RU2012132436A - Покрытый карбидом тантала углеродный материал и способ его изготовления - Google Patents

Покрытый карбидом тантала углеродный материал и способ его изготовления Download PDF

Info

Publication number
RU2012132436A
RU2012132436A RU2012132436/02A RU2012132436A RU2012132436A RU 2012132436 A RU2012132436 A RU 2012132436A RU 2012132436/02 A RU2012132436/02 A RU 2012132436/02A RU 2012132436 A RU2012132436 A RU 2012132436A RU 2012132436 A RU2012132436 A RU 2012132436A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
tantalum carbide
coating film
plane
manufacturing
tantalum
Prior art date
Application number
RU2012132436/02A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2576406C2 (ru
Inventor
Мика КОНДО
Original Assignee
Тойо Тансо Ко., Лтд.
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Тойо Тансо Ко., Лтд. filed Critical Тойо Тансо Ко., Лтд.
Publication of RU2012132436A publication Critical patent/RU2012132436A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2576406C2 publication Critical patent/RU2576406C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/10—Inorganic compounds or compositions
    • C30B29/36—Carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/009—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone characterised by the material treated
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/45—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements
    • C04B41/50—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials
    • C04B41/5053—Coating or impregnating, e.g. injection in masonry, partial coating of green or fired ceramics, organic coating compositions for adhering together two concrete elements with inorganic materials non-oxide ceramics
    • C04B41/5057—Carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B41/00—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone
    • C04B41/80—After-treatment of mortars, concrete, artificial stone or ceramics; Treatment of natural stone of only ceramics
    • C04B41/81—Coating or impregnation
    • C04B41/85—Coating or impregnation with inorganic materials
    • C04B41/87—Ceramics
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/06—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material
    • C23C16/08—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of metallic material from metal halides
    • C23C16/14—Deposition of only one other metal element
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C23C16/32—Carbides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/52—Controlling or regulating the coating process
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/56—After-treatment
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C8/00—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals
    • C23C8/06—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases
    • C23C8/08—Solid state diffusion of only non-metal elements into metallic material surfaces; Chemical surface treatment of metallic material by reaction of the surface with a reactive gas, leaving reaction products of surface material in the coating, e.g. conversion coatings, passivation of metals using gases only one element being applied
    • C23C8/20—Carburising
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
    • C04B2111/00241—Physical properties of the materials not provided for elsewhere in C04B2111/00
    • C04B2111/0025—Compositions or ingredients of the compositions characterised by the crystal structure
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C04—CEMENTS; CONCRETE; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES
    • C04B—LIME, MAGNESIA; SLAG; CEMENTS; COMPOSITIONS THEREOF, e.g. MORTARS, CONCRETE OR LIKE BUILDING MATERIALS; ARTIFICIAL STONE; CERAMICS; REFRACTORIES; TREATMENT OF NATURAL STONE
    • C04B2111/00—Mortars, concrete or artificial stone or mixtures to prepare them, characterised by specific function, property or use
    • C04B2111/00241—Physical properties of the materials not provided for elsewhere in C04B2111/00
    • C04B2111/00405—Materials with a gradually increasing or decreasing concentration of ingredients or property from one layer to another
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/30—Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Ceramic Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Structural Engineering (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Chemical Vapour Deposition (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Solid-Phase Diffusion Into Metallic Material Surfaces (AREA)
  • Other Surface Treatments For Metallic Materials (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Battery Electrode And Active Subsutance (AREA)

Abstract

1. Покрытый карбидом тантала углеродный материал, содержащий:углеродную подложку; и покрывающую пленку карбида тантала, которая обеспечена на углеродной подложке,причем покрывающая пленка карбида тантала имеет максимальную величину пика, по меньшей мере, 80° при угле ориентации плоскости (311), соответствующей дифракционному пику карбида тантала, как определено с помощью рентгеновской дифракции.2. Покрытый карбидом тантала углеродный материал по п.1, гдепокрывающая пленка карбида тантала имеет максимальную величину пика, по меньшей мере, 80° при угле ориентации плоскости (220), соответствующей дифракционному пику карбида тантала, как определено с помощью рентгеновской дифракции.3. Покрытый карбидом тантала углеродный материал по п.1 или 2, гдесумма интенсивностей дифракции плоскости (311) и плоскости (220) кристаллов карбида тантала в рентгенограмме составляет не ниже чем 0,5 и не выше чем 0,9 по сравнению с полной суммой интенсивностей дифракции всех кристаллических плоскостей кристаллов карбида тантала в рентгенограмме.4. Покрытый карбидом тантала углеродный материал по любому из пп.1 или 2, гдеинтенсивность дифракционной линии, соответствующей плоскости (311) или плоскости (220) в спектре рентгеновской дифракции покрывающей пленки карбида тантала, является максимальной.5. Покрытый карбидом тантала углеродный материал по любому из пп.1 или 2, гдев спектре рентгеновской дифракции покрывающей пленки карбида тантала величина полуширины дифракционной линии плоскости (311) или плоскости (220) составляет 0,2° или ниже.6. Покрытый карбидом тантала углеродный материал, содержащий:углеродную подложку; и покрывающую пленку карбида т

Claims (32)

1. Покрытый карбидом тантала углеродный материал, содержащий:
углеродную подложку; и покрывающую пленку карбида тантала, которая обеспечена на углеродной подложке,
причем покрывающая пленка карбида тантала имеет максимальную величину пика, по меньшей мере, 80° при угле ориентации плоскости (311), соответствующей дифракционному пику карбида тантала, как определено с помощью рентгеновской дифракции.
2. Покрытый карбидом тантала углеродный материал по п.1, где
покрывающая пленка карбида тантала имеет максимальную величину пика, по меньшей мере, 80° при угле ориентации плоскости (220), соответствующей дифракционному пику карбида тантала, как определено с помощью рентгеновской дифракции.
3. Покрытый карбидом тантала углеродный материал по п.1 или 2, где
сумма интенсивностей дифракции плоскости (311) и плоскости (220) кристаллов карбида тантала в рентгенограмме составляет не ниже чем 0,5 и не выше чем 0,9 по сравнению с полной суммой интенсивностей дифракции всех кристаллических плоскостей кристаллов карбида тантала в рентгенограмме.
4. Покрытый карбидом тантала углеродный материал по любому из пп.1 или 2, где
интенсивность дифракционной линии, соответствующей плоскости (311) или плоскости (220) в спектре рентгеновской дифракции покрывающей пленки карбида тантала, является максимальной.
5. Покрытый карбидом тантала углеродный материал по любому из пп.1 или 2, где
в спектре рентгеновской дифракции покрывающей пленки карбида тантала величина полуширины дифракционной линии плоскости (311) или плоскости (220) составляет 0,2° или ниже.
6. Покрытый карбидом тантала углеродный материал, содержащий:
углеродную подложку; и покрывающую пленку карбида тантала, которая обеспечена на углеродной подложке,
причем кристаллические зерна, составляющие покрывающую пленку карбида тантала, постепенно увеличиваются в размере от поверхности углеродной подложки к внешней поверхности покрывающей пленки карбида тантала.
7. Способ изготовления покрытого карбидом тантала углеродного материала путем формирования покрывающей пленки карбида тантала на углеродной подложке, где данный способ включает:
этап формирования кристаллического зародыша, на котором формируются кристаллические зародыши карбида тантала на поверхности углеродной подложки; и этап роста кристаллов, на котором осуществляют кристаллический рост кристаллических зародышей карбида тантала после этапа формирования кристаллического зародыша,
причем этап роста кристаллов имеет этап нагрева, где постепенно увеличивают производственную температуру.
8. Способ изготовления по п.7, где
на этапе формирования кристаллического зародыша кристаллические зародыши карбида тантала формируют при температурах от 850 до 950°C.
9. Способ изготовления по п.7 или 8, где
этап нагрева включает в себя разницу температур 50°C или больше.
10. Способ изготовления по любому из пп.7 или 8, где
после этапа нагрева поддерживают производственную температуру конца этапа нагрева.
11. Способ изготовления по любому из пп.7 или 8, где
на этапе нагрева производственную температуру увеличивают с постоянной скоростью.
12. Способ изготовления покрытого карбидом тантала углеродного материала путем образования покрывающей пленки карбида тантала на углеродной подложке посредством процесса формирования покрывающей пленки карбида тантала,
где данный процесс формирования покрывающей пленки карбида тантала включает:
первый процесс формирования, где формируют первую покрывающую пленку карбида тантала на поверхности углеродной подложки; и
второй процесс формирования, где формируют, по меньшей мере, одну покрывающую пленку карбида тантала на первой покрывающей пленке карбида тантала, причем первая покрывающая пленка карбида тантала имеет максимальную величину пика, по меньшей мере, 80° при угле ориентации плоскости (311), соответствующей дифракционному пику карбида тантала, как определено с помощью рентгеновской дифракции.
13. Способ изготовления по п.12, где
первый процесс формирования и второй процесс формирования выполняют, поддерживая покрываемый объект с помощью опоры, а непокрытую часть покрывающей пленки, образованную за счет опоры в первом процессе формирования, покрывают во втором процессе формирования.
14. Способ изготовления по п.12 или 13, где первый процесс формирования включает в себя:
этап формирования кристаллического зародыша, на котором формируют кристаллические зародыши карбида тантала на поверхности углеродной подложки; и этап роста кристаллов, на котором осуществляют кристаллический рост кристаллических зародышей карбида тантала после этапа формирования кристаллического зародыша, и
этап роста кристаллов включает в себя:
этап нагрева, где постепенно увеличивают производственную температуру.
15. Способ изготовления по любому из пп.12 или 13, где
покрывающая пленка карбида тантала имеет максимальную величину пика, по меньшей мере, 80° при угле ориентации плоскости (220), соответствующей дифракционному пику карбида тантала, как определено с помощью рентгеновской дифракции.
16. Способ изготовления по любому из пп.12 или 13, где
сумма интенсивностей дифракционных линий, соответствующих плоскости (311) и плоскости (220) в спектре рентгеновской дифракции покрывающей пленки карбида тантала, составляет не ниже чем 0,5 и не выше чем 0,9 по сравнению с полной суммой интенсивностей дифракционных линий всех кристаллических плоскостей карбида тантала в спектре рентгеновской дифракции покрывающей пленки карбида тантала.
17. Способ изготовления по любому из пп.12 или 13, где
интенсивность дифракционной линии, соответствующей плоскости (311) или плоскости (220) в спектре рентгеновской дифракции покрывающей пленки карбида тантала, является максимальной.
18. Способ изготовления по любому из пп.12 или 13, где
величина полуширины дифракционной линии плоскости (311) или плоскости (220) в спектре рентгеновской дифракции покрывающей пленки карбида тантала составляет не больше чем 0,12°.
19. Способ изготовления покрытого карбидом тантала углеродного материала путем формирования покрывающей пленки карбида тантала на углеродной подложке, где данный способ включает:
процесс формирования танталовой покрывающей пленки, в котором формируют танталовую покрывающую пленку на поверхности углеродной подложки; и процесс карбонизации, в котором выполняют карбонизацию данной танталовой покрывающей пленки.
20. Способ изготовления по п.19, где
процесс формирования танталовой покрывающей пленки и процесс карбонизации повторяют в данном порядке множество раз.
21. Способ изготовления по п.19 или 20, где
процесс формирования танталовой покрывающей пленки повторяют множество раз.
22. Способ изготовления по любому из пп.19 или 20, где
в процессе карбонизации, карбонизацию выполняют при температурах от 1700°C до 2500°C.
23. Способ изготовления по любому из пп.19 или 20, где
коэффициент теплового расширения углеродной подложки составляет 6,5-8,0·10-6/К.
24. Способ изготовления по п.20, где
процесс нанесения тантала выполняют, поддерживая покрываемый объект с помощью опоры, и
непокрытую часть, образованную опорой в начальном процессе формирования танталовой покрывающей пленки, покрывают во втором или последующем процессе формирования танталовой покрывающей пленки.
25. Способ изготовления с образованием покрытого карбидом тантала углеродного материала путем формирования покрывающей пленки карбида тантала на углеродной подложке посредством процесса формирования покрывающей пленки карбида тантала, где данный способ включает:
первый процесс формирования покрывающей пленки карбида тантала, в котором формируют первую покрывающую пленку карбида тантала посредством процесса формирования танталовой покрывающей пленки с формированием танталовой покрывающей пленки на поверхности углеродной подложки, и процесса карбонизации с карбонизацией танталовой покрывающей пленки; и
второй процесс формирования покрывающей пленки карбида тантала, в котором формируют новую вторую покрывающую пленку карбида тантала на первой покрывающей пленке карбида тантала.
26. Способ изготовления по п.25, где
в процессе карбонизации, карбонизацию выполняют при температурах от 1700°C до 2500°C.
27. Способ изготовления по п.25 или 26, где
коэффициент теплового расширения углеродной подложки составляет 6,5-8,0·10-6/К.
28. Способ изготовления по любому из п.п.25 или 26, где
покрывающая пленка карбида тантала имеет максимальную величину пика, по меньшей мере, 80 градусов при угле ориентации плоскости (311), соответствующей дифракционному пику карбида тантала, как определено с помощью рентгеновской дифракции.
29. Способ изготовления по любому из пп.25 или 26, где
покрывающая пленка карбида тантала имеет максимальную величину пика, по меньшей мере, 80 градусов при угле ориентации плоскости (220), соответствующей дифракционному пику карбида тантала, как определено с помощью рентгеновской дифракции.
30. Способ изготовления по любому из пп.25 или 26, где
сумма интенсивностей дифракционных линий, соответствующих плоскости (311) и плоскости (220) в спектре рентгеновской дифракции покрывающей пленки карбида тантала составляет не ниже, чем 0,5, и не выше, чем 0,9 по сравнению с суммой всех интенсивностей дифракционных линий, соответствующих всем кристаллическим плоскостям карбида тантала в спектре рентгеновской дифракции покрывающей пленки карбида тантала.
31. Способ изготовления по любому из пп.25 или 26, где
интенсивность дифракционной линии плоскости (311) в спектре рентгеновской дифракции покрывающей пленки карбида тантала является максимальной.
32. Способ изготовления по любому из пп.25 или 26, где
величина полуширины дифракционной линии плоскости (311) в спектре рентгеновской дифракции покрывающей пленки карбида тантала составляет не больше чем 0,12°.
RU2012132436/02A 2009-12-28 2010-12-28 Покрытый карбидом тантала углеродный материал и способ его изготовления RU2576406C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2009298916 2009-12-28
JP2009-298916 2009-12-28
PCT/JP2010/073810 WO2011081210A1 (ja) 2009-12-28 2010-12-28 炭化タンタル被覆炭素材料及びその製造方法

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2012132436A true RU2012132436A (ru) 2014-02-10
RU2576406C2 RU2576406C2 (ru) 2016-03-10

Family

ID=44226612

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2012132436/02A RU2576406C2 (ru) 2009-12-28 2010-12-28 Покрытый карбидом тантала углеродный материал и способ его изготовления

Country Status (8)

Country Link
US (1) US9322113B2 (ru)
EP (1) EP2520691B1 (ru)
JP (5) JP5762735B2 (ru)
KR (1) KR101766500B1 (ru)
CN (2) CN103922797B (ru)
RU (1) RU2576406C2 (ru)
TW (1) TWI534289B (ru)
WO (1) WO2011081210A1 (ru)

Families Citing this family (31)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR101766500B1 (ko) * 2009-12-28 2017-08-08 도요탄소 가부시키가이샤 탄화탄탈 피복 탄소재료 및 그 제조방법
JP2015527490A (ja) * 2012-07-10 2015-09-17 ヘムロック・セミコンダクター・コーポレーション 材料を蒸着するための製造機器、その中で使用するための受け口、受け口の製造方法及び担体上に材料を蒸着する方法
JP2015098634A (ja) * 2013-11-20 2015-05-28 スタンレー電気株式会社 炭化タンタルフィラメントの製造方法及び炭化タンタル電球の製造方法
JP6219238B2 (ja) * 2014-06-24 2017-10-25 東洋炭素株式会社 サセプタ及びその製造方法
JP6460659B2 (ja) * 2014-06-30 2019-01-30 イビデン株式会社 セラミック部材
KR101616202B1 (ko) 2014-11-20 2016-04-28 한밭대학교 산학협력단 초고온 내열 부품용 접합 구조체
CN104451886A (zh) * 2014-12-16 2015-03-25 中国电子科技集团公司第四十六研究所 一种PVT法生长AlN单晶用复合籽晶托的制备方法
JP6506056B2 (ja) * 2015-03-13 2019-04-24 イビデン株式会社 セラミック部材の製造方法
KR101824883B1 (ko) * 2016-05-25 2018-02-02 주식회사 티씨케이 탄화탄탈 코팅 탄소 재료
KR20170133193A (ko) * 2016-05-25 2017-12-05 주식회사 티씨케이 탄화탄탈 다중코팅 재료 및 그 제조방법
KR20170133191A (ko) * 2016-05-25 2017-12-05 주식회사 티씨케이 고경도 TaC 코팅 탄소 재료 및 그 제조방법
JP6754674B2 (ja) 2016-11-08 2020-09-16 昭和電工株式会社 炭化タンタルの評価方法
KR101907900B1 (ko) * 2017-04-28 2018-10-16 주식회사 티씨케이 TaC를 포함하는 코팅층을 갖는 탄소 재료 및 그 제조방법
KR102094183B1 (ko) * 2017-04-28 2020-03-30 주식회사 티씨케이 TaC를 포함하는 코팅층을 갖는 탄소 재료 및 그 제조방법
KR20190065941A (ko) * 2017-12-04 2019-06-12 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 탄화탄탈 피복 탄소 재료 및 그 제조 방법, 반도체 단결정 제조 장치용 부재
KR20190073788A (ko) 2017-12-19 2019-06-27 주식회사 티씨케이 CVD를 이용한 TaC 코팅층의 제조방법 및 그를 이용하여 제조한 TaC의 물성
JP7087762B2 (ja) * 2018-07-18 2022-06-21 株式会社豊田中央研究所 ＴａＣ被覆黒鉛部材
KR102136197B1 (ko) * 2018-12-17 2020-07-22 주식회사 티씨케이 탄화탄탈 코팅 재료
JP7293647B2 (ja) * 2018-12-21 2023-06-20 株式会社レゾナック 炭化タンタル材の製造方法
US11130152B2 (en) 2019-11-28 2021-09-28 National Chung-Shan Institute Of Science And Technology Method for the formation of tantalum carbides on graphite substrate
JP6849779B1 (ja) * 2019-12-06 2021-03-31 國家中山科學研究院 グラファイト基材上に炭化タンタルを形成する方法
CN115768723A (zh) 2020-07-07 2023-03-07 信越化学工业株式会社 包覆有碳化物的碳材料
CN111825478B (zh) * 2020-09-21 2020-12-08 中电化合物半导体有限公司 基于多孔碳材料的碳化钽涂层及其制备方法
CN112374911B (zh) * 2020-11-13 2022-11-29 湖南中科顶立技术创新研究院有限公司 一种石墨基底的表面处理方法及TaC涂层的制备方法
KR102600114B1 (ko) * 2020-12-01 2023-11-10 주식회사 티씨케이 탄화탄탈 코팅 탄소 재료 및 이의 제조방법
CN112680720B (zh) * 2020-12-07 2022-11-01 湖南德智新材料有限公司 一种具有复合涂层结构的mocvd设备用基座盘及其制备方法
RU2763358C1 (ru) * 2021-04-26 2021-12-28 Общество с ограниченной ответственностью "НПО "Защитные покрытия" (ООО "НПО "Защитные покрытия") Способ газофазного осаждения карбида тантала на поверхности изделий
CN113549895A (zh) * 2021-07-12 2021-10-26 北京钽途新材料科技有限公司 在石墨基材表面制备碳化钽涂层的方法及石墨器件
CN115212656A (zh) * 2022-07-22 2022-10-21 中材人工晶体研究院(山东)有限公司 多孔过滤器、制备方法及其在碳化硅单晶生长中的用途
DE102022207893A1 (de) * 2022-07-29 2024-02-01 Sgl Carbon Se Substrat, umfassend eine tantalbeschichtung
CN115637419A (zh) * 2022-10-12 2023-01-24 厦门中材航特科技有限公司 一种钽-碳化钽复合涂层的制备方法及其制品

Family Cites Families (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2684106B2 (ja) 1990-02-22 1997-12-03 東洋炭素株式会社 セラミックス被覆用黒鉛基材及びｃｖｄ炉用内部部品
JPH05238856A (ja) * 1992-02-26 1993-09-17 Nippon Steel Corp 金属炭化物被膜の形成方法
JP3214891B2 (ja) 1992-05-15 2001-10-02 日本特殊陶業株式会社 ダイヤモンド類被覆部材
JPH07118854A (ja) * 1993-10-22 1995-05-09 Hoya Corp 炭化ケイ素膜の形成方法
JPH08100265A (ja) * 1994-09-30 1996-04-16 Kawasaki Steel Corp Ｃｖｄ装置およびｃｖｄ皮膜の形成方法
RU2090648C1 (ru) * 1994-10-11 1997-09-20 Кабардино-Балкарский государственный университет Способ нанесения покрытия на алмазы
JP2003133246A (ja) 1996-01-19 2003-05-09 Matsushita Electric Ind Co Ltd 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子及び窒化ガリウム系化合物半導体の製造方法
WO1997026680A1 (fr) 1996-01-19 1997-07-24 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Dispositif emetteur de lumiere a semi-conducteur a base de composes de nitrure de gallium et procede de fabrication d'un semi-conducteur a base de composes de nitrure de gallium
JP4498477B2 (ja) * 1997-03-04 2010-07-07 東洋炭素株式会社 還元性雰囲気炉用炭素複合材料及びその製造方法
JPH11314970A (ja) * 1998-03-05 1999-11-16 Ngk Spark Plug Co Ltd 窒化珪素焼結体及びその製造方法並びにその窒化珪素焼結体を用いた軸受け及び転がり軸受け
JP3938361B2 (ja) * 2002-06-28 2007-06-27 イビデン株式会社 炭素複合材料
JP4386663B2 (ja) * 2003-03-28 2009-12-16 イビデン株式会社 炭素複合材料
US20070059501A1 (en) 2003-08-01 2007-03-15 The New Industry Research Organization Tantalum carbide, method for producing tantalum carbide, tantalum carbide wiring and tantalum carbide electrode
JP3680281B2 (ja) 2003-08-01 2005-08-10 学校法人関西学院 タンタルの炭化物、タンタルの炭化物の製造方法、タンタルの炭化物配線、タンタルの炭化物電極
US20050123713A1 (en) * 2003-12-05 2005-06-09 Forrest David T. Articles formed by chemical vapor deposition and methods for their manufacture
JP3779314B1 (ja) 2005-02-14 2006-05-24 東洋炭素株式会社 炭化タンタル被覆炭素材料およびその製造方法
KR100835157B1 (ko) * 2005-02-14 2008-06-09 토요 탄소 가부시키가이샤 탄화탄탈 피복 탄소재료 및 그 제조 방법
CN100450978C (zh) * 2005-02-14 2009-01-14 东洋炭素株式会社 碳化钽被覆碳材料及其制造方法
CN100439559C (zh) 2005-04-08 2008-12-03 光洋应用材料科技股份有限公司 钽基化合物的陶瓷溅镀靶材及其应用方法和制备方法
JP4775573B2 (ja) 2006-08-22 2011-09-21 Ｔｄｋ株式会社 耐磨耗性部材製造方法
JP4926632B2 (ja) * 2006-09-27 2012-05-09 東洋炭素株式会社 タンタルと炭素結合物の製造方法、タンタルと炭素の傾斜組成構造及びタンタル−炭素複合体
CN101153384B (zh) * 2006-09-28 2010-11-10 中南大学 双元碳化物共沉积纤维增强复合材料的制造方法
US8292006B2 (en) * 2009-07-23 2012-10-23 Baker Hughes Incorporated Diamond-enhanced cutting elements, earth-boring tools employing diamond-enhanced cutting elements, and methods of making diamond-enhanced cutting elements
KR101766500B1 (ko) * 2009-12-28 2017-08-08 도요탄소 가부시키가이샤 탄화탄탈 피복 탄소재료 및 그 제조방법

Also Published As

Publication number Publication date
CN103922797A (zh) 2014-07-16
JP2011153375A (ja) 2011-08-11
JP5666899B2 (ja) 2015-02-12
TWI534289B (zh) 2016-05-21
JP2011153378A (ja) 2011-08-11
EP2520691A1 (en) 2012-11-07
CN102770582B (zh) 2015-06-17
EP2520691A4 (en) 2014-01-15
JP2011153376A (ja) 2011-08-11
JP2011153070A (ja) 2011-08-11
KR101766500B1 (ko) 2017-08-08
JP5703017B2 (ja) 2015-04-15
WO2011081210A1 (ja) 2011-07-07
KR20120104260A (ko) 2012-09-20
RU2576406C2 (ru) 2016-03-10
JP2011153377A (ja) 2011-08-11
EP2520691B1 (en) 2022-08-10
TW201139717A (en) 2011-11-16
JP5502721B2 (ja) 2014-05-28
US20120301723A1 (en) 2012-11-29
CN102770582A (zh) 2012-11-07
CN103922797B (zh) 2016-03-16
JP5762735B2 (ja) 2015-08-12
US9322113B2 (en) 2016-04-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2012132436A (ru) Покрытый карбидом тантала углеродный материал и способ его изготовления
Zhang et al. Controlled growth of single‐crystal graphene films
KR102267800B1 (ko) 단결정 다이아몬드의 제조방법
Giri et al. Effect of ZnO seed layer on the catalytic growth of vertically aligned ZnO nanorod arrays
CN104058458A (zh) 一种高质量单双层可控的二硫化钼制备方法
CN106029960B (zh) SiC籽晶的加工变质层的除去方法、SiC籽晶和SiC基板的制造方法
US9689087B1 (en) Method of making photonic crystal
RU2012108641A (ru) Осаждение графена на большую поверхность путем гетероэпитаксиального роста и содержащие его изделия
CN109153571B (zh) 碳化钽涂层碳材料
US20120269717A1 (en) Method for growth of high quality graphene films
TW201838025A (zh) 具覆蓋層間邊界線之沉積層的半導體製造用部件
CN108728813A (zh) 一种快速连续制备超大单晶薄膜的方法及装置
Mallik et al. Large area deposition of polycrystalline diamond coatings by microwave plasma CVD
Mallik et al. Influence of the microwave plasma CVD reactor parameters on substrate thermal management for growing large area diamond coatings inside a 915 MHz and moderately low power unit
Zhuang et al. Growth controlling of diamond and β-SiC microcrystals in the diamond/β-SiC composite films
Baker et al. Hydride vapor phase epitaxy of AlN using a high temperature hot-wall reactor
Umar et al. Temperature-dependant non-catalytic growth of ultraviolet-emitting ZnO nanostructures on silicon substrate by thermal evaporation process
CN102249221B (zh) 一种条纹宽度可控的激光加热制备单层石墨烯的方法
Kumar et al. Compositional effect of antimony on structural, optical, and photoluminescence properties of chemically deposited (Cd1− xSbx) S thin films
Zhang et al. Morphology-controlled synthesis of ZnO replicas with photonic structures from butterfly (Papilio paris) wing scales for tunable optical properties
JP2020517571A5 (ru)
Yang et al. Study on the lateral growth of the diamond in the substrate holder and the effect of temperature gradient on the large-area diamond surface morphology
JP6424806B2 (ja) ＳｉＣ単結晶の製造方法
WO2016163157A1 (ja) 炭化珪素単結晶の製造方法
Soler et al. Hot-wire chemical vapor deposition of few-layer graphene on copper substrates

Legal Events

Date Code Title Description
FA92 Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted)

Effective date: 20150601

FZ9A Application not withdrawn (correction of the notice of withdrawal)

Effective date: 20150601