RU2012106750A - Способ и система для получения трихлорсилана - Google Patents
Способ и система для получения трихлорсилана Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012106750A RU2012106750A RU2012106750/04A RU2012106750A RU2012106750A RU 2012106750 A RU2012106750 A RU 2012106750A RU 2012106750/04 A RU2012106750/04 A RU 2012106750/04A RU 2012106750 A RU2012106750 A RU 2012106750A RU 2012106750 A RU2012106750 A RU 2012106750A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- reactor
- silicon particles
- hydrogen
- trichlorosilane
- fluidized bed
- Prior art date
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/1071—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01D—SEPARATION
- B01D46/00—Filters or filtering processes specially modified for separating dispersed particles from gases or vapours
- B01D46/30—Particle separators, e.g. dust precipitators, using loose filtering material
- B01D46/32—Particle separators, e.g. dust precipitators, using loose filtering material the material moving during filtering
- B01D46/38—Particle separators, e.g. dust precipitators, using loose filtering material the material moving during filtering as fluidised bed
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/24—Stationary reactors without moving elements inside
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/08—Compounds containing halogen
- C01B33/107—Halogenated silanes
- C01B33/1071—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof
- C01B33/10742—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material
- C01B33/10757—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane
- C01B33/10763—Tetrachloride, trichlorosilane or silicochloroform, dichlorosilane, monochlorosilane or mixtures thereof prepared by hydrochlorination of silicon or of a silicon-containing material with the preferential formation of trichlorosilane from silicon
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Silicon Compounds (AREA)
- Devices And Processes Conducted In The Presence Of Fluids And Solid Particles (AREA)
- Catalysts (AREA)
- Organic Low-Molecular-Weight Compounds And Preparation Thereof (AREA)
- Manufacture And Refinement Of Metals (AREA)
Abstract
1. Способ получения трихлорсилана, в котором частицы кремния реагируют с тетрахлорсиланом и водородом и, необязательно, с хлористым водородом в реакторе (101) с кипящим слоем с получением потока содержащего трихлорсилан газообразного продукта, причем реактор (101) с кипящим слоем содержит по меньшей мере одно впускное отверстие (103) для тетрахлорсилана, водорода и, при необходимости, хлористого водорода, по меньшей мере одно впускное отверстие (105) для частиц кремния, которые совместно с тетрахлорсиланом и водородом образуют кипящий слой, и по меньшей мере одно выпускное отверстие (117) для потока содержащего трихлорсилан газообразного продукта, перед которым установлен по меньшей мере один сепаратор (118) частиц, который избирательно пропускает только частицы кремния, размер которых меньше определенного максимального размера частиц, отличающийся тем, что предпочтительно через регулярные промежутки времени или непрерывно через по меньшей мере одно дополнительное выпускное отверстие (109; 112) без такого сепаратора (118) частиц частицы кремния удаляют из реактора (101).2. Способ по п.1, отличающийся тем, что частицы кремния удаляют непосредственно из флюидизированного участка кипящего слоя.3. Способ по п.1, отличающийся тем, что удаленные частицы кремния перемещают во второй реактор (102), в частности - во второй реактор с кипящим слоем, где они реагируют с тетрахлорсиланом и водородом и, необязательно, с хлористым водородом с образованием второго потока содержащего трихлорсилан газообразного продукта.4. Способ по п.3, отличающийся тем, что второй поток содержащего трихлорсилан газообразного продукта направляют в расположенны�
Claims (8)
1. Способ получения трихлорсилана, в котором частицы кремния реагируют с тетрахлорсиланом и водородом и, необязательно, с хлористым водородом в реакторе (101) с кипящим слоем с получением потока содержащего трихлорсилан газообразного продукта, причем реактор (101) с кипящим слоем содержит по меньшей мере одно впускное отверстие (103) для тетрахлорсилана, водорода и, при необходимости, хлористого водорода, по меньшей мере одно впускное отверстие (105) для частиц кремния, которые совместно с тетрахлорсиланом и водородом образуют кипящий слой, и по меньшей мере одно выпускное отверстие (117) для потока содержащего трихлорсилан газообразного продукта, перед которым установлен по меньшей мере один сепаратор (118) частиц, который избирательно пропускает только частицы кремния, размер которых меньше определенного максимального размера частиц, отличающийся тем, что предпочтительно через регулярные промежутки времени или непрерывно через по меньшей мере одно дополнительное выпускное отверстие (109; 112) без такого сепаратора (118) частиц частицы кремния удаляют из реактора (101).
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что частицы кремния удаляют непосредственно из флюидизированного участка кипящего слоя.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что удаленные частицы кремния перемещают во второй реактор (102), в частности - во второй реактор с кипящим слоем, где они реагируют с тетрахлорсиланом и водородом и, необязательно, с хлористым водородом с образованием второго потока содержащего трихлорсилан газообразного продукта.
4. Способ по п.3, отличающийся тем, что второй поток содержащего трихлорсилан газообразного продукта направляют в расположенный выше по течению реактор (101) с кипящим слоем через по меньшей мере одно дополнительное выпускное отверстие без сепаратора (109; 112) частиц.
5. Способ по п.2, отличающийся тем, что условия реакции во втором реакторе (102), в частности - температура и/или давление, при которых реагируют удаленные частицы кремния, отличаются от условий в расположенном выше по течению реакторе (101) с кипящим слоем, содержащем по меньшей мере одно дополнительное выпускное отверстие без сепаратора (109; 112) частиц.
6. Система (100) для получения трихлорсилана, в частности - для осуществления способа по любому из пп.1-5, содержащая первый реактор, выполненный в форме реактора с кипящим слоем, для проведения реакции частиц кремния с тетрахлорсиланом и водородом и, при необходимости, с хлористым водородом с получением первого потока содержащего трихлорсилан газообразного продукта, и второй реактор (102), в частности - выполненный в форме реактора с кипящим слоем, для проведения реакции частиц кремния с тетрахлорсиланом и водородом и, при необходимости, с хлористым водородом с получением второго потока содержащего трихлорсилан газообразного продукта, причем первый реактор (101) содержит
по меньшей мере одно впускное отверстие (103) для тетрахлорсилана и водорода и, при необходимости, для хлористого водорода,
по меньшей мере одно впускное отверстие (105) для частиц кремния,
реакционную камеру (106), в которой частицы кремния могут образовывать кипящий слой вместе с тетрахлорсиланом и водородом,
по меньшей мере одно выпускное отверстие (107) для первого потока содержащего трихлорсилан газообразного продукта, перед которым предусмотрен по меньшей мере один сепаратор (118) частиц, который избирательно пропускает только частицы кремния, размер которых меньше определенного максимального размера частиц, и
по меньшей мере одно дополнительное выпускное отверстие (109; 112) без такого сепаратора частиц, через которое из реактора (101) могут удаляться частицы кремния с размерами, превышающими максимальный размер частиц,
а второй реактор (102) содержит
по меньшей мере одно выпускное отверстие (111) для частиц кремния,
реакционную камеру, в которой частицы кремния могут образовывать кипящий слой вместе с тетрахлорсиланом и водородом, и
по меньшей мере одно выпускное отверстие (114) для второго потока содержащего трихлорсилан газообразного продукта,
причем между по меньшей мере одним дополнительным выпускным отверстием (109; 112) первого реактора (101) и по меньшей мере одним впускным отверстием (111) для частиц кремния второго реактора (102) имеется соединение (110), через которое частицы кремния, удаленные из первого реактора (101) могут быть перемещены во второй реактор (102).
7. Система по п.6, отличающаяся тем, что по меньшей мере один сепаратор (118) частиц представляет собой один или более циклонов.
8. Система по п.6, отличающаяся тем, что между первым реактором (101) и вторым реактором (102) имеется по меньшей мере одно дополнительное соединение (115), по которому второй поток содержащего трихлорсилан газообразного продукта может быть направлен в первый реактор (101).
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| DE102009037155.9 | 2009-08-04 | ||
| DE102009037155A DE102009037155B3 (de) | 2009-08-04 | 2009-08-04 | Verfahren und Anlage zur Herstellung von Trichlorsilan |
| PCT/EP2010/061224 WO2011015560A1 (de) | 2009-08-04 | 2010-08-02 | Verfahren und anlage zur herstellung von trichlorsilan |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012106750A true RU2012106750A (ru) | 2013-09-10 |
| RU2547269C2 RU2547269C2 (ru) | 2015-04-10 |
Family
ID=42813912
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012106750/04A RU2547269C2 (ru) | 2009-08-04 | 2010-08-02 | Способ и система для получения трихлорсилана |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20120189526A1 (ru) |
| EP (1) | EP2462058B1 (ru) |
| JP (1) | JP5788877B2 (ru) |
| KR (1) | KR20120041234A (ru) |
| CN (1) | CN102639440B (ru) |
| CA (1) | CA2769759A1 (ru) |
| DE (1) | DE102009037155B3 (ru) |
| MY (1) | MY162486A (ru) |
| RU (1) | RU2547269C2 (ru) |
| TW (1) | TWI507359B (ru) |
| WO (1) | WO2011015560A1 (ru) |
Families Citing this family (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102010044108A1 (de) * | 2010-11-18 | 2012-05-24 | Evonik Degussa Gmbh | Herstellung von Chlorsilanen aus kleinstteiligem Reinstsilicium |
| US9139442B2 (en) | 2011-10-18 | 2015-09-22 | Toagosei Co. Ltd. | Method for producing chloropolysilane and fluidized-bed reactor |
| DE102013201742A1 (de) | 2012-12-21 | 2014-06-26 | Evonik Industries Ag | Verfahren zur Aufbereitung von Silizium-haltigem feinkörnigen Material bei der Herstellung von Chlorsilanen |
| DE102012224182A1 (de) | 2012-12-21 | 2014-07-10 | Evonik Degussa Gmbh | Verfahren zur Aufbereitung feinteiliger Feststoffe bei der Herstellung von Chlorsilanen |
| EP2969948A1 (en) * | 2013-03-13 | 2016-01-20 | SiTec GmbH | Temperature management in chlorination processes and systems related thereto |
| DE102013212908A1 (de) | 2013-07-02 | 2015-01-08 | Wacker Chemie Ag | Analyse der Zusammensetzung eines Gases oder eines Gasstromes in einem chemischen Reaktor und ein Verfahren zur Herstellung von Chlorsilanen in einem Wirbelschichtreaktor |
| MY179882A (en) | 2013-09-30 | 2020-11-18 | Lg Chemical Ltd | Method for producing trichlorosilane |
| CN105980305B (zh) * | 2013-12-10 | 2021-02-26 | 萨密特工艺设计有限公司 | 三氯氢硅制造工艺 |
| EP3088358A1 (de) | 2015-04-28 | 2016-11-02 | Evonik Degussa GmbH | Verfahren zur aufbereitung feinteiliger feststoffe bei der herstellung von chlorsilanen |
| EP3100979A1 (de) | 2015-06-02 | 2016-12-07 | Evonik Degussa GmbH | Aufbereitung feinteiliger feststoffe bei der herstellung von chlorsilanen durch sintern bei niedrigen temperaturen |
| EP3100978A1 (de) | 2015-06-02 | 2016-12-07 | Evonik Degussa GmbH | Aufbereitung feinteiliger feststoffe bei der herstellung von chlorsilanen durch agglomerieren und kompaktierung |
| KR101987129B1 (ko) * | 2016-09-19 | 2019-06-10 | 한화케미칼 주식회사 | 3염화 실란 합성용 유동층 반응기 |
| CN107433055B (zh) * | 2017-08-30 | 2019-10-08 | 上海华畅环保设备发展有限公司 | 沸腾床分离器中沸腾颗粒再生方法及装置 |
| CN109395675B (zh) * | 2018-09-14 | 2021-07-20 | 四川永祥多晶硅有限公司 | 一种固定流化工艺 |
| WO2020221421A1 (de) * | 2019-04-29 | 2020-11-05 | Wacker Chemie Ag | Verfahren zur herstellung von trichlorsilan mit struktur-optimierten silicium-partikeln |
| CN116639699B (zh) * | 2023-07-12 | 2024-02-02 | 江苏中圣高科技产业有限公司 | 一种制备三氯氢硅的生产工艺及系统 |
Family Cites Families (21)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| GB2028289B (en) * | 1978-08-18 | 1982-09-02 | Schumacher Co J C | Producing silicon |
| US4676967A (en) * | 1978-08-23 | 1987-06-30 | Union Carbide Corporation | High purity silane and silicon production |
| DE3024319C2 (de) * | 1980-06-27 | 1983-07-21 | Wacker-Chemitronic Gesellschaft für Elektronik-Grundstoffe mbH, 8263 Burghausen | Kontinuierliches Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan |
| JPS57118017A (en) * | 1981-01-16 | 1982-07-22 | Koujiyundo Silicon Kk | Manufacture of trichlorosilane |
| JPS57156318A (en) * | 1981-03-16 | 1982-09-27 | Koujiyundo Silicon Kk | Production of trichlorosilane |
| FR2530638A1 (fr) * | 1982-07-26 | 1984-01-27 | Rhone Poulenc Spec Chim | Procede de preparation d'un melange a base de trichlorosilane utilisable pour la preparation de silicium de haute purete |
| FR2533906A1 (fr) * | 1982-09-30 | 1984-04-06 | Rhone Poulenc Spec Chim | Procede et dispositif pour la preparation de silane pur par reaction de chlorosilanes avec l'hydrure de lithium |
| US4526769A (en) * | 1983-07-18 | 1985-07-02 | Motorola, Inc. | Trichlorosilane production process |
| CN85107465A (zh) * | 1985-10-12 | 1987-04-15 | 北京有色冶金设计研究总院 | 四氯化硅氢化新工艺 |
| JP2519094B2 (ja) * | 1988-11-29 | 1996-07-31 | 高純度シリコン株式会社 | トリクロロシラン製造用流動反応装置 |
| JP3778631B2 (ja) * | 1995-11-14 | 2006-05-24 | 株式会社トクヤマ | サイクロン及びこれを備えた流動層反応装置 |
| US5776416A (en) * | 1995-11-14 | 1998-07-07 | Tokuyama Corporation | Cyclone and fluidized bed reactor having same |
| DE19654154A1 (de) * | 1995-12-25 | 1997-06-26 | Tokuyama Corp | Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan |
| JP3708648B2 (ja) * | 1995-12-25 | 2005-10-19 | 株式会社トクヤマ | トリクロロシランの製造方法 |
| JP3708649B2 (ja) * | 1995-12-25 | 2005-10-19 | 株式会社トクヤマ | 銅シリサイドを有する金属珪素粒子の製造方法 |
| DE10062413A1 (de) * | 2000-12-14 | 2002-07-04 | Solarworld Ag | Verfahren zur Herstellung von Trichlorsilan |
| RU2274602C1 (ru) * | 2004-08-16 | 2006-04-20 | Федеральное государственное унитарное предприятие "Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности "Гиредмет" | Способ получения трихлорсилана |
| DE102004045245B4 (de) * | 2004-09-17 | 2007-11-15 | Degussa Gmbh | Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung von Silanen |
| JP5397580B2 (ja) * | 2007-05-25 | 2014-01-22 | 三菱マテリアル株式会社 | トリクロロシランの製造方法と製造装置および多結晶シリコンの製造方法 |
| CN101125654A (zh) * | 2007-09-04 | 2008-02-20 | 浙江开化合成材料有限公司 | 一种用于三氯氢硅生产的大型流化床反应器 |
| CN101279735A (zh) * | 2008-05-30 | 2008-10-08 | 中蓝晨光化工研究院有限公司 | 三氯氢硅的生产方法及其设备 |
-
2009
- 2009-08-04 DE DE102009037155A patent/DE102009037155B3/de active Active
-
2010
- 2010-08-02 US US13/388,692 patent/US20120189526A1/en not_active Abandoned
- 2010-08-02 MY MYPI2012000491A patent/MY162486A/en unknown
- 2010-08-02 CN CN201080043459.XA patent/CN102639440B/zh active Active
- 2010-08-02 JP JP2012523311A patent/JP5788877B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2010-08-02 CA CA2769759A patent/CA2769759A1/en not_active Abandoned
- 2010-08-02 WO PCT/EP2010/061224 patent/WO2011015560A1/de active Application Filing
- 2010-08-02 RU RU2012106750/04A patent/RU2547269C2/ru active
- 2010-08-02 KR KR1020127005460A patent/KR20120041234A/ko not_active Application Discontinuation
- 2010-08-02 EP EP10739921.4A patent/EP2462058B1/de active Active
- 2010-08-04 TW TW099125977A patent/TWI507359B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2013500928A (ja) | 2013-01-10 |
| MY162486A (en) | 2017-06-15 |
| RU2547269C2 (ru) | 2015-04-10 |
| EP2462058B1 (de) | 2014-01-01 |
| JP5788877B2 (ja) | 2015-10-07 |
| CA2769759A1 (en) | 2011-02-10 |
| CN102639440A (zh) | 2012-08-15 |
| EP2462058A1 (de) | 2012-06-13 |
| CN102639440B (zh) | 2017-05-31 |
| US20120189526A1 (en) | 2012-07-26 |
| TWI507359B (zh) | 2015-11-11 |
| DE102009037155B3 (de) | 2010-11-04 |
| KR20120041234A (ko) | 2012-04-30 |
| TW201111281A (en) | 2011-04-01 |
| WO2011015560A1 (de) | 2011-02-10 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2012106750A (ru) | Способ и система для получения трихлорсилана | |
| JP2013515673A5 (ru) | ||
| CA2778829C (en) | Process for producing polysilicon | |
| MX2013000224A (es) | Columna de separacion de gas presurizado y proceso para generar un producto de gas a alta presion. | |
| EA200601014A1 (ru) | Способ и устройство для получения углеродных продуктов в форме частиц | |
| EA200801975A1 (ru) | Способ отделения газов от твердых частиц в реакционной системе газа/твердых частиц с использованием потока газа/твердых частиц | |
| JP2011516376A5 (ru) | ||
| CN103864021B (zh) | 一种利用化学链空气分离制备氧气的装置及方法 | |
| WO2011081385A3 (ko) | 트리클로로실란의 정제 방법 및 정제 장치 | |
| CN207227001U (zh) | 利用mocvd尾气联产高纯氢和高纯氨的装置 | |
| MY160037A (en) | Process for the production of anhydrides | |
| JP2013540095A5 (ru) | ||
| UA102244C2 (ru) | Способ получения поликристаллического кремния | |
| UA99937C2 (ru) | Способ и устройство для грубого отделения твердых частиц из газов, отягощенных твердыми частицами | |
| WO2012063253A8 (en) | A novel system for adsorbing and separating suspended gaseous impurities from effluent gases and thereby recovery of value added products | |
| CN114715901A (zh) | 一种催化合成制备多氯硅烷的装置及其方法 | |
| CN106115718B (zh) | 一种乙硅烷生产装置 | |
| AU2013295270A1 (en) | Use of urea synthesis purge gas in an integrated ammonia-urea process and related plant | |
| TW200507019A (en) | Apparatus and method for feeding high-purity ammonia gas | |
| JP5321827B2 (ja) | 多結晶シリコンの製造方法および製造装置 | |
| CN106032275A (zh) | 三氯氢硅合成工艺及系统 | |
| KR20150130051A (ko) | 연속식 관형반응기를 이용한 클로로실란가스 제조방법 | |
| CN106145119B (zh) | 一种乙硅烷反应釜 | |
| WO2010149961A3 (en) | Apparatus and process for three-phase reaction | |
| EA201171097A1 (ru) | Система отделения катализатора |