CN114790569B - 一种制备Se掺杂二维钒基单晶超导材料的方法 - Google Patents

一种制备Se掺杂二维钒基单晶超导材料的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114790569B
CN114790569B CN202210430716.XA CN202210430716A CN114790569B CN 114790569 B CN114790569 B CN 114790569B CN 202210430716 A CN202210430716 A CN 202210430716A CN 114790569 B CN114790569 B CN 114790569B
Authority
CN
China
Prior art keywords
powder
quartz glass
csv
glass tube
doped
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202210430716.XA
Other languages
English (en)
Other versions
CN114790569A (zh
Inventor
宋飞
刘禹彤
赵勇
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujian Normal University
Original Assignee
Fujian Normal University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujian Normal University filed Critical Fujian Normal University
Priority to CN202210430716.XA priority Critical patent/CN114790569B/zh
Publication of CN114790569A publication Critical patent/CN114790569A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114790569B publication Critical patent/CN114790569B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
    • C30B1/02—Single-crystal growth directly from the solid state by thermal treatment, e.g. strain annealing
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B1/00—Single-crystal growth directly from the solid state
    • C30B1/10—Single-crystal growth directly from the solid state by solid state reactions or multi-phase diffusion
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/52—Alloys
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Thermal Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种制备Se掺杂二维钒基单晶超导材料的方法：1）将摩尔比为1:1的金属Cs与Sb粉研磨均匀，得到粉末A；2）将摩尔比为3:3~4:0.15~1的V粉、Sb粉、Se粉研磨均匀，得到粉末B；3）将粉末A、B混合后放在模具中进行压片，制成胚体；4）取出胚体并放置在坩埚中，再将坩埚放置于石英玻璃管内，用真空封管机对石英玻璃管进行封管处理；5）将封好的石英玻璃管放置马弗炉中，以1~2℃/分钟的速率加热至800℃~1100℃，保温24~36 h，然后以50~100℃/小时的速率降温至600℃~800℃，最后以1~2℃/小时的速率缓慢降温至400℃~650℃；6）取出石英玻璃管置于空气中冷却，得到Se掺杂CsV3Sb5块体单晶。本发明提供的制备Se掺杂CsV3Sb5块体单晶的方法，操作简单。

Description

一种制备Se掺杂二维钒基单晶超导材料的方法
技术领域
本发明涉及材料技术领域，尤其涉及一种制备Se掺杂二维钒基单晶超导材料的方法。
背景技术
CsV3Sb5块体单晶属于V基超导体，是一类新型Kagome家族成员，具有非常丰富的物理性质，其特有的晶体结构Kagome晶格是由共享三角形组成的平面内结构，具有十分丰富的物理现象，包括铁磁性、自旋、电荷密度波序、非常规超导性以及奇异的拓扑现象。该单晶的超导转变温度非常低(Tc=2.5 k)，但有研究表明在外部压强达到0.8 GPa下CsV3Sb5的超导转变温度达到8.9 k，且通过继续增大外部压强其超导性依然存在。通过这种物理增大压力的方法来改变CsV3Sb5块体单晶晶粒尺寸是为了尽可能的提高超导转变温度，但是这种方法成本昂贵且难度大。因此，考虑通过化学掺杂的方式改变单晶的晶格常数从而提高单晶的超导性能。
发明内容
本发明的目的在于提供一种制备Se掺杂CsV3Sb5单晶超导材料的方法，该方法通过掺杂Se的方式来改变晶粒尺寸，尽可能的提高材料超导转变温度。
一种Se掺杂CsV3Sb5块体单晶的制备方法，包括以下步骤：
步骤1：在充满氩气保护的手套箱内将摩尔比为1:1高纯度的金属Cs（纯度大于99.99%）与Sb粉（纯度大于99.99%）研磨1~1.5小时，得到研磨均匀的粉末A；
步骤2：将摩尔比为3:3~4:0~1的高纯度V粉（纯度大于99.99%）、Sb粉（纯度大于99.99%）、Se粉（纯度大于99.99%）研磨1~1.5小时，得到研磨均匀的粉末B；
步骤3：将粉末A和粉末B混合后放在直径为5~20 mm的模具中进行压片，压力为5~35 T，时间为5~15分钟，制成胚体；
步骤4：取出胚体并放置在坩埚中，再将坩埚放置于石英玻璃管内，用真空封管机对石英玻璃管进行封管处理，真空度为1.5×10-3~2.5×10-3 pa；
步骤5：将封好的石英玻璃管放置马弗炉中，以1~2 ℃/分钟的速率加热至800 ℃~1100 ℃，保温24~36 h，然后以50~100 ℃/小时的速率降温至600 ℃~800 ℃，最后以1~2℃/小时的速率缓慢降温至400 ℃~650 ℃；
步骤6：取出石英玻璃管置于空气中冷却，得到Se掺杂CsV3Sb5块体单晶。
相较于现有技术，本发明提供的Se掺杂CsV3Sb5块体单晶的制备方法有以下优点：1、工艺操作简单安全。2、生成的单晶块大且量多，杂质很少。
附图说明
图1为实施例1制备的CsV3Sb5单晶图。
图2为实施例1制备的CsV3Sb5单晶的扫描电子显微镜(SEM)图。
图3为实施例2制备的CsV3Sb4.85Se0.15单晶的XRD衍射图。
图4为实施例2制备的CsV3Sb4.85Se0.15单晶的扫描电子显微镜(SEM)图。
图5为实施例3制备的CsV3Sb4.75Se0.25单晶的XRD衍射图。
图6为实施例3制备的CsV3Sb4.75Se0.25单晶的扫描电子显微镜(SEM)图。
图7为实施例4制备的CsV3Sb4.6Se0.4单晶的XRD衍射图。
图8为实施例4制备的CsV3Sb4.6Se0.4单晶的扫描电子显微镜(SEM)图。
图9为实施例5制备的CsV3Sb4.5Se0.5单晶的扫描电子显微镜(SEM)图。
图10为实施例6制备的CsV3Sb4Se单晶的扫描电子显微镜(SEM)图。
具体实施方式
以下实施例中，金属Cs、Sb粉、V粉、Se粉的纯度均大于99.99%。
实施例1
制备CsV3Sb5单晶。
步骤1：在充满氩气保护的手套箱内将摩尔比为1:1的金属Cs与Sb粉研磨1小时，得到研磨均匀的粉末A。
步骤2：将摩尔比为3:4的V粉、Sb粉研磨1小时，得到研磨均匀的粉末B。
步骤3：将粉末A、B混合后放在直径为20 mm的模具中进行压片，压力为35 T，时间为15分钟，制成胚体。
步骤4：取出胚体，将胚体放置坩埚中，再将坩埚放置于石英玻璃管内，用真空封管机对石英玻璃管进行封管处理，真空度为2.5×10-3 pa。
步骤5：将封好的石英玻璃管放置马弗炉中，以1~2 ℃/分钟的速率加热至1100℃，保温36 h，然后以100 ℃/小时的速率降温至800 ℃，最后以2 ℃/小时的速率缓慢降温至650 ℃。
步骤6：取出石英玻璃管置于空气中冷却，得到单晶。
参见图1，为本发明实施例1制备的CsV3Sb5单晶图。参见图2，为本发明实施例1的制备CsV3Sb5单晶SEM图，具有明显的层状结构。
对比例1
制备CsV3Sb5单晶。
步骤1：在充满氩气保护的手套箱内将摩尔比为1:1高纯度的金属Cs与Sb粉研磨1小时，得到研磨均匀的粉末A。
步骤2：将摩尔比为3:4的高纯度V粉、Sb粉研磨1小时，直至粉末研磨均匀，得到研磨均匀的粉末B。
步骤3：将粉末A、B混合后放在直径为20 mm的模具中进行压片，压力为35 T，时间为15分钟，制成胚体。
步骤4：取出胚体，将胚体放置坩埚中，再将坩埚放置于石英玻璃管内，用真空封管机对石英玻璃管进行封管处理，真空度为2.5×10-3 pa。
步骤5：将封好的石英玻璃管放置马弗炉中以1℃/分钟的速率加热至1100 ℃，保温36 h，以100 ℃/小时的速率降温至800 ℃，最后以1 ℃/小时的速率缓慢降温至650 ℃。
步骤6：取出石英玻璃管置于空气中冷却，得到单晶。
对比实施例1，区别在于退火速率不同，从而影响单晶生长情况。
实施例2
制备CsV3Sb4.85Se0.15单晶。
步骤1：在充满氩气保护的手套箱内将摩尔比为1:1的金属Cs与Sb粉研磨1小时，得到研磨均匀的粉末A。
步骤2：将摩尔比为3:3.85:0.15的高纯度V粉、Sb粉、Se粉研磨1小时，得到研磨均匀的粉末B。
步骤3：将粉末A、B混合后放在直径为15 mm的模具中进行压片，压力为20 T，时间为10分钟，制成胚体。
步骤4：取出胚体，将胚体放置坩埚中，再将坩埚放置于石英玻璃管内，用真空封管机对石英玻璃管进行封管处理，真空度为2×10-3 pa。
步骤5：将封好的石英玻璃管放置马弗炉中，以2 ℃/分钟的速率加热至1100 ℃，保温24~36 h，以50 ℃/小时的速率降温至600 ℃，最后以1 ℃/小时的速率缓慢降温至400℃。
步骤6：取出石英玻璃管置于空气中冷却，得到单晶。
参见图3，为本实施例制备的CsV3Sb4.85Se0.15单晶的XRD衍射图，从衍射峰看出，样品没有杂质，纯度高。参见图4，为本实施例制备的CsV3Sb4.85Se0.15单晶的SEM图，看出明显层状结构，结合图3，说明本方法成功制备CsV3Sb4.85Se0.15单晶。
实施例3
制备CsV3Sb4.75Se0.25单晶
步骤1：在充满氩气保护的手套箱内将摩尔比为1:1的金属Cs与Sb粉研磨1.5小时，得到研磨均匀的粉末A。
步骤2：将摩尔比为3:3.75:0.25的V粉、Sb粉、Se粉研磨1.5小时，得到研磨均匀的粉末B。
步骤3：将粉末A、B混合后放在直径为20 mm的模具中进行压片，压力为25 T，时间为15分钟，制成胚体。
步骤4：取出胚体，将胚体放置坩埚中，再将坩埚放置于石英玻璃管内，用真空封管机对石英玻璃管进行封管处理，真空度为2.5×10-3 pa。
步骤5：将封好的石英玻璃管放置马弗炉中，以2 ℃/分钟的速率加热至1000℃，保温24 h，以100 ℃/小时的速率降温至700 ℃，最后以2 ℃/小时的速率缓慢降温至600℃。
步骤6：取出石英玻璃管置于空气中冷却，得到单晶。
参见图5，为本实施例制备的CsV3Sb4.75Se0.25单晶的XRD衍射图，从衍射峰看出，样品没有杂质，纯度高。参见图6，为本实施例制备的CsV3Sb4.75Se0.25单晶的SEM图，看出明显层状结构，结合图5，说明本方法成功制备CsV3Sb4.75Se0.25单晶。
实施例4
制备CsV3Sb4.6Se0.4单晶。
步骤1：在充满氩气保护的手套箱内将摩尔比为1:1高纯度的金属Cs与Sb粉研磨1小时，得到研磨均匀的粉末A。
步骤2：将摩尔比为3:3.6:0.4的高纯度V粉、Sb粉、Se粉研磨1小时，得到研磨均匀的粉末B。
步骤3：将粉末A、B混合后放在直径为20 mm的模具中进行压片，压力为35 T，时间为15分钟，制成胚体。
步骤4：取出胚体，将胚体放置坩埚中，再将坩埚放置于石英玻璃管内，用真空封管机对石英玻璃管进行封管处理，真空度为1.5×10-3pa。
步骤5：将封好的石英玻璃管放置马弗炉中以1 ℃/分钟的速率加热至1000 ℃℃，保温24 h，以100 ℃/小时的速率降温至800 ℃，最后以1 ℃/小时的速率缓慢降温至550 ℃。
步骤6：取出石英玻璃管置于空气中冷却，得到单晶。
参见图7，为本实施例制备的CsV3Sb4.6Se0.4单晶的XRD衍射结图，从衍射峰看出，样品没有杂质，纯度高。参见图8，为本实施例制备的CsV3Sb4.6Se0.4单晶的SEM图，看出明显层状结构，结合图7，说明本方法成功制备CsV3Sb4.75Se0.25单晶。
实施例5
制备CsV3Sb4.5Se0.5单晶。
步骤1：在充满氩气保护的手套箱内将摩尔比为1:1金属Cs与Sb粉研磨1小时，得到研磨均匀的粉末A。
步骤2：将摩尔比为3:3.5:0.5的V粉、Sb粉、Se粉研磨1小时，得到研磨均匀的粉末B。
步骤3：将粉末A、B混合后放在直径为5mm的模具中进行压片，压力为35 T，时间为15分钟，制成胚体。
步骤4：取出胚体，将胚体放置坩埚中，再将坩埚放置于石英玻璃管内，用真空封管机对石英玻璃管进行封管处理，真空度为2.5×10-3 pa。
步骤5：将封好的石英玻璃管放置马弗炉中以1℃/分钟的速率加热至800 ℃，保温24 h，以100℃/小时的速率降温至600 ℃，最后以1 ℃/小时的速率缓慢降温至400 ℃。
步骤6：取出石英玻璃管置于空气中冷却，得到单晶。
参见图9，为本实施例制备的CsV3Sb4.5Se0.5单晶的SEM图，看出明显层状结构。
实施例6
制备CsV3Sb4Se单晶。
步骤1：在充满氩气保护的手套箱内将摩尔比为1:1高纯度的金属Cs与Sb粉研磨1~1.5小时，得到研磨均匀的粉末A。
步骤2：将摩尔比为3:3:1的高纯度V粉、Sb粉、Se粉研磨1小时，得到研磨均匀的粉末B。
步骤3：将粉末A、B混合后放在直径为20 mm的模具中进行压片，压力为35 T，时间为15分钟，制成胚体。
步骤4：取出胚体，将胚体放置坩埚中，再将坩埚放置于石英玻璃管内，用真空封管机对石英玻璃管进行封管处理，真空度为2.5×10-3 pa。
步骤5：将封好的石英玻璃管放置马弗炉中，以2 ℃/分钟的速率加热至1000℃，保温36 h，以100 ℃/小时的速率降温至800 ℃，最后以2 ℃/小时的速率缓慢降温至650 ℃。
步骤6：取出石英玻璃管置于空气中冷却，得到单晶。
参见图10，为本实施例制备的CsV3Sb4Se单晶的SEM图，看出明显层状结构。
另外，本领域技术人员还可以在本发明精神内做其它变化，这些依据本发明精神所做的变化，都应包含在本发明所要求保护的范围内。

Claims (5)

1.一种制备Se掺杂CsV3Sb5单晶超导材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：
步骤1：将摩尔比为1:1的金属Cs与Sb粉研磨均匀，得到粉末A；
步骤2：将摩尔比为3:3~4:0.15~1的V粉、Sb粉、Se粉研磨均匀，得到粉末B；
步骤3：将粉末A和粉末B混合后放在模具中进行压片，压力为5~35 T，时间为5~15分钟，制成胚体；
步骤4：取出胚体并放置在坩埚中，再将坩埚放置于石英玻璃管内，用真空封管机对石英玻璃管进行封管处理；
步骤5：将封好的石英玻璃管放置马弗炉中，以1~2 ℃/分钟的速率加热至800 ℃~1100℃，保温24~36 h，然后以50~100 ℃/小时的速率降温至600 ℃~800 ℃，最后以1~2 ℃/小时的速率缓慢降温至400 ℃~650 ℃；
步骤6：取出石英玻璃管置于空气中冷却，得到Se掺杂CsV3Sb5块体单晶。
2.根据权利要求1所述的一种制备Se掺杂CsV3Sb5单晶超导材料的方法，其特征在于，所述金属Cs、Sb粉、V粉、Se粉的纯度均大于99.99%。
3.根据权利要求1所述的一种制备Se掺杂CsV3Sb5单晶超导材料的方法，其特征在于，步骤1和步骤2中，所述研磨是在充满保护气的手套箱内进行，研磨时间为1~1.5小时。
4. 根据权利要求1所述的一种制备Se掺杂CsV3Sb5单晶超导材料的方法，其特征在于，步骤3中，所述模具的直径为5~20 mm，所述压片是在充满保护气的手套箱内进行。
5. 根据权利要求1所述的一种制备Se掺杂CsV3Sb5单晶超导材料的方法，其特征在于，步骤4中，真空封管机真空度为1.5×10-3~2.5×10-3 pa。
CN202210430716.XA 2022-04-22 2022-04-22 一种制备Se掺杂二维钒基单晶超导材料的方法 Active CN114790569B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210430716.XA CN114790569B (zh) 2022-04-22 2022-04-22 一种制备Se掺杂二维钒基单晶超导材料的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202210430716.XA CN114790569B (zh) 2022-04-22 2022-04-22 一种制备Se掺杂二维钒基单晶超导材料的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114790569A CN114790569A (zh) 2022-07-26
CN114790569B true CN114790569B (zh) 2023-07-07

Family

ID=82461146

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202210430716.XA Active CN114790569B (zh) 2022-04-22 2022-04-22 一种制备Se掺杂二维钒基单晶超导材料的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114790569B (zh)

Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101421185A (zh) * 2006-03-16 2009-04-29 巴斯夫欧洲公司 用于热电应用的掺杂碲化铅
CN102386321A (zh) * 2011-10-19 2012-03-21 东华大学 一种纳米热电粉体材料的制备方法
WO2013117018A1 (zh) * 2012-02-10 2013-08-15 武汉理工大学 p型导电Sb掺杂SnO2薄膜和含有该薄膜的氧化锡同质pn结及其制备方法
CN105789568A (zh) * 2014-12-16 2016-07-20 绍兴文理学院 一种掺杂硫元素富锂锰酸锂材料及其制备方法
WO2019231297A1 (ko) * 2018-05-31 2019-12-05 한국화학연구원 지르코늄 클러스터 이차빌딩유닛 및 다중결합성 링커로부터 형성된 다공성 구조를 갖는 신규한 금속-유기 골격체
CN113753963A (zh) * 2021-08-10 2021-12-07 西安理工大学 一种二硫化锡钴纳米颗粒及其制备方法和应用

Patent Citations (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN101421185A (zh) * 2006-03-16 2009-04-29 巴斯夫欧洲公司 用于热电应用的掺杂碲化铅
CN102386321A (zh) * 2011-10-19 2012-03-21 东华大学 一种纳米热电粉体材料的制备方法
WO2013117018A1 (zh) * 2012-02-10 2013-08-15 武汉理工大学 p型导电Sb掺杂SnO2薄膜和含有该薄膜的氧化锡同质pn结及其制备方法
CN105789568A (zh) * 2014-12-16 2016-07-20 绍兴文理学院 一种掺杂硫元素富锂锰酸锂材料及其制备方法
WO2019231297A1 (ko) * 2018-05-31 2019-12-05 한국화학연구원 지르코늄 클러스터 이차빌딩유닛 및 다중결합성 링커로부터 형성된 다공성 구조를 갖는 신규한 금속-유기 골격체
CN113753963A (zh) * 2021-08-10 2021-12-07 西安理工大学 一种二硫化锡钴纳米颗粒及其制备方法和应用

Non-Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Title
In掺杂Ag_(0.8)Pb_(18)SbTe_(20)热电材料的快速热压制备及性能表征;石宇;蒋阳;苏煌铭;韩领;仲洪海;余大斌;稀有金属与硬质合金(第04期);第17-20、63页 *
Sb_2Se_3热电材料的真空熔炼合成及微结构研究;胡孔刚;段兴凯;满达虎;金海霞;铸造技术(第11期);第8-10页 *

Also Published As

Publication number Publication date
CN114790569A (zh) 2022-07-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP4083449B2 (ja) ＣｄＴｅ単結晶の製造方法
CN107201543B (zh) 掺钛氧化镓晶体及其制备方法与应用
CN107955970B (zh) 一种高质量氮化铝单晶的生长方法
CN101348939B (zh) 一种提高砷化镓单晶利用率的生长方法
CN114164485B (zh) 一种Si、Te元素共同掺杂FeSe超导体材料的方法
CN101503822A (zh) 纯氧气氛下稀土钡铜氧超导块体材料的制备方法
CN109706525B (zh) 一种铋基拓扑绝缘体材料及其制备方法
CN101279847A (zh) 微量稀土元素掺杂钇钡铜氧超导块体材料的制备方法
CN114790569B (zh) 一种制备Se掺杂二维钒基单晶超导材料的方法
JP2015182944A (ja) サファイア単結晶の製造方法
CN110931160B (zh) 铁基超导前驱粉、其制备方法、铁基超导线带材
JP7028985B2 (ja) 可塑性半導体材料及びその製造方法
KR20140039133A (ko) 석영 유리 도가니 및 그 제조 방법, 및 실리콘 단결정의 제조 방법
CN114182350B (zh) 一种悬浮熔炼法制备FePbSeTe单晶超导材料的方法
CN114808101B (zh) Pb掺杂二维钒基单晶超导体的制备方法
CN115305567B (zh) 一种提高热挤压n型碲化铋性能均匀性的方法
CN109972198A (zh) 一种片状锰酸铒单晶的制备方法
CN112725881B (zh) 高纯三氧化二铝晶体多级连熔装置及制备蓝宝石的方法
CN114164494B (zh) 一种Mn、Fe共掺碲化铋的单晶制备方法
CN115261985B (zh) 铌稀土晶体材料及其制备方法
CN114334420B (zh) 一种原位制备准单畴rebco高温超导块材磁透镜的方法
CN111115588B (zh) 一种具有受晶格对称性保护零能隙的自旋零能隙半导体材料及制备方法
CN116356415A (zh) 一种单晶ZrCoSb半哈斯勒合金及其制备方法和应用
CN117966272A (zh) 一种大尺寸铽镓石榴石的制备方法
CN116988155A (zh) 一种氟化物晶体及其制备方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant