RU2017131189A - Пленочная PV-структура, полученная с помощью осуществляемого при комнатной температуре способа, и осуществляемый при комнатной температуре способ получения пленочной PV-структуры - Google Patents

Пленочная PV-структура, полученная с помощью осуществляемого при комнатной температуре способа, и осуществляемый при комнатной температуре способ получения пленочной PV-структуры Download PDF

Info

Publication number
RU2017131189A
RU2017131189A RU2017131189A RU2017131189A RU2017131189A RU 2017131189 A RU2017131189 A RU 2017131189A RU 2017131189 A RU2017131189 A RU 2017131189A RU 2017131189 A RU2017131189 A RU 2017131189A RU 2017131189 A RU2017131189 A RU 2017131189A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
agglomerates
layer
sequence
component
conductive
Prior art date
Application number
RU2017131189A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2017131189A3 (ru
RU2698739C2 (ru
Inventor
Патрик ЛИНДЕР
Даниль ЛИНДЕР
Original Assignee
Дайнемик Солар Системс Аг
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Дайнемик Солар Системс Аг filed Critical Дайнемик Солар Системс Аг
Publication of RU2017131189A publication Critical patent/RU2017131189A/ru
Publication of RU2017131189A3 publication Critical patent/RU2017131189A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2698739C2 publication Critical patent/RU2698739C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02422—Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2004—Light-sensitive devices characterised by the electrolyte, e.g. comprising an organic electrolyte
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2004—Light-sensitive devices characterised by the electrolyte, e.g. comprising an organic electrolyte
    • H01G9/2009—Solid electrolytes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2095—Light-sensitive devices comprising a flexible sustrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02587—Structure
    • H01L21/0259—Microstructure
    • H01L21/02601—Nanoparticles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02623—Liquid deposition
    • H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03926—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate comprising a flexible substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H01L31/0463—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate characterised by special patterning methods to connect the PV cells in a module, e.g. laser cutting of the conductive or active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Hybrid Cells (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)

Claims (38)

1. Последовательность PV-слоев, полученная с помощью осуществляемого при комнатной температуре способа, при котором
- последовательность PV-слоев наносили посредством печати при комнатной температуре с помощью непрерывного способа печати в виде последовательности тонких слоев, содержащих по меньшей мере контактные электроды,
- по меньшей мере один водный раствор и/или смесь, содержащие электропроводящие и/или полупроводящие неорганические агломераты, наносили посредством печати и посредством сопутствующей химической реакции отверждали с получением PV-активного слоя, причем, в свою очередь,
- в ходе реакции в последовательности PV-слоев образовывались наноразмерные структуры, предусматривающие по меньшей мере одну структуру, выбранную из группы, состоящей из цепей, сетей, сетей-трубочек, вакансий, пор.
2. Последовательность тонких слоев, имеющая последовательность PV-слоев по предыдущему пункту, содержащая PV-активный слой, который в диапазоне от длинноволновой области спектра до видимой области спектра, предпочтительно в области спектра выше 1200 нм, особенно предпочтительно в диапазоне от 1500 нм до 4000 нм, генерирует по меньшей мере 4% своего напряжения холостого хода, предпочтительно от 5% до 18% своего напряжения холостого хода, особенно предпочтительно 10 +- 4% своего напряжения холостого хода.
3. Последовательность тонких слоев, имеющая последовательность PV-слоев по любому из двух предыдущих пунктов, отличающаяся тем, что завершенная последовательность тонких слоев
- не содержит летучих органических компонентов, не содержит токсичных тяжелых металлов, предпочтительно не содержит селена, мышьяка, свинца, кадмия, индия, галлия в виде добавки или легирующей добавки,
- последовательность PV-слоев обладает эффективностью в земных условиях по меньшей мере 10 +- 4%,
- последовательность PV-слоев выполнена с возможностью наложения поверх бумагоподобного гибкого носителя.
4. Осуществляемый при комнатной температуре способ получения электротехнических тонких слоев, в частности, способ получения последовательностей тонких слоев по предыдущим пунктам, при котором электропроводящие и/или полупроводящие неорганические агломераты обеспечивают в дисперсии на поверхности и отверждают с получением слоя, отличающийся тем, что:
- отверждение осуществляют при комнатной температуре и
- отверждение ускоряют посредством воздействия по меньшей мере одним реагентом;
- формируют последовательность PV-слоев.
5. Способ по предыдущему пункту, отличающийся тем, что PV-активный слой формируют на несущем слое, на который жидкотекучую смесь или раствор помещают, тонким слоем наносят, предпочтительно наносят посредством печати, и в конечном итоге отверждают посредством сопутствующей реакции, которую осуществляют с помощью по меньшей мере одного средства, при этом по меньшей мере одно средство выбрано из группы, состоящей из воздействия УФ-излучения, воздействия CO2, воздействия кислых газов, воздействия основных газов, воздействия окислительных газов, воздействия восстановительных газов, воздействия хлорангидридов, воздействия растворов мочевины, воздействия дисперсии металлов, воздействия карбонилов металлов, воздействия металлокомплексных соединений, воздействия металлосодержащих соединений, воздействия солей металлов, воздействия воды, воздействия осушающих веществ, воздействия сушильного газа, воздействия инертного газа, воздействия осушающего воздуха.
6. Способ по п. 4 или 5, отличающийся тем, что PV-активный слой по меньшей мере частично располагают на несущем слое, имеющем по меньшей мере одну область, содержащую по меньшей мере один слой, выбранный из группы, состоящей из проводящего медного слоя, проводящего слоя из агломерата на основе графита, проводящего слоя из агломерата на основе серебра, проводящего слоя из агломерата на основе золота, проводящего слоя из агломерата на основе оксида металла, проводящего слоя из агломерата на основе стекла, проводящего графенового слоя, проводящего CNT-слоя, проводящего SWCNT-слоя, проводящего MWCNT-слоя.
7. Способ по любому из пп. 4-6, отличающийся тем, что способ осуществляют в печатной машине.
8. Способ по любому из пп. 4-7, отличающийся тем, что PV-активный слой содержит неорганическую матрицу с взаимопроникающей органической сетью.
9. Способ по п. 8, отличающийся тем, что неорганическая матрица содержит по меньшей мере один тип агломерата, предпочтительно агломерат окисленного типа, выбранный из группы, состоящей из агломератов на основе диоксида кремния, основных агломератов на основе диоксида кремния, кислотных агломератов на основе диоксида кремния, агломератов на основе натриевого жидкого стекла, агломератов на основе калиевого жидкого стекла, агломератов на основе брома, агломератов на основе йода, агломератов на основе галогена, агломератов на основе углерода, агломератов на основе кремния, агломератов на основе германия, агломератов на основе олова, агломератов на основе свинца, агломератов на основе бора, агломератов на основе алюминия, агломератов на основе галлия, агломератов на основе индия, агломератов на основе фосфора, агломератов на основе мышьяка, агломератов на основе сурьмы, агломератов на основе серы, агломератов на основе селена, агломератов на основе теллура, агломератов на основе висмута.
10. Способ по п. 8 или 9, отличающийся тем, что органическая матрица содержит по меньшей мере один сшитый компонент, выбранный из группы, состоящей из полиамидного компонента, полиакрилатного компонента, полиольного компонента, полиэфирного компонента, полигексозного компонента, полиаминокислотного компонента, способного к набуханию полигексозного компонента, экстракта красных водорослей, агара, кукурузного крахмала, картофельного крахмала, крахмала, каррагенана, трагаканта, способного к набуханию полисахарида, аравийской камеди, альгинатов, пектина, способного к набуханию полипептида, желатина, карбоксиметилцеллюлозы, гидроксиэтилцеллюлозы, полиакрилатов, поликарбоновых кислот, полиэфиров, полиамидов, полиимидов, кремнийорганического соединения, содержащего полимеризуемую боковую группу на основе метилакриловой кислоты, органосилоксана.
11. Способ по любому из пп. 4-10, отличающийся тем, что в качестве сопутствующей реакции осуществляют по меньшей мере одну реакцию, которая выбрана из группы, состоящей из окисления галогеном, окисления под воздействием УФ-излучения, окисления под воздействием УФ-излучения с длинами волн менее 385 нм, окисления под воздействием УФ-излучения дейтериевой лампы, окисления под воздействием УФ-излучения УФ-LED при 365 нм, окисления атмосферным кислородом, окисления под воздействием УФ-излучения ртутной газоразрядной лампы, окисления под воздействием УФ-излучения с длинами волн приблизительно 254 нм, окисления под воздействием УФ-излучения с длинами волн приблизительно 185 нм, сшивания и окисления под воздействием УФ-излучения, высвобождения органических кислот при конденсации, высвобождения органических спиртов при конденсации, высвобождения спиртов при образовании оксидов.
12. Способ по любому из пп. 4-11, отличающийся тем, что перед отверждением или при отверждении вводят наноразмерные полиионы, причем полиионы предусматривают по меньшей мере один тип полиионов, выбранный из группы, состоящей из ионов полигалогенидов, ионов интергалогенидов, ионов полисульфидов, ионов полийод-йодида, ионов сопряженного углерода, ионов графена, CNT-ионов.
13. Способ по п. 12, отличающийся тем, что длина полиионов, предпочтительно цепочечного типа, отрегулирована до средней длины цепи.
14. Способ по любому из пп. 4-13, отличающийся тем, что PV-активный слой содержит по меньшей мере частично некоторый тип несущей молекулы, при этом несущая молекула выбрана из группы, состоящей из акцептирующих ионы каркасных полимеров, акцептирующих ионы лития каркасных полимеров, ионообменных смол, ионообменных полимеров, ионообменных стекол, галоген-ионообменных стекол, галоген-ионообменных силикатов, йодофоров.
15. Способ по любому из пп. 4-14, отличающийся тем, что PV-активный слой содержит по меньшей мере один дополнительный сенсибилизатор.
16. Способ по любому из пп. 4-15, отличающийся тем, что соответствующая реакция в отношении PV-активного слоя, нанесенного на проводящий компонент, предусматривает поверхностное окисление металлического компонента.
17. Способ по п. 16, отличающийся тем, что окисление включает по меньшей мере одну реакцию, выбранную из группы, состоящей из образования CuI в компоненте из медных частиц, образования Cu2O в компоненте из медных частиц, образования Ag2O в проводящем компоненте, образования ZnS в металлическом компоненте, образования SnO в металлическом компоненте, образования соединений, представляющих собой оксид титана(IV), в проводящем компоненте, образования соединений, представляющих собой оксид титана(IV), с примесью оксида низковалентного металла.
18. Осуществляемый при комнатной температуре способ получения последовательности электротехнических PV-активных тонких слоев по любому из пп. 4-17, при котором электропроводящие и/или полупроводящие неорганические агломераты обеспечивают в дисперсии на поверхности и отверждают с получением слоя, отличающийся тем, что:
- отверждение осуществляют при комнатной температуре, отверждение ускоряют посредством воздействия по меньшей мере одним реагентом,
- способ осуществляют в печатной машине,
- формируют последовательность PV-слоев, при этом, в свою очередь,
- PV-активный слой формируют на несущем слое, на который помещают жидкотекучую водную смесь или раствор,
- смесь или раствор содержит по меньшей мере один тип неорганического агломерата, который выбран из группы, состоящей из агломератов на основе диоксида кремния, основных агломератов на основе диоксида кремния, кислотных агломератов на основе диоксида кремния, агломератов на основе натриевого жидкого стекла, агломератов на основе калиевого жидкого стекла, агломератов на основе галогена, агломератов на основе йода, предпочтительно из комбинации агломерата на основе диоксида кремния, имеющего отрегулированное значение рН, и агломерата на основе галогена,
- при этом смесь или раствор содержит в качестве дополнительного составляющего компонента по меньшей мере один сшиваемый органический компонент, сшиваемый фрагмент которого предусматривает по меньшей мере один фрагмент, выбранный из группы, состоящей из лактамного фрагмента, акрилового фрагмента, полисахаридного фрагмента, кремнийорганического соединения, содержащего полимеризуемую боковую группу на основе метакриловой кислоты, органосилоксана, органосилилацетата, и
- смесь или раствор наносят посредством способа печати тонким слоем и в конечном итоге отверждают посредством сопутствующей реакции, осуществляемой с помощью воздействия УФ-излучения и воздействия сушильного газа, причем PV-активный слой образует неорганическую матрицу с взаимопроникающей органической сетью.
19. Осуществляемый при комнатной температуре способ получения последовательности электротехнических PV-активных тонких слоев по любому из пп. 4-18, при котором электропроводящие и/или полупроводящие неорганические агломераты обеспечивают в дисперсии на поверхности и отверждают с получением слоя, отличающийся тем, что:
- формируют последовательность PV-слоев в печатной машине, при этом, в свою очередь,
- формируют PV-активный слой на несущем слое, на который помещают жидкотекучую водную смесь или раствор,
- составляют смесь или раствор со взаимно реагирующими компонентами, наносят посредством печати тонким слоем и в конечном итоге отверждают путем продолжения реакции, причем PV-активный слой образует неорганическую матрицу с взаимопроникающей органической сетью, содержащей образующие поперечные связи связующие мостики.
RU2017131189A 2015-02-26 2016-02-26 Пленочная PV-структура, полученная с помощью осуществляемого при комнатной температуре способа, и осуществляемый при комнатной температуре способ получения пленочной PV-структуры RU2698739C2 (ru)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015102801.8 2015-02-26
DE102015102801 2015-02-26
DE102015015435 2015-12-02
DE102015015435.4 2015-12-02
DE102015015600 2015-12-06
DE102015015600.4 2015-12-06
PCT/DE2016/100084 WO2016134704A1 (de) 2015-02-26 2016-02-26 Pv-schichtfolge erhalten durch ein raumtemperatur-verfahren und raumtemperatur-verfahren zur herstellung einer pv-schichtfolge

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2017131189A true RU2017131189A (ru) 2019-03-28
RU2017131189A3 RU2017131189A3 (ru) 2019-07-17
RU2698739C2 RU2698739C2 (ru) 2019-08-29

Family

ID=55701647

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017131197A RU2732867C2 (ru) 2015-02-26 2016-02-26 Способ получения последовательности pv-слоев и последовательность pv-слоев, полученная этим способом
RU2017131189A RU2698739C2 (ru) 2015-02-26 2016-02-26 Пленочная PV-структура, полученная с помощью осуществляемого при комнатной температуре способа, и осуществляемый при комнатной температуре способ получения пленочной PV-структуры

Family Applications Before (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017131197A RU2732867C2 (ru) 2015-02-26 2016-02-26 Способ получения последовательности pv-слоев и последовательность pv-слоев, полученная этим способом

Country Status (8)

Country Link
US (3) US20180040751A1 (ru)
EP (2) EP3262675A1 (ru)
JP (5) JP2018509762A (ru)
CN (2) CN107466422B (ru)
BR (1) BR112017018306B1 (ru)
DE (1) DE102016002213A1 (ru)
RU (2) RU2732867C2 (ru)
WO (2) WO2016134703A1 (ru)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107466422B (zh) 2015-02-26 2021-03-19 动态太阳能系统公司 通过室温方法获得pv膜结构以及用于生产pv膜结构的室温方法
JP2019522382A (ja) 2016-07-12 2019-08-08 ダイナミック ソーラー システムズ アクツィエンゲゼルシャフトＤｙｎａｍｉｃ Ｓｏｌａｒ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ａｇ Ｐｖ層シーケンスを作り出すための室温印刷方法およびこの方法を使用して得られるｐｖ層シーケンス
DE202017001454U1 (de) 2017-03-19 2017-06-22 Dynamic Solar Systems Ag Geregelte, gedruckte Heizung
DE102017002623A1 (de) 2017-03-20 2018-09-20 Reinhold Gregarek Verbessertes tribostatisches I-I-P-Verfahren, tribostatische Pulverdüse und Verwendung zur Herstellung elektrotechnischer Mehrschichtverbunde
DE202017002209U1 (de) 2017-04-27 2017-06-21 Dynamic Solar Systems Ag Gedruckte Elektrode mit arrangierbaren LED-Komponenten
DE202017002725U1 (de) 2017-05-23 2017-06-13 Dynamic Solar Systems Ag Heizpanel mit gedruckter Heizung
DE102020003811A1 (de) 2020-06-25 2021-12-30 Dynamic Solar Systems Ag Fußbodenheizungs-System mit verbessertem Schichtaufbau
DE102022114036A1 (de) 2022-06-02 2023-12-07 Glasfabrik Lamberts GmbH + Co. KG. Multifunktionale Profilbauglasbahn und diese enthaltende Profilbauglasanordnung

Family Cites Families (73)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE266693C (ru)
AT36002B (de) 1906-12-24 1909-01-25 Westinghouse Electric Corp Kollektor.
DE390400C (de) 1921-03-04 1924-02-20 Robert Woolridge Reynolds Verfahren zur Herstellung von elektrischen Heizwiderstaenden aus einer Mischung von Graphit und Wasserglas
DE410375C (de) 1923-02-04 1925-03-05 Robert Woolridge Reynolds Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Heizwiderstandsschicht aus Silikatniederschlaegen, Graphit und Alkalisilikaten
DE839396C (de) 1949-04-03 1952-05-19 Heraeus Schott Quarzschmelze Waermestrahler, insbesondere fuer Zwecke der Therapie
DE1446978C3 (de) 1959-10-29 1974-10-31 Bulten-Kanthal Ab, Hallstahammar (Schweden) Warmfester, langgestreckter, stab- oder rohrförmiger Körper mit Siliciumcarbidgerüst und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2004076A1 (de) 1970-01-30 1971-08-05 Kieninger & Obergfell Elektronische Uhr geringen Leistungsbedarfes
JPS49379B1 (ru) 1970-07-24 1974-01-07
FR2224790B1 (ru) 1973-04-03 1977-04-29 Cellophane Sa
US4040925A (en) 1974-05-02 1977-08-09 Scm Corporation Ultraviolet curing of electrocoating compositions
CH627612B (de) 1980-03-07 Bulova Watch Co Inc Elektronisches miniaturgeraet, insbesondere elektronische armbanduhr.
AU575040B2 (en) 1983-03-10 1988-07-21 Basf Corporation Epsilon-caprolactone modified acrylic polymers
DE3650278T2 (de) 1985-05-30 1995-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Verfahren zum Herstellen von Graphitfolien.
US4911992A (en) 1986-12-04 1990-03-27 Dow Corning Corporation Platinum or rhodium catalyzed multilayer ceramic coatings from hydrogen silsesquioxane resin and metal oxides
JPH04249379A (ja) 1991-02-05 1992-09-04 Taiyo Yuden Co Ltd 光起電力装置およびその製法
US5272017A (en) 1992-04-03 1993-12-21 General Motors Corporation Membrane-electrode assemblies for electrochemical cells
DE19647935C5 (de) 1996-11-20 2009-08-20 Ts Thermo Systeme Gmbh Elektrische Innenraumheizung für Wohnwagen
DE19815291B4 (de) 1998-04-06 2006-05-24 Ferro Gmbh Beschichtungszusammensetzung zur Herstellung von elektrisch leitfähigen Schichten
US6416818B1 (en) 1998-08-17 2002-07-09 Nanophase Technologies Corporation Compositions for forming transparent conductive nanoparticle coatings and process of preparation therefor
DE19946712A1 (de) 1999-09-29 2001-04-05 Inst Neue Mat Gemein Gmbh Verfahren und Zusammensetzungen zum Bedrucken von Substraten
EP1244168A1 (en) 2001-03-20 2002-09-25 Francois Sugnaux Mesoporous network electrode for electrochemical cell
US6689950B2 (en) * 2001-04-27 2004-02-10 The Boeing Company Paint solar cell and its fabrication
US6814795B2 (en) 2001-11-27 2004-11-09 Ferro Corporation Hot melt conductor paste composition
ZA200506095B (en) 2003-01-30 2006-10-25 Univ Cape Town A thin film semiconductor device and method of manufacturing a thin film semiconductor device
US7338620B2 (en) * 2004-03-17 2008-03-04 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polydioxythiophenes with polymeric acid colloids and a water-miscible organic liquid
JP4556232B2 (ja) * 2004-06-30 2010-10-06 日新電機株式会社 色素増感太陽電池及びその製造方法
WO2006076610A2 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation Controlling ink migration during the formation of printable electronic features
CN100365828C (zh) * 2005-06-09 2008-01-30 西安交通大学 聚合物太阳能电池的深亚微米三维异质结界面及制备方法
DE102005038392B4 (de) * 2005-08-09 2008-07-10 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zum Herstellen von Muster bildenden Kupferstrukturen auf einem Trägersubstrat
JP5021200B2 (ja) * 2005-11-08 2012-09-05 関西ペイント株式会社 Ｐ型半導体分散体、ｐ型半導体層、ｐｎ接合体及びエネルギー変換体
DE602007004150D1 (de) * 2006-08-11 2010-02-25 Ricoh Kk Pigmentdispersion, Tintenstrahltinte mit der Pigmentdispersion, Bilderzeugungsverfahren und Bilderzeugungsvorrichtung
KR20080026957A (ko) * 2006-09-22 2008-03-26 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
US20080182011A1 (en) 2007-01-26 2008-07-31 Ng Hou T Metal and metal oxide circuit element ink formulation and method
DE102007014608B4 (de) 2007-03-23 2017-04-06 Evonik Degussa Gmbh Verfahren zur Herstellung eines porösen halbleitenden Films
US20080245413A1 (en) * 2007-04-04 2008-10-09 Hang Ruan Self assembled photovoltaic devices
US20080295884A1 (en) * 2007-05-29 2008-12-04 Sharma Pramod K Method of making a photovoltaic device or front substrate with barrier layer for use in same and resulting product
US8227691B2 (en) * 2007-10-31 2012-07-24 The Regents Of The University Of California Processing additives for fabricating organic photovoltaic cells
US8017458B2 (en) * 2008-01-31 2011-09-13 Northwestern University Solution-processed high mobility inorganic thin-film transistors
KR101426118B1 (ko) 2008-02-26 2014-08-05 데이진 고도레 가부시키가이샤 피혁형 시트 및 그 제조 방법
RU2391358C2 (ru) * 2008-03-13 2010-06-10 Учреждение Российской Академии Наук Объединенный Институт Высоких Температур Ран (Оивт Ран) Способ получения металлоуглеродных нанопокрытий
DE102008023882A1 (de) 2008-05-16 2009-11-19 Bayer Materialscience Ag Druckbare Zusammensetzung auf Basis von Silberpartikeln zur Erzeugung elektrisch leitfähiger Beschichtungen
CN102187469B (zh) * 2008-05-20 2015-03-25 布罗尼亚·措伊 电磁辐射转换器和电池
US20110217809A1 (en) * 2008-11-14 2011-09-08 Applied Nanotech Holdings, Inc. Inks and pastes for solar cell fabricaton
US8344243B2 (en) 2008-11-20 2013-01-01 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic cell using similar material junction
JP2010129619A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Kazufumi Ogawa シリコン微粒子を用いた太陽電池および光センサーとそれらの製造方法
JP5753534B2 (ja) * 2009-06-01 2015-07-22 住友化学株式会社 電子デバイス用の改良電極のための組成物
SG178410A1 (en) 2009-08-20 2012-04-27 Univ Nanyang Tech Integrated electrode architectures for energy generation and storage
US8906548B2 (en) 2009-10-07 2014-12-09 Miltec Corporation Actinic and electron beam radiation curable electrode binders and electrodes incorporating same
JP5727766B2 (ja) * 2009-12-10 2015-06-03 理想科学工業株式会社 導電性エマルジョンインク及びそれを用いた導電性薄膜の形成方法
DE102010030074A1 (de) * 2010-06-15 2011-12-15 Evonik Degussa Gmbh Kunststoff-Photovoltaik-Modul und Verfahren zu seiner Herstellung
WO2012000001A2 (de) 2010-07-01 2012-01-05 Psw Systems Ag Speicher
DE102011080745A1 (de) 2010-08-17 2012-02-23 Chemetall Gmbh Verfahren zur metallischen Beschichtung von metallischen Oberflächen durch stromloses Verkupfern
US9530925B2 (en) * 2010-10-19 2016-12-27 Air Products And Chemicals, Inc. Conductive composition and method for making conductive features on thin film PV cells
US20140027774A1 (en) * 2011-07-15 2014-01-30 Sionyx, Inc. Laser Processed Photovoltaic Devices and Associated Methods
CN102956826B (zh) * 2011-08-29 2016-08-03 海洋王照明科技股份有限公司 聚合物太阳能电池及其制备方法
KR101251841B1 (ko) * 2011-11-28 2013-04-09 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
EP2812923B1 (en) * 2012-02-10 2019-11-27 Lockheed Martin Corporation Photovoltaic cells having electrical contacts formed from metal nanoparticles and methods for production thereof
WO2014019560A1 (de) 2012-08-02 2014-02-06 Dynamic Solar Systems Inc. Verbesserte schichtsolarzelle
DE102012022606B4 (de) * 2012-11-19 2023-08-10 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Partikuläres Elektrodenmaterial mit einer Beschichtung aus einem kristallinen anorganischen Material und einem anorganisch-organischen Hybridpolymer und Verfahren zu dessen Herstellung
US20140161972A1 (en) * 2012-12-09 2014-06-12 National Sun Yat-Sen University Method for forming conductive film at room temperature
US9570694B2 (en) * 2013-01-28 2017-02-14 Aneeve Llc All printed and transparent CNT TFT
CN103214340B (zh) 2013-04-24 2015-03-11 南京邮电大学 蝶烯类有机纳米材料及制备方法
US9634161B2 (en) * 2013-05-01 2017-04-25 Delaware State University Nanoscale precursors for synthesis of Fe2(Si,Ge)(S,Se)4 crystalline particles and layers
CN103293600B (zh) 2013-06-26 2015-01-28 南京邮电大学 利用分子链取向形成平面光波导及光耦合器的方法
US10840400B2 (en) * 2013-08-29 2020-11-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photovoltaic device with back reflector
US9761742B2 (en) 2013-12-03 2017-09-12 E I Du Pont De Nemours And Company Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith
US20150228815A1 (en) * 2014-02-12 2015-08-13 Tsmc Solar Ltd. High efficiency solar cells with micro lenses and method for forming the same
CN103839605B (zh) 2014-02-26 2016-04-13 华中科技大学 一种导电浆料及其制备方法和应用
KR102373812B1 (ko) * 2014-03-12 2022-03-11 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전자 조성물 및 이의 장치
US20150287843A1 (en) * 2014-04-03 2015-10-08 Tsmc Solar Ltd. Solar cell with dielectric layer
TW201442271A (zh) 2014-07-08 2014-11-01 Tropica Solar Photovoltaic Company 彩色列印太陽能電池模組封裝結構之製法及其裝置
CN107466422B (zh) 2015-02-26 2021-03-19 动态太阳能系统公司 通过室温方法获得pv膜结构以及用于生产pv膜结构的室温方法
DE102016103432A1 (de) 2015-02-26 2016-09-01 Dynamic Solar Systems Ag Raumtemperatur-Verfahren zur Herstellung elektrotechnischer Dünnschichten und elektrotechnische Dünnschicht

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018509762A (ja) 2018-04-05
CN107466422B (zh) 2021-03-19
WO2016134703A1 (de) 2016-09-01
JP2021177552A (ja) 2021-11-11
BR112017018306B1 (pt) 2023-01-10
EP3262675A1 (de) 2018-01-03
RU2017131197A3 (ru) 2019-06-20
CN107533950B (zh) 2022-02-11
JP2023067932A (ja) 2023-05-16
US11935976B2 (en) 2024-03-19
US20180040432A1 (en) 2018-02-08
CN107533950A (zh) 2018-01-02
EP3262673A1 (de) 2018-01-03
US20220052214A1 (en) 2022-02-17
WO2016134704A1 (de) 2016-09-01
JP2018521443A (ja) 2018-08-02
RU2017131197A (ru) 2019-03-28
US20180040751A1 (en) 2018-02-08
BR112017018306A2 (pt) 2018-04-17
RU2017131189A3 (ru) 2019-07-17
DE102016002213A1 (de) 2016-11-03
CN107466422A (zh) 2017-12-12
RU2698739C2 (ru) 2019-08-29
RU2732867C2 (ru) 2020-09-24
JP2021177549A (ja) 2021-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2017131189A (ru) Пленочная PV-структура, полученная с помощью осуществляемого при комнатной температуре способа, и осуществляемый при комнатной температуре способ получения пленочной PV-структуры
JP6953587B2 (ja) 空気中で安定な表面不動態化ペロブスカイト量子ドット（ｑｄ）、このｑｄを作製する方法及びこのｑｄを使用する方法
Li et al. Sulfonated graphene aerogels enable safe‐to‐use flexible perovskite solar modules
Bi et al. Improved stability and photodetector performance of CsPbI3 perovskite quantum dots by ligand exchange with aminoethanethiol
Kim et al. Alkali acetate-assisted enhanced electronic coupling in CsPbI3 perovskite quantum dot solids for improved photovoltaics
Leijtens et al. Mechanism of tin oxidation and stabilization by lead substitution in tin halide perovskites
Bera et al. Limiting heterovalent B-site doping in CsPbI3 nanocrystals: phase and optical stability
Wang et al. Recent advances and perspectives of photostability for halide perovskite solar cells
Liu et al. Emerging chemistry in enhancing the chemical and photochemical stabilities of fused‐ring electron acceptors in organic solar cells
Lee et al. Small molecule approach to passivate undercoordinated ions in perovskite light emitting diodes: progress and challenges
TW201230075A (en) Transparent electrically conductive film, method for manufacturing transparent electrically conductive film, photoelectric conversion device and electronic equipment
JP2011501866A5 (ru)
JP2009536911A5 (ru)
AU2016213091A1 (en) Solar cell and solar cell manufacturing method
JP7088837B2 (ja) 太陽電池
Ibrahim et al. Humidity-resistant perovskite solar cells via the incorporation of halogenated graphene particles
Udalova et al. New aspects of copper electrode metamorphosis in perovskite solar cells
CN102408644A (zh) 一种碳纳米管/聚合物/半导体纳米粒子复合材料及其制备方法
Ray et al. Synthesis of highly stable double-coated Zn-doped cesium lead bromide nanocrystals for indium ion detection in water
Dang et al. Low temperature fabrication of hybrid solar cells using co-sensitizer of perovskite and lead sulfide nanoparticles
JP2021170605A (ja) 光電変換素子
Mondal et al. Nanometer-thick [(FPEA) 2 PbX 4; X= I and Br] 2D halide perovskite based thin films for pollutant detection and nonconventional photocatalytic degradation
TW201428775A (zh) 用於透明導體之銅基奈米線的加工方法
CN113348565A (zh) 钙钛矿光电转换元件用电荷传输性组合物
JP2020167329A (ja) 光電変換素子及びその製造方法