CN114182350B - 一种悬浮熔炼法制备FePbSeTe单晶超导材料的方法 - Google Patents

一种悬浮熔炼法制备FePbSeTe单晶超导材料的方法 Download PDF

Info

Publication number
CN114182350B
CN114182350B CN202111508694.6A CN202111508694A CN114182350B CN 114182350 B CN114182350 B CN 114182350B CN 202111508694 A CN202111508694 A CN 202111508694A CN 114182350 B CN114182350 B CN 114182350B
Authority
CN
China
Prior art keywords
powder
sft
tellurium
selenium
placing
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Active
Application number
CN202111508694.6A
Other languages
English (en)
Other versions
CN114182350A (zh
Inventor
刘禹彤
赵勇
秦佳佳
周大进
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Fujian Normal University
Original Assignee
Fujian Normal University
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Fujian Normal University filed Critical Fujian Normal University
Priority to CN202111508694.6A priority Critical patent/CN114182350B/zh
Publication of CN114182350A publication Critical patent/CN114182350A/zh
Application granted granted Critical
Publication of CN114182350B publication Critical patent/CN114182350B/zh
Active legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/46—Sulfur-, selenium- or tellurium-containing compounds
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B11/00—Single-crystal growth by normal freezing or freezing under temperature gradient, e.g. Bridgman-Stockbarger method
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B12/00—Superconductive or hyperconductive conductors, cables, or transmission lines
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E40/00—Technologies for an efficient electrical power generation, transmission or distribution
    • Y02E40/60—Superconducting electric elements or equipment; Power systems integrating superconducting elements or equipment

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)

Abstract

本发明公开了一种悬浮熔炼法制备FePbSeTe单晶超导材料的方法。将硒粉，铁粉，碲粉按照硒‑铁‑碲的顺序放入刚玉坩埚中，再将坩埚放入石英管中进行封管；将封好的石英管放入马弗炉中进行烧结，自然冷却取出；将上述烧结得到的混合物研磨成粉末，命名为SFT，将SFT与铅粉研磨成粉末，压成多晶料棒；再将SFT压成籽晶棒；在熔融炉的熔融区左侧放上籽晶棒，顺时针旋转，在熔融区的右侧放上多晶料棒，逆时针旋转；待结晶全部停止，降至室温，获得FePbSeTe单晶超导材料。本方法成功的将过渡金属Pb掺入到FeSeTe的晶格中，取代Fe的位，提高了FeSeTe单晶超导体的超导性能，且本发明可以制备大块的单晶超导体。

Description

一种悬浮熔炼法制备FePbSeTe单晶超导材料的方法
技术领域
本发明属于超导材料性能提升技术领域，具体涉及一种悬浮熔炼法制备FePbSeTe单晶超导材料的方法。
背景技术
FeSeTe超导体具有简单的晶体结构，独特的物理和化学性质，人们希望以其为母体材料，制备出性能更优益的超导材料。不仅如此，由于FeSeTe超导体具有简单的晶体结构，可以为研究超导机制提供更有利的信息。
目前的制备方法不能制备出纯度较高的大块单晶超导体，这导致铁基超导体不能更好地实现应用价值。此外，已有的研究表明，大多数过渡金属的掺杂会抑制FeSeTe的超导性，甚至会破会晶体结构。
发明内容
本发明的目的在于提供一种悬浮熔炼法制备FePbSeTe单晶超导材料的方法。该方法使用悬浮熔炼法可以成功地将Pb掺杂进入FeSeTe中，制备出纯度高，超导性能优异的大块单晶超导体。
为了实现上述目的，本发明采用的技术方案为：
一种悬浮熔炼法制备FePbSeTe单晶超导材料的方法，包括以下步骤：
步骤1：将硒粉（纯度≥99.99%），铁粉（纯度≥99.8%），碲粉（纯度≥99.99%）按照硒-铁-碲的顺序放入刚玉坩埚中，用铁粉隔离开硒粉和碲粉，可以减少硒粉和碲粉的反应，硒粉:铁粉:碲粉的摩尔比例为0.3~0.5:1:0.5~0.7。将坩埚放入石英管中，使用真空封管机进行封管，真空度为1.5×10-3~2.5×10-3Pa。将封好的石英管放入马弗炉中进行烧结，烧结过程为：以1~3 ℃/分钟的速率从室温升到750 ~1000℃，保温8~13个小时，自然冷却取出。
步骤2：将上述烧结得到的混合物研磨成粉末，命名为SFT。将SFT与铅粉（纯度≥99.99%）研磨成粉末，按照SFT、铅粉的摩尔比为2:0~0.2混合，压成直径为5 ~10mm的圆柱体，长度不小于70 mm，作为多晶料棒；再将SFT压成直径5 ~10mm mm、长度20~30 mm的圆柱体，作为籽晶棒。
步骤3：使用熔融炉制备单晶样品，在熔融区左侧放上籽晶棒，保持顺时针旋转，转速为15~25rmp。将多晶料棒放在熔融区的右侧，保持逆时针旋转，转速为15~25rmp。熔融区温度为950~1200℃，保持6~9 bar的氩气气氛，熔融速度保持9~15毫米/小时，待结晶全部停止，降至室温，获得单晶超导材料。
本发明的主旨是将Pb掺杂进FeSeTe单晶超导体中，在不影响单晶质量的前提下，提高超导体的超导性能。从图1可以看出，本发明使用的方法可以成功的将Pb掺杂进晶格中，不影响单晶的质量，且没有杂相生成。从图2~4可以看出，本方法制备的单晶超导体具有良好且均匀的形貌，是非常均匀的层状铁基单晶，并且随着Pb的掺杂，生长出了更多的层状单晶体。图5~图6证明了本方法制备的铁基单晶超导体具有典型超导磁滞回线，说明本方法制备的样品具有良好的超导性能。通过图7的对比，可以发现，Pb掺杂的FeSeTe单晶超导体具有更高的临界电流密度，进一步说明Pb的掺杂提高了FeSeTe单晶超导体的超导性能。
本发明使用悬浮熔炼法制备出纯度较高的FeSeTe单晶超导体。不仅如此，本发明将过渡金属Pb掺入FeSeTe中，取代Fe位，在没有破坏晶体结构的前提下，提高了单晶超导体的电流密度，成功地改善超导体的超导性能。Pb的掺杂没有降低单晶的纯度。
本发明的优点为：
1.本发明的方法简单，步骤少，实验过程中材料的损耗小，且单晶生成量多且大块，更易于超导性能的进一步研究，为铁基超导体的研究提供了更有利的条件。
2.本发明将Pb成功的掺入FeSeTe单晶超导体的晶格中取代了Fe的位置，提升了铁基超导体的超导性能，成功的验证了掺杂过渡金属可以提升FeSeTe单晶超导体的超导性能的猜想，推进了铁基超导体的发展。
3.本发明制备的铁基单晶超导体，具有各方面优异的性能，晶体质量高，无杂相，形貌好，无杂质。
附图说明
图1为本发明掺Pb和未掺Pb样品的XRD图谱。
图2为实施例2制备的Fe0.97Pb0.03Se0.4Te0.6单晶超导体的SEM图谱。
图3为实施例3制备的Fe0.95Pb0.05Se0.4Te0.6单晶超导体的SEM图谱。
图4为实施例6制备的Fe0.8Pb0.2Se0.4Te0.6单晶超导体的SEM图谱。
图5为实施例1制备的Fe1Se0.4Te0.6单晶超导体的MH图谱。
图6为实施例4制备的Fe0.92Pb0.08Se0.4Te0.6单晶超导体的MH图谱。
图7为本发明掺Pb和未掺Pb样品的临界电流密度(Jc)图谱。
具体实施方式
实施例1
步骤1：将硒粉（99.99%），铁粉（99.8%），碲粉（99.99%）按照硒-铁-碲的顺序放入刚玉坩埚中，用铁粉隔离开硒粉和碲粉，可以减少硒粉和碲粉的反应，硒粉:铁粉:碲粉的摩尔比例为0.3:1:0.7。将坩埚放入石英管中，使用真空封管机进行封管，真空度为1.5×10-3Pa。将封好的石英管放入马弗炉中进行烧结，烧结过程为：以1 ℃/分钟的速率从室温升到750℃，保温13个小时，自然冷却取出。
步骤2：将上述烧结得到的混合物研磨成粉末，命名为SFT。将SFT研磨成粉末，压成直径为5mm的圆柱体，长度不小于70 mm，作为多晶料棒。再将SFT压成直径5 mm、长度30 mm的圆柱体，作为籽晶棒。
步骤3：使用熔融炉制备单晶样品，在熔融区左侧放上籽晶棒，保持顺时针旋转，转速为15rmp。在实验开始之前将多晶料棒放在熔融区的右侧，保持逆时针旋转，转速为15rmp。熔融区温度为1200℃，实验过程中保持9 bar的氩气气氛，熔融速度保持15毫米/小时。待结晶全部停止，降至室温，获得单晶材料。
从图1可以看出，本实施例制备的单晶超导体没有杂相，本方法可以制备出纯度较高的具有四方相的单晶超导体。
如图5所示，本实施例制备的样品具有典型的超导磁滞回线。使用本方法可以制备出纯度较高，超导性能较好的超导单晶体。
实施例2
步骤1：将硒粉（99.99%），铁粉（99.8%），碲粉（99.99%）按照硒-铁-碲的顺序放入刚玉坩埚中，用铁粉隔离开硒粉和碲粉，可以减少硒粉和碲粉的反应，硒粉:铁粉:碲粉=0.35:1:0.65。将坩埚放入石英管中，使用真空封管机进行封管，真空度为1.7×10-3Pa。将封好的石英管放入马弗炉中进行烧结，烧结过程为：以1.5 ℃/分钟的速率从室温升到800 ℃，保温12个小时，自然冷却取出。
步骤2：将上述烧结得到的混合物研磨成粉末，命名为SFT。将SFT与铅粉（99.99%）研磨成粉末，按照SFT:铅粉的摩尔比为2:0.03压成直径为6 mm的圆柱体，长度不小于70mm，作为多晶料棒，再将SFT压成直径6 mm、长度28 mm的圆柱体，作为籽晶棒。
步骤3：使用熔融炉制备单晶样品，在熔融区左侧放上籽晶棒，保持顺时针旋转，转速为17rmp。在实验开始之前将多晶料棒放在熔融区的右侧，保持逆时针旋转，转速为17rmp。熔融区温度为1150℃，实验过程中保持8 bar的氩气气氛，熔融速度保持13毫米/小时。待结晶全部停止，降至室温，获得单晶超导材料。
从图1可以看出，本实施例制备的单晶超导体没有杂相，本方法可以制备出纯度较高的具有四方相的单晶超导体。
从图3可以看出，Sn的掺杂没有改变单晶的形貌。
实施例3
步骤1：将硒粉（99.99%），铁粉（99.8%），碲粉（99.99%）按照硒-铁-碲的顺序放入刚玉坩埚中，用铁粉隔离开硒粉和碲粉，可以减少硒粉和碲粉的反应，硒粉:铁粉:碲粉的摩尔比为0.4:1:0.6。将坩埚放入石英管中，使用真空封管机进行封管，真空度为1.9×10-3Pa。将封好的石英管放入马弗炉中进行烧结，烧结过程为：以2 ℃/分钟的速率从室温升到850℃，保温11个小时，自然冷却取出。
步骤2：将上述烧结得到的混合物研磨成粉末，命名为SFT。将SFT与铅粉（99.99%）研磨成粉末，按照SFT:铅粉的摩尔比为2:0.05混合压成直径为7 mm的圆柱体，长度不小于70 mm，作为多晶料棒，再将SFT压成直径7 mm、长度26 mm的圆柱体，作为籽晶棒。
步骤3：使用熔融炉制备单晶样品，在熔融区左侧放上籽晶棒，保持顺时针旋转，转速为19rmp。在实验开始之前将多晶料棒放在熔融区的右侧，保持逆时针旋转，转速为19rmp。熔融区温度为1100℃，实验过程中保持7.5 bar的氩气气氛，熔融速度保持12毫米/小时。待结晶全部停止，降至室温，获得单晶超导材料。
从图4可以看出，掺杂Sn元素以及改变保温时间对单晶形貌的影响不大。
实施例4
步骤1：将硒粉（99.99%），铁粉（99.8%），碲粉（99.99%）按照硒-铁-碲的顺序放入刚玉坩埚中，用铁粉隔离开硒粉和碲粉，可以减少硒粉和碲粉的反应，硒粉:铁粉:碲粉的摩尔比为0.45:1:0.55。将坩埚放入石英管中，使用真空封管机进行封管，真空度为2.1×10-3Pa。将封好的石英管放入马弗炉中进行烧结，烧结过程为：以2.5 ℃/分钟的速率从室温升到900℃，保温10个小时，自然冷却取出。
步骤2：将上述烧结得到的混合物研磨成粉末，命名为SFT。将SFT与铅粉（99.99%）研磨成粉末，按照SFT:铅粉的摩尔比为2:0.08混合压成直径为8 mm的圆柱体，长度不小于70 mm，作为多晶料棒。再将SFT压成直径8 mm、长度24 mm的圆柱体，作为籽晶棒。
步骤3：使用熔融炉制备单晶样品，在熔融区左侧放上籽晶棒，保持顺时针旋转，转速为21rmp。在实验开始之前将多晶料棒放在熔融区的右侧，保持逆时针旋转，转速为21rmp。熔融区温度为1050℃，实验过程中保持7 bar的氩气气氛，熔融速度保持11毫米/小时。待结晶全部停止，降至室温，获得单晶材料。
如图6所示，本实施例制备的样品具有典型的超导磁滞回线。说明掺杂Sn的样品具有良好的超导性能。
实施例5
步骤1：将硒粉（99.99%），铁粉（99.8%），碲粉（99.99%）按照硒-铁-碲的顺序放入刚玉坩埚中，用铁粉隔离开硒粉和碲粉，可以减少硒粉和碲粉的反应，硒粉:铁粉:碲粉的摩尔比为0.5:1:0.5。将坩埚放入石英管中，使用真空封管机进行封管，真空度为2.3×10-3Pa。将封好的石英管放入马弗炉中进行烧结，烧结过程为：以3 ℃/分钟的速率从室温升到950℃，保温9个小时，自然冷却取出。
步骤2：将上述烧结得到的混合物研磨成粉末，命名为SFT。将SFT与铅粉（99.99%）研磨成粉末，按照SFT:铅粉的摩尔比为2:0.1混合压成直径为9 mm的圆柱体，长度不小于70mm，作为多晶料棒。再将SFT压成直径9 mm、长度22 mm的圆柱体，作为籽晶棒。
步骤3：使用熔融炉制备单晶样品，在熔融区左侧放上籽晶棒，保持顺时针旋转，转速为23rmp。在实验开始之前将多晶料棒放在熔融区的右侧，保持逆时针旋转，转速为23rmp。熔融区温度为1000℃，实验过程中保持6.5 bar的氩气气氛，熔融速度保持10毫米/小时。待结晶全部停止，降至室温，获得单晶材料。
从图1可以看出，本实施例制备的单晶超导体没有杂相，本方法可以制备出纯度较高的具有四方相的单晶超导体。
实施例6
步骤1：将硒粉（99.99%），铁粉（99.8%），碲粉（99.99%）按照硒-铁-碲的顺序放入刚玉坩埚中，用铁粉隔离开硒粉和碲粉，可以减少硒粉和碲粉的反应，硒粉:铁粉:碲粉=0.4:1:0.6。将坩埚放入石英管中，使用真空封管机进行封管，真空度为2.5×10-3Pa。将封好的石英管放入马弗炉中进行烧结，烧结过程为：以2 ℃/分钟的速率从室温升到1000 ℃，保温8个小时。自然冷却取出。
步骤2：将上述烧结得到的混合物研磨成粉末，命名为SFT。将SFT与铅粉（99.99%）研磨成粉末，按照SFT:铅粉的摩尔比为2:0.2混合压成直径为10 mm的圆柱体，长度不小于70 mm，作为多晶料棒。再将SFT压成直径10 mm、长度20 mm的圆柱体，作为籽晶棒。
步骤3：使用熔融炉制备单晶样品，在熔融区左侧放上籽晶棒，保持顺时针旋转，转速为25rmp。在实验开始之前将多晶料棒放在熔融区的右侧，保持逆时针旋转，转速为25rmp。熔融区温度为950℃，实验过程中保持6 bar的氩气气氛，熔融速度保持9毫米/小时。待结晶全部停止，降至室温，获得单晶材料。
从图1可以看出，本实施例制备的单晶超导体没有杂相，本方法可以制备出纯度较高的具有四方相的单晶超导体。
从图4可以看出，Sn掺杂量的增多，仍没有改变单晶的形貌。

Claims (4)

1.一种悬浮熔炼法制备FePbSeTe单晶超导材料的方法，其特征在于，包括以下步骤：
1）将硒粉，铁粉和碲粉按照硒-铁-碲的顺序放入刚玉坩埚中，用铁粉隔离开硒粉和碲粉，所述硒粉:铁粉:碲粉的摩尔比为0.3~0.5:1:0.5~0.7，将坩埚放入石英管中，使用真空封管机进行封管，将封好的石英管放入马弗炉中进行烧结，以1~3 ℃/分钟的速率从室温升到750 ~1000℃，保温8~13个小时，自然冷却取出；
2)将上述烧结得到的混合物研磨成粉末，命名为SFT，将SFT与铅粉研磨成粉末，压成直径5 ~10mm的圆柱体、长度不小于70 mm的圆柱体，作为多晶料棒，再将SFT压成直径5 ~10mmmm、长度20~30 mm的圆柱体，作为籽晶棒;
所述SFT与铅粉的摩尔比例为2:0~0.2，且铅粉的摩尔量不为0；3)使用熔融炉制备单晶材料，将籽晶棒放在熔融区左侧，保持顺时针旋转，将多晶料棒放在熔融区右侧，保持逆时针旋转，熔融区温度为950~1200℃，熔融过程中保持6~9 bar的氩气气氛，熔融速度保持9~15毫米/小时，待结晶全部停止，降至室温，获得单晶超导材料。
2.根据权利要求1所述的一种悬浮熔炼法制备FePbSeTe单晶超导材料的方法，其特征在于，所述铁粉的纯度不低于99.8%，铅粉的纯度不低于99.99%，硒粉纯度不低于99.99%，碲粉纯度不低于99.99%。
3.根据权利要求1所述的一种悬浮熔炼法制备FePbSeTe单晶超导材料的方法，其特征在于，步骤1）中，真空封管真空度为1.5×10-3~2.5×10-3Pa。
4.根据权利要求1所述的一种悬浮熔炼法制备FePbSeTe单晶超导材料的方法，其特征在于，步骤3）中，顺时针旋转的转速为15~25rmp，逆时针旋转的转速为15~25rmp。
CN202111508694.6A 2021-12-10 2021-12-10 一种悬浮熔炼法制备FePbSeTe单晶超导材料的方法 Active CN114182350B (zh)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111508694.6A CN114182350B (zh) 2021-12-10 2021-12-10 一种悬浮熔炼法制备FePbSeTe单晶超导材料的方法

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
CN202111508694.6A CN114182350B (zh) 2021-12-10 2021-12-10 一种悬浮熔炼法制备FePbSeTe单晶超导材料的方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
CN114182350A CN114182350A (zh) 2022-03-15
CN114182350B true CN114182350B (zh) 2023-06-06

Family

ID=80604411

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
CN202111508694.6A Active CN114182350B (zh) 2021-12-10 2021-12-10 一种悬浮熔炼法制备FePbSeTe单晶超导材料的方法

Country Status (1)

Country Link
CN (1) CN114182350B (zh)

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104445097A (zh) * 2014-11-08 2015-03-25 天津大学 Sn添加FeSe1/2Te1/2的超导体提高超导性能的方法
CN104953023A (zh) * 2015-07-01 2015-09-30 西北有色金属研究院 一种高密度Fe(Se,Te)超导材料的制备方法
CN109721360A (zh) * 2019-02-01 2019-05-07 天津大学 一种铌掺杂提高铁硒超导转变温度的方法
CN113345640A (zh) * 2021-06-03 2021-09-03 西北有色金属研究院 一种Fe(Se,Te)超导线材的制备方法
CN113643854A (zh) * 2021-08-24 2021-11-12 西北有色金属研究院 一种石墨烯复合Fe(Se,Te)超导材料的制备方法

Family Cites Families (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
GB766999A (en) * 1954-07-12 1957-01-30 Milwaukee Gas Speciality Compa Improvements in lead-base electrical conductor elements
FR1143253A (fr) * 1954-12-15 1957-09-27 Milwaukee Gas Specialty Co Conducteurs électriques semi-métalliques
JP4640162B2 (ja) * 2005-12-21 2011-03-02 Ｊｆｅスチール株式会社 粉末冶金用鉄基混合粉および鉄基焼結体
CN101707089B (zh) * 2009-12-15 2011-08-10 中国科学院电工研究所 一种提高铁基超导体上临界场和临界电流密度的方法
CN101814344A (zh) * 2010-03-10 2010-08-25 中国科学院电工研究所 一种铁基超导体的制备方法
CN102082010B (zh) * 2010-12-28 2012-11-14 中国科学院电工研究所 一种铁基超导体的制备方法
CN112010270B (zh) * 2019-05-31 2022-07-15 中国科学院物理研究所 FeBi(Te,Se)多晶超导材料及其制备方法和应用

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN104445097A (zh) * 2014-11-08 2015-03-25 天津大学 Sn添加FeSe1/2Te1/2的超导体提高超导性能的方法
CN104953023A (zh) * 2015-07-01 2015-09-30 西北有色金属研究院 一种高密度Fe(Se,Te)超导材料的制备方法
CN109721360A (zh) * 2019-02-01 2019-05-07 天津大学 一种铌掺杂提高铁硒超导转变温度的方法
CN113345640A (zh) * 2021-06-03 2021-09-03 西北有色金属研究院 一种Fe(Se,Te)超导线材的制备方法
CN113643854A (zh) * 2021-08-24 2021-11-12 西北有色金属研究院 一种石墨烯复合Fe(Se,Te)超导材料的制备方法

Also Published As

Publication number Publication date
CN114182350A (zh) 2022-03-15

Similar Documents

Publication Publication Date Title
CN116575121B (zh) 一种具有高度取向性的单晶Cr2AlC材料及其制备方法
CN101307496B (zh) 钆钇钪镓石榴石晶体gysgg及其熔体法晶体生长方法
CN114164485B (zh) 一种Si、Te元素共同掺杂FeSe超导体材料的方法
CN101503822A (zh) 纯氧气氛下稀土钡铜氧超导块体材料的制备方法
CN101279847A (zh) 微量稀土元素掺杂钇钡铜氧超导块体材料的制备方法
CN114182350B (zh) 一种悬浮熔炼法制备FePbSeTe单晶超导材料的方法
CN111908472B (zh) 一种掺杂稀土元素的碳化硅粉料及其制备方法与应用
CN116121870A (zh) 溶液法生长SiC单晶的方法
CN113235167B (zh) 一种Mg-Bi基层状体块晶体材料及其生长方法
Mason Growth and characterization of transition metal silicides
CN116145258A (zh) 一种低温溶液法生长SiC晶体的方法
JP2007527350A (ja) ドープされた超伝導体材料を製造する方法
CN114141427B (zh) 一种掺杂碳提高FeSeTe单晶超导性能的方法
Shimada et al. Flux growth and characterization of TiC crystals
CN114790569B (zh) 一种制备Se掺杂二维钒基单晶超导材料的方法
CN113355743A (zh) 一种对碳化硅晶体生长后的剩余烧结原料的再利用方法
CN114561687B (zh) 一种S掺杂MnBi2Te4单晶的制备方法
CN115261985B (zh) 铌稀土晶体材料及其制备方法
CN112251816B (zh) 基于界面能驱动的金属晶须制备方法
CN116356415A (zh) 一种单晶ZrCoSb半哈斯勒合金及其制备方法和应用
CN116536764A (zh) 自还原气氛下光学区熔定向生长高导电性富电子钙铝石单晶体方法
Szlawska et al. Single-crystal growth of f-electron intermetallics in a tetra-arc Czochralski furnace
JP4019132B2 (ja) ＲＥーＢａーＣｕーＯ系酸化物超電導体及びその製造方法
CN111394793A (zh) 室温块状多铁单晶及其制备方法
JP5459132B2 (ja) 酸化物超電導バルク材料の製造方法

Legal Events

Date Code Title Description
PB01 Publication
PB01 Publication
SE01 Entry into force of request for substantive examination
SE01 Entry into force of request for substantive examination
GR01 Patent grant
GR01 Patent grant