JP2011159453A - 酸化物超電導薄膜の製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】フッ素を含まない金属有機化合物を原料とし、塗布熱分解法を用いて製造する酸化物超電導薄膜の製造方法であって、酸化物超電導薄膜の前駆体である仮焼膜を形成するに際して、金属有機化合物の各々に含有される有機成分が熱分解を起こす温度近傍で加熱して、各金属有機化合物に含有される有機成分を熱分解させて除去する熱処理を、低温側から段階的に行い、その後、さらに高温での熱処理を行って、残存する炭素を分解、除去する。
【選択図】なし
Description
以下、各請求項の発明について説明する。
酸化物超電導線材の製造に用いる酸化物超電導薄膜を、フッ素を含まない金属有機化合物を原料とし、塗布熱分解法を用いて製造する酸化物超電導薄膜の製造方法であって、
酸化物超電導薄膜の前駆体である仮焼膜を形成するに際して、
前記金属有機化合物の各々に含有される有機成分が熱分解を起こす温度近傍で加熱して、各金属有機化合物に含有される有機成分を熱分解させて除去する熱処理を、低温側から段階的に行い、
その後、さらに高温での熱処理を行って、残存する炭素を分解、除去する
ことを特徴とする酸化物超電導薄膜の製造方法である。
前記酸化物超電導薄膜が、YBCO薄膜、GdBCO薄膜、HoBCO薄膜のいずれかであることを特徴とする請求項1に記載の酸化物超電導薄膜の製造方法である。
前記金属有機化合物に含有される有機成分を熱分解させて除去する第1の熱処理温度が、250℃〜350℃であることを特徴とする請求項2に記載の酸化物超電導薄膜の製造方法である。
前記金属有機化合物に含有される有機成分を熱分解させて除去する第2の熱処理温度が、410℃〜450℃であることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の酸化物超電導薄膜の製造方法である。
前記各金属有機化合物に含有される有機成分を熱分解させて除去する熱処理を行った後に行われる残存する炭素を熱分解させて除去する熱処理温度が、450℃〜600℃であることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の酸化物超電導薄膜の製造方法である。
前記各金属有機化合物に含有される有機成分を熱分解させて除去する熱処理、および炭素を熱分解させて除去する熱処理の処理時間が、10〜300分であることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の酸化物超電導薄膜の製造方法である。
前記酸化物超電導薄膜が、YBCO薄膜であることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の酸化物超電導薄膜の製造方法である。
前記炭素を熱分解させて除去する熱処理後の仮焼膜の膜厚が、0.2μm以上であることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の酸化物超電導薄膜の製造方法である。
Y、BaおよびCuのアセチルアセトナート錯体をモル比で1:2:3で混合した混合物を原料として作製したMOD溶液の塗布膜を用意し、DTA測定を行なった。
図1は、FF−MOD法によりYBCO薄膜を作製する過程におけるDTA測定結果を示す図である。図1において、250℃〜350℃と410℃〜450℃に発熱ピークが観測された。図1より250℃〜350℃においてCu錯体の熱分解が起きていることが分かる。
次に、上記を参考にして実際にYBCO薄膜を作製した。以下に実験の内容と実験結果について説明する。
イ.塗布
基板として、CeO2/YSZ/CeO2/Ni合金の基板を用い、この基板上に、Y、Ba、Cuの各アセチルアセトナート錯体を、Y:Ba:Cuのモル比が1:2:3となるように調整して溶媒(メタノール)に溶解した原料溶液をスピンコート法により塗布して塗布膜を作製した。
次に、作製した塗布膜を、各種熱処理条件下で1段階のみの熱処理、2段階の熱処理および3段階の熱処理を行い、膜厚が400〜500nmの仮焼膜を作製した。1段階のみの熱処理条件、2段階の熱処理の熱処理条件、3段階の熱処理の熱処理条件をそれぞれ表1、表2、表3に示す。また、各段階の熱処理の保持時間を変えた実験の熱処理条件を表4に示す。
次に、仮焼膜にアルゴン/酸素混合ガス(酸素濃度:100ppm、CO2濃度:1ppm以下)雰囲気の下、680℃で90分間の中間熱処理を施し、その後、同じくアルゴン/酸素混合ガス(酸素濃度:100ppm)雰囲気の下、770℃で10分間の本焼熱処理(結晶化熱処理)を施した後、酸素濃度100%雰囲気中で炉冷を行ってYBCO薄膜(本焼膜)を作製した。
イ.評価方法
a.仮焼膜の評価
仮焼熱処理終了後、作製した仮焼膜の表面を観察して発泡とクラックの有無を調べた。
b.YBCO薄膜(本焼膜)の評価
77K、自己磁場下において、作製したYBCO薄膜の超電導特性(Ic)を測定した。
各実験例の仮焼熱処理の熱処理条件と評価結果を表1〜4に示す。
なお、表1〜4において、仮焼熱処理を3段階で行い、各段階の熱処理条件が以下の条件を満たす実験例が本発明の実施例である。
1段階目:熱処理温度 250℃〜350℃
2段階目:熱処理温度 410℃〜450℃
3段階目:熱処理温度 500℃〜600℃
はじめに、仮焼熱処理を1段階のみの熱処理で実施した場合の熱処理条件と評価結果を説明する。各実験例の熱処理条件と評価結果を表1に示す。なお、表1において実験例1は、従来技術の熱処理条件で仮焼熱処理を実施した実験例である。
次に、仮焼熱処理を2段階の熱処理で実施した場合の熱処理条件と評価結果について説明する。なお、1段階目の熱処理条件は、表1において発泡、クラック共に生じなかった実験例3の300℃で120分間保持する熱処理条件に固定した。各実験例の熱処理条件および評価結果を表2に示す。
次に、3段階熱処理により仮焼熱処理を行った実験例であって、2段階目の熱処理の温度、雰囲気を変えて仮焼熱処理を行った実験例について説明する。なお、2段階目の熱処理は、表2において発泡、クラック共に生じなかった実験例6、実験例7、実験例9の熱処理条件とした。各実験例の熱処理条件および評価結果を表3に示す。
次に、2段階および3段階熱処理により仮焼熱処理を行った実験例であって、各段階の熱処理における保持時間の影響を調べた実験例について説明する。なお、各段階の熱処理温度および2段階目の雰囲気は、実施例である実験例16に合わせた。各実験例の熱処理条件および評価結果を表4に示す。
Claims (8)
- 酸化物超電導線材の製造に用いる酸化物超電導薄膜を、フッ素を含まない金属有機化合物を原料とし、塗布熱分解法を用いて製造する酸化物超電導薄膜の製造方法であって、
酸化物超電導薄膜の前駆体である仮焼膜を形成するに際して、
前記金属有機化合物の各々に含有される有機成分が熱分解を起こす温度近傍で加熱して、各金属有機化合物に含有される有機成分を熱分解させて除去する熱処理を、低温側から段階的に行い、
その後、さらに高温での熱処理を行って、残存する炭素を分解、除去する
ことを特徴とする酸化物超電導薄膜の製造方法。 - 前記酸化物超電導薄膜が、YBCO薄膜、GdBCO薄膜、HoBCO薄膜のいずれかであることを特徴とする請求項1に記載の酸化物超電導薄膜の製造方法。
- 前記金属有機化合物に含有される有機成分を熱分解させて除去する第1の熱処理温度が、250℃〜350℃であることを特徴とする請求項2に記載の酸化物超電導薄膜の製造方法。
- 前記金属有機化合物に含有される有機成分を熱分解させて除去する第2の熱処理温度が、410℃〜450℃であることを特徴とする請求項2または請求項3に記載の酸化物超電導薄膜の製造方法。
- 前記各金属有機化合物に含有される有機成分を熱分解させて除去する熱処理を行った後に行われる残存する炭素を熱分解させて除去する熱処理温度が、450℃〜600℃であることを特徴とする請求項1ないし請求項4のいずれか1項に記載の酸化物超電導薄膜の製造方法。
- 前記各金属有機化合物に含有される有機成分を熱分解させて除去する熱処理、および炭素を熱分解させて除去する熱処理の処理時間が、10〜300分であることを特徴とする請求項1ないし請求項5のいずれか1項に記載の酸化物超電導薄膜の製造方法。
- 前記酸化物超電導薄膜が、YBCO薄膜であることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の酸化物超電導薄膜の製造方法。
- 前記炭素を熱分解させて除去する熱処理後の仮焼膜の膜厚が、0.2μm以上であることを特徴とする請求項1ないし請求項6のいずれか1項に記載の酸化物超電導薄膜の製造方法。
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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JP2017528397A (ja) * | 2014-06-24 | 2017-09-28 | ビーエーエスエフ ソシエタス・ヨーロピアBasf Se | 高温超伝導体(hts)層を含む複合体の製造方法 |
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JP2003300726A (ja) * | 2002-04-08 | 2003-10-21 | Internatl Superconductivity Technology Center | テープ状酸化物超電導体及びその製造方法 |
-
2010
- 2010-01-29 JP JP2010018805A patent/JP2011159453A/ja active Pending
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