RU2017131198A - Способ получения электротехнических тонких пленок при комнатной температуре, применение таковых и нагревательная система на основе тонких пленок, полученных таким способом - Google Patents

Способ получения электротехнических тонких пленок при комнатной температуре, применение таковых и нагревательная система на основе тонких пленок, полученных таким способом Download PDF

Info

Publication number
RU2017131198A
RU2017131198A RU2017131198A RU2017131198A RU2017131198A RU 2017131198 A RU2017131198 A RU 2017131198A RU 2017131198 A RU2017131198 A RU 2017131198A RU 2017131198 A RU2017131198 A RU 2017131198A RU 2017131198 A RU2017131198 A RU 2017131198A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
metal
contacting
carbon
preceding paragraphs
Prior art date
Application number
RU2017131198A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2731839C2 (ru
RU2017131198A3 (ru
Inventor
Патрик ЛИНДЕР
Даниль ЛИНДЕР
Original Assignee
Дайнемик Солар Системс Аг
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Дайнемик Солар Системс Аг filed Critical Дайнемик Солар Системс Аг
Publication of RU2017131198A publication Critical patent/RU2017131198A/ru
Publication of RU2017131198A3 publication Critical patent/RU2017131198A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2731839C2 publication Critical patent/RU2731839C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02436—Intermediate layers between substrates and deposited layers
    • H01L21/02494—Structure
    • H01L21/02496—Layer structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01B—CABLES; CONDUCTORS; INSULATORS; SELECTION OF MATERIALS FOR THEIR CONDUCTIVE, INSULATING OR DIELECTRIC PROPERTIES
    • H01B1/00—Conductors or conductive bodies characterised by the conductive materials; Selection of materials as conductors
    • H01B1/20—Conductive material dispersed in non-conductive organic material
    • H01B1/22—Conductive material dispersed in non-conductive organic material the conductive material comprising metals or alloys
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C18/00—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating
    • C23C18/16—Chemical coating by decomposition of either liquid compounds or solutions of the coating forming compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating; Contact plating by reduction or substitution, e.g. electroless plating
    • C23C18/31—Coating with metals
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B37/00—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding
    • B32B37/14—Methods or apparatus for laminating, e.g. by curing or by ultrasonic bonding characterised by the properties of the layers
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B9/00—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00
    • B32B9/005—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising one layer of ceramic material, e.g. porcelain, ceramic tile
    • B32B9/007—Layered products comprising a layer of a particular substance not covered by groups B32B11/00 - B32B29/00 comprising one layer of ceramic material, e.g. porcelain, ceramic tile comprising carbon, e.g. graphite, composite carbon
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C22/00—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C22/05—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions
    • C23C22/68—Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive liquid, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using aqueous solutions using aqueous solutions with pH between 6 and 8
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/02—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material
    • C23C28/023—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D only coatings only including layers of metallic material only coatings of metal elements only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C28/00—Coating for obtaining at least two superposed coatings either by methods not provided for in a single one of groups C23C2/00 - C23C26/00 or by combinations of methods provided for in subclasses C23C and C25C or C25D
    • C23C28/40—Coatings including alternating layers following a pattern, a periodic or defined repetition
    • C23C28/44—Coatings including alternating layers following a pattern, a periodic or defined repetition characterized by a measurable physical property of the alternating layer or system, e.g. thickness, density, hardness
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02587—Structure
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02587—Structure
    • H01L21/0259—Microstructure
    • H01L21/02601—Nanoparticles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02623—Liquid deposition
    • H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2264/00—Composition or properties of particles which form a particulate layer or are present as additives
    • B32B2264/10—Inorganic particles
    • B32B2264/105—Metal
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2264/00—Composition or properties of particles which form a particulate layer or are present as additives
    • B32B2264/10—Inorganic particles
    • B32B2264/107—Ceramic
    • B32B2264/108—Carbon, e.g. graphite particles
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2309/00—Parameters for the laminating or treatment process; Apparatus details
    • B32B2309/02—Temperature
    • B32B2309/027—Ambient temperature
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B32—LAYERED PRODUCTS
    • B32B—LAYERED PRODUCTS, i.e. PRODUCTS BUILT-UP OF STRATA OF FLAT OR NON-FLAT, e.g. CELLULAR OR HONEYCOMB, FORM
    • B32B2309/00—Parameters for the laminating or treatment process; Apparatus details
    • B32B2309/08—Dimensions, e.g. volume
    • B32B2309/10—Dimensions, e.g. volume linear, e.g. length, distance, width
    • B32B2309/105—Thickness
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02B—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES RELATED TO BUILDINGS, e.g. HOUSING, HOUSE APPLIANCES OR RELATED END-USER APPLICATIONS
    • Y02B30/00—Energy efficient heating, ventilation or air conditioning [HVAC]

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Dispersion Chemistry (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
  • Powder Metallurgy (AREA)
  • Resistance Heating (AREA)
  • Paints Or Removers (AREA)
  • Surface Heating Bodies (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Manufacture Of Metal Powder And Suspensions Thereof (AREA)
  • Conductive Materials (AREA)

Claims (44)

1. Способ получения электротехнических тонких пленок при комнатной температуре путем обеспечения электропроводных и/или полупроводниковых неорганических агломератов в дисперсии на поверхности и отверждения их с образованием слоя, отличающийся тем, что:
- отверждение проводят при комнатной температуре и
- отверждение ускоряют посредством приведения в контакт по меньшей мере с одним реагентом.
2. Способ по предыдущему пункту, отличающийся тем, что формируют последовательность PV-слоев.
3. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что по меньшей мере один наносимый базовый слой представляет собой слой, содержащий агломераты по меньшей мере одного образующего цепи элемента, причем образующий цепи элемент выбран из группы, состоящей из бора, алюминия, галлия, индия, углерода, кремния, германия, олова, свинца, фосфора, мышьяка, сурьмы, серы, селена, теллура, брома, йода.
4. Способ по предыдущему пункту, отличающийся тем, что базовый слой обеспечивают в виде преимущественно водной дисперсии и отверждают посредством сопутствующей реакции.
5. Способ по любому из двух предыдущих пунктов, отличающийся тем, что базовый слой обеспечивают в виде водной суспензии, рН которой доведен до значения, необходимого для протекания реакции, и наносят, и подвергают по меньшей мере предварительному отверждению при комнатной температуре.
6. Способ по любому из трех предыдущих пунктов, отличающийся тем, что базовый слой обеспечивают в виде водной углеродсодержащей суспензии, содержащей по меньшей мере один тип полиморфов углерода из сажи, графита, активированного угля, смолы, токопроводящей сажи, печной сажи, газовой сажи, ламповой сажи, сажи ESD, при этом ее рН доводят до значения, необходимого для протекания реакции, и отверждают как окислительный или восстановительный слой.
7. Способ по любому из четырех предыдущих пунктов, отличающийся тем, что рН регулируют посредством добавления по меньшей мере одного соединения, причем соединение выбрано из группы, состоящей из раствора гидроксида натрия, раствора гидроксида калия, гидроксида кальция, гидроксида бария, аммиака, соляной кислоты, серной кислоты, азотной кислоты, пероксида водорода, фосфорной кислоты, аскорбиновой кислоты, лимонной кислоты, винной кислоты, солей карбоновых кислот, карбоновых кислот, аминов, аминокислот.
8. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что перед нанесением слой в виде свободно-текучей смеси или раствора смешивают по меньшей мере с одним металлом из группы, состоящей из Li, Na, K, Be, Mg, Са, Sr, Ва, В, Al, Ga, In, Tl, Si, Ge, Sn, Pb, As, Sb, Se, Те, Ti, Zr, Cr, Mn, Fe, Co, Ni, Cu, Zn, Hg, Au, Ag, Pt, Pd, Cd, no меньшей мере с частичным растворением металла при подходящем значении рН.
9. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что в качестве базового слоя применяют слой в виде свободнотекучей смеси или раствора, который наносят тонким слоем и в конечном итоге отверждают посредством сопутствующей реакции, которую осуществляют с помощью по меньшей мере одного средства, причем указанное по меньшей мере одно средство выбрано из группы, состоящей из воздействия УФ-излучения, приведения в контакт с CO2, приведения в контакт с кислыми газами, приведения в контакт с основными газами, приведения в контакт с окислительными газами, приведения в контакт с восстановительными газами, приведения в контакт с хлорангидридами, приведения в контакт с растворами мочевины, приведения в контакт с дисперсией оксида металла, приведения в контакт с карбонилами металлов, приведения в контакт с комплексами металлов, приведения в контакт с соединениями металлов, приведения в контакт с солями металлов, приведения в контакт с водой.
10. Способ получения электротехнических тонких пленок при комнатной температуре, в частности базового слоя, по любому из предыдущих пунктов, при котором обеспечивают электропроводные и/или полупроводниковые неорганические агломераты в дисперсии на поверхности и отверждают их с образованием слоя, отличающийся тем, что:
- отверждение проводят при комнатной температуре,
- отверждение ускоряют посредством приведения в контакт по меньшей мере с одним реагентом,
- по меньшей мере один наносимый базовый слой представляет собой слой, содержащий агломераты по меньшей мере одного образующего цепи элемента, причем образующий цепи элемент состоит из углерода, при этом
- базовый слой в виде преимущественно водной углеродсодержащей суспензии, содержащей по меньшей мере микроразмерный графит с аморфным углеродным компонентом и необязательно до 49% добавок из сажи, активированного угля, смолы, токопроводящей сажи, печной сажи, газовой сажи, ламповой сажи, сажи ESD,
- смешивают с порошком по меньшей мере одного металла, который представляет собой порошок растворимого в основаниях металла с размером частиц не более чем микрометрового диапазона, предпочтительно по меньшей мере одного металла из группы, состоящей из кремния, алюминия, галлия, индия, магния, кальция, бария, железа, кобальта, никеля, меди, цинка, более предпочтительно кремния, алюминия и железа,
- рН суспензии доводят до значения, необходимого для протекания реакции, составляющего более 7, и при этом ее наносят в качестве восстановительного слоя и подвергают предварительному отверждению по меньшей мере с получением стабилизированной краевой оболочки, причем
- суспензию, наносимую тонким слоем, отверждают по меньшей мере посредством воздействия сопутствующего УФ-излучения.
11. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что при комнатной температуре для получения проводящей электротехнической тонкой пленки обеспечивают неорганический агломерат в дисперсии на поверхности и отверждают его с образованием слоя, причем
- дисперсию металла или соединения металла
- обеспечивают на восстановительном или окислительном базовом слое,
- отверждение проводят при комнатной температуре, причем
- отверждение ускоряют посредством приведения в контакт по меньшей мере с одним соединением металла с осаждением металла или оксида металла.
12. Способ по предыдущему пункту, отличающийся тем, что базовый слой обеспечивают в виде основного восстановительного слоя, содержащего углерод, кремний, алюминий и железо.
13. Способ по любому из двух предыдущих пунктов, отличающийся тем, что в качестве дисперсии применяют водный слабокислый медьсодержащий раствор, предпочтительно свежий слабокислый раствор сульфата меди, с осаждением слоя меди.
14. Способ по любому из трех предыдущих пунктов, отличающийся тем, что слой металла толщиной до 100 микрометров, предпочтительно 0,5-80 микрометров, более предпочтительно 3±2,5 микрометра, осаждают в течение не более 5 минут, предпочтительно в течение 1-2 минут, более предпочтительно в течение 30 секунд.
15. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что осаждают слой меди толщиной по меньшей мере 0,5 микрометра с электропроводностью около 100 Ом на сантиметр, предпочтительно 0,5-10 Ом на сантиметр, более предпочтительно 2±1,5 Ом на сантиметр.
16. Способ по предыдущему пункту, отличающийся тем, что дополнительный электротехнический слой осаждают или формируют поверх слоя меди.
17. Способ по любому из шести предыдущих пунктов, отличающийся тем, что покровный слой наносят и отверждают в определенных зонах поверх базового слоя, а затем слой металла формируют в качестве электродного слоя в зонах, которые все еще доступны.
18. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что базовый слой электростатически заряжают в качестве подготовительной меры, предпочтительно электростатически заряжают во фрикционном контакте с полимерным слоем, более предпочтительно электростатически заряжают во фрикционном контакте с нейлоновым щеточным валиком.
19. Способ по любому из восьми предыдущих пунктов, отличающийся тем, что способ осуществляют в печатной машине.
20. Применение последовательности электротехнических тонких слоев, полученной согласно любому из предыдущих пунктов, где последовательность электротехнических тонких слоев является применимой в качестве пригодного к припаиванию металлического слоя, проводящего слоя интегральной схемы, резистивного слоя схемы, полупроводникового слоя, резистивного датчика, емкостного датчика, датчика влажности, фоторезиста, датчика для окисляющих/восстанавливающих газов, конденсатора, ферроэлектрического активного слоя, диода, тонкопленочного резистивного нагревателя, транзистора, транзистора с управлением полем, биполярного транзистора, измерительного фотоэлемента, последовательности фотоэлектрических слоев, сенсорного датчика.
21. Электротехнический двойной слой, предпочтительно тонкопленочный нагреватель, полученный согласно любому из предыдущих пунктов, имеющий отвержденный основной восстановительный базовый слой поверх необязательного носителя, содержащий:
- углерод в виде графита и необязательно до 49% дополнительных полиморфов углерода и/или углеродсодержащих продуктов,
- по меньшей мере частично растворенное железо и/или алюминий с чистотой 96%, с 4% обычных примесей, таких как кремний, бор, алюминий, фосфор, магний, кальций, цинк,
- отвержденное жидкое стекло,
- силикаты металлов;
и
слой металла на нем, осажденный восстановлением, предпочтительно состоящий из меди, при этом
- слой металла характеризуется металлической проводимостью, составляющей 2,5±2,475 Ом на сантиметр,
и необязательно, предпочтительно в случае слоев меди,
- двойной слой характеризуется напряжением туннельного пробоя p-n-перехода диода предпочтительно в диапазоне 2,7±1 вольт,
- двойной слой характеризуется емкостью предпочтительно в диапазоне 40±39,98 микрофарада, причем более предпочтительно до 25% сопротивления двойного слоя имеет чисто емкостную природу и не оказывает никакого влияния на импеданс при высокой частоте.
RU2017131198A 2015-02-26 2016-02-26 Способ получения электротехнических тонких пленок при комнатной температуре, применение таковых и нагревательная система на основе тонких пленок, полученных таким способом RU2731839C2 (ru)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015102801 2015-02-26
DE102015102801.8 2015-02-26
DE102015015435.4 2015-12-02
DE102015015435 2015-12-02
PCT/DE2016/100085 WO2016134705A1 (de) 2015-02-26 2016-02-26 Raumtemperatur-verfahren zur herstellung elektrotechnischer dünnschichten, deren verwendung und so erhaltene dünnschichtheizung

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2017131198A true RU2017131198A (ru) 2019-03-28
RU2017131198A3 RU2017131198A3 (ru) 2019-06-14
RU2731839C2 RU2731839C2 (ru) 2020-09-08

Family

ID=56024063

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017131198A RU2731839C2 (ru) 2015-02-26 2016-02-26 Способ получения электротехнических тонких пленок при комнатной температуре, применение таковых и нагревательная система на основе тонких пленок, полученных таким способом

Country Status (7)

Country Link
US (1) US20180033620A1 (ru)
EP (1) EP3262676A1 (ru)
JP (2) JP2018511698A (ru)
CN (1) CN107534085B (ru)
CA (1) CA2977858A1 (ru)
RU (1) RU2731839C2 (ru)
WO (1) WO2016134705A1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2736630C1 (ru) * 2020-02-10 2020-11-19 Открытое акционерное общество "Авангард" Тонкопленочный платиновый терморезистор на стеклянной подложке и способ его изготовления

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE202017001454U1 (de) 2017-03-19 2017-06-22 Dynamic Solar Systems Ag Geregelte, gedruckte Heizung
DE102017002623A1 (de) 2017-03-20 2018-09-20 Reinhold Gregarek Verbessertes tribostatisches I-I-P-Verfahren, tribostatische Pulverdüse und Verwendung zur Herstellung elektrotechnischer Mehrschichtverbunde
DE202017002209U1 (de) 2017-04-27 2017-06-21 Dynamic Solar Systems Ag Gedruckte Elektrode mit arrangierbaren LED-Komponenten
DE202017002725U1 (de) 2017-05-23 2017-06-13 Dynamic Solar Systems Ag Heizpanel mit gedruckter Heizung
CN109256380A (zh) * 2018-09-25 2019-01-22 南京萨特科技发展有限公司 一种pesd芯材的浆料制备方法
DE102020003811A1 (de) 2020-06-25 2021-12-30 Dynamic Solar Systems Ag Fußbodenheizungs-System mit verbessertem Schichtaufbau

Family Cites Families (23)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE390400C (de) 1921-03-04 1924-02-20 Robert Woolridge Reynolds Verfahren zur Herstellung von elektrischen Heizwiderstaenden aus einer Mischung von Graphit und Wasserglas
DE410375C (de) 1923-02-04 1925-03-05 Robert Woolridge Reynolds Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Heizwiderstandsschicht aus Silikatniederschlaegen, Graphit und Alkalisilikaten
DE839396C (de) 1949-04-03 1952-05-19 Heraeus Schott Quarzschmelze Waermestrahler, insbesondere fuer Zwecke der Therapie
DE1446978C3 (de) 1959-10-29 1974-10-31 Bulten-Kanthal Ab, Hallstahammar (Schweden) Warmfester, langgestreckter, stab- oder rohrförmiger Körper mit Siliciumcarbidgerüst und Verfahren zu seiner Herstellung
FR2224790B1 (ru) * 1973-04-03 1977-04-29 Cellophane Sa
US4040925A (en) * 1974-05-02 1977-08-09 Scm Corporation Ultraviolet curing of electrocoating compositions
DE3650278T2 (de) 1985-05-30 1995-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Verfahren zum Herstellen von Graphitfolien.
DD266693A1 (de) 1987-12-15 1989-04-05 Bauakademie Ddr Heizelement auf der basis graphitierter materialien
US5272017A (en) * 1992-04-03 1993-12-21 General Motors Corporation Membrane-electrode assemblies for electrochemical cells
US5536386A (en) * 1995-02-10 1996-07-16 Macdermid, Incorporated Process for preparing a non-conductive substrate for electroplating
DE19647935C5 (de) 1996-11-20 2009-08-20 Ts Thermo Systeme Gmbh Elektrische Innenraumheizung für Wohnwagen
US6416818B1 (en) * 1998-08-17 2002-07-09 Nanophase Technologies Corporation Compositions for forming transparent conductive nanoparticle coatings and process of preparation therefor
EP1244168A1 (en) * 2001-03-20 2002-09-25 Francois Sugnaux Mesoporous network electrode for electrochemical cell
DE102005038392B4 (de) * 2005-08-09 2008-07-10 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zum Herstellen von Muster bildenden Kupferstrukturen auf einem Trägersubstrat
KR20080026957A (ko) * 2006-09-22 2008-03-26 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
CN101086060A (zh) * 2007-07-17 2007-12-12 湘潭大学 一种制备具有室温铁磁性氧化锌基稀磁半导体薄膜的方法
US8344243B2 (en) * 2008-11-20 2013-01-01 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic cell using similar material junction
US8906548B2 (en) * 2009-10-07 2014-12-09 Miltec Corporation Actinic and electron beam radiation curable electrode binders and electrodes incorporating same
RU2446233C1 (ru) * 2010-07-16 2012-03-27 Государственное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Кубанский государственный университет" (ГОУ ВПО КубГУ) Способ получения тонких пленок диоксида олова
MX344173B (es) * 2010-08-17 2016-12-07 Chemetall Gmbh * Proceso para el revestimiento no electrolitico de cobre de sustratos metalicos.
WO2014019560A1 (de) * 2012-08-02 2014-02-06 Dynamic Solar Systems Inc. Verbesserte schichtsolarzelle
US20140161972A1 (en) * 2012-12-09 2014-06-12 National Sun Yat-Sen University Method for forming conductive film at room temperature
CN103145345B (zh) * 2013-03-20 2014-12-10 许昌学院 一种室温下原位合成硒化银半导体光电薄膜材料的化学方法

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2736630C1 (ru) * 2020-02-10 2020-11-19 Открытое акционерное общество "Авангард" Тонкопленочный платиновый терморезистор на стеклянной подложке и способ его изготовления

Also Published As

Publication number Publication date
RU2731839C2 (ru) 2020-09-08
JP2021185259A (ja) 2021-12-09
US20180033620A1 (en) 2018-02-01
JP2018511698A (ja) 2018-04-26
CN107534085B (zh) 2021-05-11
EP3262676A1 (de) 2018-01-03
RU2017131198A3 (ru) 2019-06-14
CA2977858A1 (en) 2016-09-01
JP7260923B2 (ja) 2023-04-19
WO2016134705A1 (de) 2016-09-01
CN107534085A (zh) 2018-01-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2017131198A (ru) Способ получения электротехнических тонких пленок при комнатной температуре, применение таковых и нагревательная система на основе тонких пленок, полученных таким способом
Webber et al. Alkahest for V2VI3 chalcogenides: dissolution of nine bulk semiconductors in a diamine-dithiol solvent mixture
Pineda et al. Optoelectronic properties of chemically deposited Bi2S3 thin films and the photovoltaic performance of Bi2S3/P3OT solar cells
Milliron et al. Solution-processed metal chalcogenide films for p-type transistors
JP2017506000A (ja) Ｕｖ光検出器を製造する方法
US8278140B2 (en) Method for preparing IGZO particles and method for preparing IGZO film by using the IGZO particles
CN107112420A (zh) 太阳能电池及太阳能电池的制造方法
Ortiz-Ramos et al. CuS films grown by a chemical bath deposition process with amino acids as complexing agents
TWI645017B (zh) 由銦、鋅、錫及氧組成之氧化物的蝕刻用液體組成物與蝕刻方法
Pujar et al. Trends in low‐temperature combustion derived thin films for solution‐processed electronics
RU2017131197A (ru) Способ получения электротехнических тонких пленок при комнатной температуре и последовательность тонких слоев, полученная при помощи указанного способа
US20190181268A1 (en) Semiconductor device, ph sensor, biosensor, and manufacturing method for semiconductor device
JP6755678B2 (ja) 太陽電池
Krishna et al. Characterization of transparent p-type Cu: ZnS thin films grown by spray pyrolysis technique
US20200399494A1 (en) Room temperature method for the production of inorganic electrotechnical thin layers and a thin layer heating system obtained in this manner
EP3396719A1 (en) Copper nanowire hybrid coating
TWI634195B (zh) 含有鋅與錫之氧化物的蝕刻液及蝕刻方法
CN110040980A (zh) 光吸收材料和使用该光吸收材料的太阳能电池
EP2849215A1 (en) Coating liquid for forming sulfide semiconductor, sulfide semiconductor thin film, and thin film solar cell
US9373744B2 (en) Method for treating a semiconductor
TWI694526B (zh) 金屬氧化物半導體層形成用組成物及使用其之金屬氧化物半導體層之製造方法
JP5682880B2 (ja) ナノ結晶粒子分散液と電子デバイス並びにその製造方法
JP6365835B2 (ja) 電極形成方法
JP2015522502A (ja) アンモニア性ヒドロキソ亜鉛化合物を含有する配合物
JP2015177036A5 (ru)