RU2017131197A - Способ получения электротехнических тонких пленок при комнатной температуре и последовательность тонких слоев, полученная при помощи указанного способа - Google Patents

Способ получения электротехнических тонких пленок при комнатной температуре и последовательность тонких слоев, полученная при помощи указанного способа Download PDF

Info

Publication number
RU2017131197A
RU2017131197A RU2017131197A RU2017131197A RU2017131197A RU 2017131197 A RU2017131197 A RU 2017131197A RU 2017131197 A RU2017131197 A RU 2017131197A RU 2017131197 A RU2017131197 A RU 2017131197A RU 2017131197 A RU2017131197 A RU 2017131197A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
layer
metal
sequence
matrix
preceding paragraphs
Prior art date
Application number
RU2017131197A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2017131197A3 (ru
RU2732867C2 (ru
Inventor
Патрик ЛИНДЕР
Даниль ЛИНДЕР
Original Assignee
Дайнемик Солар Системс Аг
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Дайнемик Солар Системс Аг filed Critical Дайнемик Солар Системс Аг
Publication of RU2017131197A publication Critical patent/RU2017131197A/ru
Publication of RU2017131197A3 publication Critical patent/RU2017131197A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2732867C2 publication Critical patent/RU2732867C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02422—Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2004—Light-sensitive devices characterised by the electrolyte, e.g. comprising an organic electrolyte
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2004—Light-sensitive devices characterised by the electrolyte, e.g. comprising an organic electrolyte
    • H01G9/2009—Solid electrolytes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2095—Light-sensitive devices comprising a flexible sustrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02587—Structure
    • H01L21/0259—Microstructure
    • H01L21/02601—Nanoparticles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02623—Liquid deposition
    • H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03926—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate comprising a flexible substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H01L31/0463—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate characterised by special patterning methods to connect the PV cells in a module, e.g. laser cutting of the conductive or active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Hybrid Cells (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)

Claims (26)

1. Способ получения электротехнических тонких пленок при комнатной температуре, при котором электропроводные и/или полупроводниковые неорганические агломераты обеспечивают в дисперсии на поверхности и отверждают с получением слоя, отличающийся тем, что
отверждение проводят при комнатной температуре
и
отверждение ускоряют путем воздействия по меньшей мере одного реагента.
2. Способ по предыдущему пункту, отличающийся тем, что формируют последовательность PV-слоев.
3. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что в качестве по меньшей мере одного базового слоя наносят слой, который содержит по меньшей мере один металл или соединение металла, причем по меньшей мере один металл или его соединение выбраны из группы, состоящей из стали, цинка, олова, серебра, меди, алюминия, никеля, свинца, железа.
4. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что в качестве проводящего базового слоя наносят и по меньшей мере частично отверждают по меньшей мере один металлический проводящий слой и/или полупроводниковый слой.
5. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что в качестве носителя применяют плоское протяженное полотно, причем полотно состоит по меньшей мере из одного материала, выбранного из группы материалов, состоящей из стекла, пластика, поликарбоната, пластиковой пленки, металлического сплава, сплава для блока цилиндров, сплава для трубок теплообменника, сплава для теплообменника, сплава для спаивания теплообменника, керамики, промышленной керамики, природного камня, мрамора, глиняной керамики, керамики для черепицы, древесного материала для ламината, материала для половиц, алюминия, алюминиевого сплава для лестниц, платиновых композиционных материалов, материала корпуса интегральных схем, соединений для корпуса процессора.
6. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что неорганические агломераты первого слоя представляют собой металлы или соединения металлов, распределенные в пластиковой матрице, при этом вид металлов или вид металлов в соединениях металлов выбран из группы, состоящей из бериллия, бора, алюминия, галлия, индия, кремния, германия, олова, свинца, мышьяка, сурьмы, селена, теллура, меди, серебра, золота, цинка, железа, хрома, марганца, титана, циркония.
7. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что неорганические агломераты второго слоя представляют собой металлы или соединения металлов, распределенные по меньшей мере частично в неорганической матрице, при этом вид металлов или вид металлов в соединениях металлов выбран из группы, состоящей из бериллия, бора, алюминия, галлия, индия, кремния, германия, олова, свинца, мышьяка, сурьмы, селена, теллура, меди, серебра, золота, цинка, железа, хрома, марганца, титана, циркония.
8. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что в слое в качестве неорганической матрицы применяют матрицу, которая содержит в качестве стеклоподобной оксидной матрицы по меньшей мере один образующий цепи или модифицирующий элемент, причем элемент выбран из группы, состоящей из бора, фосфора, кремния, мышьяка, серы, селена, теллура, углерода в аморфной форме, углерода в графитовой модификации, углерода в форме углеродных нанотрубок, углерода в форме многослойных углеродных нанотрубок, углерода в форме бакминстерфуллеренов, кальция, натрия, алюминия, свинца, магния, бария, калия, марганца, цинка, олова, сурьмы, церия, циркония, титана, стронция, лантана, тория, иттрия, фтора, хлора, брома, йода.
9. Способ по любому из предыдущих пунктов, отличающийся тем, что
электропроводный электродный слой наносят поверх носителя,
металлы или соединения металлов, распределенные в пластиковой матрице, наносят поверх электродного слоя в качестве неорганических агломератов в первом слое,
второй слой неорганических металлических агломератов по меньшей мере в частично сильноосновной или сильнокислотной оксидной матрице наносят поверх первого слоя, причем
при нанесении и отверждении металлические агломераты вступают в реакцию с сильнокислотной или основной матрицей, причем матрица, в свою очередь, также вступает в реакцию с металлическими агломератами первого слоя,
при отверждении и осуществлении реакции происходит образование фотоэлектрически активного перехода,
второй слой обеспечивают с прозрачным покрывающим электродом и/или контактным электродом, и
фотоэлектрически активную последовательность слоев соответствующим образом приводят в контакт и сворачивают и приваривают в виде последовательности PV-слоев.
10. Последовательность электротехнических тонких слоев, полученная в виде последовательности PV-слоев согласно любому из предыдущих пунктов, отличающаяся тем, что последовательность тонких слоев
содержит стеклянный носитель,
содержит электродный слой, нанесенный поверх стеклянного носителя, содержащий серебро,
содержит первый слой, нанесенный поверх электродного слоя, который содержит частицы алюминия в пластиковой матрице,
содержит второй слой, нанесенный поверх первого слоя, который содержит в качестве по меньшей мере частично основного стеклоподобного слоя по меньшей мере кремний-кислородные мостики в стеклоподобной решетке и дополнительно содержит по меньшей мере частично растворимые в основании частицы алюминия в качестве неорганических агломератов,
содержит прозрачный покрывающий электрод, нанесенный поверх второго слоя и имеющий контактные электроды, причем
полученная таким образом последовательность PV-слоев, в свою очередь, проявляет фотоэлектрический эффект в длинноволновом и сверхдлинноволновом инфракрасном диапазоне.
RU2017131197A 2015-02-26 2016-02-26 Способ получения последовательности pv-слоев и последовательность pv-слоев, полученная этим способом RU2732867C2 (ru)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015102801.8 2015-02-26
DE102015102801 2015-02-26
DE102015015435 2015-12-02
DE102015015435.4 2015-12-02
DE102015015600 2015-12-06
DE102015015600.4 2015-12-06
PCT/DE2016/100083 WO2016134703A1 (de) 2015-02-26 2016-02-26 Raumtemperatur-verfahren zur herstellung elektrotechnischer dünnschichten und verfahrensgemäss erhaltene dünnschichtfolge

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2017131197A true RU2017131197A (ru) 2019-03-28
RU2017131197A3 RU2017131197A3 (ru) 2019-06-20
RU2732867C2 RU2732867C2 (ru) 2020-09-24

Family

ID=55701647

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017131197A RU2732867C2 (ru) 2015-02-26 2016-02-26 Способ получения последовательности pv-слоев и последовательность pv-слоев, полученная этим способом
RU2017131189A RU2698739C2 (ru) 2015-02-26 2016-02-26 Пленочная PV-структура, полученная с помощью осуществляемого при комнатной температуре способа, и осуществляемый при комнатной температуре способ получения пленочной PV-структуры

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017131189A RU2698739C2 (ru) 2015-02-26 2016-02-26 Пленочная PV-структура, полученная с помощью осуществляемого при комнатной температуре способа, и осуществляемый при комнатной температуре способ получения пленочной PV-структуры

Country Status (8)

Country Link
US (3) US20180040751A1 (ru)
EP (2) EP3262675A1 (ru)
JP (5) JP2018509762A (ru)
CN (2) CN107466422B (ru)
BR (1) BR112017018306B1 (ru)
DE (1) DE102016002213A1 (ru)
RU (2) RU2732867C2 (ru)
WO (2) WO2016134703A1 (ru)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107466422B (zh) 2015-02-26 2021-03-19 动态太阳能系统公司 通过室温方法获得pv膜结构以及用于生产pv膜结构的室温方法
JP2019522382A (ja) 2016-07-12 2019-08-08 ダイナミック ソーラー システムズ アクツィエンゲゼルシャフトＤｙｎａｍｉｃ Ｓｏｌａｒ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ａｇ Ｐｖ層シーケンスを作り出すための室温印刷方法およびこの方法を使用して得られるｐｖ層シーケンス
DE202017001454U1 (de) 2017-03-19 2017-06-22 Dynamic Solar Systems Ag Geregelte, gedruckte Heizung
DE102017002623A1 (de) 2017-03-20 2018-09-20 Reinhold Gregarek Verbessertes tribostatisches I-I-P-Verfahren, tribostatische Pulverdüse und Verwendung zur Herstellung elektrotechnischer Mehrschichtverbunde
DE202017002209U1 (de) 2017-04-27 2017-06-21 Dynamic Solar Systems Ag Gedruckte Elektrode mit arrangierbaren LED-Komponenten
DE202017002725U1 (de) 2017-05-23 2017-06-13 Dynamic Solar Systems Ag Heizpanel mit gedruckter Heizung
DE102020003811A1 (de) 2020-06-25 2021-12-30 Dynamic Solar Systems Ag Fußbodenheizungs-System mit verbessertem Schichtaufbau
DE102022114036A1 (de) 2022-06-02 2023-12-07 Glasfabrik Lamberts GmbH + Co. KG. Multifunktionale Profilbauglasbahn und diese enthaltende Profilbauglasanordnung

Family Cites Families (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE266693C (ru)
AT36002B (de) 1906-12-24 1909-01-25 Westinghouse Electric Corp Kollektor.
DE390400C (de) 1921-03-04 1924-02-20 Robert Woolridge Reynolds Verfahren zur Herstellung von elektrischen Heizwiderstaenden aus einer Mischung von Graphit und Wasserglas
DE410375C (de) 1923-02-04 1925-03-05 Robert Woolridge Reynolds Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Heizwiderstandsschicht aus Silikatniederschlaegen, Graphit und Alkalisilikaten
DE839396C (de) 1949-04-03 1952-05-19 Heraeus Schott Quarzschmelze Waermestrahler, insbesondere fuer Zwecke der Therapie
DE1446978C3 (de) 1959-10-29 1974-10-31 Bulten-Kanthal Ab, Hallstahammar (Schweden) Warmfester, langgestreckter, stab- oder rohrförmiger Körper mit Siliciumcarbidgerüst und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2004076A1 (de) 1970-01-30 1971-08-05 Kieninger & Obergfell Elektronische Uhr geringen Leistungsbedarfes
JPS49379B1 (ru) 1970-07-24 1974-01-07
FR2224790B1 (ru) 1973-04-03 1977-04-29 Cellophane Sa
US4040925A (en) 1974-05-02 1977-08-09 Scm Corporation Ultraviolet curing of electrocoating compositions
CH627612B (de) 1980-03-07 Bulova Watch Co Inc Elektronisches miniaturgeraet, insbesondere elektronische armbanduhr.
AU575040B2 (en) 1983-03-10 1988-07-21 Basf Corporation Epsilon-caprolactone modified acrylic polymers
DE3650278T2 (de) 1985-05-30 1995-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Verfahren zum Herstellen von Graphitfolien.
US4911992A (en) 1986-12-04 1990-03-27 Dow Corning Corporation Platinum or rhodium catalyzed multilayer ceramic coatings from hydrogen silsesquioxane resin and metal oxides
JPH04249379A (ja) 1991-02-05 1992-09-04 Taiyo Yuden Co Ltd 光起電力装置およびその製法
US5272017A (en) 1992-04-03 1993-12-21 General Motors Corporation Membrane-electrode assemblies for electrochemical cells
DE19647935C5 (de) 1996-11-20 2009-08-20 Ts Thermo Systeme Gmbh Elektrische Innenraumheizung für Wohnwagen
DE19815291B4 (de) 1998-04-06 2006-05-24 Ferro Gmbh Beschichtungszusammensetzung zur Herstellung von elektrisch leitfähigen Schichten
US6416818B1 (en) 1998-08-17 2002-07-09 Nanophase Technologies Corporation Compositions for forming transparent conductive nanoparticle coatings and process of preparation therefor
DE19946712A1 (de) 1999-09-29 2001-04-05 Inst Neue Mat Gemein Gmbh Verfahren und Zusammensetzungen zum Bedrucken von Substraten
EP1244168A1 (en) 2001-03-20 2002-09-25 Francois Sugnaux Mesoporous network electrode for electrochemical cell
US6689950B2 (en) * 2001-04-27 2004-02-10 The Boeing Company Paint solar cell and its fabrication
US6814795B2 (en) 2001-11-27 2004-11-09 Ferro Corporation Hot melt conductor paste composition
ZA200506095B (en) 2003-01-30 2006-10-25 Univ Cape Town A thin film semiconductor device and method of manufacturing a thin film semiconductor device
US7338620B2 (en) * 2004-03-17 2008-03-04 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polydioxythiophenes with polymeric acid colloids and a water-miscible organic liquid
JP4556232B2 (ja) * 2004-06-30 2010-10-06 日新電機株式会社 色素増感太陽電池及びその製造方法
WO2006076610A2 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation Controlling ink migration during the formation of printable electronic features
CN100365828C (zh) * 2005-06-09 2008-01-30 西安交通大学 聚合物太阳能电池的深亚微米三维异质结界面及制备方法
DE102005038392B4 (de) * 2005-08-09 2008-07-10 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zum Herstellen von Muster bildenden Kupferstrukturen auf einem Trägersubstrat
JP5021200B2 (ja) * 2005-11-08 2012-09-05 関西ペイント株式会社 Ｐ型半導体分散体、ｐ型半導体層、ｐｎ接合体及びエネルギー変換体
DE602007004150D1 (de) * 2006-08-11 2010-02-25 Ricoh Kk Pigmentdispersion, Tintenstrahltinte mit der Pigmentdispersion, Bilderzeugungsverfahren und Bilderzeugungsvorrichtung
KR20080026957A (ko) * 2006-09-22 2008-03-26 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
US20080182011A1 (en) 2007-01-26 2008-07-31 Ng Hou T Metal and metal oxide circuit element ink formulation and method
DE102007014608B4 (de) 2007-03-23 2017-04-06 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung eines porösen halbleitenden Films
US20080245413A1 (en) * 2007-04-04 2008-10-09 Hang Ruan Self assembled photovoltaic devices
US20080295884A1 (en) * 2007-05-29 2008-12-04 Sharma Pramod K Method of making a photovoltaic device or front substrate with barrier layer for use in same and resulting product
US8227691B2 (en) * 2007-10-31 2012-07-24 The Regents Of The University Of California Processing additives for fabricating organic photovoltaic cells
US8017458B2 (en) * 2008-01-31 2011-09-13 Northwestern University Solution-processed high mobility inorganic thin-film transistors
KR101426118B1 (ko) 2008-02-26 2014-08-05 데이진 고도레 가부시키가이샤 피혁형 시트 및 그 제조 방법
RU2391358C2 (ru) * 2008-03-13 2010-06-10 Учреждение Российской Академии Наук Объединенный Институт Высоких Температур Ран (Оивт Ран) Способ получения металлоуглеродных нанопокрытий
DE102008023882A1 (de) 2008-05-16 2009-11-19 Bayer Materialscience Ag Druckbare Zusammensetzung auf Basis von Silberpartikeln zur Erzeugung elektrisch leitfähiger Beschichtungen
CN102187469B (zh) * 2008-05-20 2015-03-25 布罗尼亚·措伊 电磁辐射转换器和电池
US20110217809A1 (en) * 2008-11-14 2011-09-08 Applied Nanotech Holdings, Inc. Inks and pastes for solar cell fabricaton
US8344243B2 (en) 2008-11-20 2013-01-01 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic cell using similar material junction
JP2010129619A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Kazufumi Ogawa シリコン微粒子を用いた太陽電池および光センサーとそれらの製造方法
JP5753534B2 (ja) * 2009-06-01 2015-07-22 住友化学株式会社 電子デバイス用の改良電極のための組成物
SG178410A1 (en) 2009-08-20 2012-04-27 Univ Nanyang Tech Integrated electrode architectures for energy generation and storage
US8906548B2 (en) 2009-10-07 2014-12-09 Miltec Corporation Actinic and electron beam radiation curable electrode binders and electrodes incorporating same
JP5727766B2 (ja) * 2009-12-10 2015-06-03 理想科学工業株式会社 導電性エマルジョンインク及びそれを用いた導電性薄膜の形成方法
DE102010030074A1 (de) * 2010-06-15 2011-12-15 Evonik Degussa Gmbh Kunststoff-Photovoltaik-Modul und Verfahren zu seiner Herstellung
WO2012000001A2 (de) 2010-07-01 2012-01-05 Psw Systems Ag Speicher
DE102011080745A1 (de) 2010-08-17 2012-02-23 Chemetall Gmbh Verfahren zur metallischen Beschichtung von metallischen Oberflächen durch stromloses Verkupfern
US9530925B2 (en) * 2010-10-19 2016-12-27 Air Products And Chemicals, Inc. Conductive composition and method for making conductive features on thin film PV cells
US20140027774A1 (en) * 2011-07-15 2014-01-30 Sionyx, Inc. Laser Processed Photovoltaic Devices and Associated Methods
CN102956826B (zh) * 2011-08-29 2016-08-03 海洋王照明科技股份有限公司 聚合物太阳能电池及其制备方法
KR101251841B1 (ko) * 2011-11-28 2013-04-09 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
EP2812923B1 (en) * 2012-02-10 2019-11-27 Lockheed Martin Corporation Photovoltaic cells having electrical contacts formed from metal nanoparticles and methods for production thereof
WO2014019560A1 (de) 2012-08-02 2014-02-06 Dynamic Solar Systems Inc. Verbesserte schichtsolarzelle
DE102012022606B4 (de) * 2012-11-19 2023-08-10 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Partikuläres Elektrodenmaterial mit einer Beschichtung aus einem kristallinen anorganischen Material und einem anorganisch-organischen Hybridpolymer und Verfahren zu dessen Herstellung
US20140161972A1 (en) * 2012-12-09 2014-06-12 National Sun Yat-Sen University Method for forming conductive film at room temperature
US9570694B2 (en) * 2013-01-28 2017-02-14 Aneeve Llc All printed and transparent CNT TFT
CN103214340B (zh) 2013-04-24 2015-03-11 南京邮电大学 蝶烯类有机纳米材料及制备方法
US9634161B2 (en) * 2013-05-01 2017-04-25 Delaware State University Nanoscale precursors for synthesis of Fe2(Si,Ge)(S,Se)4 crystalline particles and layers
CN103293600B (zh) 2013-06-26 2015-01-28 南京邮电大学 利用分子链取向形成平面光波导及光耦合器的方法
US10840400B2 (en) * 2013-08-29 2020-11-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photovoltaic device with back reflector
US9761742B2 (en) 2013-12-03 2017-09-12 E I Du Pont De Nemours And Company Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith
US20150228815A1 (en) * 2014-02-12 2015-08-13 Tsmc Solar Ltd. High efficiency solar cells with micro lenses and method for forming the same
CN103839605B (zh) 2014-02-26 2016-04-13 华中科技大学 一种导电浆料及其制备方法和应用
KR102373812B1 (ko) * 2014-03-12 2022-03-11 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전자 조성물 및 이의 장치
US20150287843A1 (en) * 2014-04-03 2015-10-08 Tsmc Solar Ltd. Solar cell with dielectric layer
TW201442271A (zh) 2014-07-08 2014-11-01 Tropica Solar Photovoltaic Company 彩色列印太陽能電池模組封裝結構之製法及其裝置
CN107466422B (zh) 2015-02-26 2021-03-19 动态太阳能系统公司 通过室温方法获得pv膜结构以及用于生产pv膜结构的室温方法
DE102016103432A1 (de) 2015-02-26 2016-09-01 Dynamic Solar Systems Ag Raumtemperatur-Verfahren zur Herstellung elektrotechnischer Dünnschichten und elektrotechnische Dünnschicht

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018509762A (ja) 2018-04-05
CN107466422B (zh) 2021-03-19
WO2016134703A1 (de) 2016-09-01
JP2021177552A (ja) 2021-11-11
BR112017018306B1 (pt) 2023-01-10
EP3262675A1 (de) 2018-01-03
RU2017131197A3 (ru) 2019-06-20
CN107533950B (zh) 2022-02-11
JP2023067932A (ja) 2023-05-16
US11935976B2 (en) 2024-03-19
RU2017131189A (ru) 2019-03-28
US20180040432A1 (en) 2018-02-08
CN107533950A (zh) 2018-01-02
EP3262673A1 (de) 2018-01-03
US20220052214A1 (en) 2022-02-17
WO2016134704A1 (de) 2016-09-01
JP2018521443A (ja) 2018-08-02
US20180040751A1 (en) 2018-02-08
BR112017018306A2 (pt) 2018-04-17
RU2017131189A3 (ru) 2019-07-17
DE102016002213A1 (de) 2016-11-03
CN107466422A (zh) 2017-12-12
RU2698739C2 (ru) 2019-08-29
RU2732867C2 (ru) 2020-09-24
JP2021177549A (ja) 2021-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2017131197A (ru) Способ получения электротехнических тонких пленок при комнатной температуре и последовательность тонких слоев, полученная при помощи указанного способа
Lim et al. A mini review: can graphene be a novel material for perovskite solar cell applications?
Zheng et al. Stable and strong emission CsPbBr3 quantum dots by surface engineering for high-performance optoelectronic films
Chen et al. Flexible optoelectronic devices based on metal halide perovskites
Meyer et al. Metal oxide induced charge transfer doping and band alignment of graphene electrodes for efficient organic light emitting diodes
Chen et al. Efficient flexible inorganic perovskite light-emitting diodes fabricated with CsPbBr3 emitters prepared via low-temperature in situ dynamic thermal crystallization
Huynh et al. Ligand-assisted sulfide surface treatment of CsPbI3 perovskite quantum dots to increase photoluminescence and recovery
Cai et al. The n-type conduction of indium-doped Cu2O thin films fabricated by direct current magnetron co-sputtering
Le et al. Structural investigation of cesium lead halide perovskites for high-efficiency quantum dot light-emitting diodes
Liu et al. Synthesis and optical applications of low dimensional metal-halide perovskites
Xu et al. Engineering bandgap of CsPbI3 over 1.7 eV with enhanced stability and transport properties
Su et al. First-principles study on the structure, Electronic, and Optical Properties of Cs2AgBiBr6-xCl x Mixed-Halide double perovskites
US20140342142A1 (en) Graphene transparent conductive film
TW200735126A (en) Method of manufacture of semiconductor device and conductive compositions used therein
JP7391600B2 (ja) 光電変換素子
Cao et al. Mixed-dimensional MXene-based composite electrodes enable mechanically stable and efficient flexible perovskite light-emitting diodes
Kumar et al. Modification of optical and electrical properties of zinc oxide-coated porous silicon nanostructures induced by swift heavy ion
Lee et al. Sputtering of TiO2 for high-efficiency perovskite and 23.1% perovskite/silicon 4-terminal tandem solar cells
Chen et al. Hydrochromic CsPbBr3-KBr microcrystals for flexible anti-counterfeiting and wearable self-powered biomechanical monitoring
JP2008124445A5 (ru)
Lei et al. Ductile‐Metal Ag as Buffer Layer for Flexible Self‐Powered Ag2S Photodetectors
WO2018056312A1 (ja) ペロブスカイト太陽電池
Zhu et al. Solid-state white light-emitting diodes based on 3D-printed CsPbX3-resin color conversion layers
Wang et al. Cs0. 05 (FA0. 85MA0. 15) 0.95 Pb (I0. 85Br0. 15) 3 based flexible perovskite light-emitting devices with excellent mechanical bending durability
Singh Simulation, fabrication, and characterization of Al-doped ZnO-based ultraviolet photodetectors