RU2017108537A - Изгибание датчика изображений с использованием растяжения - Google Patents

Изгибание датчика изображений с использованием растяжения Download PDF

Info

Publication number
RU2017108537A
RU2017108537A RU2017108537A RU2017108537A RU2017108537A RU 2017108537 A RU2017108537 A RU 2017108537A RU 2017108537 A RU2017108537 A RU 2017108537A RU 2017108537 A RU2017108537 A RU 2017108537A RU 2017108537 A RU2017108537 A RU 2017108537A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
image sensor
crystal
substrate
bending
bending substrate
Prior art date
Application number
RU2017108537A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2700283C2 (ru
RU2017108537A3 (ru
Inventor
Брайан К. ГЮНТЕР
Original Assignee
МАЙКРОСОФТ ТЕКНОЛОДЖИ ЛАЙСЕНСИНГ, ЭлЭлСи
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by МАЙКРОСОФТ ТЕКНОЛОДЖИ ЛАЙСЕНСИНГ, ЭлЭлСи filed Critical МАЙКРОСОФТ ТЕКНОЛОДЖИ ЛАЙСЕНСИНГ, ЭлЭлСи
Publication of RU2017108537A publication Critical patent/RU2017108537A/ru
Publication of RU2017108537A3 publication Critical patent/RU2017108537A3/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2700283C2 publication Critical patent/RU2700283C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14603—Special geometry or disposition of pixel-elements, address-lines or gate-electrodes
    • H01L27/14607—Geometry of the photosensitive area
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14618—Containers
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/14625—Optical elements or arrangements associated with the device
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14683—Processes or apparatus peculiar to the manufacture or treatment of these devices or parts thereof
    • H01L27/14698—Post-treatment for the devices, e.g. annealing, impurity-gettering, shor-circuit elimination, recrystallisation
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers

Claims (26)

1. Способ, содержащий:
- помещение изгибающейся подложки на первую поверхность кристалла датчика изображений, причем первая поверхность кристалла датчика изображений включает в себя светочувствительные датчики, для генерирования электрических сигналов в ответ на прием света; и
- изгибание изгибающейся подложки, так чтобы обеспечить силы, действующие на кристалл датчика изображений, для получения искривленного кристалла датчика изображений;
в котором помещение изгибающейся подложки на первую поверхность кристалла датчика изображений содержит формирование изгибающейся подложки на первой поверхности кристалла датчика изображений, с использованием процесса осаждения.
2. Способ по п. 1, дополнительно содержащий:
- присоединение второй поверхности искривленного кристалла датчика изображений к задней подложке, причем вторая поверхность противоположна первой поверхности; и
- удаление изгибающейся подложки с первой поверхности кристалла датчика изображений.
3. Способ по п. 2, в котором удаление изгибающейся подложки с первой поверхности кристалла датчика изображений содержит термическое отсоединение изгибающейся подложки от первой поверхности кристалла датчика изображений.
4. Способ по п. 2, в котором задняя подложка включает в себя, по меньшей мере, одну искривленную поверхность, обладающую радиусом кривизны, по меньшей мере, приблизительно равным единице, деленной на фокусное расстояние первой поверхности кристалла датчика изображений.
5. Способ по п. 1, в котором помещение изгибающейся подложки на первую поверхность кристалла датчика изображений содержит присоединение изгибающейся подложки к первой поверхности кристалла датчика изображений, с использованием адгезива.
6. Способ по п. 1, дополнительно содержащий:
- перед помещением изгибающейся подложки на первую поверхность кристалла датчика изображений, формирование прорезей или канавок в изгибающейся подложке.
7. Способ по п. 1, в котором изгибание изгибающейся подложки содержит воздействие сжатым газом или жидкостью на изгибающуюся подложку.
8. Способ по п. 1, в котором первая поверхность искривленного кристалла датчика изображений является вогнутой.
9. Прибор, содержащий:
- искривленный кристалл датчика изображений, имеющий первую сторону и противоположную вторую сторону, причем первая сторона включает в себя светочувствительные датчики, для генерирования электрических сигналов в ответ на прием света; и
- изгибающуюся подложку, покрывающую первую сторону искривленного кристалла датчика изображений, причем изгибающаяся подложка осаждена на первую поверхность кристалла датчика изображений, с использованием процесса осаждения.
10. Прибор по п. 9, дополнительно содержащий заднюю подложку, покрывающую вторую сторону искривленного кристалла датчика изображений.
11. Прибор по п. 10, в котором изгибающаяся подложка припаяна к первой стороне искривленного кристалла датчика изображений адгезивом.
12. Прибор по п. 9, в котором искривленный кристалл датчика изображений имеет радиус кривизны, который, по меньшей мере, приблизительно равен единице, деленной на фокусное расстояние первой стороны искривленного кристалла датчика изображений.
13. Прибор по п. 9 в котором подложка содержит прорези или канавки.
14. Прибор по п. 12 в котором прорези или канавки заполнены материалом, отличным от материала подложки.
15. Система, содержащая:
- искривленный кристалл датчика изображений, имеющий первую сторону и противоположную вторую сторону, причем первая сторона включает в себя светочувствительные датчики, для генерирования электрических сигналов в ответ на прием света;
- изгибающуюся подложку, покрывающую и припаянную к первой стороне искривленного кристалла датчика изображений; и
- заднюю подложку, покрывающую вторую сторону искривленного кристалла датчика изображений, причем изгибающаяся подложка содержит прорези или канавки.
RU2017108537A 2014-09-19 2015-09-10 Изгибание датчика изображений с использованием растяжения RU2700283C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US14/491,928 2014-09-19
US14/491,928 US10373995B2 (en) 2014-09-19 2014-09-19 Image sensor bending using tension
PCT/US2015/049276 WO2016044039A1 (en) 2014-09-19 2015-09-10 Image sensor bending using tension

Publications (3)

Publication Number Publication Date
RU2017108537A true RU2017108537A (ru) 2018-09-17
RU2017108537A3 RU2017108537A3 (ru) 2019-03-19
RU2700283C2 RU2700283C2 (ru) 2019-09-16

Family

ID=54199295

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2017108537A RU2700283C2 (ru) 2014-09-19 2015-09-10 Изгибание датчика изображений с использованием растяжения

Country Status (11)

Country Link
US (1) US10373995B2 (ru)
EP (1) EP3195591B1 (ru)
JP (1) JP6726662B2 (ru)
KR (1) KR102466067B1 (ru)
CN (1) CN106716639B (ru)
AU (1) AU2015318205B2 (ru)
BR (1) BR112017003625B1 (ru)
CA (1) CA2959749C (ru)
MX (1) MX2017003532A (ru)
RU (1) RU2700283C2 (ru)
WO (1) WO2016044039A1 (ru)

Families Citing this family (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9570488B2 (en) 2014-09-19 2017-02-14 Microsoft Technology Licensing, Llc Image sensor bending by induced substrate swelling
US10373995B2 (en) 2014-09-19 2019-08-06 Microsoft Technology Licensing, Llc Image sensor bending using tension
CN104486555B (zh) * 2014-10-28 2019-02-12 北京智谷睿拓技术服务有限公司 图像采集控制方法和装置
US11128786B2 (en) * 2014-11-21 2021-09-21 Apple Inc. Bending a circuit-bearing die
JP6463159B2 (ja) * 2015-02-05 2019-01-30 キヤノン株式会社 撮像装置およびその制御方法、プログラム、並びに記憶媒体
US10304900B2 (en) 2015-04-02 2019-05-28 Microsoft Technology Licensing, Llc Bending semiconductor chip in molds having radially varying curvature
US9870927B2 (en) 2015-04-02 2018-01-16 Microsoft Technology Licensing, Llc Free-edge semiconductor chip bending
US9893058B2 (en) * 2015-09-17 2018-02-13 Semiconductor Components Industries, Llc Method of manufacturing a semiconductor device having reduced on-state resistance and structure
JP6557367B2 (ja) * 2016-02-15 2019-08-07 京セラ株式会社 圧力センサ
US10062727B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Microsoft Technology Licensing, Llc Strain relieving die for curved image sensors
FR3061990B1 (fr) * 2017-01-18 2019-04-19 Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives Procede de realisation collective de circuits electroniques courbes
EP3422394B1 (en) * 2017-06-29 2021-09-01 Infineon Technologies AG Method for processing a semiconductor substrate
KR102468262B1 (ko) * 2017-06-30 2022-11-18 에스케이하이닉스 주식회사 커브드 이미지 센서
EP3435558B1 (en) * 2017-07-24 2021-02-17 Deutsche Telekom AG Local communication network, transceiver node, and method
CN107300756B (zh) * 2017-08-23 2019-12-10 浙江舜宇光学有限公司 摄像镜头
WO2019037466A1 (zh) * 2017-08-23 2019-02-28 浙江舜宇光学有限公司 摄像镜头
KR102336174B1 (ko) 2017-08-29 2021-12-07 삼성전자주식회사 전방위 이미지 센서 및 그 제조 방법
FR3073322B1 (fr) * 2017-11-07 2021-12-03 Commissariat Energie Atomique Procede de realisation d'au moins un circuit electronique courbe
CN107959781B (zh) * 2017-12-11 2020-07-31 信利光电股份有限公司 一种摄像模组及其调整控制方法
US11848349B1 (en) * 2018-06-21 2023-12-19 Hrl Laboratories, Llc Curved semiconductor and method of forming the same
CN113132585B (zh) * 2020-01-10 2022-09-09 宁波舜宇光电信息有限公司 感光芯片组件、移动终端、摄像模组及其制备方法
EP4124213B1 (en) * 2020-04-02 2023-06-28 HRL Laboratories, LLC Curved imaging sensor package with architected substrate
CN111491085B (zh) * 2020-04-21 2021-11-05 Oppo广东移动通信有限公司 图像传感器、摄像装置及电子设备
CN113726985B (zh) * 2020-05-21 2022-09-06 宁波舜宇光电信息有限公司 感光芯片组件、摄像模组及终端设备
CN112532942B (zh) * 2020-11-30 2021-08-10 黑龙江合师惠教育科技有限公司 一种图像传感器装置及其制造方法、摄像头以及教育行为分析监控设备

Family Cites Families (67)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5514888A (en) 1992-05-22 1996-05-07 Matsushita Electronics Corp. On-chip screen type solid state image sensor and manufacturing method thereof
US5349443A (en) 1992-11-25 1994-09-20 Polaroid Corporation Flexible transducers for photon tunneling microscopes and methods for making and using same
JP2899600B2 (ja) 1994-01-25 1999-06-02 キヤノン販売 株式会社 成膜方法
JP2809215B2 (ja) * 1996-09-26 1998-10-08 日本電気株式会社 固体撮像カメラ
JPH1174164A (ja) 1997-08-27 1999-03-16 Canon Inc 基板処理装置、基板支持装置及び基板処理方法並びに基板の製造方法
US6255025B1 (en) 1998-07-13 2001-07-03 Fuji Xerox Co., Ltd. Filter and process for producing same
US6312959B1 (en) 1999-03-30 2001-11-06 U.T. Battelle, Llc Method using photo-induced and thermal bending of MEMS sensors
US6706448B1 (en) 1999-08-30 2004-03-16 Georgia Tech Research Corp. Method and apparatus for lithiating alloys
JP4604307B2 (ja) 2000-01-27 2011-01-05 ソニー株式会社 撮像装置とその製造方法及びカメラシステム
DE10004891C2 (de) 2000-02-04 2002-10-31 Astrium Gmbh Fokalfläche und Detektor für optoelektronische Bildaufnahmesysteme, Herstellungsverfahren und optoelektronisches Bildaufnahmesystem
US9314339B2 (en) 2000-03-27 2016-04-19 Formae, Inc. Implants for replacing cartilage, with negatively-charged hydrogel surfaces and flexible matrix reinforcement
TWI313059B (ru) 2000-12-08 2009-08-01 Sony Corporatio
DE10122324A1 (de) * 2001-05-08 2002-11-14 Philips Corp Intellectual Pty Flexible integrierte monolithische Schaltung
US6791072B1 (en) 2002-05-22 2004-09-14 National Semiconductor Corporation Method and apparatus for forming curved image sensor module
US6881491B2 (en) 2003-05-16 2005-04-19 Alcoa Inc. Protective fluoride coatings for aluminum alloy articles
JP2005278133A (ja) 2003-07-03 2005-10-06 Fuji Photo Film Co Ltd 固体撮像装置および光学機器
JP2005045151A (ja) * 2003-07-25 2005-02-17 Mitsubishi Electric Corp 撮像装置ならびにその製造方法および製造装置
US20050035514A1 (en) 2003-08-11 2005-02-17 Supercritical Systems, Inc. Vacuum chuck apparatus and method for holding a wafer during high pressure processing
JP2005191218A (ja) * 2003-12-25 2005-07-14 Mitsubishi Electric Corp 固体撮像装置の製造方法
US7476955B2 (en) * 2004-01-06 2009-01-13 Micron Technology, Inc. Die package having an adhesive flow restriction area
US7397066B2 (en) 2004-08-19 2008-07-08 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with curved image sensors and methods for manufacturing microelectronic imagers
US7432596B1 (en) 2004-10-12 2008-10-07 Energy Innovations, Inc. Apparatus and method for bonding silicon wafer to conductive substrate
US7190039B2 (en) 2005-02-18 2007-03-13 Micron Technology, Inc. Microelectronic imagers with shaped image sensors and methods for manufacturing microelectronic imagers
US7683303B2 (en) 2006-01-17 2010-03-23 Sri International Nanoscale volumetric imaging device having at least one microscale device for electrically coupling at least one addressable array to a data processing means
US7507944B1 (en) 2006-06-27 2009-03-24 Cypress Semiconductor Corporation Non-planar packaging of image sensor
JP2008092532A (ja) 2006-10-05 2008-04-17 Matsushita Electric Ind Co Ltd 撮像装置とその製造方法および携帯電話装置
BRPI0719890A2 (pt) * 2006-10-10 2014-05-06 Tir Technology Lp Painel de circuito impresso e métodos de preparar e de montar um painel de circuito impresso
US7742090B2 (en) 2006-12-22 2010-06-22 Palo Alto Research Center Incorporated Flexible segmented image sensor
US7733397B2 (en) 2006-12-22 2010-06-08 Palo Alto Research Center Incorporated Sensor surface with 3D curvature formed by electronics on a continuous 2D flexible substrate
JP2009049499A (ja) 2007-08-14 2009-03-05 Fujifilm Corp 半導体チップの実装方法及び半導体装置
KR101378418B1 (ko) 2007-11-01 2014-03-27 삼성전자주식회사 이미지센서 모듈 및 그 제조방법
US8077235B2 (en) 2008-01-22 2011-12-13 Palo Alto Research Center Incorporated Addressing of a three-dimensional, curved sensor or display back plane
US9119533B2 (en) 2008-10-07 2015-09-01 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices having stretchable integrated circuitry for sensing and delivering therapy
US8372726B2 (en) * 2008-10-07 2013-02-12 Mc10, Inc. Methods and applications of non-planar imaging arrays
US8097926B2 (en) 2008-10-07 2012-01-17 Mc10, Inc. Systems, methods, and devices having stretchable integrated circuitry for sensing and delivering therapy
KR101567067B1 (ko) 2008-12-02 2015-11-06 엘지이노텍 주식회사 카메라모듈
US8654215B2 (en) 2009-02-23 2014-02-18 Gary Edwin Sutton Mobile communicator with curved sensor camera
US8248499B2 (en) 2009-02-23 2012-08-21 Gary Edwin Sutton Curvilinear sensor system
US20120159996A1 (en) 2010-12-28 2012-06-28 Gary Edwin Sutton Curved sensor formed from silicon fibers
US8836805B2 (en) 2012-07-17 2014-09-16 Gary Edwin Sutton Curved sensor system
US20110163466A1 (en) 2009-02-27 2011-07-07 Hoya Corporation Method of manufacturing lens casting mold and method of manufacturing eyeglass lens
GB0915473D0 (en) 2009-09-07 2009-10-07 St Microelectronics Res & Dev Improvements in or relating to CMOS sensors
CN102763250A (zh) 2009-10-29 2012-10-31 小利兰·斯坦福大学托管委员会 用于先进的可充电电池组的器件、系统和方法
EP2388987A1 (en) 2010-05-19 2011-11-23 Thomson Licensing Camera with volumetric sensor chip
JP5724322B2 (ja) 2010-11-24 2015-05-27 ソニー株式会社 固体撮像装置の製造方法
US9442285B2 (en) 2011-01-14 2016-09-13 The Board Of Trustees Of The University Of Illinois Optical component array having adjustable curvature
US9228822B2 (en) 2011-01-24 2016-01-05 President And Fellows Of Harvard College Non-differential elastomer curvature sensor
US8878116B2 (en) 2011-02-28 2014-11-04 Sony Corporation Method of manufacturing solid-state imaging element, solid-state imaging element and electronic apparatus
JP5720304B2 (ja) 2011-02-28 2015-05-20 ソニー株式会社 固体撮像装置及び電子機器
KR101861765B1 (ko) * 2011-03-03 2018-05-29 삼성전자주식회사 마이크로 렌즈를 포함하는 깊이 픽셀 및 상기 깊이 픽셀을 포함하는 깊이 센서
CN202549843U (zh) 2011-04-26 2012-11-21 格科微电子（上海）有限公司 凹面cmos图像传感器、凹面cmos图像传感元件及摄像头
JP2012249003A (ja) 2011-05-26 2012-12-13 Toshiba Corp 固体撮像装置、固体撮像装置の製造方法およびカメラモジュール
CA2869699A1 (en) 2012-04-04 2013-10-10 Scribble Technologies Inc. System and method for generating digital content
FR2989519A1 (fr) 2012-04-13 2013-10-18 St Microelectronics Crolles 2 Procede de fabrication d'un capteur d'image a surface courbe.
FR2989518A1 (fr) 2012-04-13 2013-10-18 St Microelectronics Crolles 2 Procede de fabrication d'un capteur d'image a surface courbe
US10334181B2 (en) 2012-08-20 2019-06-25 Microsoft Technology Licensing, Llc Dynamically curved sensor for optical zoom lens
US20140063794A1 (en) * 2012-09-05 2014-03-06 Foshan Innovative Lighting Co., Ltd. Curved printed circuit boards, light modules, and methods for curving a printed circuit board
JP6135109B2 (ja) * 2012-12-07 2017-05-31 ソニー株式会社 固体撮像素子および固体撮像素子の製造方法ならびに電子機器
JP2015070159A (ja) * 2013-09-30 2015-04-13 ソニー株式会社 固体撮像素子およびその製造方法、並びに電子機器
KR101557942B1 (ko) * 2014-01-08 2015-10-12 주식회사 루멘스 발광 소자 패키지 및 발광 소자 패키지의 제조 방법
US9551856B2 (en) 2014-05-19 2017-01-24 Google Inc. MEMS-released curved image sensor
US10373995B2 (en) 2014-09-19 2019-08-06 Microsoft Technology Licensing, Llc Image sensor bending using tension
US9570488B2 (en) 2014-09-19 2017-02-14 Microsoft Technology Licensing, Llc Image sensor bending by induced substrate swelling
US9349763B1 (en) 2015-02-10 2016-05-24 Omnivision Technologies, Inc. Curved image sensor systems and methods for manufacturing the same
US9998643B2 (en) 2015-03-24 2018-06-12 Semiconductor Components Industries, Llc Methods of forming curved image sensors
US9870927B2 (en) 2015-04-02 2018-01-16 Microsoft Technology Licensing, Llc Free-edge semiconductor chip bending
US10062727B2 (en) 2016-09-09 2018-08-28 Microsoft Technology Licensing, Llc Strain relieving die for curved image sensors

Also Published As

Publication number Publication date
AU2015318205A1 (en) 2017-03-16
RU2700283C2 (ru) 2019-09-16
WO2016044039A1 (en) 2016-03-24
KR102466067B1 (ko) 2022-11-10
US10373995B2 (en) 2019-08-06
CA2959749C (en) 2023-01-24
AU2015318205B2 (en) 2019-04-11
BR112017003625A2 (pt) 2017-12-05
CA2959749A1 (en) 2016-03-24
KR20170056690A (ko) 2017-05-23
JP6726662B2 (ja) 2020-07-22
CN106716639A (zh) 2017-05-24
MX2017003532A (es) 2017-06-21
EP3195591B1 (en) 2020-01-08
US20160086994A1 (en) 2016-03-24
JP2017531320A (ja) 2017-10-19
EP3195591A1 (en) 2017-07-26
RU2017108537A3 (ru) 2019-03-19
CN106716639B (zh) 2020-02-28
BR112017003625B1 (pt) 2023-11-14

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2017108537A (ru) Изгибание датчика изображений с использованием растяжения
PH12017500248A1 (en) Image sensor bending by induced substrate swelling
MX2018000094A (es) Metodos de manufactura de documentos de seguridad y dispositivos de seguridad.
EA201892752A1 (ru) Аппараты и способы регистрации температуры вдоль ствола скважины с использованием модулей датчиков температуры, содержащих пьезоэлектрический генератор
JP2020502491A5 (ru)
MY180611A (en) Sic substrate separating method
TW201614271A (en) Microlens array substrate, electrooptical device including microlens array substrate, projection type display apparatus, and manufacturing method of microlens array substrate
WO2015198562A3 (en) Imaging device and method
JP2020505655A5 (ja) 液体レンズ、これを含む液体レンズモジュール、これを含むカメラモジュール、これを含む光学機器及び液体レンズの制御方法
EP3576401A4 (en) LIQUID LENS AND CAMERA MODULE AND OPTICAL DEVICE WITH IT
EP2887026A3 (en) Flexible optical sensor module
EA201991516A1 (ru) Устройства и датчики для аккумулирования энергии и способы их получения и применения
EP2498305A3 (en) Optical semiconductor element and manufacturing method of the same
WO2017085648A3 (en) 3d printiing
FR3016055B1 (fr) Procede de production d'un element optique holographique de mise en forme de faisceau, agencement de mise en œuvre et element optique associes, dispositif d'affichage incluant l'element
JP2015070473A5 (ru)
MX338030B (es) Dispositivo para determinar la ubicacion de elementos mecanicos.
EP3606024A4 (en) A LIQUID LENS CAMERA MODULE
GB2572920A (en) Camera system including lens with magnification gradient
WO2017124052A8 (en) Image sensors including global electronic shutter
EP2955552A3 (en) Polarization conversion element and projector
TW201613333A (en) Optical device and optical scanning method thereof
EP3594745A4 (en) LIQUID LENS AND CAMERA MODULE AND OPTICAL INSTRUMENT WITH IT
JP2016213757A5 (ru)
JP2015095546A5 (ru)