KR101861765B1

KR101861765B1 - 마이크로 렌즈를 포함하는 깊이 픽셀 및 상기 깊이 픽셀을 포함하는 깊이 센서

Info

Publication number: KR101861765B1
Application number: KR1020110019001A
Authority: KR
Inventors: 박두철; 장승혁; 김명선; 김원주; 정주환; 이승훈; 이광민; 고형수
Original assignee: 삼성전자주식회사
Priority date: 2011-03-03
Filing date: 2011-03-03
Publication date: 2018-05-29
Also published as: KR20120100232A; US20120224028A1; US9029785B2

Abstract

깊이 픽셀이 개시된다. 상기 깊이 픽셀은, 입사광을 집광하는 포토레지스트(photoresist)를 포함하는 마이크로렌즈, 상기 마이크로렌즈에 의해 집광된 입사광의 파장들 중에서 적외선 영역의 파장들을 통과시키는 적외선 필터, 상기 적외선 필터에 의해 통과된 적외선 영역의 파장들에 응답하여 광전하를 생성하는 광전 변환 소자 및 상기 적외선 필터와 상기 광전 변환 소자 사이에 형성되는 배선층을 포함하고, 상기 포토레지스트의 점도는 150cp ~ 250cp이다..

Description

마이크로 렌즈를 포함하는 깊이 픽셀 및 상기 깊이 픽셀을 포함하는 깊이 센서{DEPTH PIXEL INCLUDING MICROLENS AND DEPTH SENSOR INCLUDING THE DEPTH PIXEL}

본 발명의 개념에 따른 실시 예는 깊이 픽셀(depth pixel)에 관한 것으로서, 특히 마이크로렌즈(microlens)를 형성함으로써 성능이 향상된 깊이 픽셀 및 상기 깊이 픽셀을 포함하는 깊이 센서에 관한 것이다.

깊이 센서는 TOF(time of flight) 원리를 이용하여 물체의 깊이 정보를 제공할 수 있다.

상기 깊이 센서는 외부로부터 입사하는 빛에 응답하여 광전자를 생성한다. 상기 빛의 양에 비례하여 얻어지는 상기 광전자의 양은 상기 깊이 센서의 구조에 따른 상기 빛의 반사 또는 산란에 의해 감소할 수 있다. 이는 상기 깊이 센서의 성능 저하를 유발한다.

본 발명이 이루고자하는 기술적 과제는 마이크로렌즈를 포함함으로써 성능이 향상된 깊이 픽셀 및 상기 깊이 픽셀을 포함하는 깊이 센서를 제공하는 것이다.

본 발명의 실시 예들에 따른 깊이 픽셀은, 입사광을 집광하는 포토레지스트(photoresist)를 포함하는 마이크로렌즈, 상기 마이크로렌즈에 의해 집광된 입사광의 파장들 중에서 적외선 영역의 파장들을 통과시키는 적외선 필터, 상기 적외선 필터에 의해 통과된 적외선 영역의 파장들에 응답하여 광전하를 생성하는 광전 변환 소자 및 상기 적외선 필터와 상기 광전 변환 소자 사이에 형성되는 배선층을 포함하고, 상기 포토레지스트의 점도는 150cp ~ 250cp이다.
본 발명의 실시 예들에 따른 깊이 센서는, 렌즈 모듈 및, 깊이 픽셀들을 포함하고 상기 렌즈 모듈을 통해 입사된 입사광을 수신하는 픽셀 어레이를 포함하고, 상기 깊이 픽셀들 각각은, 입사광을 집광하는 포토레지스트(photoresist)를 포함하는 마이크로렌즈, 상기 마이크로렌즈에 의해 집광된 입사광의 파장들 중에서 적외선 영역의 파장들을 통과시키는 적외선 필터, 상기 적외선 필터에 의해 통과된 적외선 영역의 파장들에 응답하여 광전하를 생성하는 광전 변환 소자 및 상기 적외선 필터와 상기 광전 변환 소자 사이에 형성되는 배선층을 포함하고, 상기 포토레지스트의 점도는 150cp ~ 250cp이다.

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본 발명의 실시 예에 따른 깊이 픽셀은 마이크로렌즈를 포함함으로써 성능이 향상되는 효과가 있다.

본 발명의 상세한 설명에서 인용되는 도면을 보다 충분히 이해하기 위하여 각 도면의 상세한 설명이 제공된다.
도 1의(a) 내지 도 1의(c)는 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로렌즈를 제조하는 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로렌즈를 포함하는 깊이 센서의 블록도를 나타낸다.
도 3은 도 2에 도시된 깊이 픽셀의 단면도를 나타낸다.
도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로렌즈 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.
도 5는 통상적인 깊이 센서와 본 발명의 실시 예에 따른 깊이 센서의 시뮬레이션 결과를 나타낸다.
도 6은 컬러 이미지 센서와 본 발명의 실시 예에 따른 깊이 센서를 포함하는 이미지 처리 시스템의 블락도를 나타낸다.
도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 깊이 센서를 포함하는 신호 처리 시스템의 블락도를 나타낸다.

본 명세서에 개시되어 있는 본 발명의 개념에 따른 실시 예들에 대해서 특정한 구조적 내지 기능적 설명들은 단지 본 발명의 개념에 따른 실시 예를 설명하기 위한 목적으로 예시된 것으로, 본 발명의 개념에 따른 실시 예들은 다양한 형태로 실시될 수 있으며 본 명세서에 설명된 실시 예들에 한정되는 것으로 해석되어서는 아니된다.

본 발명의 개념에 따른 실시 예는 다양한 변경을 가할 수 있고 여러 가지 형태를 가질 수 있으므로 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 본 명세서에 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명의 개념에 따른 실시 예를 특정한 개시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변경, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다.

제1 및/또는 제2 등의 용어는 다양한 구성 요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성 요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안된다. 상기 용어들은 하나의 구성 요소를 다른 구성 요소로부터 구별하는 목적으로만, 예컨대 본 발명의 개념에 따른 권리 범위로부터 이탈되지 않은 채, 제1 구성요소는 제2 구성요소로 명명될 수 있고, 유사하게 제2 구성요소는 제1 구성요소로도 명명될 수 있다.

어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "연결되어" 있다거나 "접속되어" 있다고 언급된 때에는, 그 다른 구성요소에 직접적으로 연결되어 있거나 또는 접속되어 있을 수도 있지만, 중간에 다른 구성요소가 존재할 수도 있다고 이해되어야 할 것이다. 반면에, 어떤 구성요소가 다른 구성요소에 "직접 연결되어" 있다거나 "직접 접속되어" 있다고 언급된 때에는, 중간에 다른 구성요소가 존재하지 않는 것으로 이해되어야 할 것이다. 구성요소들 간의 관계를 설명하는 다른 표현들, 즉 "~사이에"와 "바로 ~사이에" 또는 "~에 이웃하는"과 "~에 직접 이웃하는" 등도 마찬가지로 해석되어야 한다.

본 명세서에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시 예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 명세서에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 설시된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부분품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.

다르게 정의되지 않는 한, 기술적이거나 과학적인 용어를 포함해서 여기서 사용되는 모든 용어들은 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 일반적으로 이해되는 것과 동일한 의미를 가지고 있다. 일반적으로 사용되는 사전에 정의되어 있는 것과 같은 용어들은 관련 기술의 문맥상 가지는 의미와 일치하는 의미를 가지는 것으로 해석되어야 하며, 본 명세서에서 명백하게 정의하지 않는 한, 이상적이거나 과도하게 형식적인 의미로 해석되지 않는다.

이하, 첨부한 도면을 참조하여 본 발명의 바람직한 실시 예를 설명함으로써, 본 발명을 상세히 설명한다.

도 1의(a) 내지 도 1의(c)는 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로렌즈를 제조 방법을 설명하기 위한 단면도이다.

도 1의 (a)를 참조하면, 기판(3) 위에 포토레지스트(photoresist, 1)가 형성된다.

포토레지스트 패턴(photoresist pattern)을 형성하기 위해 포토레지스트(1)가 빛에 노출된다.

도 1의 (a) 내지 도 1의 (c)를 참조하면, 마이크로렌즈(7)를 형성하기 위해 패턴된 포토레지스트(5)를 열 리플로우(thermal reflow)하는 과정이 수행된다.

패턴된 포토레지스트(5)의 직경은 10㎛ ~99㎛이다.

상기 과정은 패턴된 포토레지스트(5)를 열적(thermally)으로 녹여 마이크로렌즈(7)를 형성하기 위해 사용된다.

깊이 센서에서 사용되는 깊이 픽셀의 사이즈는 이미지 센서에서 사용되는 픽셀의 사이즈보다 크다. 따라서 상기 깊이 센서에서 사용되는 마이크로렌즈(7)의 사이즈는 상기 이미지 센서에서 사용되는 마이크로렌즈의 사이즈보다 커야 한다.

큰 사이즈의 마이크로렌즈(7)를 제작하기 위해서는 포토레지스트(1)의 점도는 150cp~250cp 이어야 한다. cp는 점도의 단위로서 centipoise의 줄임말이다.

포토레지스트(1)의 점도가 150cp~250cp이기 위해서는 패터닝 과정 후 또는 리플로우 과정 후 찌꺼기(residue)가 최소화되어야 한다.

포토레지스트(1)의 점도가 150cp~250cp일 때, 두께가 0.1㎛ ~9.9㎛인 포토 레지스트(1)가 제작될 수 있다.

두께가 0.1㎛ ~9.9㎛인 포토레지스트(1)를 이용하여 큰 사이즈의 마이크로렌즈(7)가 제작될 수 있다.

도 2는 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로렌즈를 포함하는 깊이 센서의 블록도를 나타낸다.

도 1의 (a)부터 도 2를 참조하면, TOF(time of flight) 원리를 이용하여 거리를 측정할 수 있는 깊이 센서(10)는 복수의 깊이 픽셀들(50)이 배열된 어레이 (22)를 포함하는 반도체 칩(20), 광원(32), 및 렌즈 모듈(34)을 포함한다.

어레이(22)는 복수의 깊이 픽셀들(50)을 포함한다.

로우 디코더(row decoder; 24)는 타이밍 컨트롤러(26)로부터 출력된 로우 어드레스(row address)에 응답하여 복수의 로우들 중에서 어느 하나의 로우를 선택한다. 여기서, 로우(row)란 어레이(22)에서 X-방향으로 배치된 복수의 깊이 픽셀들의 집합을 의미한다.

포토 게이트 컨트롤러(28)는 타이밍 컨트롤러(26)의 제어 하에 복수의 포토 게이트 컨트롤 신호들을 생성하여 이들을 어레이(22)로 공급할 수 있다.

광원 드라이버(30)는, 타이밍 컨트롤러(26)의 제어 하에, 광원(32)을 드라이빙할 수 있는 클락 신호(MLS)를 생성할 수 있다.

광원(32)은 클락 신호(MLS)에 응답하여 변조된 광신호를 타켓 물체(40)로 방사한다. 광원(32)으로서 LED(Light Emitting Diode), OLED(Organic Light-Emitting Diode), 또는 레이저 다이오드가 사용될 수 있다. 변조된 광신호는 정현파 또는 구형파일 수 있다.

광원 드라이버(30)는 클락 신호(MLS) 또는 클락 신호(MLS)에 대한 정보를 포토 게이트 컨트롤러(28)로 공급한다.

로직 회로(36)는, 타이밍 컨트롤러(26)의 제어 하에, 어레이(22)에 구현된 복수의 깊이 픽셀들(50)에 의하여 감지된 신호들을 처리하고 처리된 신호들을 프로세서(미도시)로 출력할 수 있다. 상기 프로세서는 상기 처리된 신호들에 기초하여 거리를 계산할 수 있다. 깊이 센서(10)가 상기 프로세서를 포함할 때, 깊이 센서 (10)는 거리 측정 장치일 수 있다.

실시 예에 따라 깊이 센서(10)와 상기 프로세서는 별개의 칩으로 구현될 수 있다.

실시 예에 따라, 로직 회로(36)는 어레이(22)로부터 출력된 감지 신호들을 디지털 신호들로 변환할 수 있는 아날로그-디지털 변환 블록(미도시)을 포함할 수 있다. 로직 회로(36)는 상기 아날로그-디지털 변환 블록으로부터 출력되는 상기 디지털 신호들에 CDS(correlated double sampling)를 수행하기 위한 CDS 블록(미도시)을 더 포함할 수 있다.

다른 실시 예에 따라, 로직 회로(36)는 어레이(22)로부터 출력된 감지 신호들에 CDS를 수행하기 위한 CDS 블록, 및 상기 CDS 블록에 의하여 CDS된 신호들을 디지털 신호들로 변환하기 위한 아날로그-디지털 변환 블록을 포함할 수 있다.

또한, 로직 회로(36)는 타이밍 컨트롤러(26)의 제어 하에 상기 아날로그-디지털 변환 블록 또는 상기 CDS 블록의 출력 신호들을 상기 프로세서로 출력하기 위한 컬럼 디코더를 더 포함할 수 있다.

광원(32)으로부터 출력된 변조된 광신호는 타겟 물체(40)에서 반사되고, 타겟 물체(40)가 서로 다른 거리(Z1, Z2, 및 Z3)를 가질 때 거리(Z)는 다음과 같이 계산된다.

예컨대, 변조된 광신호가 cosωt이고, 깊이 픽셀(23)로 입사된 광신호 또는 깊이 픽셀(23)에 의하여 검출된 광신호가 cos(ωt+φ)일 때, TOF에 의한 위상 쉬프트(phase shift; φ)는 다음과 같다.

φ=2*ω*Z/C=2*(2πf)*Z/C

여기서, C는 광속을 나타낸다.

따라서, 광원(32) 또는 어레이(22)로부터 타겟 물체(40)까지의 거리(Z)는 다음과 같이 계산된다.

Z=φ*C/(2*ω)=φ*C/(2*(2πf))

반사된 광신호들을 렌즈 모듈(34)을 통하여 어레이(22)로 입사된다.

깊이 센서(10)는 렌즈 모듈(34)의 주변에 원형으로 배열되는 복수의 광원들을 포함하나, 설명의 편의를 위하여 하나의 광원(32)만을 도시한다.

렌즈 모듈(34)을 통하여 어레이(22)로 입사된 광신호들은 복수의 깊이 픽셀들(50)에 의하여 복조될 수 있다. 즉, 렌즈 모듈(34)을 통하여 어레이(22)로 입사된 광신호들은 이미지를 형성할 수 있다.

도 3은 도 2에 도시된 깊이 픽셀의 단면도를 나타낸다.

도 2와 도 3을 참조하면, 깊이 픽셀(23)은 마이크로렌즈(100), 평탄층 (planarization layer, 110), 적외선 필터(120), 배선층(wiring layer, 130), 층간 절연막(interlayer insulating layer, 140), 및 기판(150)을 포함한다.

마이크로렌즈(100)는 빛을 집광시키기 위해 점도(viscosity)가 150cp ~250cp 인 포토레지스트로 구현된다.

평탄층(110)은 마이크로렌즈(100)가 부드럽고 평평한 표면에 형성될 수 있도록 하기 위해 형성된다. 평탄층(110)은 아크릴(acrylic), 또는 에폭시(epoxy) 물질로 구현될 수 있다.

실시 예에 따라 적외선 필터(120)의 표면이 이미 평평하거나, 폴리시 (polish)된 경우, 평탄층(110)은 형성되지 않을 수 있다.

적외선 필터(120)는 마이크로렌즈(100)를 통해 통과된 상기 빛의 파장들 중 적외선 영역의 파장들을 통과시키기 위한 필터이다.

상기 적외선 영역의 파장들은 깊이 센서(10)에서 깊이 정보를 제공하기 위해 이용된다.

배선층(130)은 복수의 절연막들(dielectric layers; 132, 134, 136, 및 138)과 복수의 금속 배선들(131, 133, 135, 및 137)을 포함한다.

복수의 절연막들(132, 134, 136, 및 138) 각각은 산화막(oxide layer) , 또는 산화막(oxide layer)과 질화막(nitride layer)의 복합막(composite layer)으로 형성될 수 있다.

복수의 금속 배선들(131, 133, 135, 및 137)은 전원 라인 또는 신호 라인과 연결되며, 입사되는 상기 빛이 차단되지 않도록 의도적으로 배치될 수 있다.

층간 절연막(140)은 트랜지스터(예컨대, 트랜스퍼 트랜지스터(transfer transistor)를 덮기(cover) 위해 질화 규소(silicon nitride), 규소 산화물 (silicon oxide) 또는 아크릴 수지(acrylic resin)로 형성될 수 있다.

기판(150)은 광전 변환 소자(160)를 포함한다.

예컨대, 광전 변환 소자(160)는 상기 적외선 필터(120)를 통해 통과된 적외선에 응답하여 광전하를 생성하는 포토다이오드(photodiode) 또는 포토게이트일 수 있다.

기판(150)은 실리콘(Si), 실리콘 게리마늄(SiGe), 또는 게르마늄(Ge)으로 형성될 수 있다.

도 4는 본 발명의 실시 예에 따른 마이크로렌즈 제조 방법을 설명하기 위한 흐름도이다.

도 1의 (a) 내지 도 1의 (c), 및 도 4를 참조하면, 기판(3) 위에 마이크로렌즈를 형성하기 위한 포토레지스트(photoresist, 1)가 형성된다(S10).

포토레지스트 패턴을 형성하기 위해 포토레지스트(1)가 노출된다(S20).

패턴된 포토레지스트(5)가 리플로우(reflow)된다(S30).

이때 포토레지스트(1)의 점도는 150cp ~250cp 이다.

도 5는 통상적인 기술과 본 발명의 실시 예에 따른 깊이 센서의 시뮬레이션 결과를 나타낸다.

도 1의 (a) 내지 도 5를 참조하면, 통상적인 깊이 센서는 마이크로렌즈를 포함하지 않는다. 따라서 상기 통상적인 깊이 센서는 평탄층의 높이가 증가하더라도 필 팩터(fill factor)가 0.18%이다. 반면 본 발명의 실시 예에 따른 깊이 센서 (10)는 평탄층의 높이가 증가함에 따라 필 팩터도 증가한다.

평탄층의 높이가 1㎛일 때 본 발명의 실시 예에 따른 깊이 센서(10)의 필 팩터는 상기 통상적인 기술의 필 팩터보다 대략 2배 높다.

평탄층의 높이가 4㎛일 때 본 발명의 실시 예에 따른 깊이 센서(10)의 필 팩터는 상기 통상적인 기술의 필 팩터보다 대략 3배 높다.

따라서 본 발명의 실시 예에 따른 깊이 센서(10)는 마이크로렌즈를 포함함으로써 깊이 센서(10)의 성능을 향상시킬 수 있다.

도 6은 컬러 이미지 센서와 본 발명의 실시 예에 따른 깊이 센서를 포함하는 이미지 처리 시스템의 블락도를 나타낸다.

도 6을 참조하면, 이미지 처리 시스템(700)은 깊이 센서(10), RGB 컬러 픽셀들을 포함하는 컬러 이미지 센서(310), 및 프로세서(210)를 포함할 수 있다.

도 6은 설명의 편의를 위하여 물리적으로 서로 분리된 깊이 센서(10)와 컬러 이미지 센서(310)를 도시하나, 깊이 센서(10)와 컬러 이미지 센서(310)가 서로 물리적으로 중복되는 신호 처리 회로들을 포함할 수 있다.

여기서, 컬러 이미지 센서(310)는 깊이 픽셀을 포함하지 않고 레드 픽셀, 그린 픽셀, 및 블루 픽셀로 구현된 픽셀 어레이를 포함하는 이미지 센서를 의미할 수 있다. 따라서, 프로세서(210)는 깊이 센서 (10)에 의하여 계산된 깊이 정보와 컬러 이미지 센서(310)로부터 출력된 각 컬러 정보(예컨대, 레드 정보, 그린 정보, 블루 정보, 마젠타(Magenta) 정보, 사이언 (cyan) 정보, 또는 옐로우(yellow) 정보 중에서 적어도 하나)에 기초하여 3차원 이미지 정보를 생성하고 생성된 3차원 이미지 정보를 디스플레이를 통하여 디스플레이할 수 있다.

프로세서(210)에 의하여 생성된 3차원 이미지 정보는 버스(301)를 통하여 메모리 장치(220)에 저장될 수 있다.

도 6에 도시된 이미지 처리 시스템(700)은 3차원 거리 측정기, 게임 컨트롤러, 깊이 카메라, 또는 제스쳐 센싱 장치(gesture sensing apparatus)에 사용될 수 있다.

도 7은 본 발명의 실시 예에 따른 깊이 센서를 포함하는 신호 처리 시스템의 블락도를 나타낸다.

도 7을 참조하면, 깊이 측정 센서로서만 동작할 수 있는 신호 처리 시스템 (800)은 깊이 센서(10)와 깊이 센서(10)의 동작을 제어하기 위한 프로세서(210)를 포함한다.

프로세서(210)는 깊이 센서(10)로부터 출력된 깊이 정보에 기초하여 신호 처리 시스템(800)과 피사체(또는 타겟 물체)와의 거리 정보 또는 깊이 정보를 계산할 수 있다. 프로세서(210)에 의하여 측정된 거리 정보 또는 깊이 정보는 버스(401)를 통하여 메모리 장치(220)에 저장될 수 있다.

인터페이스(410)는 3차원 이미지 정보를 입출력하기 위한 인터페이스로 구현될 수 있다. 실시 예에 따라, 인터페이스(410)는 무선 인터페이스로 구현될 수 있다.

본 발명은 도면에 도시된 일 실시 예를 참고로 설명되었으나 이는 예시적인 것에 불과하며, 본 기술 분야의 통상의 지식을 가진 자라면 이로부터 다양한 변형 및 균등한 타 실시 예가 가능하다는 점을 이해할 것이다. 따라서, 본 발명의 진정한 기술적 보호 범위는 첨부된 등록청구범위의 기술적 사상에 의해 정해져야 할 것이다.

1: 포토레지스트 50: 복수의 깊이 픽셀들
3: 기판 23: 깊이 픽셀
5: 패턴된 포토레지스트 100: 마이크로렌즈
7: 마이크로렌즈 110: 평탄층
10: 깊이 센서 120: 적외선 필터
20: 반도체 칩 130: 배선층
22: 어레이 132, 134, 136, 및 138: 복수의 절연막들
24: 로우 디코더 131, 133, 135, 및 137: 복수의 금속 배선들
26: 타이밍 컨트롤러 140: 층간 절연막
28: 포토 게이트 컨트롤러 150: 기판
30: 광원 드라이버 160: 광전 변환 소자
32: 광원
34: 렌즈 모듈
36: 로직 회로

Claims

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깊이 센서의 깊이 픽셀에 있어서,
입사광을 집광하는 포토레지스트(photoresist)를 포함하는 마이크로렌즈;
상기 마이크로렌즈에 의해 집광된 입사광의 파장들 중에서 적외선 영역의 파장들을 통과시키는 적외선 필터;
상기 마이크로렌즈의 하부와 상기 적외선 필터의 상부 사이에 형성된 평탄층;
상기 적외선 필터에 의해 통과된 적외선 영역의 파장들에 응답하여 광전하를 생성하는 광전 변환 소자; 및
상기 적외선 필터와 상기 광전 변환 소자 사이에 형성되는 배선층을 포함하고,
상기 포토레지스트의 점도는 150cp ~ 250cp이고,
상기 적외선 영역의 파장들은 상기 깊이 센서에서 깊이 정보를 제공하기 위해 이용되는 깊이 픽셀.
제4항에 있어서, 상기 포토레지스트의 두께는 0.1㎛ ~ 9.9㎛ 인 깊이 픽셀.
제4항에 있어서, 상기 포토레지스트의 직경은 10㎛ ~ 99㎛ 인 깊이 픽셀.
깊이 센서에 있어서,
렌즈 모듈; 및
깊이 픽셀들을 포함하고, 상기 렌즈 모듈을 통해 입사된 입사광을 수신하는 픽셀 어레이를 포함하고,
상기 깊이 픽셀들 각각은,
입사광을 집광하는 포토레지스트(photoresist)를 포함하는 마이크로렌즈; 및
상기 마이크로렌즈에 의해 집광된 입사광의 파장들 중에서 적외선 영역의 파장들을 통과시키는 적외선 필터;
상기 마이크로렌즈의 하부와 상기 적외선 필터의 상부 사이에 형성된 평탄층;
상기 적외선 필터에 의해 통과된 적외선 영역의 파장들에 응답하여 광전하를 생성하는 광전 변환 소자; 및
상기 적외선 필터와 상기 광전 변환 소자 사이에 형성되는 배선층을 포함하고,
상기 포토레지스트의 점도는 150cp ~ 250cp이고,
상기 적외선 영역의 파장들은 상기 깊이 센서에서 깊이 정보를 제공하기 위해 이용되는 깊이 센서.
제7항에 있어서, 상기 포토레지스트의 두께는 0.1㎛ ~ 9.9㎛ 인 깊이 센서.
제7항에 있어서, 상기 포토레지스트의 직경은 10㎛ ~ 99㎛ 인 깊이 센서.
제7항에 있어서, 상기 깊이 센서는,
상기 픽셀 어레이로부터 출력되는 신호들을 처리하는 로직 회로; 및
상기 로직 회로에 의해 처리된 신호들에 따라 물체의 거리를 계산하는 프로세서를 더 포함하는 깊이 센서.