JP2021177552A - 室温法によるｐｖフィルム構造の入手およびｐｖフィルム構造の室温製造法 - Google Patents

室温法によるｐｖフィルム構造の入手およびｐｖフィルム構造の室温製造法 Download PDF

Info

Publication number
JP2021177552A
JP2021177552A JP2021095505A JP2021095505A JP2021177552A JP 2021177552 A JP2021177552 A JP 2021177552A JP 2021095505 A JP2021095505 A JP 2021095505A JP 2021095505 A JP2021095505 A JP 2021095505A JP 2021177552 A JP2021177552 A JP 2021177552A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
layer
conductive
exposure
aggregates
component
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP2021095505A
Other languages
English (en)
Inventor
リンデル パトリック
Linder Patrick
リンデル ダニエル
Linder Daniel
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Dynamic Solar Systems AG
Original Assignee
Dynamic Solar Systems AG
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Dynamic Solar Systems AG filed Critical Dynamic Solar Systems AG
Publication of JP2021177552A publication Critical patent/JP2021177552A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02367—Substrates
    • H01L21/0237—Materials
    • H01L21/02422—Non-crystalline insulating materials, e.g. glass, polymers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/20—Deposition of semiconductor materials on a substrate, e.g. epitaxial growth solid phase epitaxy
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2004—Light-sensitive devices characterised by the electrolyte, e.g. comprising an organic electrolyte
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2004—Light-sensitive devices characterised by the electrolyte, e.g. comprising an organic electrolyte
    • H01G9/2009—Solid electrolytes
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02587—Structure
    • H01L21/0259—Microstructure
    • H01L21/02601—Nanoparticles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/02623—Liquid deposition
    • H01L21/02628—Liquid deposition using solutions
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/02—Details
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/0248—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies
    • H01L31/036—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes
    • H01L31/0392—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate
    • H01L31/03926—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by their semiconductor bodies characterised by their crystalline structure or particular orientation of the crystalline planes including thin films deposited on metallic or insulating substrates ; characterised by specific substrate materials or substrate features or by the presence of intermediate layers, e.g. barrier layers, on the substrate comprising a flexible substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L31/00—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
    • H01L31/04—Semiconductor devices sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof adapted as photovoltaic [PV] conversion devices
    • H01L31/042—PV modules or arrays of single PV cells
    • H01L31/0445—PV modules or arrays of single PV cells including thin film solar cells, e.g. single thin film a-Si, CIS or CdTe solar cells
    • H01L31/046—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate
    • H01L31/0463—PV modules composed of a plurality of thin film solar cells deposited on the same substrate characterised by special patterning methods to connect the PV cells in a module, e.g. laser cutting of the conductive or active layers
    • H—ELECTRICITY
    • H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • H10K—ORGANIC ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES
    • H10K71/00—Manufacture or treatment specially adapted for the organic devices covered by this subclass
    • H10K71/40—Thermal treatment, e.g. annealing in the presence of a solvent vapour
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01G—CAPACITORS; CAPACITORS, RECTIFIERS, DETECTORS, SWITCHING DEVICES, LIGHT-SENSITIVE OR TEMPERATURE-SENSITIVE DEVICES OF THE ELECTROLYTIC TYPE
    • H01G9/00—Electrolytic capacitors, rectifiers, detectors, switching devices, light-sensitive or temperature-sensitive devices; Processes of their manufacture
    • H01G9/20—Light-sensitive devices
    • H01G9/2095—Light-sensitive devices comprising a flexible sustrate
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/542—Dye sensitized solar cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02E—REDUCTION OF GREENHOUSE GAS [GHG] EMISSIONS, RELATED TO ENERGY GENERATION, TRANSMISSION OR DISTRIBUTION
    • Y02E10/00—Energy generation through renewable energy sources
    • Y02E10/50—Photovoltaic [PV] energy
    • Y02E10/549—Organic PV cells
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
    • Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
    • Y02P70/00—Climate change mitigation technologies in the production process for final industrial or consumer products
    • Y02P70/50—Manufacturing or production processes characterised by the final manufactured product

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Life Sciences & Earth Sciences (AREA)
  • Sustainable Development (AREA)
  • Electromagnetism (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Electrochemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Sustainable Energy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Photovoltaic Devices (AREA)
  • Electroluminescent Light Sources (AREA)
  • Hybrid Cells (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)
  • Laminated Bodies (AREA)
  • Manufacturing Of Electric Cables (AREA)
  • Non-Insulated Conductors (AREA)

Abstract

【課題】室温での工業的方法および大面積製造にもかかわらず、最終の接触可能層複合体においてＰＶ活性層を持つ薄層を提供する。【解決手段】ＰＶ層シーケンスが、連続印刷法で室温において接触電極を含む薄層シーケンスが印刷され、導電性または半導電性無機凝集体を含んでなる混合物を印刷によって適用し、そして同時化学反応によって硬化してＰＶ活性層を形成し、化学反応の間、鎖、網目構造、網目構造管、空孔、細孔からなる群から選択される１つの構造を含んでなるナノスケール構造がＰＶ層シーケンス中に形成される、ＰＶ層シーケンス。【選択図】なし

Description

本発明は、一般に、電気技術的薄層の分野に分類され得る。技術分野は、通常、本発明
者らが関与した、独国特許第１０２０１５１０２８０１号明細書に概説される。周知の手
段、特徴および方法は、上記出願およびその中に引用される従来技術から認識され得る。
本発明は、室温法によって得られたＰＶ層シーケンス、および独立請求項の序文による
ＰＶ層シーケンスの室温製造法に関する。
商業的観点から、製造が室温で実行されることは本質的な特徴である。これによって、
製造のプロセス工学費用が著しく減少し、そして製造における実質的な利点を提供する。
しかしながら、これは、高温で正確に焼結されたか、または計画的に圧縮された層が、Ｐ
Ｖ層シーケンスに存在することが不可能であることも意味する。なお、光起電力的に活性
な層複合体の計画的に調整されたナノスケール平面性は、確立されたＰＶ系の性能決定特
徴であり：ここでＰＶ層は、しばしば、十分なエネルギー収量を保証するために真空プラ
ズマ法によって正確に調整される。印刷、フローコーティングまたスピンコーティングに
よって、すなわち、機械的手段によって、薄層、すなわち、固体の連続層シーケンスを生
じる室温法は、しばしば、制御された様式で、ナノメートル範囲で平面性を調整すること
ができない。層は不均等であり、そしてしばしば、マイクロメートル範囲でのみ平坦であ
る。マイクロメートル範囲でのみ平坦な不均等な層の不利益は、それらが、かなりの損失
を伴ってのみ、発電のため、ドーピングによってナノスケールで確立された領域的ＰＶ接
合を使用することができるということである。本発明者らは、これが、商業的光起電力製
造技術の分野において、非常にわずかな文献およびアプローチのみがＲＴ製造法（ＲＴ＝
室温）に真剣に関心を示していない理由を説明すると考える。
特開０４２４９３７９号公報には、負圧下でのＣＶＤ法（ＣＶＤ＝化学蒸着、すなわち
、気相が化学反応を強制するように補助する）によって、堆積およびエッチングプロセス
を含んでなる様々な反応が順番に生じ、したがって最初に、高平面性の領域的ＰＶベース
構造が形成される、ＰＶ装置およびその製造法が記載される。ここでの不利益は、真空反
応チャンバーが、費用のかかるバッチ処理を必要とするということであり：真空反応チャ
ンバー中、装填され、次いで排出され、そして任意に乾燥され、最後に反応性気体下での
コーティング後、再び除去されることが可能であるのは、常に、特定の数の基材のみであ
る。別の不利益は、同一種類および厚さの層の反応性形成が常に達成されるように、コー
ティングされる基材が、コーティングの間に正確に調整された温度で保持されなければな
らないということである。さらに、この文献は、焼成されなければならないＣｕ電極ペー
ストによるその後の印刷を教示し、すなわち、層複合体は、接触に関連して高温を受けな
ければならず、ＰＶ活性層の層および電極を形成するように意図された層の両方が圧縮お
よび焼結されて、十分な導電性および接触した全セルが得られる。それは、銅ペーストを
導体トラックへと焼結する焼結温度において、不純物および最小汚染が同様に拡散される
ため、正確に、高コストおよび不利益をもたらす。結果として、このような製造方法に関
して、さもなければ不純物が最終的にＰＶ活性層中に拡散し、上記層を弱化するか、また
は完全に破損しさえするため、最終焼結ステップでさえも不純物を含まない高価かつ高純
度の反応物質が使用されなければならない。
同様の傾向において、カナダ国特許２４６７６９０Ａ１号明細書は、電気技術的薄層シ
ーケンス、特にＰＶ層シーケンスに適用され得る印刷可能なホットメルト接着剤混合物を
電極構造および／または接触として提案する。導電性ペーストは、それらの表面上で銀ま
たはアルミニウムフレークを吸収する導電性鉛ガラス粒子を含有し、このベース混合物は
熱可塑性マトリックスで固定される。しかしながら、ここでの不利益は、さもなければ層
の十分な導電性および安定性のいずれも保証されないため、全ての有機部分が最終的に６
５０℃〜９００℃で焼成除去されなければならないということである。
中国特許１０３２９３６００Ａ号明細書は、その要約において、標的とされた光の内部
または外部への通過を提供し、そしてＰＶまたはディスプレイ装置に適切である光学層の
形成方法を開示する。ここで、ポリマー層がポリイミド層に所望の配列および空間構成で
印刷され、そして重合温度までその後加熱される。分子鎖の標的とされた配列および変性
によって、光学層の屈折率は、光学上部層が最終的なエッチングまたは構造化を必要とし
ないように、方向的に調整され得る。ここでの不利益は、完全重合を保証するための最終
加熱が提供されるということでもある。この文献は、さらに、完全なＰＶ層複合体、特に
ＰＶ活性層または層の組合せに、このような方法を適用することができるかどうか、そし
てもしそうであれば、どのようにそれを実行するかの指示を提供しない。
同様の傾向において、台湾国特許２０１４４２２７１Ａ号明細書は、その要約において
、最終ＰＶモジュールが基材上に提供され、かつインクジェット印刷ステーションを介し
て、室温で様々な色でＵＶ硬化接着剤によってカプセル化され、そして同時に、基材との
安定な組合せで密閉される、ＰＶモジュールのための密閉系を開示する。ここでの不利益
は、モジュールとしての習慣的な確定されたＰＶ活性層の使用であり、すなわち、電流供
給ＰＶ活性層の製造法は、上記不利益を有する、確立された費用の高い様式で実行される
。
中国特許１０３２１４３４０Ａ号明細書は、その要約において、ゾル−ゲル法によるナ
ノスケールの水性分散体として提供され得るトリプチセン系を開示する。水性分散体は、
径が５０ｎｍ〜２００μｍのトリプチセンの凝集体を提供することができ、したがって、
水性分散体を介して、前もって決定された領域において印刷可能な半導体特性を提供する
ことができる。
「印刷可能な」という用語によって、本発明に関して、エアブラシ印刷ヘッド、インク
ジェット印刷ヘッド、塗料または顔料の静電スプレー適用、パッド印刷、リソグラフ印刷
、フレキソ印刷、溶融可能な熱可塑性プラスチックベースを介して顔料インクを適用する
ことが可能である熱昇華印刷までのオフセット印刷などの習慣的な印刷系も理解される。
不利益は、トリプチセンがベンゼン基を含んでなるということであり、それはベンザイ
ンおよびアントラセンから誘導される。このような系は、しばしば、時間をかけてゆっく
りと、主生成物のマトリックスから脱気する。したがって、そのような有機電気技術的薄
層は、しばしば、長期安定性を示さず、それらの腐食挙動において電気技術的特性の強い
初期悪化を示し、しばしばＶＯＣと略される揮発性有機成分として層複合体から脱気し、
それらの存在を危険にさらし、そして追加的に、隣接層を破損するか、またはさらには破
壊する可能性がある、ベンゼンなどの申告すべき成分を含有する。
中国特許１０３８３９６０５Ａ号明細書は、その要約において、銀およびグラフェンベ
ース上の導電性分散を開示する。このベースは、架橋剤および希釈剤と一緒に有機樹脂中
に分散され、したがって、印刷可能な有機ペーストとして提供される。不利益は、樹脂が
平均モル質量に粗く調整されるのみであるということであり、それらは、しばしば、ＶＯ
Ｃ部分、ならびにしばしば潜在的に発がん性があるベンゼンおよびその誘導体を含んでな
る。加えて、希釈剤を含有する接着剤は分散接着剤であり、それらは希釈剤／溶媒のエバ
ポレーションによって硬化されるが、それらは、急速に、かつ完全に室温で生じることが
不可能であり、かつ希釈剤の長期かつ連続的なエバポレーションを必要とする。不完全な
硬化および長期のＶＯＣ放出の危険性は、このような樹脂系の周知の、かつ典型的な不利
益である。
したがって、本発明が取り組む課題は、従来技術の不利益を克服すること、ならびに室
温での工業的方法および大面積製造にもかかわらず、最終の接触可能層複合体においてＰ
Ｖ活性層を提供する薄層を提供することができる方法および本方法による電気技術的薄層
を提供することである。
この課題への解決策は、独立請求項の特徴に従ってもたらされる。有利な実施形態は、
従属請求項および以下の記載から認識できる。
本発明は、ＰＶ層シーケンスが、連続印刷法で室温において少なくとも接触電極を含む
薄層シーケンスとして印刷され、導電性および／または半導電性無機凝集体を含んでなる
少なくとも１種の水溶液および／または混合物を印刷によって適用し、そして同時化学反
応によって硬化し、ＰＶ活性層が得られ、次に、反応の間、鎖、網目構造、網目構造管、
空孔、細孔からなる群から選択される少なくとも１つの構造を含んでなるナノスケール構
造がＰＶ層シーケンス中に形成される、室温法によって得られるＰＶ層シーケンスを提供
する。
導電性および／または半導電性無機凝集体が分散体中に領域的に提供され、かつ硬化さ
れて、層が提供される、電気技術的にＰＶ薄層を製造するための対応する室温法は、硬化
が室温で実行されること、および硬化が、ＰＶ層シーケンスを形成するための少なくとも
１種の試薬による処理によって促進されることを特徴とする。
本発明の説明および有利な特徴
本発明によるＰＶ層シーケンスは、本発明において請求された方法によって入手可能で
ある。本方法は、すでに、独国特許出願公開第１０２０１５１０２８０１Ａ号明細書に関
連して、本発明者らによって提示されるが、そのプロセス工学的教示も、本明細書中、優
先権によって主張される。本方法の継続的開発において、本発明者らは価値のある追加的
製品に遭遇した。これらは、独国特許出願公開第１０２０１５０１５４３５Ａ１号明細書
および独国特許出願公開第１０２０１５０１５６００Ａ１号明細書に記載されるとおり、
補足的なプロセス工学手段に関連して、本製造法に関しても請求される。
本発明によるＰＶ層シーケンスは、室温法によって得られる。「室温」は、人間が許容
可能であり、かつ習慣的である範囲であり、すなわち、０℃〜６０または７０℃としてお
おまかに規定され得、そして欧州地域においては、約２５℃±５℃である。ＰＶ層シーケ
ンスは、この温度において薄層シーケンスとして形成される。
「薄層」は、本発明に関連して、その層厚が、通常、マイクロメートルで報告され得る
が、２桁の大きさ以内で外れ得るマイクロメートル範囲の層として理解される。
ＰＶ層シーケンスは、少なくとも接触電極を含み、室温で連続印刷法で印刷される。こ
れは、光起電流を受け取り、かつ利用することが可能である既存のシステムへの接続のみ
を必要とする、最終ＰＶ層シーケンスを形成する。
製造法に関連して、導電性および／または半導電性無機凝集体を含んでなる少なくとも
１種の水溶液および／または混合物は、印刷によって適用され、かつ同時の化学反応によ
って硬化され、ＰＶ活性層が得られる。反応性溶液または混合物の印刷は、極めて短い硬
化時間をもたらし、そして第１の時間に関して、工業印刷セクターから既知であるような
反応時間が入手可能である。本発明者らは、さらに、硬化は典型的に、薄層の表面におい
て最も急速に進行し、したがって、薄層において、電気技術的特性を有用に説明すること
ができる勾配を構築すると考える。導電性および／または半導電性凝集体に関して、空孔
および／または反応生成物の勾配は、この様式で製造された層が、より良好に電荷を分離
し、Ｐ−Ｎ接合においてＰＶ効果を支持し、そしてダイオード様特性を示すことも可能で
あることを有用に説明することができる電気化学的輸送力をもたらすことができる。加え
て、ＰＶ薄層において、反応の間、鎖、網目構造、網目構造管、空孔、細孔からなる群か
ら選択される少なくとも１つの構造を含んでなるナノスケール構造がＰＶ層シーケンスで
形成された。反応性硬化およびナノスケール構造を形成する反応の両方が同時に実行され
る場合、それは特に有利である。これによって、ナノスケール構造勾配のみならず、確立
されるナノ構造要素の濃度勾配および径分布も可能であり、そして本発明者らは、これを
、測定可能な電気技術的特性がバンドギャップ内で複数の励振プロセスを示す理由を説明
するものとして考える。低い製造温度でも、追加的利点がもたらされる。工業銘柄純度反
応物のみ（大規模工業製造において、９５％〜９９％、好ましくは、９９％±０．５％の
純度）の作用に関してさえ、製造の間に印刷および／または化学的に作成されたＰ−Ｎ接
合が、その後の焼結の結果としての不純物の拡散によって破壊されないため、安定したＰ
Ｖ層シーケンスを得ることができる。さらに、実質的に層シーケンスを形成する凝集体の
無機塩基構造は、改善された安定性を説明することができる。そのようにして形成された
層シーケンスは、約１６０℃の温度における最終の、わずかに酸性の密閉の後、気候チャ
ンバー試験において全く初期分解を示さない典型的な性能値を示し；１０００時間以上、
特定のＰＶ層シーケンス試験片は性能安定性であり、これについて、本発明者らは、安定
した無機凝集体マトリックスに起因した。必要とされる製造プラントのみならず、必要な
材料の費用にも関連して、そのようにして入手可能なＰＶ層シーケンスは、したがって、
従来の製造費用の一部で入手可能であり、かつ比較すると、初期分解を示さず、著しくよ
り良好な長期安定性を示す。
発明によるＰＶ層シーケンスを含んでなる薄層シーケンスは、好ましくは、長波から可
視のスペクトル範囲までの範囲、好ましくは、１２００ｎｍより高いスペクトル範囲にお
いて、特に好ましくは、１５００ｎｍ〜４０００ｎｍの範囲において、その開放電圧の少
なくとも４％、好ましくは、その開放電圧の５％〜１８％、特に好ましくは、その開放電
圧の１０±４％を発生するＰＶ活性層を含んでなる。上記されるように、Ｐ−Ｎ接合が同
時反応によって形成される場合、ナノ構造は、追加的に、直接的に接合においてバンドギ
ャップを変更することができる。長い、半導電性から導電性のナノ構造は、バンドギャッ
プ内の追加レベルを生成する追加的長波調整量子ドットまたはウェルと見なされ得る。本
発明者らは、これを、長波から可視光スペクトルのみからエネルギーを発生する独国特許
出願公開第１０２０１５０１５６００Ａ１号明細書に開示される薄層シーケンスの製造が
すでに達成されている理由を説明すると考える。少なくとも部分的にＰＶ層シーケンスが
このような長波部分を利用することを可能にする手段および付随する生成物も本ケースで
主張される。
ＰＶ層シーケンスを含んでなる薄層シーケンスは、好ましくは、完全薄層シーケンスが
揮発性有機成分を含まず、有毒重金属を含有せず、好ましくは、添加剤または添加された
ドーパントとしてセレン、ヒ素、鉛、カドミウム、インジウム、ガリウムを有さず、ＰＶ
層シーケンスが、少なくとも１０±４％の地上効率を有し、かつＰＶ層シーケンスが、紙
様のフレキシブル担体の上部に適用可能であることを特徴とする。
揮発性有機成分は、可塑剤、長鎖アルコールおよび多縮環炭化水素を含んでなり、これ
は、長鎖および重分子として時間とともに脱ガスし、セルおよび存在するヒトの両方に損
傷を与える可能性がある。
無機凝集体は、好ましくは、有毒重金属を含まず、特に、セレン、ヒ素、鉛、カドミウ
ム、インジウム、ガリウムドが添加剤または添加されたドーパントとして存在しない。
そのようにして入手可能な、特に有利なＰＶ層シーケンスの特定の試験片は、少なくと
も１０±４％の地上効率を示した。印刷セクターから既知のブレンドおよび適用技術の使
用によって、紙上への適用は、第１の試験片を製造するための最も単純かつ最速の選択肢
である。これらの試験片は、印刷製品に関してのみ典型的であるフレキシビリティおよび
安定性を示す。そのような印刷製品は、転写フィルムおよび／またはラベルフィルムに印
刷されてもよく、次いで、最終的に、実際の担体の上部に適用されてもよいため、ＰＶ層
シーケンスは、同様の傾向において、紙様フレキシブル担体の上部に適用可能であるよう
に形成され得る。電気技術的薄層を有する対応する自己接着フィルムは、すでに製造され
ている。
分散体中に領域的に導電性および／または半導電性無機凝集体が提供され、そして硬化
されて層が得られる、電気技術的ＰＶ薄層を製造するための本発明の室温法は、硬化が室
温で実行されること、および硬化が、ＰＶ層シーケンスが形成される少なくとも１種の試
薬への暴露によって促進されることを特徴とする。
本方法は、好ましくは、流動性混合物または溶液が提供され、薄層で適用され、好まし
くは印刷によって適用され、そして最後に少なくとも１つの手段によって支持される同時
反応によって硬化される場合、ＰＶ活性層が担体層上に形成され、上記少なくとも１つの
手段が、ＵＶ照射、ＣＯ２への暴露、酸性気体への暴露、塩基性気体への暴露、酸化気体
への暴露、還元気体への暴露、酸塩化物への暴露、尿素溶液への暴露、金属分散体への暴
露、金属カルボニルへの暴露、金属錯体化合物への暴露、金属化合物への暴露、金属塩へ
の暴露、水への暴露、乾燥剤への暴露、乾燥気体への暴露、不活性気体への暴露、乾燥空
気への暴露からなる群から選択されることを特徴とする。
本方法は、好ましくは、ＰＶ活性層が、導電性銅層、導電性グラファイト凝集体層、導
電性銀凝集体層、導電性金凝集体層、導電性金属酸化物凝集体層、導電性ガラス凝集体層
、導電性グラフェン層、導電性ＣＮＴ層、導電性ＳＷＣＮＴ層、導電性ＭＷＣＮＴ層から
なる群から選択される少なくとも１つの層を含んでなる少なくとも１つの領域を有する担
体層上に少なくとも部分的に配列されることを特徴とする。
本方法は、好ましくは、印刷機で実行されることを特徴とする。
本方法は、好ましくは、ＰＶ活性層が、連続有機網目構造を有する無機マトリックスを
含んでなることを特徴とする。
本方法は、好ましくは、上記無機マトリックスが、シリカ凝集体、塩基性シリカ凝集体
、酸性シリカ凝集体、ナトリウム水ガラス凝集体、カリウム水ガラス凝集体、臭素凝集体
、ヨウ素凝集体、ハロゲン凝集体、炭素凝集体、ケイ素凝集体、ゲルマニウム凝集体、ス
ズ凝集体、鉛凝集体、ホウ素凝集体、アルミニウム凝集体、ガリウム凝集体、インジウム
凝集体、リン凝集体、ヒ素凝集体、アンチモン凝集体、イオウ凝集体、セレン凝集体、テ
ルル凝集体、ビスマス凝集体からなる群から選択される少なくとも１種の凝集体型、好ま
しくは酸化凝集体型を含んでなることを特徴とする。
本方法は、好ましくは、上記有機マトリックスが、ポリアミド成分、ポリアクリレート
成分、ポリオール成分、ポリエステル成分、ポリヘキソース成分、ポリアミノ酸成分、膨
潤性ポリヘキソース成分、紅藻類抽出物、寒天、トウモロコシでんぷん、ジャガイモでん
ぷん、でんぷん、カラゲナン、トラガカントゴム、膨潤性多糖、アラビアゴム、アルギネ
ート、ペクチン、膨潤性ポリペプチド、ゼラチン、カルボキシメチルセルロース、ヒドロ
キシエチルセルロース、ポリアクリル、ポリカルボン酸、ポリエーテル、ポリアミド、ポ
リイミド、メタクリル酸ベースの重合性側鎖基を有する有機シリコン化合物、オルガノシ
ロキサンからなる群から選択される少なくとも１種の架橋成分を含んでなることを特徴と
する。
本方法は、好ましくは、上記同時反応として、ハロゲンによる酸化、ＵＶ照射下での酸
化、３８５ｎｍ以下の波長によるＵＶ照射下での酸化、重水素ランプによるＵＶ照射下で
の酸化、３６５ｎｍにおけるＵＶ ＬＥＤによるＵＶ照射下での酸化、周囲酸素による酸
化、水銀蒸気ランプによるＵＶ照射下での酸化、２５４ｎｍ付近での波長によるＵＶ照射
下での酸化、１８５ｎｍ付近での波長によるＵＶ照射下での酸化、ＵＶ照射下での架橋お
よび酸化、濃縮による有機酸の分離、濃縮による有機アルコールの分離、酸化物形成によ
るアルコールの分離からなる群から選択される少なくとも１種の反応が実行されることを
特徴とする。
本方法は、好ましくは、上記ナノスケールポリイオンの硬化の導入の前および間に、ポ
リイオンが、ポリハライドイオン、インターハライドイオン、ポリスルフィドイオン、ポ
リヨージド−ヨージドイオン、複合化炭素イオン、グラフェンイオン、ＣＮＴイオンから
なる群から選択される少なくとも１種のポリイオンを含んでなることを特徴とする。
本方法は、好ましくは、好ましくは鎖様のポリイオンの長さが、平均鎖長に調整される
ことを特徴とする。
本方法は、好ましくは、ＰＶ活性層が、少なくとも部分的に担体分子の種類を含んでな
り、上記担体分子が、イオン受容足場ポリマー、Ｌｉイオン受容足場ポリマーイオン交換
樹脂、イオン交換ポリマー、イオン交換ガラス、ハロゲンイオン交換ガラス、ハロゲンイ
オン交換シリケート、ヨードフォアからなる群から選択されることを特徴とする。
本方法は、好ましくは、ＰＶ活性層が、少なくとも１種のさらなる増感剤を含んでなる
ことを特徴とする。
本方法は、好ましくは、導電性成分に適用されたＰＶ活性層の同時反応が、金属成分の
表面酸化を含んでなることを特徴とする。
本方法は、好ましくは、上記酸化が、粒子状銅成分上でのＣｕＩの形成、粒子状銅成分
上でのＣｕ２Ｏの形成、導電性成分上でのＡｇ２Ｏの形成、金属成分上でのＺｎＳの形成
、金属成分上でのＳｎＯの形成、導電性成分上でのチタン−４酸化物化合物の形成、低価
金属酸化物混合物を有するチタン−４酸化物化合物の形成からなる群から選択される少な
くとも１つの反応を含んでなることを特徴とする。
例示的な実施形態への参照による本発明の詳細な説明
有利な実施形態において、分散体中に領域的に導電性および／または半導電性無機凝集
体が提供され、そして硬化されて層が得られる、電気技術的ＰＶ活性薄層シーケンスの室
温製造法は、
−硬化が室温で実行され、
−硬化が、少なくとも１種の試薬への暴露によって促進され、
−印刷機において実行され、
−ＰＶ層シーケンスが形成され、次に、
−流動可能な水性混合物または溶液が提供される時に、担体層上にＰＶ活性層が形成
され、
−混合物または溶液は、シリカ凝集体、塩基性シリカ凝集体、酸性シリカ凝集体、ナ
トリウム水ガラス凝集体、カリウム水ガラス凝集体、ハロゲン凝集体、ヨウ素凝集体、好
ましくは、ｐＨが調整されたシリカ凝集体とハロゲン凝集体との組合せからなる群から選
択される少なくとも１種の無機凝集体型を含んでなり、
−混合物または溶液は、さらなる成分として、その架橋可能な分子部分が、ラクトン
部分、アクリル部分、多糖部分、重合可能なメタクリル酸をベースとする側鎖基を有する
有機シリコン化合物、オルガノシロキサン、オルガノシリルアセテートからなる群から選
択される少なくとも１種の分子部分を含んでなる、少なくとも１種の有機架橋可能成分を
含んでなり、
−混合物または溶液が、薄層で印刷によって適用され、そして最終的に、ＵＶ照射ま
たは乾燥気体への暴露によって支持される同時反応によって硬化され、ＰＶ活性層が、連
続有機網目構造を有する無機マトリックスを形成することを特徴とする。
さらなる有利な実施形態において、分散体中に領域的に導電性および／または半導電性
無機凝集体が提供され、そして硬化されて層が得られる、電気技術的ＰＶ活性薄層シーケ
ンスの室温製造法は、
−印刷機において、ＰＶ層シーケンスが形成され、次に、
−流動可能な水性混合物または溶液が提供される時に、担体層上にＰＶ活性層が形成
され、
−相互に反応する成分を有する混合物または溶液が製造され、薄層で印刷によって適
用され、そして最終的に、継続反応によって硬化され、ＰＶ活性層が、架橋結合剤架橋を
有する連続有機網目構造を有する無機マトリックスを形成することを特徴とする。
さらなる有利な実施形態において、本発明によるＰＶ層シーケンスは、独国特許出願公
開第２０１５０１５４３５Ａ１号明細書に記載されるように、室温で、担体として自己接
着性２プライラベル紙を用い、そして複数の印刷ステーションを用いるフレキソ印刷機で
の印刷プロセスに関連して、最初に、少なくとも部分的に金属の薄層、この場合は銅層お
よび／また銀層が紙上の還元グラファイトカーボン層上に形成される。
上記機械用のさらなる印刷ペースト、あるいは導電性および／または半導電性無機凝集
体を分散体中に含んでなる混合物として、以下の通りに製造された。第２の成分として部
分的に架橋可能な多糖−でんぷんエーテルは、分散体中のアスコルビン酸−塩酸混合物に
よって低ｐＨに調整された。ｐＨは、添加された色指示薬によって監視された。その後、
連続的に撹拌しながら、残留固体を蒸留水中に溶解し、そして粘度を調整するためのデキ
ストラン比率を有する糖類と混合した。酸性〜強酸性溶液を主成分としてシリカと混合し
、そして撹拌しながら、強塩基性ｐＨになるまで、すなわち、指示薬の色変化が生じるま
で、水酸化ナトリウムで調整した。これによって、シリカは凝固／沈殿し、そして無機凝
集体が形成する。強塩基性分散体は、塩基溶解性金属、本例においては、同一量のヨウ化
カリウムヨウ素と一緒に、少量の完全溶解性アルミニウムの添加によって、還元的に製造
される。ヨウ化カリウムは、同時に溶解して着色錯体を形成し、そして視覚的にも、混合
物の導電率によっても水性分散体の溶液の動力学を監視することが可能となる。なお反応
性であり、かつ還元性の水性分散体は、フレキソ印刷機の次の印刷ステーション中に印刷
ペーストとして通過した。したがって、金属層の印刷直後、還元性ペーストが印刷によっ
て適用される。還元性分散体の印刷適用後、新しい、まだ湿っているペーストを、水銀蒸
気ランプを用いたＵＶ照射および乾燥空気への暴露下で乾燥させた。ＵＶ照射によって少
なくとも部分的にヨウ素錯体は再び脱色し、すなわち、元素ヨウ素が放出し、そして硬化
の間に、周囲マトリックスおよび存在する塩化物イオンとの同時反応を受ける。さらに、
ヨウ素および同様に塩素は、下面にあらかじめ印刷された金属層と反応することが可能で
ある。本発明者らは、そのようにしてＰ−Ｎ接合が金属層において直接形成され、同時に
、無機凝集体に沿って、対応する接合が、溶解された金属、この場合はアルミニウムから
形成され得、そしてハロゲンが放出されると考える。全プロセスは、フレキソ印刷機で実
行される。ＰＶ活性層は、少なくとも部分的に金属層を有する担体層上に形成される。塩
酸、ヨウ化カリウムおよび還元性溶解金属の量の変動は、ＰＶ活性層の効率および性能に
重要な影響を与え、そして特性の最適化を可能にする。混合物または溶液は、さらなる成
分として、多糖部分を含んでなる。本発明者らは、第２の成分としての上記部分が、ハロ
ゲン凝集体およびハロゲン間凝集体を含んでなり、かつそれを支持することができる有機
足場を形成すると考える。したがって、薄層に印刷され、その後、ＵＶ照射および乾燥気
体への暴露によって支持される同時反応によって硬化されるＰＶ活性層は、第２の成分と
して相互貫入する有機網目構造を有する無機マトリックスを主成分として形成した。ＰＶ
層シーケンスは、上部で、部屋乾燥導電性銀と接触し；下面上に印刷された金属層ごとに
慣習的な自己接着性電極および／または層による印刷も代わりに想像可能である。光から
電流への十分なＰＶ変換を保証するために、ＰＶ活性層が被覆されていないことが重要で
ある。すでに接触したＰＶ層シーケンスはラインが提供され、そして貼合せ機にてアクリ
レート熱可塑性プラスチック被覆で溶接された。そのようにして溶接されたセルを、確定
したＳｉ標準に従ってその効率に関して調査し、そして約０．３〜０．４の低充填率にお
いて１０±４％の効率を示した。本発明によって製造されたセルの達成可能な電位は、１
０％〜２０％の効率の範囲である。ＩＥＣ規格６１２１５に基づく気候チャンバー試験に
おいて、セルは、８０℃および高大気湿度のＵＶ比率を有する強直射日光に暴露された。
性能の変化は、１０００時間にわたって観察されなかった。屋外使用に最適化されないラ
ミネート溶接が脱着し、湿性雰囲気が数百時間、薄層シーケンスと直接接触していた後の
み、６％以下の性能低下が観察された。本発明者らは、湿性雰囲気との直接接触時されも
高い安定性（最初の性能低下がない）および驚くべき安定した性能は、無機塩基足場に帰
すると考え：凝集体は、それら自身の間で固体接点および架橋を形成した。マトリックス
は極めて安定し、かつ焼結または腐食プロセスの可能性がほとんどない。架橋構造は、印
刷プロセスによって得られる製品の高いフレキシビリティを説明することも可能であり：
印刷された薄層シーケンスが剥離または剥がれ落ちることなく、紙担体は、古典的な印刷
製品と同様に、巻く、曲げる、および折り畳まれ得る。
利用可能な波長に関しての支持調査によって、以下がさらに明らかにされた：電球放射
源の出力を増加すると、本発明のセルは、習慣的なＳｉ ＰＶセルと比較して、出力の著
しく高い増加を示した：Ｓｉセルは、増加した輝度において、０．５〜１パーセントのみ
多くの電流を提供するが、本発明による印刷されたセルは、数パーセントの追加的出力を
提供した。さらに、スイッチを切られたが、まだ暖かい電球に関して、本発明によるセル
は、当初利用可能な開放電圧の約１０％の残余出力を示し、したがって、電球温度低下に
よって縮小した。本発明者らは、これらの優れた性能特性は、その形態学および変更され
たバンドギャップ構造に帰すると考える：比較的強い光入射において、印刷された凝集体
の著しく大きい表面は、より多くのフォトンを変換することが可能であり、そして凝集体
上に表面的に配列されたＰＶ活性およびナノスケール構造は、様々な入射角に対して本セ
ルをいっそう耐性にする：ひどく傾いた入射角でさえ、出力の著しくより大きい部分は、
なお確立された利用可能なＳｉセルの場合と同様に思われ得る。さらに、長波から可視光
スペクトルまで配列された残り有効性は、量子ドットおよび／または長波フォトンの変換
を可能にするバンドギャップ内の近間隔のエネルギーレベルを示す。本発明者らは、反応
形成されたナノスケール構造が、ここでバンドギャップを変更すると考える。これによっ
て、明白な暗闇の中でさえ、上記されたセルが、加温された電球によって、有用な一定の
残余出力を提供することが可能である理由を有効に説明することができる。
古典的な印刷ＰＶ層セルの不利益は、これらのセルの製造が、しばしば高価な真空調製
および熱焼戻しまたは焼結ステップを必要とするということであり、薄い、ドープされた
真空層は、腐食および汚染に非常に影響されやすいことである。
したがって、対処された課題は、不利益を克服して、かつ適切な方法および適切なＰＶ
層シーケンスを提供することであった。
本課題は、水性分散液が基材上に印刷によって適用されて、そして同時反応によって硬
化される室温法によって解決される。同時反応によって、層境界において勾配およびナノ
スケール構造が形成され、これは、習慣的な性能および高い安定性を有するＰＶ活性層を
生じる。気候チャンバー試験において、約１０％の効率が、安定に、かつ初期性能低下が
生じずに達成可能であり、そして２０年の試験期間にわたって、変動がほとんどなく、一
定して入手可能である。
本方法では、焼戻しまたは焼結ステップがなく、工業銘柄純度の費用効果が高い出発材
料の使用が可能であり、かつ製造または流通の典型的な資本経費の一部分で、最終の高フ
レキシブルセルとして利用可能であるＰＶ層シーケンスが製造される。ＰＶ層シーケンス
は、初めて、印刷製品の製造と完全に同様に製造され得る。したがって、本発明は、確立
されたＰＶ薄層が、以前に非常に高価であるか、または非常に不安定であるために却下さ
れた全ての分野における製造および使用の両方に関して、極めて用途が広い適応性を提供
する。

Claims (19)

  1. −ＰＶ層シーケンスが、連続印刷法で室温において少なくとも接触電極を含む薄層シ
    ーケンスとして印刷され、
    −導電性および／または半導電性無機凝集体を含んでなる少なくとも１種の水溶液お
    よび／または混合物を印刷によって適用し、そして同時化学反応によって硬化し、ＰＶ活
    性層が得られ、次に、
    −前記反応の間、鎖、網目構造、網目構造管、空孔、細孔からなる群から選択される
    少なくとも１つの構造を含んでなるナノスケール構造が前記ＰＶ層シーケンス中に形成さ
    れる、室温法によって得られるＰＶ層シーケンス。
  2. 長波から可視のスペクトル範囲までの範囲、好ましくは、１２００ｎｍより高いスペク
    トル範囲において、特に好ましくは、１５００ｎｍ〜４０００ｎｍの範囲において、その
    開放電圧の少なくとも４％、好ましくは、その開放電圧の５％〜１８％、特に好ましくは
    、その開放電圧の１０±４％を発生するＰＶ活性層を含んでなる、請求項１に記載のＰＶ
    層シーケンスを有する薄層シーケンス。
  3. 完全薄層シーケンスが、
    −揮発性有機成分を含まず、有毒重金属を含有せず、好ましくは、添加剤または添加
    されたドーパントとしてセレン、ヒ素、鉛、カドミウム、インジウム、ガリウムを有さず
    、
    −前記ＰＶ層シーケンスが、少なくとも１０±４％の地上効率を有し、
    −前記ＰＶ層シーケンスが、紙様のフレキシブル担体の上部に適用可能であることを
    特徴とする、請求項１または２に記載のＰＶ層シーケンスを有する薄層シーケンス。
  4. 分散体中に領域的に導電性および／または半導電性無機凝集体が提供され、そして硬化
    されて層が得られる、電気技術的薄層、特に、請求項１〜３のいずれか一項に記載の薄層
    シーケンスの室温製造であって、
    −前記硬化が室温で実行されること、および
    −前記硬化が、少なくとも１種の試薬への暴露によって促進され、
    −ＰＶ層シーケンスが形成されることを特徴とする、方法。
  5. 流動性混合物または溶液が提供され、薄層で適用され、好ましくは印刷によって適用さ
    れ、そして最後に少なくとも１つの手段によって支持される同時反応によって硬化される
    場合、ＰＶ活性層が担体層上に形成され、前記少なくとも１つの手段が、ＵＶ照射、ＣＯ
    ２への暴露、酸性気体への暴露、塩基性気体への暴露、酸化気体への暴露、還元気体への
    暴露、酸塩化物への暴露、尿素溶液への暴露、金属分散体への暴露、金属カルボニルへの
    暴露、金属錯体化合物への暴露、金属化合物への暴露、金属塩への暴露、水への暴露、乾
    燥剤への暴露、乾燥気体への暴露、不活性気体への暴露、乾燥空気への暴露からなる群か
    ら選択されることを特徴とする、請求項４に記載の方法。
  6. ＰＶ活性層が、導電性銅層、導電性グラファイト凝集体層、導電性銀凝集体層、導電性
    金凝集体層、導電性金属酸化物凝集体層、導電性ガラス凝集体層、導電性グラフェン層、
    導電性ＣＮＴ層、導電性ＳＷＣＮＴ層、導電性ＭＷＣＮＴ層からなる群から選択される少
    なくとも１つの層を含んでなる少なくとも１つの領域を有する担体層上に少なくとも部分
    的に配列されることを特徴とする、請求項４または５に記載の方法。
  7. 印刷機で実行されることを特徴とする、請求項４〜６のいずれか一項に記載の方法。
  8. ＰＶ活性層が、連続有機網目構造を有する無機マトリックスを含んでなることを特徴と
    する、請求項４〜７のいずれか一項に記載の方法。
  9. 前記無機マトリックスが、シリカ凝集体、塩基性シリカ凝集体、酸性シリカ凝集体、ナ
    トリウム水ガラス凝集体、カリウム水ガラス凝集体、臭素凝集体、ヨウ素凝集体、ハロゲ
    ン凝集体、炭素凝集体、ケイ素凝集体、ゲルマニウム凝集体、スズ凝集体、鉛凝集体、ホ
    ウ素凝集体、アルミニウム凝集体、ガリウム凝集体、インジウム凝集体、リン凝集体、ヒ
    素凝集体、アンチモン凝集体、イオウ凝集体、セレン凝集体、テルル凝集体、ビスマス凝
    集体からなる群から選択される少なくとも１種の凝集体型、好ましくは酸化凝集体型を含
    んでなることを特徴とする、請求項８に記載の方法。
  10. 前記有機マトリックスが、ポリアミド成分、ポリアクリレート成分、ポリオール成分、
    ポリエステル成分、ポリヘキソース成分、ポリアミノ酸成分、膨潤性ポリヘキソース成分
    、紅藻類抽出物、寒天、トウモロコシでんぷん、ジャガイモでんぷん、でんぷん、カラゲ
    ナン、トラガカントゴム、膨潤性多糖、アラビアゴム、アルギネート、ペクチン、膨潤性
    ポリペプチド、ゼラチン、カルボキシメチルセルロース、ヒドロキシエチルセルロース、
    ポリアクリル、ポリカルボン酸、ポリエーテル、ポリアミド、ポリイミド、メタクリル酸
    ベースの重合性側鎖基を有する有機シリコン化合物、オルガノシロキサンからなる群から
    選択される少なくとも１種の架橋成分を含んでなることを特徴とする、請求項８または９
    に記載の方法。
  11. 前記同時反応として、ハロゲンによる酸化、ＵＶ照射下での酸化、３８５ｎｍ以下の波
    長によるＵＶ照射下での酸化、重水素ランプによるＵＶ照射下での酸化、３６５ｎｍにお
    けるＵＶ ＬＥＤによるＵＶ照射下での酸化、周囲酸素による酸化、水銀蒸気ランプによ
    るＵＶ照射下での酸化、２５４ｎｍ付近での波長によるＵＶ照射下での酸化、１８５ｎｍ
    付近での波長によるＵＶ照射下での酸化、ＵＶ照射下での架橋および酸化、濃縮による有
    機酸の分離、濃縮による有機アルコールの分離、酸化物形成によるアルコールの分離から
    なる群から選択される少なくとも１種の反応が実行されることを特徴とする、請求項４〜
    １０のいずれか一項に記載の方法。
  12. 前記ナノスケールポリイオンの硬化の導入の前および間に、前記ポリイオンが、ポリハ
    ライドイオン、インターハライドイオン、ポリスルフィドイオン、ポリヨージド−ヨージ
    ドイオン、複合化炭素イオン、グラフェンイオン、ＣＮＴイオンからなる群から選択され
    る少なくとも１種のポリイオンを含んでなることを特徴とする、請求項４〜１１のいずれ
    か一項に記載の方法。
  13. 好ましくは鎖様の前記ポリイオンの長さが、平均鎖長に調整されることを特徴とする、
    請求項１２に記載の方法。
  14. ＰＶ活性層が、少なくとも部分的に担体分子の種類を含んでなり、前記担体分子が、イ
    オン受容足場ポリマー、Ｌｉイオン受容足場ポリマーイオン交換樹脂、イオン交換ポリマ
    ー、イオン交換ガラス、ハロゲンイオン交換ガラス、ハロゲンイオン交換シリケート、ヨ
    ードフォアからなる群から選択されることを特徴とする、請求項４〜１３のいずれか一項
    に記載の方法。
  15. ＰＶ活性層が、少なくとも１種のさらなる増感剤を含んでなることを特徴とする、請求
    項４〜１４のいずれか一項に記載の方法。
  16. 導電性成分に適用されたＰＶ活性層の同時反応が、金属成分の表面酸化を含んでなるこ
    とを特徴とする、請求項４〜１５のいずれか一項に記載の方法。
  17. 前記酸化が、粒子状銅成分上でのＣｕＩの形成、粒子状銅成分上でのＣｕ２Ｏの形成、
    導電性成分上でのＡｇ２Ｏの形成、金属成分上でのＺｎＳの形成、金属成分上でのＳｎＯ
    の形成、導電性成分上でのチタン−４酸化物化合物の形成、低価金属酸化物混合物を有す
    るチタン−４酸化物化合物の形成からなる群から選択される少なくとも１つの反応を含ん
    でなることを特徴とする、請求項１６に記載の方法。
  18. 分散体中に領域的に導電性および／または半導電性無機凝集体が提供され、そして硬化
    されて層が得られる、請求項４〜１７のいずれか一項に記載の電気技術的ＰＶ活性薄層シ
    ーケンスの室温製造法であって、
    −前記硬化が室温で実行され、
    −前記硬化が、少なくとも１種の試薬への暴露によって促進され、
    −印刷機において実行され、
    −ＰＶ層シーケンスが形成され、次に、
    −流動可能な水性混合物または溶液が提供される時に、担体層上にＰＶ活性層が形成
    され、
    −前記混合物または溶液は、シリカ凝集体、塩基性シリカ凝集体、酸性シリカ凝集体
    、ナトリウム水ガラス凝集体、カリウム水ガラス凝集体、ハロゲン凝集体、ヨウ素凝集体
    、好ましくは、ｐＨが調整されたシリカ凝集体とハロゲン凝集体との組合せからなる群か
    ら選択される少なくとも１種の無機凝集体型を含んでなり、
    −前記混合物または溶液は、さらなる成分として、その架橋可能な分子部分が、ラク
    トン部分、アクリル部分、多糖部分、重合可能なメタクリル酸をベースとする側鎖基を有
    する有機シリコン化合物、オルガノシロキサン、オルガノシリルアセテートからなる群か
    ら選択される少なくとも１種の分子部分を含んでなる、少なくとも１種の有機架橋可能成
    分を含んでなり、
    −前記混合物または溶液が、薄層で印刷によって適用され、そして最終的に、ＵＶ照
    射または乾燥気体への暴露によって支持される同時反応によって硬化され、前記ＰＶ活性
    層が、連続有機網目構造を有する無機マトリックスを形成することを特徴とする、方法。
  19. 分散体中に領域的に導電性および／または半導電性無機凝集体が提供され、そして硬化
    されて層が得られる、請求項４〜１８のいずれか一項に記載の電気技術的ＰＶ活性薄層シ
    ーケンスの室温製造法であって、
    −印刷機において、ＰＶ層シーケンスが形成され、次に、
    −流動可能な水性混合物または溶液を提供することによって、担体層上にＰＶ活性層
    が形成され、
    −相互に反応する成分を有する混合物または溶液が製造され、薄層で印刷によって適
    用され、そして最終的に、継続反応によって硬化され、前記ＰＶ活性層が、架橋結合剤架
    橋を有する連続有機網目構造を有する無機マトリックスを形成することを特徴とする、方
    法。
JP2021095505A 2015-02-26 2021-06-08 室温法によるｐｖフィルム構造の入手およびｐｖフィルム構造の室温製造法 Pending JP2021177552A (ja)

Applications Claiming Priority (7)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102015102801.8 2015-02-26
DE102015102801 2015-02-26
DE102015015435 2015-12-02
DE102015015435.4 2015-12-02
DE102015015600 2015-12-06
DE102015015600.4 2015-12-06
JP2017545667A JP2018509762A (ja) 2015-02-26 2016-02-26 室温法によるｐｖフィルム構造の入手およびｐｖフィルム構造の室温製造法

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017545667A Division JP2018509762A (ja) 2015-02-26 2016-02-26 室温法によるｐｖフィルム構造の入手およびｐｖフィルム構造の室温製造法

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JP2021177552A true JP2021177552A (ja) 2021-11-11

Family

ID=55701647

Family Applications (5)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017545667A Pending JP2018509762A (ja) 2015-02-26 2016-02-26 室温法によるｐｖフィルム構造の入手およびｐｖフィルム構造の室温製造法
JP2017545677A Pending JP2018521443A (ja) 2015-02-26 2016-02-26 電気技術的薄層の室温製造法および上記方法によって得られる薄層シーケンス
JP2021078265A Pending JP2021177549A (ja) 2015-02-26 2021-05-06 Ｐｖ薄層の室温製造法および上記方法によって得られるｐｖ薄層列
JP2021095505A Pending JP2021177552A (ja) 2015-02-26 2021-06-08 室温法によるｐｖフィルム構造の入手およびｐｖフィルム構造の室温製造法
JP2023031398A Pending JP2023067932A (ja) 2015-02-26 2023-03-01 赤外線光起電装置

Family Applications Before (3)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2017545667A Pending JP2018509762A (ja) 2015-02-26 2016-02-26 室温法によるｐｖフィルム構造の入手およびｐｖフィルム構造の室温製造法
JP2017545677A Pending JP2018521443A (ja) 2015-02-26 2016-02-26 電気技術的薄層の室温製造法および上記方法によって得られる薄層シーケンス
JP2021078265A Pending JP2021177549A (ja) 2015-02-26 2021-05-06 Ｐｖ薄層の室温製造法および上記方法によって得られるｐｖ薄層列

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2023031398A Pending JP2023067932A (ja) 2015-02-26 2023-03-01 赤外線光起電装置

Country Status (8)

Country Link
US (3) US20180040751A1 (ja)
EP (2) EP3262675A1 (ja)
JP (5) JP2018509762A (ja)
CN (2) CN107466422B (ja)
BR (1) BR112017018306B1 (ja)
DE (1) DE102016002213A1 (ja)
RU (2) RU2732867C2 (ja)
WO (2) WO2016134703A1 (ja)

Families Citing this family (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN107466422B (zh) 2015-02-26 2021-03-19 动态太阳能系统公司 通过室温方法获得pv膜结构以及用于生产pv膜结构的室温方法
JP2019522382A (ja) 2016-07-12 2019-08-08 ダイナミック ソーラー システムズ アクツィエンゲゼルシャフトＤｙｎａｍｉｃ Ｓｏｌａｒ Ｓｙｓｔｅｍｓ Ａｇ Ｐｖ層シーケンスを作り出すための室温印刷方法およびこの方法を使用して得られるｐｖ層シーケンス
DE202017001454U1 (de) 2017-03-19 2017-06-22 Dynamic Solar Systems Ag Geregelte, gedruckte Heizung
DE102017002623A1 (de) 2017-03-20 2018-09-20 Reinhold Gregarek Verbessertes tribostatisches I-I-P-Verfahren, tribostatische Pulverdüse und Verwendung zur Herstellung elektrotechnischer Mehrschichtverbunde
DE202017002209U1 (de) 2017-04-27 2017-06-21 Dynamic Solar Systems Ag Gedruckte Elektrode mit arrangierbaren LED-Komponenten
DE202017002725U1 (de) 2017-05-23 2017-06-13 Dynamic Solar Systems Ag Heizpanel mit gedruckter Heizung
DE102020003811A1 (de) 2020-06-25 2021-12-30 Dynamic Solar Systems Ag Fußbodenheizungs-System mit verbessertem Schichtaufbau
DE102022114036A1 (de) 2022-06-02 2023-12-07 Glasfabrik Lamberts GmbH + Co. KG. Multifunktionale Profilbauglasbahn und diese enthaltende Profilbauglasanordnung

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006019072A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Nissin Electric Co Ltd 色素増感太陽電池及びその製造方法
JP2007134360A (ja) * 2005-11-08 2007-05-31 Kansai Paint Co Ltd Ｐ型半導体分散体、ｐ型半導体層、ｐｎ接合体及びエネルギー変換体
US20080245413A1 (en) * 2007-04-04 2008-10-09 Hang Ruan Self assembled photovoltaic devices
US20090026458A1 (en) * 2007-03-23 2009-01-29 Evonik Degussa Gmbh Porous semiconductive film and process for its production
JP2010129619A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Kazufumi Ogawa シリコン微粒子を用いた太陽電池および光センサーとそれらの製造方法
DE102012107100A1 (de) * 2012-08-02 2014-02-06 Dynamic Solar Systems Inc. Verbesserte Schichtsolarzelle
JP2014088559A (ja) * 2007-10-31 2014-05-15 Merck Patent Gmbh 有機光電池を製造するための処理添加剤

Family Cites Families (66)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE266693C (ja)
AT36002B (de) 1906-12-24 1909-01-25 Westinghouse Electric Corp Kollektor.
DE390400C (de) 1921-03-04 1924-02-20 Robert Woolridge Reynolds Verfahren zur Herstellung von elektrischen Heizwiderstaenden aus einer Mischung von Graphit und Wasserglas
DE410375C (de) 1923-02-04 1925-03-05 Robert Woolridge Reynolds Verfahren zur Herstellung einer elektrischen Heizwiderstandsschicht aus Silikatniederschlaegen, Graphit und Alkalisilikaten
DE839396C (de) 1949-04-03 1952-05-19 Heraeus Schott Quarzschmelze Waermestrahler, insbesondere fuer Zwecke der Therapie
DE1446978C3 (de) 1959-10-29 1974-10-31 Bulten-Kanthal Ab, Hallstahammar (Schweden) Warmfester, langgestreckter, stab- oder rohrförmiger Körper mit Siliciumcarbidgerüst und Verfahren zu seiner Herstellung
DE2004076A1 (de) 1970-01-30 1971-08-05 Kieninger & Obergfell Elektronische Uhr geringen Leistungsbedarfes
JPS49379B1 (ja) 1970-07-24 1974-01-07
FR2224790B1 (ja) 1973-04-03 1977-04-29 Cellophane Sa
US4040925A (en) 1974-05-02 1977-08-09 Scm Corporation Ultraviolet curing of electrocoating compositions
CH627612B (de) 1980-03-07 Bulova Watch Co Inc Elektronisches miniaturgeraet, insbesondere elektronische armbanduhr.
AU575040B2 (en) 1983-03-10 1988-07-21 Basf Corporation Epsilon-caprolactone modified acrylic polymers
DE3650278T2 (de) 1985-05-30 1995-09-28 Matsushita Electric Ind Co Ltd Verfahren zum Herstellen von Graphitfolien.
US4911992A (en) 1986-12-04 1990-03-27 Dow Corning Corporation Platinum or rhodium catalyzed multilayer ceramic coatings from hydrogen silsesquioxane resin and metal oxides
JPH04249379A (ja) 1991-02-05 1992-09-04 Taiyo Yuden Co Ltd 光起電力装置およびその製法
US5272017A (en) 1992-04-03 1993-12-21 General Motors Corporation Membrane-electrode assemblies for electrochemical cells
DE19647935C5 (de) 1996-11-20 2009-08-20 Ts Thermo Systeme Gmbh Elektrische Innenraumheizung für Wohnwagen
DE19815291B4 (de) 1998-04-06 2006-05-24 Ferro Gmbh Beschichtungszusammensetzung zur Herstellung von elektrisch leitfähigen Schichten
US6416818B1 (en) 1998-08-17 2002-07-09 Nanophase Technologies Corporation Compositions for forming transparent conductive nanoparticle coatings and process of preparation therefor
DE19946712A1 (de) 1999-09-29 2001-04-05 Inst Neue Mat Gemein Gmbh Verfahren und Zusammensetzungen zum Bedrucken von Substraten
EP1244168A1 (en) 2001-03-20 2002-09-25 Francois Sugnaux Mesoporous network electrode for electrochemical cell
US6689950B2 (en) * 2001-04-27 2004-02-10 The Boeing Company Paint solar cell and its fabrication
US6814795B2 (en) 2001-11-27 2004-11-09 Ferro Corporation Hot melt conductor paste composition
ZA200506095B (en) 2003-01-30 2006-10-25 Univ Cape Town A thin film semiconductor device and method of manufacturing a thin film semiconductor device
US7338620B2 (en) * 2004-03-17 2008-03-04 E.I. Du Pont De Nemours And Company Water dispersible polydioxythiophenes with polymeric acid colloids and a water-miscible organic liquid
WO2006076610A2 (en) * 2005-01-14 2006-07-20 Cabot Corporation Controlling ink migration during the formation of printable electronic features
CN100365828C (zh) * 2005-06-09 2008-01-30 西安交通大学 聚合物太阳能电池的深亚微米三维异质结界面及制备方法
DE102005038392B4 (de) * 2005-08-09 2008-07-10 Atotech Deutschland Gmbh Verfahren zum Herstellen von Muster bildenden Kupferstrukturen auf einem Trägersubstrat
DE602007004150D1 (de) * 2006-08-11 2010-02-25 Ricoh Kk Pigmentdispersion, Tintenstrahltinte mit der Pigmentdispersion, Bilderzeugungsverfahren und Bilderzeugungsvorrichtung
KR20080026957A (ko) * 2006-09-22 2008-03-26 삼성전자주식회사 박막 트랜지스터 표시판의 제조 방법
US20080182011A1 (en) 2007-01-26 2008-07-31 Ng Hou T Metal and metal oxide circuit element ink formulation and method
US20080295884A1 (en) * 2007-05-29 2008-12-04 Sharma Pramod K Method of making a photovoltaic device or front substrate with barrier layer for use in same and resulting product
US8017458B2 (en) * 2008-01-31 2011-09-13 Northwestern University Solution-processed high mobility inorganic thin-film transistors
KR101426118B1 (ko) 2008-02-26 2014-08-05 데이진 고도레 가부시키가이샤 피혁형 시트 및 그 제조 방법
RU2391358C2 (ru) * 2008-03-13 2010-06-10 Учреждение Российской Академии Наук Объединенный Институт Высоких Температур Ран (Оивт Ран) Способ получения металлоуглеродных нанопокрытий
DE102008023882A1 (de) 2008-05-16 2009-11-19 Bayer Materialscience Ag Druckbare Zusammensetzung auf Basis von Silberpartikeln zur Erzeugung elektrisch leitfähiger Beschichtungen
CN102187469B (zh) * 2008-05-20 2015-03-25 布罗尼亚·措伊 电磁辐射转换器和电池
US20110217809A1 (en) * 2008-11-14 2011-09-08 Applied Nanotech Holdings, Inc. Inks and pastes for solar cell fabricaton
US8344243B2 (en) 2008-11-20 2013-01-01 Stion Corporation Method and structure for thin film photovoltaic cell using similar material junction
JP5753534B2 (ja) * 2009-06-01 2015-07-22 住友化学株式会社 電子デバイス用の改良電極のための組成物
SG178410A1 (en) 2009-08-20 2012-04-27 Univ Nanyang Tech Integrated electrode architectures for energy generation and storage
US8906548B2 (en) 2009-10-07 2014-12-09 Miltec Corporation Actinic and electron beam radiation curable electrode binders and electrodes incorporating same
JP5727766B2 (ja) * 2009-12-10 2015-06-03 理想科学工業株式会社 導電性エマルジョンインク及びそれを用いた導電性薄膜の形成方法
DE102010030074A1 (de) * 2010-06-15 2011-12-15 Evonik Degussa Gmbh Kunststoff-Photovoltaik-Modul und Verfahren zu seiner Herstellung
WO2012000001A2 (de) 2010-07-01 2012-01-05 Psw Systems Ag Speicher
DE102011080745A1 (de) 2010-08-17 2012-02-23 Chemetall Gmbh Verfahren zur metallischen Beschichtung von metallischen Oberflächen durch stromloses Verkupfern
US9530925B2 (en) * 2010-10-19 2016-12-27 Air Products And Chemicals, Inc. Conductive composition and method for making conductive features on thin film PV cells
US20140027774A1 (en) * 2011-07-15 2014-01-30 Sionyx, Inc. Laser Processed Photovoltaic Devices and Associated Methods
CN102956826B (zh) * 2011-08-29 2016-08-03 海洋王照明科技股份有限公司 聚合物太阳能电池及其制备方法
KR101251841B1 (ko) * 2011-11-28 2013-04-09 엘지이노텍 주식회사 태양광 발전장치 및 이의 제조방법
EP2812923B1 (en) * 2012-02-10 2019-11-27 Lockheed Martin Corporation Photovoltaic cells having electrical contacts formed from metal nanoparticles and methods for production thereof
DE102012022606B4 (de) * 2012-11-19 2023-08-10 Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. Partikuläres Elektrodenmaterial mit einer Beschichtung aus einem kristallinen anorganischen Material und einem anorganisch-organischen Hybridpolymer und Verfahren zu dessen Herstellung
US20140161972A1 (en) * 2012-12-09 2014-06-12 National Sun Yat-Sen University Method for forming conductive film at room temperature
US9570694B2 (en) * 2013-01-28 2017-02-14 Aneeve Llc All printed and transparent CNT TFT
CN103214340B (zh) 2013-04-24 2015-03-11 南京邮电大学 蝶烯类有机纳米材料及制备方法
US9634161B2 (en) * 2013-05-01 2017-04-25 Delaware State University Nanoscale precursors for synthesis of Fe2(Si,Ge)(S,Se)4 crystalline particles and layers
CN103293600B (zh) 2013-06-26 2015-01-28 南京邮电大学 利用分子链取向形成平面光波导及光耦合器的方法
US10840400B2 (en) * 2013-08-29 2020-11-17 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Photovoltaic device with back reflector
US9761742B2 (en) 2013-12-03 2017-09-12 E I Du Pont De Nemours And Company Conductive paste composition and semiconductor devices made therewith
US20150228815A1 (en) * 2014-02-12 2015-08-13 Tsmc Solar Ltd. High efficiency solar cells with micro lenses and method for forming the same
CN103839605B (zh) 2014-02-26 2016-04-13 华中科技大学 一种导电浆料及其制备方法和应用
KR102373812B1 (ko) * 2014-03-12 2022-03-11 메르크 파텐트 게엠베하 유기 전자 조성물 및 이의 장치
US20150287843A1 (en) * 2014-04-03 2015-10-08 Tsmc Solar Ltd. Solar cell with dielectric layer
TW201442271A (zh) 2014-07-08 2014-11-01 Tropica Solar Photovoltaic Company 彩色列印太陽能電池模組封裝結構之製法及其裝置
CN107466422B (zh) 2015-02-26 2021-03-19 动态太阳能系统公司 通过室温方法获得pv膜结构以及用于生产pv膜结构的室温方法
DE102016103432A1 (de) 2015-02-26 2016-09-01 Dynamic Solar Systems Ag Raumtemperatur-Verfahren zur Herstellung elektrotechnischer Dünnschichten und elektrotechnische Dünnschicht

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2006019072A (ja) * 2004-06-30 2006-01-19 Nissin Electric Co Ltd 色素増感太陽電池及びその製造方法
JP2007134360A (ja) * 2005-11-08 2007-05-31 Kansai Paint Co Ltd Ｐ型半導体分散体、ｐ型半導体層、ｐｎ接合体及びエネルギー変換体
US20090026458A1 (en) * 2007-03-23 2009-01-29 Evonik Degussa Gmbh Porous semiconductive film and process for its production
US20080245413A1 (en) * 2007-04-04 2008-10-09 Hang Ruan Self assembled photovoltaic devices
JP2014088559A (ja) * 2007-10-31 2014-05-15 Merck Patent Gmbh 有機光電池を製造するための処理添加剤
JP2010129619A (ja) * 2008-11-26 2010-06-10 Kazufumi Ogawa シリコン微粒子を用いた太陽電池および光センサーとそれらの製造方法
DE102012107100A1 (de) * 2012-08-02 2014-02-06 Dynamic Solar Systems Inc. Verbesserte Schichtsolarzelle

Also Published As

Publication number Publication date
JP2018509762A (ja) 2018-04-05
CN107466422B (zh) 2021-03-19
WO2016134703A1 (de) 2016-09-01
BR112017018306B1 (pt) 2023-01-10
EP3262675A1 (de) 2018-01-03
RU2017131197A3 (ja) 2019-06-20
CN107533950B (zh) 2022-02-11
JP2023067932A (ja) 2023-05-16
US11935976B2 (en) 2024-03-19
RU2017131189A (ru) 2019-03-28
US20180040432A1 (en) 2018-02-08
CN107533950A (zh) 2018-01-02
EP3262673A1 (de) 2018-01-03
US20220052214A1 (en) 2022-02-17
WO2016134704A1 (de) 2016-09-01
JP2018521443A (ja) 2018-08-02
RU2017131197A (ru) 2019-03-28
US20180040751A1 (en) 2018-02-08
BR112017018306A2 (pt) 2018-04-17
RU2017131189A3 (ja) 2019-07-17
DE102016002213A1 (de) 2016-11-03
CN107466422A (zh) 2017-12-12
RU2698739C2 (ru) 2019-08-29
RU2732867C2 (ru) 2020-09-24
JP2021177549A (ja) 2021-11-11

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2021177552A (ja) 室温法によるｐｖフィルム構造の入手およびｐｖフィルム構造の室温製造法
Bogachuk et al. Low-temperature carbon-based electrodes in perovskite solar cells
Li et al. Perovskite single‐crystal microwire‐array photodetectors with performance stability beyond 1 year
Chen et al. Carbon‐based perovskite solar cells without hole transport materials: The front runner to the market?
Wang et al. Highly luminescent copper iodide cluster based inks with photoluminescence quantum efficiency exceeding 98%
Angmo et al. Scalability and stability of very thin, roll-to-roll processed, large area, indium-tin-oxide free polymer solar cell modules
Destouesse et al. Slot-die processing and encapsulation of non-fullerene based ITO-free organic solar cells and modules
Buckley et al. Ligand exchange of colloidal CdSe nanocrystals with stibanates derived from Sb2S3 dissolved in a thiol-amine mixture
Kim et al. A kirigami concept for transparent and stretchable nanofiber networks-based conductors and UV photodetectors
Jin et al. Ultrathin 2D Violet Phosphorus Nanosheets: Facile Liquid‐Phase Exfoliation, Characterization, and Photoelectrochemical Application
WO2019112121A1 (ko) 광감응 자동변색전구체와 광감응 자동변색소자의 제조방법 및 그에 의한 광감응 자동변색소자
Adams et al. Fabrication of rapid response self-powered photodetector using solution-processed triple cation lead-halide perovskite
Zhao et al. Recent progress in CsPbX3 perovskite nanocrystals for enhanced stability and photocatalytic applications
Huang et al. The ammonia detection of cesium lead halide perovskite quantum dots in different halogen ratios at room temperature
WO2007106836A2 (en) Additives for stable nanotube coatings
Mondal et al. Nanometer-thick [(FPEA) 2 PbX 4; X= I and Br] 2D halide perovskite based thin films for pollutant detection and nonconventional photocatalytic degradation
CN102576804A (zh) 有机光电转换元件及其制造方法
CN102983274B (zh) 一种包括电子传输层和空穴传输层的太阳能电池
CN109786565A (zh) 一种无空穴传输层的无机钙钛矿太阳能电池及其制备方法
CN105023628A (zh) 制造非烧结型电极的方法
Kumar et al. Carbon-based electrodes for perovskite photovoltaics
Howlader et al. Nanorod-like nanocrystalline CsSnI3 and CNT composite thin film–based hybrid photodetector
Liu et al. Optimizing Black Phosphorus/Halide Perovskite Compositions by Scanning Photoelectrochemical Microscopy
Hinsch et al. Introduction to in-situ produced perovskite solar cells; a new concept towards lowest module manufacturing costs
CN112968122B (zh) 一种用于制冷的透明p型半导体纳米薄膜的制作方法

Legal Events

Date Code Title Description
A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210708

A621 Written request for application examination

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621

Effective date: 20210708

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20210915

A131 Notification of reasons for refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131

Effective date: 20220621

A601 Written request for extension of time

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601

Effective date: 20220826

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20221118

RD02 Notification of acceptance of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7422

Effective date: 20221118

RD04 Notification of resignation of power of attorney

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7424

Effective date: 20221129

A02 Decision of refusal

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02

Effective date: 20230228

A521 Request for written amendment filed

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523

Effective date: 20230628

A911 Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi)

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911

Effective date: 20230705

A912 Re-examination (zenchi) completed and case transferred to appeal board

Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A912

Effective date: 20230825