RU2413042C2 - Легированные теллуриды свинца для термоэлектрического применения - Google Patents
Легированные теллуриды свинца для термоэлектрического применения Download PDFInfo
- Publication number
- RU2413042C2 RU2413042C2 RU2008140844/05A RU2008140844A RU2413042C2 RU 2413042 C2 RU2413042 C2 RU 2413042C2 RU 2008140844/05 A RU2008140844/05 A RU 2008140844/05A RU 2008140844 A RU2008140844 A RU 2008140844A RU 2413042 C2 RU2413042 C2 RU 2413042C2
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- ampoule
- temperature
- materials
- hours
- cooled
- Prior art date
Links
- 150000004772 tellurides Chemical class 0.000 title claims abstract description 4
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 78
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract description 34
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract description 20
- 229910052714 tellurium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 15
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 13
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract description 10
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 10
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 9
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 7
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- 229910052797 bismuth Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract description 5
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 claims abstract description 4
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 claims abstract description 3
- 239000000126 substance Substances 0.000 abstract description 5
- 230000000694 effects Effects 0.000 abstract description 2
- 238000005272 metallurgy Methods 0.000 abstract 1
- 239000003708 ampul Substances 0.000 description 45
- 239000000203 mixture Substances 0.000 description 20
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 14
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 13
- 238000002844 melting Methods 0.000 description 12
- 230000008018 melting Effects 0.000 description 12
- 239000000843 powder Substances 0.000 description 11
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 10
- 230000035484 reaction time Effects 0.000 description 10
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 10
- YBJHBAHKTGYVGT-ZKWXMUAHSA-N (+)-Biotin Chemical compound N1C(=O)N[C@@H]2[C@H](CCCCC(=O)O)SC[C@@H]21 YBJHBAHKTGYVGT-ZKWXMUAHSA-N 0.000 description 9
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 description 9
- 239000010432 diamond Substances 0.000 description 9
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 9
- FEPMHVLSLDOMQC-UHFFFAOYSA-N virginiamycin-S1 Natural products CC1OC(=O)C(C=2C=CC=CC=2)NC(=O)C2CC(=O)CCN2C(=O)C(CC=2C=CC=CC=2)N(C)C(=O)C2CCCN2C(=O)C(CC)NC(=O)C1NC(=O)C1=NC=CC=C1O FEPMHVLSLDOMQC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 9
- 238000005245 sintering Methods 0.000 description 8
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 7
- 238000002156 mixing Methods 0.000 description 6
- 230000004927 fusion Effects 0.000 description 5
- 239000012535 impurity Substances 0.000 description 5
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 4
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 4
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 4
- 239000000446 fuel Substances 0.000 description 4
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 4
- 239000011149 active material Substances 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 3
- 238000001451 molecular beam epitaxy Methods 0.000 description 3
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 3
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 3
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910005900 GeTe Inorganic materials 0.000 description 2
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910002665 PbTe Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052787 antimony Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 230000007423 decrease Effects 0.000 description 2
- 238000001035 drying Methods 0.000 description 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 description 2
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 description 2
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 description 2
- VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N methane Chemical compound C VNWKTOKETHGBQD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 2
- 238000002294 plasma sputter deposition Methods 0.000 description 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N tellanylidenelead Chemical compound [Pb]=[Te] OCGWQDWYSQAFTO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 229910052692 Dysprosium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052691 Erbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052693 Europium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052688 Gadolinium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052689 Holmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052765 Lutetium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052779 Neodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052777 Praseodymium Inorganic materials 0.000 description 1
- 235000019484 Rapeseed oil Nutrition 0.000 description 1
- 229910052772 Samarium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052771 Terbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052775 Thulium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052769 Ytterbium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 1
- 239000000654 additive Substances 0.000 description 1
- 238000005275 alloying Methods 0.000 description 1
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052785 arsenic Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000009286 beneficial effect Effects 0.000 description 1
- 229910052790 beryllium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052794 bromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052793 cadmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052792 caesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052791 calcium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000000641 cold extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000005056 compaction Methods 0.000 description 1
- 230000003750 conditioning effect Effects 0.000 description 1
- 239000012611 container material Substances 0.000 description 1
- 230000007797 corrosion Effects 0.000 description 1
- 238000005260 corrosion Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 238000000151 deposition Methods 0.000 description 1
- 239000002283 diesel fuel Substances 0.000 description 1
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 1
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 1
- 239000002019 doping agent Substances 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 239000002803 fossil fuel Substances 0.000 description 1
- 229910052733 gallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003502 gasoline Substances 0.000 description 1
- 229910002804 graphite Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010439 graphite Substances 0.000 description 1
- 238000001192 hot extrusion Methods 0.000 description 1
- 238000007731 hot pressing Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 229910052740 iodine Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052742 iron Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003350 kerosene Substances 0.000 description 1
- 229910052746 lanthanum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 229910052744 lithium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000011068 loading method Methods 0.000 description 1
- 229910052749 magnesium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000010309 melting process Methods 0.000 description 1
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 description 1
- 150000002739 metals Chemical class 0.000 description 1
- 150000004702 methyl esters Chemical class 0.000 description 1
- 238000009768 microwave sintering Methods 0.000 description 1
- 229910052750 molybdenum Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000003345 natural gas Substances 0.000 description 1
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052763 palladium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052700 potassium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012254 powdered material Substances 0.000 description 1
- 238000005086 pumping Methods 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052703 rhodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052701 rubidium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052706 scandium Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000007789 sealing Methods 0.000 description 1
- 229910052711 selenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000003346 selenoethers Chemical class 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910021332 silicide Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052708 sodium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002904 solvent Substances 0.000 description 1
- 238000002490 spark plasma sintering Methods 0.000 description 1
- 239000007858 starting material Substances 0.000 description 1
- 229910052712 strontium Inorganic materials 0.000 description 1
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N tellurium atom Chemical compound [Te] PORWMNRCUJJQNO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052716 thallium Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000005619 thermoelectricity Effects 0.000 description 1
- 150000003568 thioethers Chemical class 0.000 description 1
- 230000007704 transition Effects 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052720 vanadium Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000002918 waste heat Substances 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052727 yttrium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01G—COMPOUNDS CONTAINING METALS NOT COVERED BY SUBCLASSES C01D OR C01F
- C01G21/00—Compounds of lead
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
- C01B19/002—Compounds containing, besides selenium or tellurium, more than one other element, with -O- and -OH not being considered as anions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
- C01B19/007—Tellurides or selenides of metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/515—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics
- C04B35/547—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products based on non-oxide ceramics based on sulfides or selenides or tellurides
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B35/00—Shaped ceramic products characterised by their composition; Ceramics compositions; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/622—Forming processes; Processing powders of inorganic compounds preparatory to the manufacturing of ceramic products
- C04B35/653—Processes involving a melting step
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/852—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/855—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising compounds containing boron, carbon, oxygen or nitrogen
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/32—Thermal properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/40—Electric properties
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/40—Metallic constituents or additives not added as binding phase
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/40—Metallic constituents or additives not added as binding phase
- C04B2235/402—Aluminium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/40—Metallic constituents or additives not added as binding phase
- C04B2235/404—Refractory metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/40—Metallic constituents or additives not added as binding phase
- C04B2235/407—Copper
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/02—Composition of constituents of the starting material or of secondary phases of the final product
- C04B2235/30—Constituents and secondary phases not being of a fibrous nature
- C04B2235/40—Metallic constituents or additives not added as binding phase
- C04B2235/408—Noble metals
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
- C04B2235/6562—Heating rate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
- C04B2235/6565—Cooling rate
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
- C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
- C04B2235/00—Aspects relating to ceramic starting mixtures or sintered ceramic products
- C04B2235/65—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes
- C04B2235/656—Aspects relating to heat treatments of ceramic bodies such as green ceramics or pre-sintered ceramics, e.g. burning, sintering or melting processes characterised by specific heating conditions during heat treatment
- C04B2235/6567—Treatment time
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/10—Process efficiency
- Y02P20/129—Energy recovery, e.g. by cogeneration, H2recovery or pressure recovery turbines
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Structural Engineering (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Inorganic Compounds Of Heavy Metals (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
- Lubricants (AREA)
- Catalysts (AREA)
Abstract
Изобретение касается полупроводниковых материалов, содержащих свинец и теллур, а также, по меньшей мере, одну или две другие примеси, а также содержащих эти материалы термоэлектрических генераторов и устройств Пельтье. Полупроводниковый материал с проводимостью р- или n-типа на основе легированных теллуридов свинца имеет соединение общей формулы (I) ! ! со следующими значениями: в каждом случае независимо n означает количество химических элементов, отличных от Pb и Те, ! 1 част./млн≤х1, …, xn≤0,05, -0,05≤z≤0,05 и n=2, А1…An - отличные друг от друга и выбраны из группы элементов: Al, Ge, Sn, Bi, Ti, Zr, Hf, Nb, Та, Cu, Ag, или n=1, А1 выбран из Zr, Ag, Cu. Данные термоэлектрически активные материалы имеют высокий КПД и обнаруживают свойства, подходящие для различных областей применения: в качестве теплового насоса, в холодильниках и сушилках, для кондиционирования транспортных средств и зданий, для одновременного нагрева и охлаждения потоков веществ в процессах их разделения, в качестве генератора для использования источников тепла, для охлаждения электронных блоков. 2 н. и 1 з.п. ф-лы.
Description
Настоящее изобретение касается полупроводниковых материалов, содержащих свинец и теллур, а также, по меньшей мере, одну или две другие примеси, а также содержащих эти материалы термоэлектрических генераторов и устройств Пельтье.
Термоэлектрические генераторы и устройства Пельтье, как таковые, уже давно известны. Полупроводники, легированные примесью p- и n-типа, подогреваемые с одной стороны и охлаждаемые с другой, переносят электрические заряды через внешнюю электрическую цепь, причем на электроприемнике в электрической цепи можно проводить электрические работы. Полученный при этом коэффициент полезного действия преобразования тепла в электроэнергию ограничивается термодинамически коэффициентом полезного действия Карно. Тем самым, при температуре 1000 K можно было бы достигнуть с горячей стороны, а при 400 K - с «холодной» коэффициента полезного действия (1000-400):1000=60%. Но сегодняшний день получен только коэффициент полезного действия до 10%.
Если, с другой стороны, подавать постоянный ток к такому устройству, то тепло переносится от одной стороны к другой. Устройство Пельтье подобного рода работает как тепловой насос и поэтому подходит для охлаждения блоков устройств, транспортных средств или зданий. Нагревание по принципу Пельтье более выгодно, чем традиционное нагревание, потому что всегда переносится больше тепла, чем соответствует подаваемому эквиваленту энергии.
Хороший обзор эффектов и материалов можно найти, например, в Cronin В. Vining, «ITS Short Course on Thermoelectricity» (Краткий курс по термоэлектричеству ITS), ноябрь 8, 1993, Йокохама, Япония.
В настоящее время термоэлектрические генераторы используются на автоматических межпланетных станциях для генерирования постоянного тока, для катодной защиты от коррозии трубопроводов, для энергоснабжения светящихся буев и радиобуев, для работы радио- и телевизионных аппаратов. Причиной преимуществ термоэлектрических генераторов является их чрезвычайная надежность. Например, они работают независимо от атмосферных условий, как то влажность воздуха; не происходит легко нарушаемого переноса вещества, а только перенос заряда; топливо сгорает беспрерывно, а также каталитически без открытого пламени, вследствие чего освобождается только некоторое количество СО, NOx и несгоревшего топлива; можно использовать любое топливо от природного газа, бензина, керосина, дизельного топлива до биологического топлива, как то сложный метиловый эфир рапсового масла.
Тем самым, термоэлектрическое преобразование энергии очень хорошо подходит для будущих потребностей, как то водородная промышленность или генерация энергии из возобновляемых видов энергии.
Одним из самых привлекательных способов использования могло бы стать применение для преобразования в электрическую энергию в электромобилях. Для этого не нужно производить никаких изменений в имеющейся сети автозаправочных станций. Но для использования такого рода необходим коэффициент полезного действия больше 30%.
Также преобразование солнечной энергии непосредственно в электрическую энергию могло бы быть очень привлекательным. Концентраторы, как, например, параболические желоба, могут фокусировать солнечную энергию на термоэлектрические генераторы с коэффициентом полезного действия от 95 до 97%, в результате чего производится солнечная энергия.
Но и для использования в качестве теплового насоса необходимы более высокие коэффициенты полезного действия.
Термоэлектрически активные материалы, по существу, оцениваются на основании своего КПД. Характерным для термоэлектрических материалов является так называемый коэффициент Z (термоэлектрическая добротность):
где S - коэффициент Зеебека, σ - электрическая проводимость, а k - коэффициент теплопроводности. Предпочтение отдают термоэлектрическим материалам, имеющим как можно меньшую теплопроводность, как можно большую электрическую электропроводимость и как можно больший коэффициент Зеебека, так что коэффициент добротности принимает наибольшее значение.
Произведение S2σ определяется как коэффициент мощности и служит для сравнения термоэлектрических материалов.
Кроме того, для сравнения также часто используют безразмерное произведение Z·T. Известные до сих пор термоэлектрические материалы обнаруживают максимальные значения Z·T, примерно от 1 при оптимальной температуре. За этой оптимальной температурой значения Z·T часто меньше 1.
Более точный анализ показывает, что КПД η получают по формуле
где
(см. также «Mat. Sei. and Eng. В29» (1995) 228).
Таким образом, целью является предоставление термоэлектрически активного материала с максимально большим значением Z и высокой осуществимой разностью температур. С точки зрения физики твердого тела здесь необходимо решить много проблем:
Высокое значение σ обусловливает высокую подвижность электронов в материале, т.е. электроны (или дырки в материалах с проводимостью p-типа) не должны быть сильно связаны с атомными остовами. Материалы с высокой электрической проводимостью σ чаще всего вместе с тем обнаруживают и высокую теплопроводность (закон Видеманна-Франца), из-за чего на Z не может быть оказано благоприятное влияние. Используемые сегодня материалы, как то Bi2Te3, уже представляют компромиссы. Так в результате легирования электрическая проводимость понижается меньше, чем теплопроводность. Поэтому предпочтительно используют такие сплавы, как например, (Bi2Te3)90(Sb2Te3)5(Sb2Se3)5 или Bi12Sb23Te65, как они описаны в US 5,448,109.
Для термоэлектрических материалов с высоким КПД предпочтительно выполнять еще другие граничные условия. Прежде всего, они должны быть достаточно устойчивы к температурным условиям, чтобы они могли в условиях эксплуатации в течение многих лет работать без значительной потери. Это само по себе обуславливает стабильную фазу при высокой температуре, стабильный фазовый состав и диффузию компонентов сплава в смежные контактные материалы, которой можно пренебречь.
Описание термоэлектрических материалов можно найти в новой патентной литературе, например, в US 6,225,550 и ЕР-А-1 102 334.
US 6,225,550 в основном касается материалов из MgxSb2, легированные еще одним элементом, предпочтительно переходным материалом.
В ЕР-А-1 102 334 описываются легированные примесью р- или n-типа полупроводниковые материалы, содержащие, по меньшей мере, один трехкомпонентный материал из классов веществ силицидов, боридов, германидов, теллуридов, сульфидов, селенидов, антимонидов, плюмбидов и полупроводниковых оксидов.
В статье «Термоэлектрические свойства n-типа (Pb1-xGex)Te, полученных методом горячего давления», Доклады ICT, XVI, Международная Конференция Термоэлектриков, 26-29 августа 1997, Дрезден, стр.228-231, описан процесс производства тройных соединений формулы (Pb1-xGex)Te с х = от 0 до 0,15, причем система легирована 0,3% Bi. Материалы получают путем загрузки соответствующего количества Pb, Ge, Те и Bi в кварцевую трубу, внутренняя сторона которой покрыта углеродом, с последующей откачкой, герметизацией и подогреванием до 1000°С в течение 2 часов во вращающейся печи. После чего система охлаждается до комнатной температуры. (Pb1-xGex)Те - слитки производятся затем в зоне плавления печи при 1000°С со скоростью роста 1 мм/мин. Впоследствии блоки смалывают в порошок с величиной частиц от 90 до 250 мкм. Затем следует восстановительная обработка при 400°С в течение 24 часов в атмосфере Н2/Ar. Порошок охлаждается, а затем подвергается горячему прессованию в вакууме при 650°С и 750°С. На основании материалов, полученных подобным образом, было установлено, что увеличиваются коэффициент Зеебека и электрическое сопротивление термоэлектрических материалов с увеличением долей х GeTe-частей в полупроводниковом материале, в то время как теплопроводность снижается с увеличением долей х GeTe-частей в полупроводниковом материале. Самый оптимальный полученный коэффициент Зеебека составляет примерно - 150 мкВ/K, причем электрическое сопротивление составляет 1 мОм·см. Термическая проводимость составляет в минимуме 2 Вт/(м·K).
Исходя из данного состояния уровня техники задачей настоящего изобретения является производство полупроводниковых материалов (термоэлектрически активных материалов), которые имеют высокий КПД и обнаруживают свойства, подходящие для различных областей применения.
Данная задача решается в рамках данного изобретения с помощью полупроводникового материала, содержащего соединение общей формулы (I)
со следующими значениями в каждом случае независимо (с соответствующими значениями)
n означает количество химических элементов, отличных от Pb и Те
1 част./млн≤x1 … xn≤0,05
-0,05≤z≤0,05
и
n≥2
А1…An отличные друг от друга и выбраны из группы элементов Li, Na, K, Rb, Cs, Be, Mg, Ca, Sr, Ba, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, As, Sb, Bi, S, Se, Br, I, Sc, Y, La, Ti, Zr, Hf, V, Nb, Та, Cr, Mo, W, Mn, Re, Fe, Ru, Os, Co, Rh, Ir, Ni, Pd, Pt, Cu, Ag, Au, Zn, Cd, Hg, Ce, Pr, Nd, Sm, Eu, Gd, Tb, Dy, Ho, Er, Tm, Yb, Lu,
предпочтительно отличные друг от друга и выбранные из группы элементов
Al, In, Si, Ge, Sn, Sb, Bi, Se, Ti, Zr, Hf, Nb, Та, Cu, Ag, Au,
в особенности отличные друг от друга и выбранные из группы элементов
In, Ge, Ti, Zr, Hf, Nb, Та, Cu, Ag
или n=1
А1, выбран из Ti, Zr, Ag, Hf, Cu, Nb, Та.
n предпочтительно составляет 2, 3 или 4, особенно предпочтительно 2 или 3, в особенности 2. В таком случае речь идет о, по меньшей мере, четвертичном соединении. В случае если n=1, речь идет о тройном соединении, например, или предпочтительно типа (Pb, Ti) Те, (Pb, Zr) Те или (Pb, Ag) Те.
Данным изобретением предусматривается, что исходя из PbTe формально
- Pb или Те заменяются одним или, по меньшей мере, двумя примесями или
- одна или, по меньшей мере, две примеси добавляются к PbTe или
- одна или, по меньшей мере, две примеси принимают часть Pb- или Te-позиций, причем в каждом случае меняется соотношение Pb:Te - исходя из 1:1.
Для ряда материалов по данному изобретению достигаются: для проводников с р-проводимостью коэффициенты Зеебека в диапазоне от, в общем, от 150 до 400 мкВ/K, а для проводников с n-проводимостью, в общем, от -150 до -400 мкВ/K при выраженной разности температур от 270°C, причем горячая сторона составляет 300°C. Достигаемый коэффициент мощности при комнатной температуре составляет в общем, по меньшей мере, 20 мкВт/K2·см.
В рамках данного изобретения материалы могут содержать и другие соединения или легирующие примеси, пока получаются указанные выше коэффициенты Зеебека и коэффициенты мощности. Например, возможно, чтобы от 0 до 10 мас. % соединения заменялось другими металлами или соединениями металлов, которые действуют так же, как p- или n-легирующие смеси.
Материалы по данному изобретению, в общем, получают в результате реактивного дробления или предпочтительно в результате сплавления и реакции смешивания соответствующих элементных компонентов или их сплавов. При этом, в общем, время реакции реактивного дробления или предпочтительно сплавления составляет, по меньшей мере, один час.
Сплавление и реагирование происходит предпочтительно, по меньшей мере, от 1 часа, особенно предпочтительно 6 часов, а наиболее предпочтительно 10 часов. Процесс плавления может происходить с или без примеси исходной смеси. Для перемешивания исходной смеси особенно хорошо подходит вращающаяся или опрокидывающаяся печь, чтобы обеспечить гомогенность смеси.
Если смешивание не производится, в общем, требуется более продолжительное время плавления, чтобы поучить гомогенный материал. Если производится смешивание, гомогенность в смеси достигается еще раньше.
Без дополнительного перемешивания исходных смесей время плавления составляет, в общем, от 2 до 50 часов, в особенности от 30 до 50 часов.
Сплавление, в общем, происходит при температуре, при которой, по меньшей мере, один компонент смеси уже расплавлен и материал находится в уже расплавленном состоянии. В общем, температура плавления составляет, по меньшей мере, 800°C, предпочтительно, по меньшей мере, 950°C. Обычно температура плавления находится в температурном диапазоне от 800 до 1100°C, предпочтительно от 950 до 1050°C.
После охлаждения расплавленной смеси желательно отжечь материал при температуре, в общем, по меньшей мере, на 100°C, предпочтительно 200°C, ниже точки плавления получаемого в результате полупроводникового материала.
Обычно эта температура составляет от 450 до 750°C, предпочтительно от 550 до 700°C.
Отжиг проводят в течение времени, которое предпочтительно составляет от 1 часа, особенно предпочтительно 2 часа, наиболее предпочтительно 4 часа. Обычно время отжига составляет от 1 до 8 часов, предпочтительно от 6 до 8 часов. В способе, который использовался в рамках данного изобретения, отжиг проводят при температуре на 100-500°C ниже температуры плавления получаемого в результате полупроводникового материала. Предпочтительный температурный диапазон меньше на 150-350°C точки плавления получаемого в результате полупроводникового материала.
Производство термоэлектрических материалов по данному изобретению, в общем, происходит в нагреваемой кварцевой трубе. Смешивание компонентов можно проводить с использованием вращающейся и/или опрокидывающейся печи. После завершения преобразования печь охлаждают. Наконец кварцевую трубу достают из печи, и полупроводниковый материал в форме блоков разрезают на диски, после чего эти диски разрезают на куски примерно от 1 до 5 мм длиной, из которых можно сделать термоэлектрические модули.
Вместо кварцевой трубы можно использовать и трубы из других материалов, инертных к полупроводнику, например, из тантала, которому отдают предпочтение, т.к. теплопроводность этого материала выше таковой у кварца.
Вместо труб можно использовать и другие емкости подходящей формы. И другие материалы, например, графит, можно использовать в качестве материалов емкости, при условии, что они инертны к полупроводниковому материалу.
В рамках данного изобретения охлажденный материал можно перемалывать при подходящей температуре мокрым, сухим или другим подходящим способом, так что получается полупроводниковый материал по данному изобретению с величиной частиц обычно менее 10 мкм. Перемолотый материал по данному изобретению затем подвергают горячему или холодному экструдированию или предпочтительно холодному или горячему прессованию для получения формованных изделий желаемой формы. Объемная плотность формованных деталей, спрессованных таким образом, предпочтительно на 50%, особенно предпочтительно на 80% больше, чем объемная плотность исходного материала в непрессованном состоянии. Соединения, улучшающие уплотнение материала по данному изобретению, можно добавлять в количествах предпочтительно от 0,1 до 5 мас.%, особенно предпочтительно от 0,2 до 2 мас.%, в зависимости от порошкообразного материала по данному изобретению. Добавки, которые добавляют к материалам по данному изобретению, предпочтительно должны быть инертными по отношению к полупроводниковому материалу и предпочтительно во время подогревания до температур ниже температуры спекания материалов по данному изобретению, при необходимости в инертных условиях и/или вакууме должны выделяться из материала по данному изобретению. После прессования прессованные части предпочтительно поступают в печь для спекания, где их подогревают до температуры предпочтительно максимум на 20°C ниже точки плавления.
Прессованные части спекают при температуре, в общем, от, по меньшей мере, 100°C, предпочтительно, по меньшей мере, 200°C, ниже температуры плавления получаемого в результате полупроводникового материала. Обычно температура спекания составляет от 350 до 750°C, предпочтительно от 600 до 700°C. Можно также проводить искровое плазменное спекание (SPS) или микроволновое спекание.
Спекание производят в течение времени предпочтительно, по меньшей мере, от 0,5 часа, особенно предпочтительно от 1 часа, в особенности, по меньшей мере, 2 часа. Обычно время спекания составляет от 0,5 до 5 часов, предпочтительно от 1 до 3 часов. В рамках данного изобретения спекание проводят при температуре на 100 - 600°C ниже температуры плавления получаемого полупроводникового материала. Предпочтительная температура на 150-350°C ниже точки плавления получаемого в результате полупроводникового материала. Предпочтительно спекание проводят под водородом или в среде защитного газа, например аргона.
Таким образом, прессованные части спекают предпочтительно до 95-100% их теоретической насыпной плотности.
В целом, предпочтительным вариантом осуществления способа согласно данному изобретению является способ, который можно охарактеризовать следующими этапами:
(1) сплавление смесей соответствующих элементных компонентов или их сплавов, по меньшей мере, с трех- или четырехкомпонентными соединениями;
(2) дробление материала, полученного на этапе (1);
(3) прессование материала, полученного на этапе (2), до формованных изделий и
(4) спекание формованных изделий, полученных на этапе (3).
Другим предметом данного изобретения является применение описанного выше полупроводникового материала и полупроводникового материала, полученного с помощью описанного выше способа, в качестве термоэлектрического генератора или устройства Пельтье.
Еще одним предметом данного изобретения являются термоэлектрические генераторы или устройства Пельтье, содержащие описанный выше полупроводниковый материала и/или полупроводниковые материалы, полученные с помощью описанного выше способа.
Следующим предметом данного изобретения является способ производства термоэлектрических генераторов или устройств Пельтье, в которых используются включенные последовательно термоэлектрически активные элементы («ветви» ("legs")) с тонкими слоями описанных выше термоэлектрических материалов.
В одном из первых вариантов исполнения данного способа производство термоэлектрических генераторов или устройств Пельтье происходит следующим образом:
Полупроводники по данному изобретению в соответствии с первым типом проводимости (p- или n-легированные) наносят на субстрат с помощью традиционных технологий изготовления полупроводников, в особенности химическое осаждение из газовой фазы (CVD), технологии ионно-плазменного распыления или методом молекулярно-пучковой эпитаксии.
На другой субстрат также наносят полупроводники по данному изобретению с помощью техники ионно-плазменного распыления или эпитаксии методом молекулярного пучка, но при этом тип проводимости этого полупроводника является противоположным по отношению к полупроводниковому материалу, применявшемуся сначала (n- или p-легированные).
Оба субстрата после этого располагаются слоями, так что термоэлектрически активные составляющие («ветви» ("legs")) располагаются по очереди в каждом случае по принципу противоположности заряда.
Отдельные термоэлектрически активные элементы («ветви» ("legs")) при этом имеют диаметр предпочтительно меньше 100 мкм, особенно предпочтительно меньше 50 мкм, наиболее предпочтительно менее 20 мкм и толщину предпочтительно от 5 до 100 мкм, особенно предпочтительно от 10 до 50 мкм, в особенности от 15 до 30 мкм. Поверхность, занимаемая термоэлектрически активной составляющей, предпочтительно должна быть меньше 1 мм2, особенно предпочтительно меньше 0,5 мм2, наиболее предпочтительно меньше 0,4 мм2.
Во втором варианте исполнения производство термоэлектрических генераторов или устройств Пельтье осуществляется таким образом, что с помощью специальных способов осаждения, например, эпитаксии методом молекулярного пучка, на субстрате получают по очереди слои полупроводниковых материалов по данному изобретению с различным типом проводимости (p- и n-легированные). Толщина слоя составляет при этом предпочтительно от 5 до 100 нм, особенно предпочтительно от 5 до 50 нм, особенно от 5 до 20 нм.
Полупроводниковые материалы по данному изобретению могут также быть соединены с термоэлектрическим генератором или устройством Пельтье с помощью методов, которые сами по себе известны специалистам и описаны, например, в WO 98/44562, US 5,448,109, ЕР-А-1 102 334 или US 5,439,528.
Термоэлектрические генераторы или устройства Пельтье по данному изобретению, в общем, расширяют имеющуюся ширину полосы пропускания на термоэлекрических генераторах и устройствах Пельтье. Изменяя химический состав термоэлектрических генераторов или устройств Пельтье, можно получать различные системы, соответствующие различным требованиям множества вариантов использования. Тем самым, термоэлектрические генераторы или устройства Пельтье по данному изобретению расширяют спектр применения данного изобретения.
Данное изобретение касается также применения термоэлектрического генератора по данному изобретению или устройства Пельтье по данному изобретению.
- в качестве теплового насоса
- для кондиционирования мебели для сидения, транспортных средств и зданий
- в холодильниках и сушилках (для белья)
- для одновременного нагрева и охлаждения потоков веществ в процессах разделения веществ, как то
- абсорбция
- сушка
- кристаллизация
- испарение
- дистилляция
- в качестве генератора для использования источников тепла, таких как
- солнечная энергия
- тепло недр земли
- теплота сгорания ископаемых горючих веществ
- источники отходящего тепла в транспортных средствах и стационарных установках
- теплоотвод при выпаривании жидких веществ
- биологические источники тепла
- для охлаждения электронных блоков.
Кроме того, данное изобретение касается теплового насоса, холодильника, сушилки (для белья) или генератора для использования источников тепла, содержащих, по меньшей мере, один термоэлектрический генератор согласно данному изобретению, или устройство Пельтье согласно данному изобретению, через которые в сушилке (для белья) материал, подлежащий высушиванию, непосредственно или опосредованно подогревается, и через которые непосредственно или опосредованно охлаждается водяной пар или пар растворителя, выделяющийся при сушке.
В предпочтительной форме исполнения сушилкой является сушилка для белья, а материалом, который подвергают сушке, является белье.
Данное изобретение рассматривается подробнее на примерах, приведенных ниже.
Примеры
Коэффициент Зеебека определяется с помощью того, что исследуемый материал располагают между горячим и холодным контактом, которые соответственно электрически поддерживают в одном температурном режиме, причем горячий контакт имеет температуру от 200 до 300°C. Холодная сторона поддерживается при комнатной температуре, так что в результате получают техническую атмосферу (AT) от 150 до 280°C. Измеренное напряжение при соответствующей разности температур между горячим и холодным контактом дает соответственно указанный коэффициент Зеебека.
Электрическая проводимость определяется с помощью измерения в четырех точках при комнатной температуре. Этот метод известен специалистам.
Четырехкомпонентные материалы
Пример 1
Элементы в виде порошка в количестве, соответствующем следующему составу Pb0,992Ge0,005Ti0,003Te1,003 (чистота Pb≥99,999%, Te≥99,999%, Ge≥99,999%, Ti≥99,99%), взвешивали в кварцевой ампуле с внутренним диаметром 1 см. Масса пробы составляла 20 г. Ампулу вакуумировали и закрыли. После этого ампулу нагрели в печи при 500 K/ч до 980°C и продержали при этой температуре в течение 6 часов. При этом содержимое ампулы постоянно перемешивали путем вращения печи относительно поперечной оси. По окончании времени реакции охладили при 100 K/ч в вертикальной позиции печи до 600°C, и материал отжигали при этой температуре в течение 24 ч. Затем охладили до комнатной температуры при 60 K/ч.
В результате получили твердый, с серебряным блеском слиток чистого металла, который можно было с легкостью достать из ампулы. С помощью алмазной проволочной пилы из слитка вырезали круглую пластину толщиной примерно 2 мм, затем на ней сначала измерили электрическую проводимость при комнатной температуре, а затем коэффициент Зеебека.
Электрическая проводимость составила σ=1641,4 См/см, коэффициент Зеебека S=-165,4 мкВ/K (измерено при Tхолодная=50°C, Tгорячая=280°C), что соответствует коэффициенту мощности S2σ=44,9 мкВтK-2см.
Пример 2
Элементы в виде порошка в количестве, соответствующем следующему составу Pb0,992Ge0,005Zr0,003Te1,003 (чистота Pb≥99,999%, Te≥99,999%, Ge≥99,999%, Zr≥99,99%), взвешивали в кварцевой ампуле, внутренний диаметр 1 см. Масса пробы составляла 20 г. Ампулу вакуумировали и закрыли. После этого ампулу нагрели в печи при 500 K/ч до 980°C и продержали при этой температуре в течение 6 часов. При этом содержимое ампулы постоянно перемешивали путем вращения печи относительно поперечной оси. По окончании времени реакции охладили при 100 K/ч в вертикальной позиции печи до 600°C, и материал отожгли при этой температуре в течение 24 ч. Затем охладили до комнатной температуры при 60 K/ч.
В результате получили твердый, с серебряный блеском слиток чистого металла, который можно было с легкостью достать из ампулы. С помощью алмазной проволочной пилы из слитка вырезали круглую пластину толщиной прим. 2 мм, затем на ней сначала измерили электрическую проводимость при комнатной температуре, а затем коэффициент Зеебека.
Электрическая проводимость составила σ=2485,9 См/см, коэффициент Зеебека S=-132,1 мкВ/K (измерено при Tхолодная=50°С, Tгорячая=285°C), что соответствует коэффициенту мощности S2σ=43,4 мкВтK-2см-1.
Пример 3
Элементы в виде порошка в количестве, соответствующем следующему составу Pb0,99Bi0,005Al0,005Te1,001(чистота: Pb≥99,999%, Te≥99,999%, Al>99,999%, Bi>99,999%), взвешивали в кварцевой ампуле, с внутренним диаметром 1 см. Масса пробы составляла 20 г. Ампулу вакуумировали и закрыли. После этого ампулу нагрели в печи при 100 K/ч до 1000°C и продержали при этой температуре в течение 15 ч. При этом содержимое ампулы постоянно перемешивали путем вращения печи относительно поперечной оси. По окончании времени реакции охладили до комнатной температуры, отключив печь, приведенную в вертикальное положение.
В результате получили твердый, с серебряный блеском слиток чистого металла, который можно было с легкостью достать из ампулы. С помощью алмазной проволочной пилы из слитка вырезали круглую пластину толщиной прим. 2 мм, затем на ней сначала измерили электрическую проводимость при комнатной температуре, а затем коэффициент Зеебека.
Электрическая проводимость составила σ=992,0 См/см, коэффициент Зеебека S=-154,6 мкВ/K (измерено при Tхолодная=40°С, Tгорячая=280°C), что соответствует коэффициенту мощности S2σ=23,7 мкВтK-2см-1.
Пример 4
Элементы в виде порошка в количестве, соответствующем следующему составу Pb0,989Ge0,001Al0,001Te1,001(чистота: Pb≥99,999%, Te≥99,999%, Ge≥99,999%, Ag≥99,999%), взвешивали в кварцевой ампуле, внутренний диаметр 1 см. Масса пробы составляла 20 г. Ампулу вакуумировали и закрыли. После этого ампулу нагрели в печи при 500 К/ч до 980°C и продержали при этой температуре в течение 6 ч. При этом содержимое ампулы постоянно перемешивали путем вращения печи относительно поперечной оси. По окончании времени реакции охладили при 100 K/ч до 600°C, отключив печь, приведенную в вертикальное положение, и материал отожгли при этой температуре в течение 24 часов. После чего охладили при 60 K/ч до комнатной температуры.
В результате получили твердый, с серебряный блеском слиток чистого металла, который можно было с легкостью достать из ампулы. С помощью алмазной проволочной пилы из слитка круглую пластину толщиной прим. 2 мм, затем на ней сначала измерили электрическую проводимость при комнатной температуре, а затем коэффициент Зеебека.
Электрическая проводимость составила σ=407,3 См/см, коэффициент Зеебека S=326,5 мкВ/K (измерено при Tхолодная=50°С, Tгорячая=290°C), что соответствует коэффициенту мощности S2σ=43,4 мкВтK-2см-1.
Пример 5
Элементы в виде порошка в количестве, соответствующем следующему составу Pb0,987Ge0,001Sn0,03Te1,001(чистота: Pb≥99,999%, Te≥99,999%, Ge≥99,999%, Sn≥99,9985%), взвешивали в кварцевой ампуле, внутренний диаметр 1 см. Масса пробы составляла 20 г. Ампулу вакуумировали и закрыли. После этого ампулу нагрели в печи при 500 K/ч до 980°C и продержали при этой температуре в течение 6 ч. При этом содержимое ампулы постоянно перемешивали путем вращения печи относительно поперечной оси. По окончании времени реакции охладили при 100 K/ч до 600°C, отключив печь, приведенную в вертикальное положение, и материал отожгли при этой температуре в течение 24 часов. После чего охладили при 60 K/ч до комнатной температуры.
В результате получили твердый, с серебряный блеском слиток чистого металла, который можно было с легкостью достать из ампулы. С помощью алмазной проволочной пилы из слитка вырезали круглую пластину толщиной прим. 2 мм, затем на ней сначала измерили электрическую проводимость при комнатной температуре, а затем коэффициент Зеебека.
Электрическая проводимость составила σ=249,4 См/см, коэффициент Зеебека S=290,4 мкВ/K (измерено при Tхолодная=40°С, Tгорячая=285°C), что соответствует коэффициенту мощности S2σ=21,0 мкВтK-2см-1.
Трехкомпонентные материалы
Пример 1
Элементы в виде порошка в количестве, соответствующем следующему составу Pb0,997Zr0,003Te1,003(чистота: Pb≥99,999%, Te≥99,999%, Zr≥99,95%), взвешивали в кварцевой ампуле, внутренний диаметр 1 см. Масса пробы составляла 20 г. Ампулу вакуумировали и закрыли. После этого ампулу нагрели в печи при 500 K/ч до 980°C и продержали при этой температуре в течение 6 ч. При этом содержимое ампулы постоянно перемешивали путем вращения печи относительно поперечной оси. По окончании времени реакции охладили при 100 K/ч до 600°C, отключив печь, приведенную в вертикальное положение, и материал отожгли при этой температуре в течение 24 часов. После чего охладили при 60 K/ч до комнатной температуры.
В результате получили твердый, с серебряный блеском слиток чистого металла, который можно было с легкостью достать из ампулы. С помощью алмазной проволочной пилы из слитка вырезали круглую пластину толщиной прим. 2 мм, затем на ней сначала измерили электрическую проводимость при комнатной температуре, а затем коэффициент Зеебека.
Электрическая проводимость составила σ=3895,7 См/см, коэффициент Зеебека S=-139,4 мкВ/K (измерено при Tхолодная=50°С, Tгорячая=280°C), что соответствует коэффициенту мощности S2σ=75,7 мкВтK-2см-1.
Пример 2
Элементы в виде порошка в количестве, соответствующем следующему составу Pb0,997Zr0,003Te1,003(чистота: Pb≥99,999%, Te≥99,999%, Zr≥99,95%), взвешивали в кварцевой ампуле, внутренний диаметр 1 см. Масса пробы составляла 20 г. Ампулу вакуумировали и закрыли. После этого ампулу нагревали в печи при 500 K/ч до 980°C и продержали при этой температуре в течение 6 ч. При этом содержимое ампулы постоянно перемешивали путем вращения печи относительно поперечной оси. По окончании времени реакции охладили при 100 K/ч до 600°C, отключив печь, приведенную в вертикальное положение, и материал отожгли при этой температуре в течение 24 часов. После чего охладили при 60 K/ч до комнатной температуры.
В результате получили твердый, с серебряный блеском слиток чистого металла, который можно было с легкостью достать из ампулы. С помощью алмазной проволочной пилы из слитка вырезали круглую пластину толщиной прим. 2 мм, затем на ней сначала измерили электрическую проводимость при комнатной температуре, а затем коэффициент Зеебека.
Электрическая проводимость составила σ=3587,4 См/см, коэффициент Зеебека S=-137,7 мкВ/K (измерено при Tхолодная=50°С, Tгорячая=280°C), что соответствует коэффициенту мощности S2σ=68,0 мкВтK-2см-1.
Пример 3
Элементы в виде порошка в количестве, соответствующем следующему составу Pb0,999Ag0,001Te1,003(чистота: Pb≥99,999%, Te≥99,999%, Ag≥99,9999%), взвешивали в кварцевой ампуле, внутренний диаметр 1 см. Масса пробы составляла 20 г. Ампулу вакуумировали и закрыли. После этого ампулу нагревали в печи при 500 K/ч до 980°C и продержали при этой температуре в течение 6 ч. При этом содержимое ампулы постоянно перемешивали путем вращения печи относительно поперечной оси. По окончании времени реакции охладили в вертикальном положении при 100 K/ч до 600°C, и материал отожгли при этой температуре в течение 24 часов. После чего охладили при 60 K/ч до комнатной температуры.
В результате получили твердый, с серебряный блеском слиток чистого металла, который можно было с легкостью достать из ампулы. С помощью алмазной проволочной пилы из слитка вырезали круглую пластину толщиной прим. 2 мм, затем на ней сначала измерили электрическую проводимость при комнатной температуре, а затем коэффициент Зеебека.
Электрическая проводимость составила σ=451,2 См/см, коэффициент Зеебека S=-314,5 мкВ/K (измерено при Tхолодная=50°С, Tгорячая=280°C), что соответствует коэффициенту мощности S2σ=44,6 мкВтK-2см-1.
Пример 4
Элементы в виде порошка в количестве, соответствующем следующему составу Pb0,995Cu0,005Te1,003(чистота: Pb≥99,999%, Te≥99,999%, Cu электролитической чистоты), взвешивали в кварцевой ампуле, внутренний диаметр 1 см. Масса пробы составляла 20 г. Ампулу вакуумировали и закрыли. После этого ампулу нагревали в печи при 500 K/ч до 980°C и продержали при этой температуре в течение 6 ч. При этом содержимое ампулы постоянно перемешивали путем вращения печи относительно поперечной оси. По окончании времени реакции охладили в вертикальном положении при 100 K/ч до 600°C, и материал отожгли при этой температуре в течение 24 часов. После чего охладили при 60 K/ч до комнатной температуры.
В результате получили твердый, с серебряный блеском слиток чистого металла, который можно было с легкостью достать из ампулы. С помощью алмазной проволочной пилы из слитка вырезали круглую пластину толщиной прим. 2 мм, затем на ней сначала измерили электрическую проводимость при комнатной температуре, а затем коэффициент Зеебека.
Электрическая проводимость составила σ=1936,5 См/см, коэффициент Зеебека S=-136,7 мкВ/K (измерено при Tхолодная=50°С, Tгорячая=280°C), что соответствует коэффициенту мощности S2σ=36,2 мкВтK-2см-1.
Claims (3)
1. Полупроводниковый материал с проводимостью р- или n-типа на основе легированных теллуридов свинца, содержащий соединение общей формулы (I)
со следующими значениями:
в каждом случае независимо n означает количество химических элементов, отличных от Pb и Те,
1 ч./млн≤х1, …, xn≤0,05,
-0,05≤z≤0,05,
n=2,
А1…An - отличные друг от друга и выбраны из группы элементов: Al, Ge, Sn, Bi, Ti, Zr, Hf, Nb, Та, Cu, Ag,
или n=1,
А1 выбран из Zr, Ag, Cu.
со следующими значениями:
в каждом случае независимо n означает количество химических элементов, отличных от Pb и Те,
1 ч./млн≤х1, …, xn≤0,05,
-0,05≤z≤0,05,
n=2,
А1…An - отличные друг от друга и выбраны из группы элементов: Al, Ge, Sn, Bi, Ti, Zr, Hf, Nb, Та, Cu, Ag,
или n=1,
А1 выбран из Zr, Ag, Cu.
2. Полупроводниковый материал согласно п.1, отличающийся тем, что А1…An отличны друг от друга и выбраны из группы элементов:
Ge, Ti, Zr, Hf, Nb, Та, Cu, Ag.
Ge, Ti, Zr, Hf, Nb, Та, Cu, Ag.
3. Термоэлектрический генератор или устройство Пельтье, содержащее полупроводниковый материал согласно п.1 или 2.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP06111281 | 2006-03-16 | ||
| EP06111281.9 | 2006-03-16 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008140844A RU2008140844A (ru) | 2010-04-27 |
| RU2413042C2 true RU2413042C2 (ru) | 2011-02-27 |
Family
ID=38229098
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008140844/05A RU2413042C2 (ru) | 2006-03-16 | 2007-01-29 | Легированные теллуриды свинца для термоэлектрического применения |
Country Status (10)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8716589B2 (ru) |
| EP (1) | EP1999066A2 (ru) |
| JP (1) | JP5042245B2 (ru) |
| KR (1) | KR101364895B1 (ru) |
| CN (1) | CN101421185B (ru) |
| CA (1) | CA2646191A1 (ru) |
| RU (1) | RU2413042C2 (ru) |
| TW (1) | TW200737556A (ru) |
| UA (1) | UA92213C2 (ru) |
| WO (1) | WO2007104601A2 (ru) |
Families Citing this family (39)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TW200933940A (en) * | 2007-12-28 | 2009-08-01 | Basf Se | Extrusion process for preparing improved thermoelectric materials |
| US8772622B2 (en) * | 2008-02-07 | 2014-07-08 | Basf Se | Doped tin tellurides for thermoelectric applications |
| KR101063938B1 (ko) * | 2008-11-13 | 2011-09-14 | 한국전기연구원 | 중저온용 열전재료 |
| CA2756497A1 (en) * | 2009-03-24 | 2010-09-30 | Basf Se | Self-organising thermoelectric materials |
| TW201042789A (en) | 2009-04-02 | 2010-12-01 | Basf Se | Thermoelectric material coated with a protective layer |
| US20120017963A1 (en) | 2009-04-02 | 2012-01-26 | Basf Se | Thermoelectric module with insulated substrate |
| JP2010245492A (ja) * | 2009-04-02 | 2010-10-28 | 繁 佐藤 | 熱発電素子構成手段と熱発電素子 |
| WO2011012547A2 (de) | 2009-07-27 | 2011-02-03 | Basf Se | Verfahren zur herstellung thermoelektrischer halbleitermaterialien und schenkel |
| CN101656291B (zh) * | 2009-09-21 | 2011-02-09 | 吉林大学 | 功能梯度热电材料n-PbTe及其制备方法 |
| CN102403446A (zh) * | 2011-11-08 | 2012-04-04 | 西华大学 | 一种在PbTe或PbSe中添加元素铝的热电材料 |
| KR20130126035A (ko) * | 2012-05-10 | 2013-11-20 | 삼성전자주식회사 | 왜곡된 전자 상태 밀도를 갖는 열전소재, 이를 포함하는 열전모듈과 열전 장치 |
| CN102808215A (zh) * | 2012-06-28 | 2012-12-05 | 北京工业大学 | 大尺寸多元稀土硼化物(Ce0.9Pr0.1)B6单晶体制备方法 |
| US9444025B2 (en) | 2013-06-10 | 2016-09-13 | Industry-Academic Cooperation Foundation, Yonsei University | Method of manufacturing thermoelectric material and thermoelectric material prepared by the method and thermoelectric generator |
| KR101528589B1 (ko) * | 2013-06-10 | 2015-06-16 | 연세대학교 산학협력단 | 열전 재료 제조 방법, 열전 재료 및 열전 발전기 |
| CN103397239A (zh) * | 2013-08-08 | 2013-11-20 | 常熟市东方特种金属材料厂 | 高纯度的金属 |
| CN105308766B (zh) | 2013-10-04 | 2017-12-05 | 株式会社Lg化学 | 新化合物半导体及其用途 |
| KR101531011B1 (ko) * | 2013-11-27 | 2015-06-25 | 한국전기연구원 | Ｎａ이 첨가된 Ａｇ 도핑 ＰｂＴｅ계 열전재료 및 그 제조방법 |
| CN103762301A (zh) * | 2014-01-26 | 2014-04-30 | 海安县申菱电器制造有限公司 | 一种内电极为缠绕在绝缘管上的金属线的热电转换器件 |
| WO2016025600A2 (en) | 2014-08-12 | 2016-02-18 | Board Of Trustees Of Michigan State University | Thermoelectric device and methods for manufacture and use |
| CN105047808A (zh) * | 2015-09-11 | 2015-11-11 | 广东雷子克热电工程技术有限公司 | 一种BiSbTeSe基热电材料 |
| WO2017170911A1 (ja) | 2016-03-31 | 2017-10-05 | 住友化学株式会社 | 化合物及び熱電変換材料 |
| EP3439052B8 (en) * | 2016-03-31 | 2021-03-17 | Sumitomo Chemical Company, Limited | Compound, thermoelectric conversion material, and method for producing compound |
| CN105755348A (zh) * | 2016-04-20 | 2016-07-13 | 苏州市相城区明达复合材料厂 | 一种铸造用光亮镀层合金 |
| KR101816212B1 (ko) * | 2016-09-12 | 2018-01-08 | 두산중공업 주식회사 | 연소물의 특성 요소의 영향도 분석 장치 |
| CN106435329A (zh) * | 2016-09-30 | 2017-02-22 | 无锡市明盛强力风机有限公司 | 一种金属合金导热材料及其制备方法 |
| JPWO2018123899A1 (ja) * | 2016-12-26 | 2019-10-31 | 国立大学法人名古屋大学 | 熱電変換材料および熱電変換素子 |
| KR102573731B1 (ko) * | 2018-08-24 | 2023-08-31 | 주식회사 엘지화학 | 칼코겐 화합물, 이의 제조 방법, 및 이를 포함하는 열전소자 |
| TWI683910B (zh) * | 2018-10-18 | 2020-02-01 | 國立中山大學 | 熱電合金及其製作方法與熱電合金複合物 |
| CN110299444A (zh) * | 2019-05-30 | 2019-10-01 | 同济大学 | 一种EuCd2Sb2基热电材料及其制备方法 |
| CN110218888B (zh) * | 2019-06-20 | 2021-05-04 | 电子科技大学 | 一种新型Zintl相热电材料及其制备方法 |
| CN110528081A (zh) * | 2019-10-08 | 2019-12-03 | 西北工业大学 | 一种LiXSe2多晶化合物与单晶体的合成方法 |
| CN111799360B (zh) * | 2020-07-03 | 2022-08-05 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一种n型PbTe基热电材料及其制备方法 |
| CN112645710B (zh) * | 2020-12-11 | 2022-08-02 | 哈尔滨石油学院 | 一种用Er和Ag共掺提高碲化铋基赝三元热电材料热电性能的方法 |
| CN112885948B (zh) * | 2021-01-14 | 2022-07-29 | 电子科技大学 | 一种具有高结构稳定性的铜硒基热电材料及其制备方法 |
| CN112968120A (zh) * | 2021-03-04 | 2021-06-15 | 杭州安誉科技有限公司 | 一种半导体制冷片及其在实时荧光定量pcr仪中的应用 |
| CN114561687B (zh) * | 2022-02-28 | 2023-11-17 | 福建师范大学 | 一种S掺杂MnBi2Te4单晶的制备方法 |
| CN114524417B (zh) * | 2022-03-07 | 2023-07-28 | 先导薄膜材料（广东）有限公司 | 一种高收率碲化铅的制备方法 |
| CN114790569B (zh) * | 2022-04-22 | 2023-07-07 | 福建师范大学 | 一种制备Se掺杂二维钒基单晶超导材料的方法 |
| CN115650181B (zh) * | 2022-10-20 | 2023-11-17 | 中国科学院合肥物质科学研究院 | 一种n型PbTe基热电材料及其制备方法 |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3652421A (en) | 1968-08-01 | 1972-03-28 | Gen Electric | N-type lead telluride |
| US4447277A (en) * | 1982-01-22 | 1984-05-08 | Energy Conversion Devices, Inc. | Multiphase thermoelectric alloys and method of making same |
| JP3170311B2 (ja) * | 1991-07-29 | 2001-05-28 | キヤノン株式会社 | 記録ヘッドおよび記録装置 |
| JPH0685333A (ja) * | 1992-09-03 | 1994-03-25 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | 熱電変換材料の製造法 |
| US6069312A (en) * | 1994-01-28 | 2000-05-30 | California Institute Of Technology | Thermoelectric materials with filled skutterudite structure for thermoelectric devices |
| US5448109B1 (en) | 1994-03-08 | 1997-10-07 | Tellurex Corp | Thermoelectric module |
| JPH11152503A (ja) * | 1997-11-19 | 1999-06-08 | Kubota Corp | Ｐｂ−Ｔｅ系化合物粉末の製造方法 |
| KR20000028741A (ko) * | 1998-10-12 | 2000-05-25 | 안자키 사토루 | 열전반도체 재료 또는 소자의 제조방법 및 열전모듈의제조방법 |
| AU752619B2 (en) * | 1999-03-10 | 2002-09-26 | Sumitomo Special Metals Co., Ltd. | Thermoelectric conversion material and method of producing the same |
| US6225550B1 (en) | 1999-09-09 | 2001-05-01 | Symyx Technologies, Inc. | Thermoelectric material system |
| DE19955788A1 (de) | 1999-11-19 | 2001-05-23 | Basf Ag | Thermoelektrisch aktive Materialien und diese enthaltende Generatoren |
| JP2003243734A (ja) * | 2002-02-14 | 2003-08-29 | Mitsui Mining & Smelting Co Ltd | 熱電変換材料およびその製造方法 |
| US7326851B2 (en) * | 2003-04-11 | 2008-02-05 | Basf Aktiengesellschaft | Pb-Ge-Te-compounds for thermoelectric generators or Peltier arrangements |
| CN100452466C (zh) * | 2003-09-12 | 2009-01-14 | 密歇根州州立大学托管委员会 | 热电材料及其制备方法、热电元件以及从热能生成电流的方法 |
| US20050150537A1 (en) * | 2004-01-13 | 2005-07-14 | Nanocoolers Inc. | Thermoelectric devices |
| JP2005294478A (ja) * | 2004-03-31 | 2005-10-20 | Dainippon Printing Co Ltd | 熱電変換材料 |
| DE102004025066A1 (de) | 2004-05-18 | 2005-12-08 | Basf Ag | Telluride mit neuen Eigenschaftskombinationen |
| EP1766698A2 (en) * | 2004-06-14 | 2007-03-28 | Delphi Technologies Inc. | Thermoelectric materials comprising nanoscale inclusions to enhance seebeck coefficient |
| US7586033B2 (en) * | 2005-05-03 | 2009-09-08 | Massachusetts Institute Of Technology | Metal-doped semiconductor nanoparticles and methods of synthesis thereof |
| US8772622B2 (en) | 2008-02-07 | 2014-07-08 | Basf Se | Doped tin tellurides for thermoelectric applications |
-
2007
- 2007-01-29 WO PCT/EP2007/050851 patent/WO2007104601A2/de active Application Filing
- 2007-01-29 US US12/293,170 patent/US8716589B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2007-01-29 CA CA002646191A patent/CA2646191A1/en not_active Abandoned
- 2007-01-29 RU RU2008140844/05A patent/RU2413042C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2007-01-29 EP EP07704205A patent/EP1999066A2/de not_active Withdrawn
- 2007-01-29 UA UAA200812232A patent/UA92213C2/ru unknown
- 2007-01-29 KR KR1020087025340A patent/KR101364895B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-01-29 CN CN200780013506.4A patent/CN101421185B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-01-29 JP JP2008558741A patent/JP5042245B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-02-15 TW TW096105762A patent/TW200737556A/zh unknown
Non-Patent Citations (1)
| Title |
|---|
| CHISHKO V.F. et al. Photoelectric Properties of Pb 1-x-y Ge y Sn x Te:In Epitaxial Films. Proceedings of the SPIE. 1997, vol.3182, p.115-121. AKIMOV B.A. et al. Thermally induced currents and instabilities of photoresponse in the PbTe(In) based films. Proceedings of the SPIE. 1990, vol.3890, p.208-211. * |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5042245B2 (ja) | 2012-10-03 |
| JP2009529799A (ja) | 2009-08-20 |
| WO2007104601A3 (de) | 2007-11-22 |
| US20090084422A1 (en) | 2009-04-02 |
| CN101421185B (zh) | 2014-05-07 |
| TW200737556A (en) | 2007-10-01 |
| CN101421185A (zh) | 2009-04-29 |
| CA2646191A1 (en) | 2007-09-20 |
| KR20080104378A (ko) | 2008-12-02 |
| WO2007104601A2 (de) | 2007-09-20 |
| EP1999066A2 (de) | 2008-12-10 |
| RU2008140844A (ru) | 2010-04-27 |
| US8716589B2 (en) | 2014-05-06 |
| UA92213C2 (ru) | 2010-10-11 |
| KR101364895B1 (ko) | 2014-02-19 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2413042C2 (ru) | Легированные теллуриды свинца для термоэлектрического применения | |
| JP5600732B2 (ja) | 保護層でコーティングされている熱電材料 | |
| JP5468554B2 (ja) | 熱電応用のためのドープテルル化スズを含む半導体材料 | |
| JP5636419B2 (ja) | 自己組織化熱電材料 | |
| US20100282285A1 (en) | Extrusion process for preparing improved thermoelectric materials | |
| JP5333001B2 (ja) | 熱電材料及びその製造方法 | |
| US9130066B2 (en) | Power factor enhanced thermoelectric material and method of producing same | |
| KR101772392B1 (ko) | 산화 및 휘발이 억제되는 열전소자 및 그 제조방법 | |
| Zhang et al. | Realizing n-type gete through suppressing the formation of cation vacancies and bi-doping | |
| US10937939B2 (en) | Thermoelectric conversion material and thermoelectric conversion element | |
| EP4212476A1 (en) | Thermoelectric material, method for proudcing same, and thermoelectric power generation element | |
| JP4900819B2 (ja) | 熱電材料及びその製造方法 | |
| WO2007104603A2 (de) | Blei-germanium-telluride fuer thermoelektrische anwendungen | |
| JP2000261046A (ja) | 熱電変換材料とその製造方法 | |
| Nemoto et al. | Characterization of oxide-incorporated n-type Mg2Si prepared by a spark plasma sintering method | |
| Drasar et al. | Stacking of Bi2Te3 and FeSi2 for thermoelectric applications |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| TK4A | Correction to the publication in the bulletin (patent) |
Free format text: AMENDMENT TO CHAPTER -FG4A- IN JOURNAL: 6-2011 |
|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20130130 |