KR20170056690A - 인장력을 사용한 이미지 센서 벤딩 - Google Patents

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Abstract

곡면을 갖는 이미지 센서 칩을 제조하는 기술은 이미징 센서 칩의 제1 표면 상에 벤딩 기판을 배치하는 것을 포함한다. 이미징 센서 칩의 제1 표면은 광을 받아들인 것에 응답하여 전기 신호를 발생시키는 광 센서를 포함한다. 제조는 또한 이미지 센서 칩 상에 힘이 부여되도록 벤딩 기판을 벤딩(bending)시킴으로써 곡면형(curved) 이미징 센서 칩을 생성하는 것을 포함한다. 곡면형 이미징 센서 칩의 제2 표면은 후면 기판에 접착될 수 있다. 제2 표면은 제1 표면과는 반대편에 있다. 벤딩 기판은 이미징 센서 칩의 제1 표면으로부터 제거될 수 있다.

Description

인장력을 사용한 이미지 센서 벤딩{IMAGE SENSOR BENDING USING TENSION}
본 발명은 인장력을 사용한 이미지 센서 벤딩에 관한 것이다.
광학 시스템은 몇 개 예를 들자면, 카메라, 망원경, 쌍안경, 사무용품, 및 과학 기기와 같은 많은 디바이스들에서 일반적으로 사용된다. 광학 시스템은 렌즈, 거울, 및/또는 하나 이상의 광 감지 디바이스들을 포함할 수 있다. 광학 시스템의 성능은, 부분적으로, 시스템의 각 엘리먼트들의 설계는 물론 엘리먼트들 간의 광학적 상호작용을 설명하는 시스템의 전반적인 설계에 달려 있다. 예를 들어, 하나의 렌즈의 광 출력은 후속 렌즈 또는 광 감지 디바이스의 광 입력일 수 있다.
전하 결합 디바이스(charge-coupled device; CCD) 또는 포토다이오드와 같은 광 감지 디바이스들이 다양한 광학 시스템에 존재한다. 종종, CCD는 실리콘 기판 상에 제조된 어레이로 구성된다. CCD 어레이에 광을 제공하는 광학 시스템의 일부는 CCD 어레이의 크기, CCD 어레이의 분해능, 및 광학 시스템의 나머지 부분에 대한 CCD 어레이의 위치지정과 같은 CCD 어레이의 특정 세부사항에 적어도 부분적으로 기초하여 설계될 수 있다.
본 발명개시는 이미지 센서들을 벤딩(bending)하고 셰이핑(shaping)하기 위한 기술들 및 아키텍처들을 설명한다. 특히, 예를 들어, 실리콘 또는 게르마늄과 같은 비교적 부서지기 쉬운 기판 상에 제조된 이미지 센서는 이미지 센서의 감광면이 구면, 비구면, 또는 다른 형상을 갖게끔 곡면화되도록 벤딩될 수 있다.
이미지 센서를 벤딩시키기 위해, 벤딩 기판이 이미지 센서의 감광면에 접합되거나 퇴적(deposit)될 수 있다. 벤딩 기판에 힘 또는 토크를 가하여 이미지 센서에 인장력(tension)을 도입시킨다. 인장력은 복수의 곡면 형상들 중 임의의 형상으로의 이미지 센서의 벤딩을 야기시킨다. 힘 또는 토크는 원하는 곡면 형상에 따라 비교적 균일하거나 불균일하게 가해질 수 있다.
본 요약은 아래의 상세한 설명에서 보다 상세하게 설명되는 개념들의 선택을 단순한 형태로 소개하기 위해 제공된 것이다. 본 요약은 청구된 발명내용의 중요한 특징들 또는 필수적인 특징들을 확인시키려는 의도는 없으며, 또한 청구된 발명내용의 범위를 제한시키려는 의도도 없다. 예를 들어, "기술"이라는 용어는 위 문맥에 의해 그리고 본 명세서 전체에 걸쳐서 허용되는 기술(들)을 수행하는데 이용될 수 있는, 제조 장비, 제어 시스템(들), 방법(들), 컴퓨터 판독가능 명령어, 모듈(들), 알고리즘, 또는 하드웨어 로직{예컨대, FPGA(Field-Programmable Gate Array), ASIC(Application-Specific Integrated Product), ASSP(Application-Specific Standard Product), SOC(System-on-a-Chip) 시스템, CPLD(Complex Programmable Logic Device)}을 가리킬 수 있다.
상세한 설명을 첨부 도면들을 참조하여 설명한다. 도면들에서, 참조번호의 가장 좌측의 숫자는 해당 참조번호가 처음 나타나는 도면을 식별한다. 상이한 도면들에서의 동일한 참조번호들의 이용은 유사하거나 또는 동일한 아이템들 또는 특징들을 나타낼 수 있다.
도 1은 다양한 예시적인 실시예들에 따른 이미지 센서 칩의 평면도이다.
도 2는 다양한 예시적인 실시예들에 따른 이미지 센서 칩 및 벤딩 기판의 측면도이다.
도 3은 다양한 예시적인 실시예들에 따른, 인가된 힘 및 토크를 받은 곡면형 이미지 센서 칩 및 벤딩 기판의 측면도이다.
도 4는 다양한 예시적인 실시예들에 따른, 후면 기판 상에 배치되는 곡면형 이미지 센서 칩 및 벤딩 기판의 측면도이다.
도 5는 다양한 예시적인 실시예들에 따른, 곡면형 이미지 센서 칩, 벤딩 기판, 및 후면 기판의 측면도이다.
도 6은 다양한 예시적인 실시예들에 따른, 벤딩 기판의 제거 이후의 곡면형 이미지 센서 칩 및 후면 기판의 측면도이다.
도 7은 다양한 예시적인 실시예들에 따른, 퇴적에 의한 이미지 센서 칩과 이미지 센서 칩 상에 배치된 벤딩 기판의 측면도이다.
도 8은 다양한 예시적인 실시예들에 따른, 인가된 힘 및 토크를 받은 곡면형 이미지 센서 칩 및 벤딩 기판의 측면도이다.
도 9는 다양한 예시적인 실시예들에 따른, 곡면형 이미지 센서 칩 및 후면 기판의 측면도이다.
도 10은 다양한 예시적인 실시예들에 따른, 곡면형 이미지 센서 칩, 벤딩 기판, 및 후면 기판을 포함하는 광학 시스템의 단면도이다.
도 11은 다양한 예시적인 실시예들에 따른, 곡면형 이미지 센서 칩 및 후면 기판을 포함하는 광학 시스템의 단면도이다.
도 12는 다양한 예시적인 실시예들에 따른, 이미지 센서 칩 및 다양한 노치(notch)들과 홈(groove)들을 포함하는 벤딩 기판의 측면도이다.
도 13은 복수의 예시적인 실시예들에 따른, 벤딩 기판의 중심 영역 주변에 동심원으로 분포된 일련의 노치들 및/또는 홈들을 포함하는 벤딩 기판의 평면도이다.
도 14는 다양한 예시적인 실시예들에 따른, 곡면형 이미지 센서 칩 및 다양한 노치들과 홈들을 포함하는 벤딩 기판의 측면도이다.
도 15는 다양한 예시적인 실시예들에 따른 중립 축, 이미지 센서 칩 및 벤딩 기판을 나타내는 측면도이다.
도 16은 다양한 예시적인 실시예들에 따른, 곡면형 이미지 센서 칩 및 후면 기판의 곡률(curvature)을 나타내는 단면도이다.
도 17 및 도 18은 다양한 예시적인 실시예들에 따른, 곡면형 이미지 센서 칩의 감광면의 단면도들이다.
도 19는 다양한 예시적인 실시예들에 따른 이미지 센서 칩 및 벤딩 기판의 평면도이다.
도 20은 일부 예시적인 실시예들에 따른, 이미지 센서 칩을 벤딩하기 위한 예시적인 프로세스들을 나타내는 흐름도이다.
개관
일반적으로, 광학 시스템은 렌즈, 거울, 및/또는 전하 결합 디바이스(CCD) 또는 광 에너지를 전기 신호로 변환할 수 있는 다른 디바이스들과 같은 하나 이상의 광 감지 디바이스를 포함할 수 있다. 복수의 CCD는, 예를 들어, 실리콘, 게르마늄, 또는 다른 반도체 물질일 수 있는 기판 상에 제조된 어레이(예를 들어, 픽셀화된 어레이)로 구성될 수 있다. 기판 상에 제조된, CCD 또는 다른 광 감지 엔티티와 같은 임의의 복수의 구성들의 감광성 디바이스를 본 명세서에서 "이미지 센서 칩"이라고 부른다. 그러나, 이 명칭은 이미지를 감지하기 위해 구성될 필요는 없으며, 대신에 임의의 광 신호(가시적이든 아니든)를 감지하는 광 센서를 가리킬 수 있다는 것을 유념해야 한다.
이미지 센서 칩은 이미지 센서 칩의 감광면이 곡면 형상을 갖도록 벤딩될 수 있는데, 이는 평면형 이미지 센서 칩과 비교하여 광학 시스템의 설계에 많은 이점들을 제공할 수 있다. 특히, 렌즈 및/또는 거울을 포함하는 광학 시스템은, 평면형 이미지 센서 칩과 비교하여, 광학 시스템이 곡면형 이미지 센서 칩을 포함할 때 보다 적은 설계 제약을 갖는다. 예를 들어, 구면 또는 비구면 표면을 갖는 이미지 센서 칩은 이미지 센서 칩의 표면에 걸쳐 비교적 균일한 광 세기 및 공간 주파수 응답을 생성하는 고성능 광학 시스템을 야기시킬 수 있다.
다양한 실시예들에서, 이미지 센서 칩은 이미지 센서 칩의 감광면 상에 "벤딩 기판"을 접합 또는 퇴적하는 단계를 포함하는 프로세스에서 벤딩될 수 있다. 이미지 센서 칩에 전단력(shear force)을 인가하기 위해 힘 또는 토크가 벤딩 기판에 인가된다. 이는 칩 표면에 걸쳐 비교적 균일한 인장력을 도입시킨다. 이러한 균일성은 비교적 부서지기 쉬운 이미지 센서 칩의 바람직하지 않은 균열(cracking) 또는 버클링(buckling)을 방지하는데 도움을 준다. 인장력은 이미지 센서 칩의 곡면 형상으로의 벤딩을 야기시킨다. 일부 실시예들에서, 바람직하지 않은 균열 또는 버클링없이 불균일한 인장력이 선택적으로 도입될 수 있다.
또한, 벤딩 기판은 인장력에 의해 이미지 센서 칩을 변형시키거나 벤딩시킬 수 있다. 이미지 센서 칩은, 압착력을 받고 있을 때와 비교하여, 인장력을 받고 있을 때 더 낮은 암전류를 가질 수 있기 때문에, 인장력을 사용하여 이미지 센서 칩을 벤딩하는 것이 유리할 수 있다. 따라서, 이미지 센서 칩의 영역의 상당 부분이 인장력이 있는 상태에서 원하는 형상으로 벤딩되거나 변형되도록 벤딩 기판이 설계될 수 있다. 이러한 설계는, 이미지 센서 칩을 중립 벤딩 축의 인장력 측면 상에 위치시키도록, 벤딩 기판의 강성도(stiffness) 및/또는 두께에 적어도 부분적으로 기초할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 곡면형 이미지 센서 칩은 이미지 센서 칩의 곡면 형상을 유지하는 것을 돕는 후면 기판에 접합된다. 이미지 센서 칩을 후면 기판에 접합시킨 후, 벤딩 기판은 (예를 들어, 이미지 센서 칩의 감광면을 노출시키기 위해) 제거될 수 있다.
다양한 실시예들에서, 벤딩 기판에 접합된 곡면형 이미지 센서 칩의 조합은 나중에 광학 시스템에 통합될 수 있는 독립형 광학 디바이스를 포함할 수 있다. 일부 구현예들에서, 이러한 조합은 이미지 센서 칩의 후면(예를 들어, 감광면의 반대면)에 부착된 후면 기판을 포함할 수 있다. 예를 들어, 제조자는 벤딩 기판(및 어떤 경우에는, 후면 기판)에 접합된 곡면형 이미지 센서 칩의 조합을 포함하는 광학 디바이스를 제조할 수 있다. 제조자는 광학 시스템을 생산하는 다른 제조자에 그러한 광학 디바이스를 공급할 수 있다. 광학 디바이스는 이러한 광학 시스템에 통합될 수 있다. 일부 구현예들에서, 광학 시스템을 생산하는 제조자는 저장 또는 선적 중에 손상으로부터 감광면을 보호하도록 작용할 수 있는 벤딩 기판을 이미지 센서 칩으로부터 제거할 수 있다.
다양한 실시예들에서, 후면 기판에 접합된 곡면형 이미지 센서 칩의 조합은 나중에 광학 시스템에 통합될 수 있는 독립형 광학 디바이스를 포함할 수 있다. 예를 들어, 제조자는 후면 기판에 접합된 곡면형 이미지 센서 칩의 조합을 포함하는 광학 디바이스를 제조할 수 있다. 제조자는 광학 시스템을 생산하는 다른 제조자에 그러한 광학 디바이스를 공급할 수 있다. 광학 디바이스는 이러한 광학 시스템에 통합될 수 있다.
다양한 예시적 실시예들이 도 1 내지 도 20을 참조하여 심화적으로 설명된다.
예시적인 환경
도 1은 다양한 실시예들에 따른 이미지 센서 칩(100)의 평면도이다. 이미지 센서 칩(100)은 반도체 기판(102)을 포함하며, 이 반도체 기판(102) 위에 감광부(104)가 형성된다. CCD 어레이일 수 있는 감광부(104)는 복수의 감광 엘리먼트들(106)을 포함한다. 각각의 이러한 감광 엘리먼트(106)는 예를 들어, 감광부(104)에 의해 부분적으로 생성된 이미지의 픽셀에 대응할 수 있다. 감광부(104)는 광 에너지를 전기 에너지 또는 전기 신호로 변환시킬 수 있는 "활성 영역"으로 지칭될 수 있다. 달리 명시하지 않는 한, "광"의 용어는 임의의 스펙트럼 부분에 있는 전자기 에너지를 가리킨다. 따라서, 예를 들어, 광 또는 광 에너지는 전자기 스펙트럼의 가시광, 적외선(IR), 근적외선(NIR), 및 극자외선(UV) 부분을 포함한다.
비활성 영역(108)은 감광부(104)를 적어도 부분적으로 둘러싼다. 감광 엘리먼트들이 없는 비활성 영역(108)은 감광부(104)를 작동시키기 위한 다양한 회로 엘리먼트들, 전도성 트레이스 등을 포함할 수 있다. 예를 들어, 감광부(104)가 CCD 어레이인 경우, 비활성 영역(108)은 CCD 엘리먼트들의 행 및 열을 제어하기 위한 회로부를 포함할 수 있다. 감광부(104) 및 비활성 영역(108) 각각은 이미지 센서 칩(100)의 영역의 임의의 부분을 차지할 수 있다. 감광부(104)는 정사각형 또는 임의의 종횡비(예를 들어, 폭 대 높이)를 갖는 직사각형일 수 있다.
반도체 기판(102)은 임의의 수의 원소들의 조합을 비롯하여 임의의 수의 원소들을 포함할 수 있으며, 이들 중 임의의 원소는 첨가된 불순물(예를 들어, 도펀트)을 포함할 수 있다. 예를 들어, 반도체 기판(102)은 실리콘 또는 게르마늄일 수 있다. 일부 예시들에서, 이미지 센서 칩(100)의 두께는 약 5미크론에서 10미크론 까지, 심지어는 약 1밀리미터 까지의 범위일 수 있다.
이미지 센서 칩(100)은 이미지 센서 칩(100)에 특정한 방식으로 광을 제공하는 광학 시스템에 통합될 수 있다. 예를 들어, 일부 구현예들에서, 렌즈 시스템은 이미지 센서 칩(100)의 위치와 일치하는 초점면을 갖도록 구성될 수 있다. 특정 구현예에서, 렌즈 시스템은 곡면 버전의 이미지 센서 칩(100)의 곡면과 일치하는 초점면을 갖도록 구성될 수 있다. 다른 구현예들에서, 렌즈 시스템은 이미지 센서 칩(100)의 초점 길이와 일치하는 초점 길이를 갖도록 구성될 수 있다. 광학 시스템의 광학 엘리먼트들(예를 들어, 렌즈 및/또는 거울)은 초점면의 위치 및 초점 길이를 적어도 부분적으로 결정할 수 있다. 특히, 감광부(104)에 광을 제공하는 광학 시스템의 일부분은 적어도 부분적으로, 감광부(104)의 크기, 감광부(104)의 분해능, 및 광학 시스템의 나머지에 대한 감광부(104)의 위치설정과 같은, 감광부(104)의 특정 세부사항에 기초하여 설계될 수 있다. 광학 시스템의 성능은, 광학 시스템의 각 엘리먼트들의 설계는 물론 광학 엘리먼트들 간의 광학적 상호작용을 설명하는 광학 시스템의 전반적인 설계에 달려 있다. 예를 들어, 하나의 렌즈의 광 출력은 후속 렌즈의 광 입력일 수 있다. 일반적으로, 광학 엘리먼트들의 품질 및 서로에 대한 이들의 배열은 분해능(예를 들어, 픽셀에 대응하는 CCD 엘리먼트들과 같은, 감광 엘리먼트들(106)의 밀도)이 증가함에 따라 증가한다. 예를 들어, 이러한 품질은, 비제한적인 예시로서, 구조적 및 광학적 수차, 광 전달 또는 반사, 광 균일성, 위치설정 등을 비롯한, 개별 광학 엘리먼트들의 파라미터들에 적어도 부분적으로 기초할 수 있다.
도 2 내지 도 6은 일부 실시예들에 따른, 이미지 센서 칩(100)과 같은 이미지 센서 칩을 벤딩하거나 셰이핑하는 예시적인 프로세스의 다양한 부분을 나타낸다. 이러한 프로세스는 임의의 엔티티에 의해 수동으로(예를 들어, 인간에 의해), 자동으로(예를 들어, 머신에 의해), 또는 이들의 조합에 의해 수행될 수 있다. 예를 들어, 제조자, 조립자, 제작자, 또는 구축자일 수 있는 이러한 엔티티를 본원에서는 "제작자"라고 부른다.
도 2는 다양한 실시예들에 따른 이미지 센서 칩(200) 및 벤딩 기판(202)의 측면도이다. 이미지 센서 칩(200)은, 예를 들어, 도 1에 도시된 감광부(104)와 동일하거나 유사할 수 있는 감광부(204)를 포함한다. 일부 구현예들에서, 벤딩 기판(202)은 이미지 센서 칩(200)의 제1 표면(206)에 접합되거나 적층된다. 제작자는 접착제(208)를 사용하여 이러한 접합 또는 적층을 수행할 수 있다. 그러나, 일부 구현예들에서, 접착제는 사용될 필요가 없다. 다양한 구현예들에서, 제1 표면(206)의 일부분들은 벤딩 기판(202)에 접합되거나 접착될 필요가 없다. 예를 들어, 제1 표면(206)의 특정 영역들은 벤딩 기판(202)에 접합되거나 접착될 수 있는 반면에, 제1 표면(206)의 다른 특정 영역들은 i) 벤딩 기판(202)과 제1 표면(206) 사이에서 보이드(void)(도시되지 않음)를 포함할 수 있거나, 또는 ii) 벤딩 기판(202)과 제1 표면(206) 사이에서 접착제(208)가 없을 수 있다. 제작자는, 예를 들어, 보이드를 갖거나 또는 접착제가 없는 제1 표면(206)의 특정 영역들을 포함시킴으로써, 벤딩 기판(202)으로부터 이미지 센서 칩(200)으로의 인장력 전달(및 셰이핑)을 적어도 부분적으로 제어할 수 있다.
제1 표면(206)은 이미지 센서 칩(200)의 감광부인 감광부(204)를 포함한다. 제1 표면(206)은 또한, 예를 들어, 도 1에 도시된 비활성 영역(108)과 동일하거나 유사할 수 있는 비활성 영역(210)을 포함할 수 있다. 화살표(212)는 이미지 센서 칩(200)이 수신하도록 구성된 입사광의 방향을 나타낸다.
이미지 센서 칩(200)의 가장자리(214)는 벤딩 기판(202)의 가장자리(216)와 정렬되거나 정렬되지 않을 수 있다. 일부 구현예들에서, 도 2에 도시된 바와 같이, 벤딩 기판(202)은 이미지 센서 칩(200)의 가장자리(214)를 넘어 연장될 수 있다. 다른 구현예들에서, 이미지 센서 칩(200)은 벤딩 기판(202)의 가장자리(216)를 넘어 연장될 수 있다.
벤딩 기판(202)은, 예를 들어, 플라스틱, 폴리머, 다른 유기 화합물, 이들의 조합 등과 같은 복수의 물질들 중 임의의 물질을 포함할 수 있다. 일부 예시들에서, 벤딩 기판(202)의 두께는 이미지 센서 칩(200)의 두께보다 적어도 수 배 더 클 수 있다. 특정 예시의 경우로서, 이미지 센서 칩(200)은 약 5미크론 내지 10미크론 두께일 수 있고, 벤딩 기판(202)은 약 50미크론 내지 100미크론 두께일 수 있다. 이미지 센서 칩(200)의 두께는 10미크론보다 훨씬 클 수 있고, 벤딩 기판(202)은 이미지 센서 칩(200)보다 적어도 수 배 더 두꺼울 수 있다. 일부 구현예들에서, 벤딩 기판(202)의 상이한 부분들은 상이한 두께를 가질 수 있다. 벤딩 기판(202)을 위한 물질의 선택은 이미지 센서 칩(200)의 강성도와 비교되는 해당 물질의 강성도에 적어도 부분적으로 기초할 수 있다. 이미지 센서 칩(200)의 강성도는 실리콘 또는 게르마늄일 수 있는 이미지 센서 칩(200)의 기판 물질, 및 이미지 센서 칩(200)의 두께에 적어도 부분적으로 의존할 수 있다. 벤딩 기판(202)의 강성도는 벤딩 기판(202)을 위해 사용되는 물질 및 두께에 적어도 부분적으로 의존할 수 있다. 일부 구현예들에서, 벤딩 기판(202)을 위해 사용된 물질 및 두께는 벤딩 기판(202)의 상이한 부분들마다 상이할 수 있다. 따라서, 벤딩 기판(202)의 강성도는 이미지 센서 칩(200)의 상이한 부분들에 걸쳐 변할 수 있다. 예를 들어, 이미지 센서 칩(200)의 중심 영역 위의 벤딩 기판(202)의 부분은 이미지 센서 칩(200)의 가장자리 영역들 위의 벤딩 기판(202)의 부분들에 비해 상대적으로 딱딱할 수 있다.
벤딩 기판(202)을 위한 물질의 선택은 물질의 열특성에 적어도 부분적으로 기초할 수 있다. 예를 들어, 선택된 물질은 이미지 센서 칩(200)에 손상을 줄 수 있는 온도보다 실질적으로 낮은 온도에서 이미지 센서 칩(200)에 도포될 수 있다. 과도한 온도는 이미지 센서 칩(200)의 감광부(204), 반도체 기판, 및/또는 비활성 영역을 손상시킬 수 있다. 예를 들어, 실리콘 기반 이미지 센서 칩의 경우, 약 섭씨 200도 미만의 온도는 안전할 수 있고, 이미지 센서 칩(200)을 손상시키지 않을 수 있다. 마찬가지로, 이러한 온도 고려사항은 이미지 센서 칩(200)으로부터 벤딩 기판(202)을 위해 사용되는 물질을 제거하는 프로세스에 적용될 수 있다.
온도 고려사항 이외에, 벤딩 기판(202)을 위한 물질의 선택은 이미지 센서 칩(200)에 물질을 도포하는 능력 및 이미지 센서 칩(200)으로부터 물질을 나중에 제거하는 능력에 적어도 부분적으로 기초할 수 있다. 예를 들어, 이미지 센서 칩(200)에 물질을 적층하거나 접착시키기가 상대적으로 용이하도록, 그리고 어떠한 잔류 물질도 남기지 않고서 및/또는 감광부(204)의 임의의 물리적 특성을 변경시키지 않고서 이미지 센서 칩(200)으로부터 벗겨지도록, 물질이 선택될 수 있다.
도 3은 일부 실시예들에 따른, 다앙한 인가된 힘 및 토크를 받은 곡면형 이미지 센서 칩(300) 및 벤딩 기판(302)의 측면도이다. 일부 예시들에서, 곡면형 이미지 센서 칩(300) 및 벤딩 기판(302)은 도 3에 도시된 벤딩 전에는, 각각 이미지 센서 칩(200) 및 벤딩 기판(202)과 동일하거나 유사할 수 있다. 예를 들어, 제작자는 이미지 센서 칩(100)의 변형을 초래하는 인장력을 도입시키도록 벤딩 기판(202)에 힘(304) 및/또는 토크(306)를 인가하여 곡면형 이미지 센서 칩(300)을 생성시킬 수 있다. 벤딩 기판 및/또는 이미지 센서 칩에 인가된 이러한 힘 및/또는 토크는 구조물(도시되지 않음)이 벤딩 기판 및 이미지 센서 칩을 지지하거나 또는 홀딩하는 접촉점들에 위치할 수 있는 반력을 발생시킬 수 있다. 예를 들어, 테이블 위에 있는 물체를 아래로 누르는 힘은 물체를 위로 올리려는 테이블의 반력을 발생시킬 것이다. 도면의 명확성을 위해, 여기서 반력은 도시되지 않는다.
곡면형 이미지 센서 칩(300)은 곡면형 제1 표면(310) 상에 배치된 곡면형 감광부(308)를 포함한다. 접착제(208)와 동일하거나 유사할 수 있는 접착제(312)는 곡면형 이미지 센서 칩(300)과 벤딩 기판(302)을 함께 접합시킬 수 있다.
제작자는 이미지 센서 칩(300)을 벤딩시키기 위해 벤딩 기판(302)에 복수 유형들의 임의의 힘들을 인가할 수 있다. 예를 들어, 벤딩 기판(302)에 인접한 가압된 유체 또는 가스(314)는 벤딩 기판(302) 상에 힘(304)을 부여할 수 있다. 일부 구현예들에서, 도 3에서 화살표로 표시된 가압된 유체 또는 가스(314)는 벤딩 기판(302)의 표면(316)의 적어도 일부에 인접한 함유된 유체 또는 가스(예를 들어, 가요성 블래더(flexible bladder) 또는 기계적 액츄에이터에 함유됨)를 포함할 수 있다. 가압된 유체 또는 가스(314)는 표면(316) 상의 상이한 위치들에서 상이한 힘(304)을 부여할 수 있다. 일부 경우들에서, 복수의 임의의 형상들을 갖는 고체 물체(도시되지 않음)에 의한 기계적 접촉이 가압된 유체 또는 가스(314)를 대체하고 힘(304)을 부여할 수 있다.
다른 구현예들에서, 제작자는 벤딩 기판(302) 상에 토크(예를 들어, 회전력)를 부여하기 위해 벤딩 기판(302)의 일부분에 하나 또는 이상의 기계적 디바이스들(318)(이들 중 하나가 도 3에 개략적으로 도시되어 있음)을 적용할 수 있다. 예를 들어, 제작자는 가장자리들(320) 부근의 벤딩 기판(302)의 일부분에 기계적 디바이스들(318)을 적용할 수 있다. 일부 경우들에서, 가압된 유체 또는 가스(314)가 벤딩 기판(302)의 중심 영역 부근에서 힘을 생성하는 동안 기계적 디바이스들(318)은 벤딩 기판(302)의 가장자리 부근에서 토크를 부여할 수 있다. 이러한 토크 및 (예를 들어, 가압된 유체 또는 가스(314)에 의해 생성된) 선형적 힘(linear force)의 조합은 서로 임의의 비율 관계로 인가될 수 있다. 예를 들어, 가압된 유체 또는 가스(314)에 의해 벤딩 기판(302) 상에 부여된 힘은 기계적 디바이스들(318)에 의해 부여된 힘의 두 배일 수 있다. 이러한 비율, 및 선형적 힘 또는 토크 중 단하나를 인가하거나 또는 둘 모두를 동시에 인가하는지의 여부는 (곡면화되기 전의) 이미지 센서 칩(300)의 물리적 세부사항(예를 들어, 강성도, 두께 등) 및 곡면형 이미지 센서 칩(300)의 원하는 형상에 적어도 부분적으로 의존할 수 있다. 일부 구현예들에서, 제작자는 벤딩 기판(302)의 가장자리들(320)에 기계적 디바이스들(318)를 적용하는 것 이외에 또는 대신에, 이미지 센서 칩(302)의 가장자리들(322)에 기계적 디바이스들(318)을 적용할 수 있다.
곡면형 이미지 센서 칩(300)과 벤딩 기판(302)의 조합을 이후부터는 어셈블리(324)라고 칭한다. 일부 구현예들에서, 어셈블리(324)는 후면 기판과 같은 강체와 접촉하여 배치될 수 있다. 이러한 방식으로, 힘 및/또는 토크가 벤딩 기판(302)에 더 이상 인가되지 않은 후 어셈블리(324)의 형상은 변경되지 않은 채로 유지될 수 있다.
도 4는 다양한 실시예들에 따른, 후면 기판(400) 상에 배치되는 곡면형 이미지 센서 칩(300) 및 벤딩 기판(302)을 포함하는 어셈블리(324)의 측면도이다. 특히, 제작자는 도 3에 도시된 곡면형 제1 표면(310)과는 반대편에 있는, 곡면형 이미지 센서 칩(300)의 곡면형 제2 표면(402)을 후면 기판(400)의 셰이핑된 표면(404)과 붙여서 곡면형 제2 표면(402)의 적어도 일부가 셰이핑된 표면(404)과 접촉되게 할 수 있다. 화살표(406)는 곡면형 제2 표면(402)과 셰이핑된 표면(404)을 서로 다가가게 하는 프로세스를 나타낸다. 몇몇 구현예들에서, 클램핑 또는 홀딩 메커니즘(미도시됨)과 같은 물리적 디바이스는 벤딩 기판(302)의 가장자리(408)에 의해 곡면형 이미지 센서 칩을 홀딩함으로써 곡면형 이미지 센서 칩(300)을 이송할 수 있다.
후면 기판(400)은 셰이핑된 표면(404)과는 반대편에 있는 바닥면(410)을 포함한다. 평면도에서 봤을 때, 후면 기판(400)은 정사각형, 직사각형, 원형, 또는 임의의 다른 형상일 수 있다. 곡면형 이미지 센서 칩(300)과 후면 기판(400)은 도 4에서 동일한 크기를 갖는 것으로 예시되지만, 그 크기는 상이할 수 있다. 예를 들어, 후면 기판(400)은 곡면형 이미지 센서 칩(300)보다 클 수 있다. 셰이핑된 표면(404)은 곡면형 이미지 센서 칩(300)의 원하는 형상에 대응하는 형상을 가질 수 있다. 셰이핑된 표면(404)은 단지 몇가지 예를 들자면, 구면, 파라볼릭, 비구면, 또는 하나 이상의 변곡점을 갖는 복합 형상일 수 있다.
후면 기판(400)은 어셈블리(324)가 곡면 형상으로부터 직선화하기 위해 가질 수 있는 경향성에 저항할만큼 충분히 단단한 복수의 임의의 물질들을 포함할 수 있다. 이러한 물질들은, 예를 들어, 금속, 반도체 물질, 플라스틱, 유리, 세라믹 등을 포함할 수 있다. 어셈블리(324) 및 후면 기판(400)의 조합을 이후부터는 어셈블리(412)라고 칭한다.
바닥면(410) 및/또는 후면 기판(400)의 측면들은, 예를 들어, 광학 시스템에서 어셈블리(412)를 마운팅하기 위한 구멍 및/또는 돌출부(414)를 포함할 수 있다. 따라서, 어셈블리(412)는 광학 시스템에 통합될 수 있는 독립형 광학 디바이스일 수 있다. 셰이핑된 표면(404)과 곡면형 제2 표면(402)을 함께 접합시키기 위해 접착제(416)가 셰이핑된 표면(404) 상에 또는 곡면형 제2 표면(402) 상에 배치될 수 있다.
도 5는 다양한 실시예들에 따른, 곡면형 이미지 센서 칩(300), 벤딩 기판(302), 및 후면 기판(400)을 포함하는 어셈블리(412)의 측면도이다. 일부 구현예들에서, 곡면형 제2 표면(402) 및 셰이핑된 표면(404)의 형상은 서로 동일하지 않을 수 있다. 예를 들어, 이미지 센서 칩(300)을 곡면 형상으로 셰이핑하기 위해 벤딩 기판(302)에 (예를 들어, 도 3에 도시된 바와 같은) 힘 및/또는 토크가 더 이상 인가되지 않을 때, 벤딩 기판 및 곡면형 이미지 센서 칩(300)은 (예를 들어, 탄성에 의해) 직선화되려는 경향성을 가질 수 있다. 일부 경우들에서, 이러한 경향성을 보상하기 위해 힘 및/또는 토크는 곡면형 이미지 센서 칩(300)을 과도 셰이핑하도록 인가될 수 있다. 다른 경우들에서, 그러한 직선화는 셰이핑된 표면(404)과는 상이한 곡률 또는 형상을 갖는 곡면형 제2 표면(402)을 야기시킬 수 있다. 이러한 차이는 곡면형 제2 표면(402)의 임의의 부분과 셰이핑된 표면(404) 사이에 갭 또는 보이드(500)를 초래할 수 있다. 이러한 갭 또는 보이드는 곡면형 이미지 센서 칩(300)의 광학 성능에 악영향을 미칠 필요가 없는데, 그 이유는 이러한 갭 또는 보이드는 곡면형 감광부(308)(도 3)와는 반대편에 있는 이미지 센서 칩(300)의 측면 상에 있기 때문이다. 일부 경우들에서, 접착제(416)가 갭 또는 보이드(500)를 채워서 어셈블리(412)가 딱딱하고 단단해질 수 있다. 그러나, 이러한 갭 또는 보이드는 곡면형 이미지 센서 칩(300)의 형상이 정확히 원하는 형상이 아님을 나타낼 수 있다. 따라서, 제작자는 하나 이상의 힘을 어셈블리(324) 및 후면 기판(400)에 인가하여 곡면형 이미지 센서 칩(300)의 형상이 셰이핑된 표면(404)의 형상을 취하게 할 수 있다. 다시 말해서, 제작자는 곡면형 이미지 센서 칩(300)이 셰이핑된 표면(404)의 형상으로 변형되도록 어셈블리(324)와 후면 기판(400)을 함께 압착할 수 있다. 이와 동시에, 임의의 과잉 접착제(416)가 어셈블리(324)와 후면 기판(400) 사이로부터 밀려나올 수 있다.
도 6은 다양한 실시예들에 따른, 벤딩 기판(302)의 제거 이후의 곡면형 이미지 센서 칩(300) 및 후면 기판(400)의 측면도이다. 이러한 제거는 감광부(308)를 노출시키며, 이로써 감광부(308)는 이미지 센서 칩(300)을 포함하는 광학 시스템에 의해 제공될 수 있는 광을 받아들일 수 있다. 이미지 센서 칩(300)과 후면 기판(400)의 조합을 셰이핑된 광 센서 모듈(600)이라고 칭한다. 셰이핑된 광 센서 모듈(600)은 광학 시스템 내에서 광학 엘리먼트로서 통합될 수 있고 구멍 및/또는 돌출부(414)를 사용하여 광학 시스템 내에 마운팅될 수 있다. 특히, 제작자는 셰이핑된 광 센서 모듈(600)을 구축하고 조립자(제작자와 동일하거나 상이한 엔티티일 수 있음)에게 셰이핑된 광 센서 모듈(600)을 제공할 수 있다. 조립자는 셰이핑된 광 센서 모듈(600)을 이미지 센서로서 사용할 수 있으며, 이미지 센서는 광학 시스템 내에 통합될 수 있다.
도 7은 다양한 실시예들에 따른, 이미지 센서 칩(702), 및 퇴적(deposition)에 의해 이미지 센서 칩 상에 배치된 벤딩 기판(704)을 포함하는 구성(700)의 측면도이다. 이미지 센서 칩(702)은, 예를 들어, 도 1에 도시된 감광부(104)와 동일하거나 유사할 수 있는 감광부(706)를 포함한다. 벤딩 기판(704)은 이미지 센서 칩(702)의 제1 표면(708) 상에 퇴적된다. 제작자는 벤딩 기판을 이미지 센서 칩(702) 상에 배치하기 위해 복수의 임의의 퇴적 기술을 사용할 수 있다. 퇴적 기술들의 일부 예시들로는 스핀 코팅, 증착, 스퍼터링 등이 있다. 다양한 구현예들에서, 제1 표면(708)의 일부분들은 벤딩 기판(704)과 접촉할 필요없다. 예를 들어, 벤딩 기판(704)은 제1 표면(708)의 특정 영역들 상에 직접 퇴적될 수 있는 반면에, 제1 표면(708)의 다른 특정 영역들은 벤딩 기판(704)과 제1 표면(708) 사이의 비접촉 영역(도시되지 않음)을 포함할 수 있다. 이러한 비접촉 영역은 제1 표면(708)과 벤딩 기판(704) 사이에 존재하는 접착제 또는 접합 양태가 없는 영역일 수 있다. 따라서, 이러한 비접촉 영역은 벤딩 기판(704)으로부터 제1 표면(708)으로 전단력 또는 응력을 전달할 수 없다.
제1 표면(708)은 이미지 센서 칩(702)의 감광부인 감광부(706)를 포함한다. 제1 표면(708)은 또한, 예를 들어, 도 1에 도시된 비활성 영역(108)과 동일하거나 유사할 수 있는 비활성 영역(710)을 포함할 수 있다. 화살표(712)는 이미지 센서 칩(702)이 수신하도록 구성된 입사광의 방향을 나타낸다.
이미지 센서 칩(702)의 가장자리(714)는 벤딩 기판(704)의 가장자리(716)와 정렬되거나 정렬되지 않을 수 있다. 다른 구현예들에서, 이미지 센서 칩(702)은 벤딩 기판(704)의 가장자리(716)를 넘어 연장될 수 있다.
벤딩 기판(704)은, 예를 들어, 플라스틱, 폴리머, 다른 유기 화합물, 이들의 조합 등과 같은 복수의 물질들 중 임의의 물질을 포함할 수 있다. 제작자는 퇴적의 용이성, 벤딩 기판(704)과 이미지 센서 칩(702) 사이의 계면에 걸쳐 응력 및 전단력을 전달하기에 적합한 접착 강도, 및 화학적 및 열적 안정성과 같은, 물질들의 여러가지 특징들을 고려하면서 벤딩 기판(704)을 위한 물질을 선택할 수 있다.
특히, 벤딩 기판(704)을 위한 물질의 선택은 물질의 열특성에 적어도 부분적으로 기초할 수 있다. 예를 들어, 선택된 물질은 이미지 센서 칩(702)에 손상을 줄 수 있는 온도보다 실질적으로 낮은 온도에서 이미지 센서 칩(702)에 도포될 수 있다. 과도한 온도는 이미지 센서 칩(710)의 감광부(706), 반도체 기판, 및/또는 비활성 영역을 손상시킬 수 있다. 예를 들어, 실리콘의 경우, 약 섭씨 200도 미만의 온도는 안전할 수 있고, 이미지 센서 칩(702)을 손상시키지 않을 수 있다. 마찬가지로, 이러한 온도 고려사항은 이미지 센서 칩(702)으로부터 벤딩 기판(704)을 위해 사용되는 물질을 제거하는 프로세스에 적용된다.
온도 고려사항 이외에, 벤딩 기판(704)을 위한 물질의 선택은 이미지 센서 칩(702)에 물질을 도포하는 능력 및 이미지 센서 칩(702)으로부터 물질을 나중에 제거하는 능력에 적어도 부분적으로 기초할 수 있다. 예를 들어, 이미지 센서 칩(702) 상에 물질을 퇴적시키기가 상대적으로 용이하도록, 그리고 어떠한 잔류 물질도 남기지 않고서 또는 감광부(708)의 임의의 물리적 특성을 변경시키지 않고서 이미지 센서 칩(702)으로부터 벗겨지거나, 증발되거나, 또는 해체되도록, 물질이 선택될 수 있다. 예를 들어, 제작자는 이미지 센서 칩(702)으로부터 벤딩 기판(704)을 벗겨내기 위해 열적 접합해제 프로세스를 사용할 수 있다. 일부 구현예들에서, 이러한 프로세스는 질소 제거된 원형 노(nitrogen purged tube furnace)에서 수행될 수 있다.
일부 예시들에서, 벤딩 기판(704)의 두께는 이미지 센서 칩(702)의 두께보다 적어도 수 배 더 클 수 있다. 특정 예시의 경우로서, 이미지 센서 칩(702)은 약 5미크론 내지 10미크론 두께일 수 있고, 벤딩 기판(704)은 약 50미크론 내지 100미크론 두께일 수 있다. 이미지 센서 칩(702)의 두께는 10미크론보다 훨씬 클 수 있고, 벤딩 기판(704)은 이미지 센서 칩(702)보다 적어도 수 배 더 두꺼울 수 있으며, 이는 1밀리미터 두께 이상까지일 수 있다. 일부 구현예들에서, 벤딩 기판(704)의 상이한 부분들은 상이한 두께를 가질 수 있다. 벤딩 기판(704)을 위한 물질의 선택은 이미지 센서 칩(702)의 강성도와 비교되는 해당 물질의 강성도에 적어도 부분적으로 기초할 수 있다. 이미지 센서 칩(702)의 강성도는 실리콘 또는 게르마늄일 수 있는 이미지 센서 칩(702)의 기판 물질, 및 두께에 적어도 부분적으로 의존할 수 있다. 벤딩 기판(704)의 강성도는 벤딩 기판(704)을 위해 사용되는 물질 및 두께에 적어도 부분적으로 의존할 수 있다. 일부 구현예들에서, 벤딩 기판(704)을 위해 사용된 물질 및 두께는 벤딩 기판(704)의 상이한 부분들마다 상이할 수 있다. 따라서, 벤딩 기판(704)의 강성도는 이미지 센서 칩(702)의 상이한 부분들에 걸쳐 변할 수 있다. 예를 들어, 이미지 센서 칩(702)의 중심 영역 위의 벤딩 기판(704)의 부분은 이미지 센서 칩(702)의 가장자리 영역들 위의 벤딩 기판(704)의 부분들에 비해 상대적으로 딱딱할 수 있다.
도 8은 일부 실시예들에 따른, 다앙한 인가된 힘 및 토크를 받은 곡면형 이미지 센서 칩(802) 및 벤딩 기판(804)을 포함하는 구성(800)의 측면도이다. 일부 예시들에서, 곡면형 이미지 센서 칩(802) 및 벤딩 기판(804)은 도 8에 도시된 벤딩 전에는, 각각 이미지 센서 칩(702) 및 벤딩 기판(704)과 동일하거나 유사할 수 있다. 예를 들어, 제작자는 벤딩 기판(804)에 힘(806) 및/또는 토크(808)를 인가하여 곡면형 이미지 센서 칩(802)을 초래시킬 수 있다. 곡면형 이미지 센서 칩(802)은 곡면형 제1 표면(812) 상에 배치된 곡면형 감광부(810)를 포함한다.
제작자는 이미지 센서 칩(802)을 벤딩시키기 위해 벤딩 기판(804)에 복수 유형들의 임의의 힘들을 인가할 수 있다. 예를 들어, 벤딩 기판(804)에 인접한 가압된 유체 또는 가스는 벤딩 기판(804) 상에 힘(806)을 부여할 수 있다. 일부 구현예들에서, 도 8에서 화살표로 표시된 가압된 유체 또는 가스(814)는 벤딩 기판(804)의 표면(816)의 적어도 일부를 압착시키는 함유된 가압된 유체 또는 가스를 포함할 수 있다. 함유된 가압된 유체 또는 가스(814)의 상이한 부분들은 표면(816)에 걸친 위치에 따라 달라지는 힘(806)을 표면(816) 상에 인가할 수 있다. 일부 경우들에서, 복수의 임의의 형상들을 갖는 고체 물체(도시되지 않음)에 의한 기계적 접촉이 가압된 유체 또는 가스(814)를 대체하고 힘(806)을 부여할 수 있다.
다른 구현예들에서, 제작자는 벤딩 기판(804) 상에 토크(예를 들어, 회전력)를 부여하기 위해 벤딩 기판(804)의 일부분에 하나 또는 이상의 기계적 디바이스들(818)(이들 중 하나가 도 8에 개략적으로 도시되어 있음)을 적용할 수 있다. 예를 들어, 제작자는 가장자리들(820) 부근의 벤딩 기판(804)의 일부분에 기계적 디바이스들(818)을 적용할 수 있다. 일부 경우들에서, 가압된 유체 또는 가스(814)가 벤딩 기판(804)의 중심 영역 부근에서 힘을 생성하는 동안 기계적 디바이스들(818)은 벤딩 기판(804)의 가장자리 부근에서 토크를 부여할 수 있다. 이러한 토크 및 (예를 들어, 가압된 유체 또는 가스(814)에 의해 생성된) 선형적 힘의 조합은 서로 임의의 비율 관계로 인가될 수 있다. 예를 들어, 가압된 유체 또는 가스(814)에 의해 벤딩 기판(804) 상에 부여된 힘은 기계적 디바이스들(818)에 의해 부여된 힘의 두 배일 수 있다. 이러한 비율, 및 선형적 힘 또는 토크 중 단하나를 인가하거나 또는 둘 모두를 동시에 인가하는지의 여부는 (곡면화되기 전의) 이미지 센서 칩(802)의 물리적 세부사항(예를 들어, 강성도, 두께 등) 및 곡면형 이미지 센서 칩(802)의 원하는 형상에 적어도 부분적으로 의존할 수 있다. 일부 구현예들에서, 제작자는 벤딩 기판(804)의 가장자리들(820)에 기계적 디바이스들(818)를 적용하는 것 이외에 또는 대신에, 이미지 센서 칩(802)의 가장자리들(822)에 기계적 디바이스들(818)을 적용할 수 있다. 곡면형 제1 표면(812)과는 반대편에 있는, 곡면형 이미지 센서 칩(802)의 곡면형 제2 표면(824)은 후면 기판과 같은 강체와 접촉하여 배치될 수 있다. 이러한 방식으로, 힘 및/또는 토크가 벤딩 기판(804)에 더 이상 인가되지 않은 후 구성(800)의 형상은 변경되지 않은 채로 유지될 수 있다.
도 9는 다양한 실시예들에 따른, 곡면형 이미지 센서 칩(802) 및 후면 기판(902)을 포함하는 어셈블리(900)의 측면도이다. 특히, 제작자는 곡면형 이미지 센서 칩(300)의 곡면형 제2 표면(824)을 후면 기판(902)의 셰이핑된 표면(904)과 붙여서 곡면형 제2 표면(824)의 적어도 일부가 셰이핑된 표면(904)과 접촉되게 할 수 있다. 몇몇 구현예들에서, 클램핑 또는 홀딩 메커니즘(미도시됨)과 같은 물리적 디바이스는 벤딩 기판(804)의 가장자리(820)에 의해 곡면형 이미지 센서 칩을 홀딩함으로써 곡면형 이미지 센서 칩(802)을 이송할 수 있다.
일부 구현예들에서, 제작자는 곡면형 이미지 센서 칩(802)을 후면 기판(902)에 붙인 후에 곡면형 이미지 센서 칩(802)으로부터 벤딩 기판(804)을 제거할 수 있다. 벤딩 기판(804)은 감광부(810)에 해를 끼치지 않는 여러가지 임의의 기술에 의해 제거될 수 있다. 예를 들어, 벤딩 기판(804)은 충분한 가열 시 증발되거나, 기화되거나, 또는 해체되는 물질을 포함할 수 있다. 다른 예시들에서, 벤딩 기판(804)은 화학적으로 에칭되거나 용해될 수 있는 물질을 포함할 수 있다.
벤딩 기판(804)의 제거는 감광부(810)를 노출시키며, 이로써 감광부(810)는 곡면형 이미지 센서 칩(802)을 포함하는 광학 시스템에 의해 제공될 수 있는 광을 받아들일 수 있다. 어셈블리(900)는 광학 시스템 내에서 광학 엘리먼트로서 통합될 수 있고 후면 기판(902)의 측면들 또는 바닥면(908) 상에 배치 될 수 있는 구멍 및/또는 돌출부(902)를 사용하여 광학 시스템 내에 마운팅될 수 있다. 바닥면(908)은 셰이핑된 표면(904)과 반대편에 있다. 특히, 제작자는 어셈블리(900)를 구축하고 조립자(제작자와 동일한 엔티티일 수 있음)에게 어셈블리(900)를 제공할 수 있다. 조립자는 어셈블리(900)를 이미지 센서로서 사용할 수 있으며, 이미지 센서는 광학 시스템 내에 통합될 수 있다.
평면도에서 봤을 때, 후면 기판(902)은 정사각형, 직사각형, 원형, 또는 임의의 다른 형상일 수 있다. 곡면형 이미지 센서 칩(802)과 후면 기판(902)은 도 9에서 동일한 크기를 갖는 것으로 예시되지만, 그 크기는 상이할 수 있다. 예를 들어, 후면 기판(902)은 곡면형 이미지 센서 칩(802)보다 클 수 있다. 셰이핑된 표면(904)은 곡면형 이미지 센서 칩(802)의 원하는 형상에 대응하는 형상을 가질 수 있다. 셰이핑된 표면(904)은 단지 몇가지 예를 들자면, 구면, 파라볼릭, 비구면, 또는 하나 이상의 변곡점을 갖는 복합 형상일 수 있다.
후면 기판(902)의 물질들 및 다른 특성들은 상술한 후면 기판(400)과 동일하거나 유사할 수 있다. 셰이핑된 표면(904)과 곡면형 제2 표면(824)을 함께 접합시키기 위해 접착제(910)가 셰이핑된 표면(904) 상에 또는 곡면형 제2 표면(824) 상에 배치될 수 있다.
일부 구현예들에서, 곡면형 제2 표면(824) 및 셰이핑된 표면(904)의 형상은 서로 동일하지 않을 수 있다. 예를 들어, 이미지 센서 칩(802)을 곡면 형상으로 셰이핑하기 위해 벤딩 기판(804)에 (예를 들어, 도 8에 도시된 바와 같은) 힘 및/또는 토크가 더 이상 인가되지 않을 때, 벤딩 기판 및 곡면형 이미지 센서 칩(802)은 (예를 들어, 탄성에 의해) 직선화되려는 경향성을 가질 수 있다. 일부 경우들에서, 이러한 경향성을 보상하기 위해 힘 및/또는 토크는 곡면형 이미지 센서 칩(802)을 과도 셰이핑하도록 인가될 수 있다. 다른 경우들에서, 그러한 직선화는 셰이핑된 표면(904)과는 상이한 곡률 또는 형상을 갖는 곡면형 제2 표면(824)을 야기시킬 수 있다. 따라서, 제작자는 하나 이상의 힘을 구성(800) 및 후면 기판(902)에 인가하여 곡면형 이미지 센서 칩(802)의 형상이 셰이핑된 표면(804)의 형상을 취하게 할 수 있다. 다시 말해서, 제작자는 곡면형 이미지 센서 칩(802)이 셰이핑된 표면(904)의 형상으로 편향되도록 구성(800)과 후면 기판(902)을 함께 압착할 수 있다.
도 10은 다양한 실시예들에 따른, 이미지 센서 모듈(1002) 및 렌즈 어셈블리(1004)를 포함하는 광학 시스템(1000)의 단면도이다. 특히, 이미지 센서 모듈(1002)은 곡면형 이미지 센서 칩(1006), 벤딩 기판(1008), 및 후면 기판(1010)을 포함한다. 곡면형 이미지 센서 칩(1006)은 감광부(1012)를 포함한다. 벤딩 기판(1008)은 렌즈 어셈블리(1004)로부터의 광이 감광부(1012)에 도달하도록 하는 투명 물질일 수 있다. 곡면형 이미지 센서 칩(1006), 벤딩 기판(1008), 및 후면 기판(1010)은 도 4, 도 8, 및 도 9에 각각 도시되어 있는 곡면형 이미지 센서 칩(300 또는 802), 벤딩 기판들(302 또는 804), 및 후면 기판(400, 902)과 유사하거나 동일할 수 있다. 일부 구현예들에서, 이미지 센서 모듈(1002)은 후면 기판(1010)을 포함할 필요가 없다. 이 경우, 벤딩 기판은 곡면형 이미지 센서 칩(1006)의 곡면 형상을 유지하도록 충분히 딱딱할 수 있다. 벤딩 기판(1008)은 곡면형 이미지 센서 칩(1006)을 벤딩시키는 프로세스에 후속하여 딱딱해질 수 있는 물질을 포함할 수 있다. 예를 들어, 그러한 물질은 상대적으로 낮은 온도에서 딱딱해지고 더 높은 온도에서는 유연해지고 가단적(malleable)일 수 있다. 따라서, 곡면형 이미지 센서 칩(1006)을 셰이핑하기 위한 벤딩 프로세스는 상승된 온도에서 일어날 수 있고, 그 후 냉각 프로세스는 곡면형 이미지 센서 칩(1006)의 형상을 "프리징(freeze)"한다.
곡면형 이미지 센서 칩(1006)(또는 보다 정확하게는 감광 부(1012))은 초점 길이를 가져다주는 형상을 가질 수 있다. 광학 시스템(1000)에 이미지 센서 모듈(1002)을 배치할 때, 그러한 초점 길이가 고려될 수 있다. 특히, 렌즈 어셈블리(1004)는 광(1014)을 받아들이고, 광에 대해 광학적으로 작동하며, 이미지를 곡면형 이미지 센서 칩(1006) 상에 포커싱하는(이는 렌즈 어셈블리(1004)로부터의 거리(1018)일 수 있음) 광 출력(1016)을 생성하도록 설계될 수 있다. 거리(1018)는 적어도 곡면형 이미지 센서 칩(1006)의 초점 길이와 거의 동일할 수 있다. 일부 구현예들에서, 곡면형 이미지 센서 칩(1006)의 초점 길이의 역수는 적어도 곡면형 이미지 센서 칩(1006)의 곡률 반경과 거의 동일하다. 렌즈 어셈블리(1004) 및 이미지 센서 모듈(1002)은 광축(1020)을 따라 정렬될 수 있다.
도 11은 다양한 실시예들에 따른, 이미지 센서 모듈(1102) 및 렌즈 어셈블리(1104)를 포함하는 광학 시스템(1100)의 단면도이다. 렌즈 어셈블리(1104)는, 예를 들어, 도 10에 도시된 렌즈 어셈블리(1004)와 유사하거나 동일할 수 있다. 이미지 센서 모듈(1102)은 곡면형 이미지 센서 칩(1106) 및 후면 기판(1108)을 포함한다. 이미지 센서 모듈(1102)은 벤딩 기판을 포함하지 않지만, 제작자는 벤딩 기판을 사용하여 곡면형 이미지 센서 칩(1106)의 형상을 도출해낼 수 있다. 이러한 벤딩 기판은 곡면형 이미지 센서 칩(1106)을 후면 기판(1108)에 부착한 후에 제거될 수 있다.
곡면형 이미지 센서 칩(1106)은 렌즈 어셈블리(1104)에 의해 생성된 광(예를 들어, 감광부(1110)의 표면에서의 이미지일 수 있음)에 노출되는 감광부(1110)를 포함한다. 곡면형 이미지 센서 칩(1006) 및 후면 기판(1108)은 도 4, 도 8, 및 도 9에 각각 도시되어 있는 곡면형 이미지 센서 칩(300 또는 802) 및 후면 기판(400, 902)과 유사하거나 동일할 수 있다.
곡면형 이미지 센서 칩(1106)(또는 보다 정확하게는 감광 부(1110))은 특정 초점 길이의 렌즈에 적절한 형상을 가질 수 있다. 광학 시스템(1100)에 이미지 센서 모듈(1102)을 배치할 때, 그러한 초점 길이가 고려될 수 있다. 특히, 렌즈 어셈블리(1104)는 광(1112)을 받아들이고, 광에 대해 광학적으로 작동하며, 이미지를 곡면형 이미지 센서 칩(1106) 상에 포커싱하는(이는 렌즈 어셈블리(1104)로부터의 거리(1116)일 수 있음) 광 출력(1114)을 생성하도록 설계될 수 있다. 거리(1116)는 적어도 곡면형 이미지 센서 칩(1106)의 초점 길이와 거의 동일할 수 있다. 일부 구현예들에서, 곡면형 이미지 센서 칩(1106)의 초점 길이의 역수는 적어도 곡면형 이미지 센서 칩(1106)의 곡률 반경과 거의 동일하다. 렌즈 어셈블리(1104) 및 이미지 센서 모듈(1102)은 광축(1118)을 따라 정렬될 수 있다.
도 12는 일부 실시예들에 따른, 이미지 센서 칩(1202), 및 다양한 노치들 및 홈들(1206)을 포함하는 벤딩 기판(1204)을 포함하는 구성(1200)의 측면도이다. 벤딩 기판(1204)의 가장자리들은 이미지 센서 칩(1202)의 가장자리들을 넘어 연장되도록 도시되어 있지만, 이러한 가장자리들은 서로 정렬되거나 또는 정렬되지 않을 수 있다. 일부 구현예들에서, 이미지 센서 칩(1202)의 가장자리들은 벤딩 기판(1204)의 가장자리들까지 또는 그 가장자리들을 넘어 연장하는데, 이는 벤딩 기판(1204)이 이미지 센서 칩(1202) 상에 퇴적되는 경우일 수 있다.
가해진 힘 및/또는 토크(1208)에 응답하는 벤딩 기판(1204)의 벤딩 응력의 양 및 분포를 적어도 부분적으로 제어하기 위해 노치들 및/또는 홈들(1206)이 벤딩 기판(1204) 내에 존재할 수 있다. 벤딩 응력의 이러한 제어를 도입함으로써, 가해진 힘 및/또는 토크(1208)에 응답하는 벤딩 기판(1204)의 변형 형상은 이미지 센서 칩(1202)에 원하는 형상을 부여하도록 맞춤화될 수 있다. 노치들 및/또는 홈들(1206)은 벤딩 기판(1204)의 일부분들의 두께에 영향을 미친다. 예를 들어, 벤딩 기판(1204)은 노치들 및/또는 홈들(1206)이 위치하지 않은 곳에서는 두께(T1)를 가질 수 있다. 그러나, 벤딩 기판(1204)은 노치들 및/또는 홈들(1206)에 의해 두께(T2)로 얇아질 수 있다. 벤딩 기판(1204)의 이러한 두께 변화는 벤딩 기판(1204)의 벤딩 정도에 영향을 줄 수 있다.
노치들 및/또는 홈들(1206)의 존재로 인한 다양한 두께에 더하여, 벤딩 기판(1204)의 상이한 부분들은 상이한 영역들에서 상이한 두께를 가질 수 있다. 다시 말하면, T1은 벤딩 기판(1204)의 상이한 부분들마다 상이할 수 있다. 또한, 벤딩 기판(1204)을 위해 사용된 물질은 벤딩 기판(1204)의 상이한 부분들마다 상이할 수 있다. 따라서, 벤딩 기판(1204)의 강성도는, 노치들 및/또는 홈들(1206)의 존재 및 위치, 벤딩 기판(1204)의 물질, 및/또는 벤딩 기판(1204)의 다양한 부분들의 두께에 적어도 부분적으로 기초하여 이미지 센서 칩(1202)의 상이한 부분들에 걸쳐 변할 수 있다.
임의의 수의 노치들 및/또는 홈들(1206)이 벤딩 기판(1204)의 임의의 부분에 위치될 수 있다. 노치들 및/또는 홈들(1206)은 이미지 센서 칩(1202)의 감광부(1210)에 인접하게 배치될 수 있다. 노치들 및/또는 홈들(1206)은 벤딩 기판(1204) 내에 위치될 수 있다. 노치들 및/또는 홈들(1206)은 임의의 형상, 크기 또는 깊이를 가질 수 있다. 일부 구현예들에서, 노치들 및/또는 홈들(1206)은 벤딩 기판(1204)의 물질과는 상이한 물질로 채워질 수 있다.
도 13은 복수의 실시예들에 따른, 벤딩 기판(1300)의 중심 영역 주변에 동심원으로 분포된 일련의 노치들 및/또는 홈들(1302)을 포함하는 벤딩 기판(1300)의 평면도이다. 동심 노치들 및/또는 홈들(1302) 사이의 거리는 벤딩 기판(1300)에 부착(예를 들어, 접합 또는 접착)되는 이미지 센서 칩(도 13에는 미도시됨)의 특정 벤딩 형상에 영향을 미치도록 달라질 수 있다. 노치들 및/또는 홈들(1302)은 이미지 센서 칩과 동일한 측면 또는 반대 측면인 벤딩 기판(1300)의 표면 상에 위치될 수 있다.
도 14는 일부 실시예들에 따른, 곡면형 이미지 센서 칩(1402), 및 다양한 노치들 및 홈들(1406)을 포함하는 벤딩 기판(1404)을 포함하는 구성(1400)의 측면도이다. 예를 들어, 구성(1400)은 도 12에서 도시된 바와 같은 힘 및/또는 토크(1208)를 받는 구성(1200)과 동일하거나 유사할 수 있다. 곡면형 이미지 센서 칩(1402)은 또한 곡면형인 감광부(1408)를 포함한다. 이미지 센서 칩(1402) 및 감광부(1408)의 이러한 곡률은 노치들 및/또는 홈들(1406)의 배치, 형상, 크기 등과 같은 특성에 적어도 부분적으로 의존할 수 있다.
도 15는 다양한 실시예들에 따른, 이미지 센서 칩(1504) 및 벤딩 기판(1506)을 포함하는 구성(1502)의 중립 축(1500)을 나타내는 측면도이다. 중립 축(1500)은 인가된 힘 및/또는 토크(1508)로부터 발생한다. 중립 축은 압착력을 받고 있는 물질과 인장력을 받고 있는 물질을 구분시키는 가상 표면이다. 예를 들어, 힘 및/또는 토크(1508)에 응답하여, 벤딩 기판(1506)은 참조번호 1500 위에서는 압착력을 받고 있고, 중립 축(1500) 아래에서는 인장력을 받고 있다. 이미지 센서 칩(1504)은 중립 축(1500) 아래에 위치하여 인장력을 받는다. 이미지 센서 칩(1504)의 위치에 대한 중립 축(1500)의 위치는 이미지 센서 칩(1504)의 벤딩의 양에 영향을 줄 수 있다. 중립 축(1500)의 위치 및 "형상"은 이미지 센서 칩(1504) 및 벤딩 기판(1506)의 강성도 및 두께뿐만 아니라, 벤딩 기판(1506)에 존재할 수 있는 노치들 및/또는 홈들의 배치, 형상 및 크기와 같은 여러가지 인자들에 적어도 부분적으로 의존할 수 있다. 따라서, 제작자는 이러한 인자들에 기초하여 중립 축(1500)을 어느 곳에 위치시킬지를 제어할 수 있다.
도 16은 다양한 실시예들에 따른, 후면 기판(1602)에 부착된 곡면형 이미지 센서 칩(1600)의 곡률을 나타내는 단면도이다. 후면 기판에 접합된 곡면형 이미지 센서 칩의 조합은 나중에 광학 시스템들 내로 통합될 수 있는 독립형 광학 디바이스를 포함할 수 있다. 이러한 광학 시스템들의 광 축(1604)이 이미지 센서 칩(1600)과 관련하여 도시된다. 이미지 센서 칩(1600)의 곡면 형상에 적어도 부분적으로 기초하는 이미지 센서 칩(1600)의 초점 길이는 이미지 센서 칩(1600)이 광학 시스템 내에 통합될 때 중요한 인자일 수 있다. 이미지 센서 칩(1600)의 형상이 실질적으로 구면인 경우, 이미지 센서 칩(1600)의 초점 길이는 이미지 센서 칩(1600)의 곡률 반경(R)의 역수와 적어도 대략 동일할 수 있다. 이미지 센서 칩(1600)이 비구면 형상을 갖는다면, 이미지 센서 칩(1600)의 곡률 반경은 광 축(1604)으로부터의 거리에 따라 변한다. 이미지 센서 칩(1600)을 포함하는 광학 시스템은 이러한 가변적인 곡률 반경을 수용하도록 설계될 수 있다.
도 17 및 도 18은 다양한 실시예들에 따른, 곡면형 이미지 센서 칩의 감광부의 형상을 나타내는 단면도들이다. 도 17에서, 곡면형 이미지 센서 칩(1702)의 감광부(1700)는 구면 또는 비구면 형상을 갖는다. 이러한 형상은 변곡점을 갖지 않는다. 감광부(1700)는 오목형이다. 한편, 도 18에서 도시된 바와 같이, 곡면형 이미지 센서 칩(1802)의 감광부(1800)는 하나 이상의 변곡점들을 포함하는 복잡한 형상을 갖는다. 감광부(1800)의 일부분들은 구면 또는 비구면 형상을 포함할 수 있다. 이러한 복잡한 형상은 복수의 광학 시스템들에서 유용할 수 있다. 전술한 것과 같은 벤딩 기판들은 인가된 힘 및/또는 토크와 결부되어, 복잡한 형상의 감광부(1800)를 생성하도록 설계될 수 있다.
도 19는 다양한 실시예들에 따른, 이미지 센서 칩(1902) 및 벤딩 기판(1904)을 포함하는 구성(1900)의 평면도이다. 벤딩 기판(1904)은 감광부(1906)를 포함하는 이미지 센서 칩(1902)의 측면 상에 있다. 벤딩 기판(1904)의 가장자리들은 이미지 센서 칩(1902)의 가장자리들을 넘어 연장되도록 도 19에서 도시되어 있지만, 이러한 가장자리들은 서로 정렬될 수 있다. 이미지 센서 칩(1902)의 하나 이상의 모서리들(1908)은 벤딩 기판(1904)에 가해지는 힘 및/또는 토크로부터 발생할 수 있는 응력을 집중시키는 경향이 있는 비교적 날카로운 모서리를 피하기 위해 둥글게 될 수 있다. 이러한 집중된 응력은 이미지 센서 칩(1902)의 바람직하지 않은 균열 또는 버클링을 야기시킬 수 있다. 예를 들어, 모서리 영역(1908)에서 또는 그 부근에서 시작하는 균열은 임의의 방향으로 이미지 센서 칩(1902)에 걸쳐 전파될 수 있고, 이미지 센서 칩(1902)을 쓸모 없게 만들 수 있다. 일부 구현예들에서, 벤딩 기판(1904)은 둥근 모서리(1910)를 포함할 수 있다.
도 20은 일부 실시예들에 따른, 이미지 센서 칩을 벤딩하기 위한 예시적인 프로세스(2000)를 나타내는 흐름도이다. 예를 들어, 이러한 이미지 센서 칩은 도 3 및 도 8에 각각 도시된 이미지 센서 칩(300) 또는 이미지 센서 칩(802)과 동일하거나 유사할 수 있다. 프로세스(2000)는 도 2 내지 도 6 및 도 7 내지 도 9에 도시된 프로세스와 유사하거나 동일할 수 있고, 제작자에 의해 수행될 수 있다. 블록(2002)에서, 제작자는 이미징 센서 칩의 제1 표면 상에 벤딩 기판을 배치할 수 있다. 이미징 센서 칩의 제1 표면은 광을 받아들인 것에 응답하여 전기 신호를 발생시키는 광 센서를 포함한다. 블록(2004)에서, 제작자는 이미지 센서 칩 상에 힘이 부여되어 곡면형 이미징 센서 칩이 생성되도록 벤딩 기판을 벤딩시킬 수 있다. 블록(2006)에서, 제작자는 곡면형 이미징 센서 칩의 제2 표면을 후면 기판에 접착시킬 수 있다. 제2 표면은 곡면형 이미징 센서 칩의 제1 표면과는 반대편에 있다. 블록(2008)에서, 제작자는 이미징 센서 칩의 제1 표면으로부터 벤딩 기판을 제거할 수 있다.
예시적인 절
단락 A. 방법에 있어서, 이미징 센서 칩의 제1 표면 상에 벤딩 기판을 배치하는 단계 - 이미징 센서 칩의 제1 표면은 광을 받아들인 것에 응답하여 전기 신호를 발생시키는 광 센서를 포함함 -; 및 이미지 센서 칩 상에 힘이 부여되도록 벤딩 기판을 벤딩시킴으로써 곡면형 이미징 센서 칩을 생성하는 단계를 포함하는 방법.
단락 B. 단락 A에 있어서, 곡면형 이미징 센서 칩의 제2 표면을 후면 기판에 접착시키는 단계 - 제2 표면은 제1 표면과는 반대편에 있음 -; 및 이미징 센서 칩의 제1 표면으로부터 벤딩 기판을 제거하는 단계를 더 포함하는 방법.
단락 C. 단락 B에 있어서, 이미징 센서 칩의 제1 표면으로부터 벤딩 기판을 제거하는 단계는 이미징 센서 칩의 제1 표면으로부터 벤딩 기판을 열적으로 접합해제시키는 단계를 포함한 것인 방법.
단락 D. 단락 B에 있어서, 후면 기판은 이미징 센서 칩의 제1 표면의 초점 길이 역수와 적어도 대략 동일한 곡률 반경을 갖는 적어도 하나의 곡면을 포함한 것인 방법.
단락 E. 단락 A에 있어서, 이미징 센서 칩의 제1 표면 상에 벤딩 기판을 배치하는 단계는 접착제를 이용하여 이미징 센서 칩의 제1 표면에 벤딩 기판을 부착시키는 단계를 포함한 것인 방법.
단락 F. 단락 A에 있어서, 이미징 센서 칩의 제1 표면 상에 벤딩 기판을 배치하는 단계는 퇴적 프로세스를 이용하여 이미징 센서 칩의 제1 표면 상에 벤딩 기판을 형성하는 단계를 포함한 것인 방법.
단락 G. 단락 A 내지 단락 F 중 어느 하나의 단락에 있어서, 벤딩 기판을 이미징 센서 칩의 제1 표면 상에 배치하기 전에, 벤딩 기판 내에 노치들 또는 홈들을 형성하는 단계를 더 포함하는 방법.
단락 H. 단락 A 내지 단락 G 중 어느 하나의 단락에 있어서, 벤딩 기판을 벤딩시키는 단계는 가압된 가스 또는 액체를 벤딩 기판 상에 도포하는 단계를 포함한 것인 방법.
단락 I. 단락 A 내지 단락 H 중 어느 하나의 단락에 있어서, 곡면형 이미징 센서 칩의 제1 표면은 오목형인 것인 방법.
단락 J. 장치에 있어서, 제1 면 및 그 반대편에 있는 제2 면을 갖는 곡면형 이미징 센서 칩 - 제1 면은 광을 받아들인 것에 응답하여 전기 신호를 발생시키는 광 센서를 포함함 -; 및 곡면형 이미징 센서 칩의 제1 면을 덮는 벤딩 기판을 포함하는 장치.
단락 K. 단락 J에 있어서, 곡면형 이미징 센서 칩의 제2 면을 덮는 후면 기판을 더 포함하는 장치.
단락 L. 단락 J 또는 단락 K에 있어서, 벤딩 기판은 퇴적에 의해 곡면형 이미징 센서 칩의 제1 면에 접합되는 퇴적 물질을 포함하는 것인 장치.
단락 M. 단락 J 또는 단락 K에 있어서, 벤딩 기판은 접착제에 의해 곡면형 이미징 센서 칩의 제1 면에 접합되는 것인 장치.
단락 N. 단락 J 내지 단락 M 중 어느 하나의 단락에 있어서, 벤딩 기판은 하나 이상의 노치들 또는 홈들을 포함한 것인 장치.
단락 O. 단락 J 내지 단락 N 중 어느 하나의 단락에 있어서, 곡면형 이미징 센서 칩은 둥근 모서리를 포함한 것인 장치.
단락 P. 단락 J 내지 단락 O 중 어느 하나의 단락에 있어서, 곡면형 이미징 센서 칩은 곡면형 이미징 센서 칩의 제1 면의 초점 길이 역수와 적어도 거의 동일한 곡률 반경을 갖는 것인 장치.
단락 Q. 시스템에 있어서, 제1 면 및 그 반대편에 있는 제2 면을 갖는 곡면형 이미징 센서 칩 - 제1 면은 광을 받아들인 것에 응답하여 전기 신호를 발생시키는 광 센서를 포함함 -; 곡면형 이미징 센서 칩의 제1 면을 덮는 기판; 및 곡면형 이미징 센서 칩의 제2 면을 덮는 후면 기판을 포함하는 시스템.
단락 R. 단락 Q에 있어서, 전자기 에너지를 곡면형 이미징 센서 칩의 제1 면에 지향시키는 하나 이상의 렌즈들을 더 포함하는 시스템.
단락 S. 단락 Q 또는 단락 R에 있어서, 곡면형 이미징 센서 칩은 게르마늄을 포함하고, 지향된 전자기 에너지는 적외선 에너지를 포함하는 것인 시스템.
단락 T. 단락 Q 내지 단락 S 중 어느 하나의 단락에 있어서, 곡면형 이미지 센서 칩의 강성도는 벤딩 기판의 강성도보다 실질적으로 큰 것인 시스템.
결론
본 발명내용은 구조적 특징들 및/또는 방법론적 동작들에 특유적인 용어로 기술되었지만, 첨부된 청구항들에서 정의된 발명내용은 설명된 이러한 특정한 특징들 또는 동작들로 반드시 제한될 필요는 없다는 것을 이해하여야 한다. 이보다는, 이러한 특정한 특징들 및 단계들은 청구범위를 구현하는 예시적인 형태들로서 개시된 것이다.
상술한 모든 방법 및 프로세스는 하나 이상의 범용 컴퓨터 또는 프로세서에 의해 실행되는 소프트웨어 코드 모듈로 구체화될 수 있으며, 이러한 소프트웨어 코드 모듈을 통해 완전 자동화될 수 있다. 코드 모듈은 임의의 유형의 컴퓨터 판독가능 매체, 컴퓨터 저장 매체 또는 다른 컴퓨터 저장 디바이스에 저장될 수 있다. 본 방법의 일부 또는 전부는 대안적으로, 양자 컴퓨터 또는 양자 어닐러(quantum annealer)와 같은 특수 컴퓨터 하드웨어로 구체화될 수 있다.
다른 것들 중에서도, “~할 수 있는"과 같은 조건부 문구는 특별히 달리 언급하지 않는 한, 문맥 내에서 이러한 특정 예시들이 특정 특징들, 엘리먼트들 및/또는 단계들을 포함하는 반면에, 다른 예시들은 이러한 특정 특징들, 엘리먼트들 및/또는 단계들을 포함하지 않는다는 것을 제시한다는 점을 이해한다. 따라서, 그러한 조건부 문구는 일반적으로, 하나 이상의 예시들에서 어떤 특징들, 엘리먼트들 및/또는 단계들이 어떤식으로든 요구된다는 것, 또는 하나 이상의 예시들은 어떤 특징들, 엘리먼트들 및/또는 단계들이 임의의 특정 예시에서 포함되거나 또는 수행될지 여부를 사용자 입력 또는 프롬프팅의 존재 여부에 상관없이 결정하는 로직을 필수적으로 포함한다는 것을 암시하는 것을 의도한 것은 아니다.
"X, Y, 또는 Z 중 적어도 하나"의 어구와 같은 연결 문구는 달리 명시하지 않는 한, 아이템, 용어 등이 X, Y, 또는 Z, 또는 이들의 조합일 수 있다는 것을 나타내는 것으로 이해해야 한다.
본 명세서에 설명되거나 및/또는 첨부 도면에서 도시된 흐름도들에서의 임의의 일상적인 설명, 엘리먼트 또는 블록은 특정 로직 기능 또는 엘리먼트를 일상적으로 구현하기 위한 하나 이상의 실행가능 명령어들을 포함하는 모듈, 세그먼트, 또는 코드의 일부를 잠재적으로 나타내는 것으로서 이해되어야 한다. 엘리먼트 또는 기능이 삭제될 수 있거나, 또는 본 업계의 당업자가 이해할 수 있는 관련 기능에 따라 실질적으로 동시적으로 또는 역순으로를 비롯하여, 도시되거나 논의된 것으로부터 순서를 벗어나서 실행될 수 있는 대안적인 구현예들이 본 명세서에서 설명된 예시들의 범위 내에 포함된다.
상술한 예시들에는 많은 변형들 및 수정들이 가해질 수 있으며, 그 엘리먼트들은 다른 허용가능한 예시들 중에 있는 것으로서 이해되어야 한다는 것이 강조되어야 한다. 모든 이러한 수정들 및 변형들은 본 개시내용의 범위 내에서 본 명세서에 포함되고 아래의 청구항들에 의해 보호되는 것을 의도한다.

Claims (15)

  1. 방법에 있어서,
    이미징 센서 칩의 제1 표면 상에 벤딩 기판(bending substrate)을 배치하는 단계 - 상기 이미징 센서 칩의 상기 제1 표면은 광을 받아들인 것에 응답하여 전기 신호를 발생시키는 광 센서를 포함함 -; 및
    상기 이미지 센서 칩 상에 힘이 부여되도록 상기 벤딩 기판을 벤딩(bending)시킴으로써 곡면형(curved) 이미징 센서 칩을 생성하는 단계
    를 포함하는 방법.
  2. 제1항에 있어서,
    상기 곡면형 이미징 센서 칩의 제2 표면을 후면 기판에 접착시키는 단계 - 상기 제2 표면은 상기 제1 표면과는 반대편에 있음 -; 및
    상기 이미징 센서 칩의 상기 제1 표면으로부터 상기 벤딩 기판을 제거하는 단계
    를 더 포함하는 방법.
  3. 제2항에 있어서,
    상기 이미징 센서 칩의 상기 제1 표면으로부터 상기 벤딩 기판을 제거하는 단계는 상기 이미징 센서 칩의 상기 제1 표면으로부터 상기 벤딩 기판을 열적으로 접합해제(de-bonding)시키는 단계를 포함한 것인 방법.
  4. 제2항에 있어서,
    상기 후면 기판은 상기 이미징 센서 칩의 상기 제1 표면의 초점 길이 역수와 적어도 대략 동일한 곡률 반경을 갖는 적어도 하나의 곡면을 포함한 것인 방법.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 이미징 센서 칩의 상기 제1 표면 상에 상기 벤딩 기판을 배치하는 단계는 접착제를 이용하여 상기 이미징 센서 칩의 상기 제1 표면에 상기 벤딩 기판을 부착시키는 단계를 포함한 것인 방법.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 이미징 센서 칩의 상기 제1 표면 상에 상기 벤딩 기판을 배치하는 단계는 퇴적 프로세스를 이용하여 상기 이미징 센서 칩의 상기 제1 표면 상에 상기 벤딩 기판을 형성하는 단계를 포함한 것인 방법.
  7. 제1항에 있어서,
    상기 벤딩 기판을 상기 이미징 센서 칩의 상기 제1 표면 상에 배치하기 전에, 상기 벤딩 기판 내에 노치(notch)들 또는 홈(groove)들을 형성하는 단계
    를 더 포함하는 방법.
  8. 제1항에 있어서,
    상기 벤딩 기판을 벤딩시키는 단계는 가압된 가스 또는 액체를 상기 벤딩 기판 상에 도포하는 단계를 포함한 것인 방법.
  9. 제1항에 있어서,
    상기 곡면형 이미징 센서 칩의 상기 제1 표면은 오목형인 것인 방법.
  10. 장치에 있어서,
    제1 면 및 그 반대편에 있는 제2 면을 갖는 곡면형 이미징 센서 칩 - 상기 제1 면은 광을 받아들인 것에 응답하여 전기 신호를 발생시키는 광 센서를 포함함 -; 및
    상기 곡면형 이미징 센서 칩의 상기 제1 면을 덮는 벤딩 기판
    을 포함하는 장치.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 곡면형 이미징 센서 칩의 상기 제2 면을 덮는 후면 기판
    을 더 포함하는 장치.
  12. 제10항에 있어서,
    상기 벤딩 기판은 접착제에 의해 상기 곡면형 이미징 센서 칩의 상기 제1 면에 접합되는 것인 장치.
  13. 제10항에 있어서,
    상기 곡면형 이미징 센서 칩은 상기 곡면형 이미징 센서 칩의 상기 제1 면의 초점 길이 역수와 적어도 거의 동일한 곡률 반경을 갖는 것인 장치.
  14. 시스템에 있어서,
    제1 면 및 그 반대편에 있는 제2 면을 갖는 곡면형 이미징 센서 칩 - 상기 제1 면은 광을 받아들인 것에 응답하여 전기 신호를 발생시키는 광 센서를 포함함 -;
    상기 곡면형 이미징 센서 칩의 상기 제1 면을 덮는 기판; 및
    상기 곡면형 이미징 센서 칩의 상기 제2 면을 덮는 후면 기판
    을 포함하는 시스템.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 곡면형 이미지 센서 칩의 강성도(stiffness)는 상기 벤딩 기판의 강성도보다 실질적으로 더 큰 것인 시스템.
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