1990-01-30 | Massachusetts Institute Of Technology | Preparation of thin film superconducting oxides |
AU607219B2 (en) * | 1987-05-29 | 1991-02-28 | Toray Industries, Inc. | Method of forming superconductive thin films and solutions for forming the same |
EP0301591B1 (en) * | 1987-07-31 | 1992-09-30 | Mitsubishi Materials Corporation | Composition and process for preparing compound metal oxides |
AU589068B2 (en) * | 1987-08-10 | 1989-09-28 | Furukawa Electric Co. Ltd., The | Method of manufacturing oxide superconductor, and method of manufacturing composite oxide powder which is the precursor of the oxide superconductor |
US5141918A (en) * | 1988-04-22 | 1992-08-25 | Ngk Spark Plug Co., Ltd. | Method of forming an oxide superconducting thin film of a single phase having no carbonate |
JP2006216365A (ja) * | 2005-02-03 | 2006-08-17 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 超電導薄膜材料、超電導線材およびこれらの製造方法 |
JP5156188B2 (ja) * | 2005-12-14 | 2013-03-06 | 公益財団法人国際超電導産業技術研究センター | 厚膜テープ状re系(123)超電導体の製造方法 |
-
2008
- 2008-08-20 JP JP2008212082A patent/JP5421561B2/ja active Active
-
2009
- 2009-02-18 KR KR1020117006369A patent/KR101482543B1/ko active IP Right Grant
- 2009-02-18 DE DE112009002003T patent/DE112009002003T8/de active Active
- 2009-02-18 DE DE112009002003.8D patent/DE112009002003B3/de active Active
- 2009-02-18 US US13/059,598 patent/US20110166026A1/en not_active Abandoned
- 2009-02-18 CN CN2009801326161A patent/CN102132359B/zh active Active
- 2009-02-18 RU RU2011110506/07A patent/RU2476945C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2009-02-18 WO PCT/JP2009/052769 patent/WO2010021159A1/ja active Application Filing
Patent Citations (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0264012A (ja) * | 1988-04-22 | 1990-03-05 | Ngk Spark Plug Co Ltd | YBa↓2Cu↓3O↓7↓−δ系酸化物超伝導体薄膜の形成方法 |
JPH05147941A (ja) * | 1989-12-27 | 1993-06-15 | Agency Of Ind Science & Technol | 超電導体の製造方法及び超電導体 |
RU2039383C1 (ru) * | 1992-08-07 | 1995-07-09 | Институт монокристаллов АН Украины | Способ получения высокотемпературных сверхпроводящих покрытий |
RU2124775C1 (ru) * | 1997-06-10 | 1999-01-10 | Государственный научный центр Российской Федерации Всероссийский научно-исследовательский институт неорганических материалов им.акад. А.А.Бочвара | Способ получения длинномерных высокотемпературных сверхпроводящих изделий |
RU2124774C1 (ru) * | 1997-06-10 | 1999-01-10 | Государственный научный центр Российской Федерации Всероссийский научно-исследовательский институт неорганических материалов им.акад. А.А.Бочвара | Способ получения длинномерных высокотемпературных сверхпроводящих изделий |
RU2148866C1 (ru) * | 1998-12-09 | 2000-05-10 | Государственный научный центр Российской Федерации Всероссийский научно-исследовательский институт неорганических материалов им.акад.А.А.Бочвара | Способ получения длинномерного провода с высокотемпературным сверхпроводящим покрытием |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2580213C1 (ru) * | 2015-02-02 | 2016-04-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Омский государственный университет им. Ф.М. Достоевского" | Способ формирования сверхпроводящей тонкой пленки с локальными областями переменной толщины |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN102132359B (zh) | 2013-01-23 |
KR20110056389A (ko) | 2011-05-27 |
RU2011110506A (ru) | 2012-09-27 |
DE112009002003T5 (de) | 2011-09-29 |
JP2010049891A (ja) | 2010-03-04 |
KR101482543B1 (ko) | 2015-01-16 |
DE112009002003B3 (de) | 2020-12-03 |
WO2010021159A1 (ja) | 2010-02-25 |
JP5421561B2 (ja) | 2014-02-19 |
CN102132359A (zh) | 2011-07-20 |
DE112009002003T8 (de) | 2012-02-09 |
US20110166026A1 (en) | 2011-07-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP4234424B2 (ja) | 前駆体溶液およびその使用方法 | |
KR100417146B1 (ko) | 산화물 초전도체의 제조 방법, 산화물 초전도체용 원료 및산화물 초전도체용 원료의 제조 방법 | |
RU2476945C2 (ru) | Способ изготовления оксидной сверхпроводящей тонкой пленки | |
JP5156188B2 (ja) | 厚膜テープ状re系(123)超電導体の製造方法 | |
JP2009544143A (ja) | 高Jc超伝導膜の製造方法およびそのために使用されるポリマー‐硝酸塩溶液 | |
JP2003300726A (ja) | テープ状酸化物超電導体及びその製造方法 | |
JP2013235766A (ja) | 酸化物超電導薄膜とその形成方法 | |
JP2011510171A (ja) | 高温超伝導体を製造するための湿式化学的方法 | |
JP5605750B2 (ja) | 酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液 | |
JP2011253768A (ja) | 酸化物超電導薄膜の製造方法 | |
JP2011253766A (ja) | 酸化物超電導薄膜の製造方法 | |
JP5591900B2 (ja) | 厚膜テープ状re系(123)超電導体の製造方法 | |
JP2010135134A (ja) | Re123超電導薄膜線材の製造方法およびre123超電導薄膜線材 | |
JP2010123433A (ja) | Re123超電導薄膜線材の製造方法およびre123超電導薄膜線材 | |
JP2012064394A (ja) | 酸化物超電導薄膜の製造方法 | |
WO2013153651A1 (ja) | 酸化物超電導薄膜線材とその製造方法 | |
JP2011159453A (ja) | 酸化物超電導薄膜の製造方法 | |
JP2010238633A (ja) | 希土類系厚膜酸化物超電導線材の製造方法 | |
JP2015165502A (ja) | 酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液 | |
JP2012113860A (ja) | 酸化物超電導薄膜線材とその製造方法 | |
JP2012123998A (ja) | 酸化物超電導薄膜線材とその製造方法 | |
JP2011251863A (ja) | 酸化物超電導薄膜製造用の原料溶液 | |
JP2014207056A (ja) | 酸化物超電導線材の製造方法および酸化物超電導線材 | |
JP2010165502A (ja) | Re123超電導薄膜テープ線材の製造方法およびre123超電導薄膜テープ線材 | |
JP2012234649A (ja) | 酸化物超電導膜とその製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20140219 |