JP5321827B2 - 多結晶シリコンの製造方法および製造装置 - Google Patents
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims abstract description 39
- 229910021420 polycrystalline silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 38
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract description 115
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 52
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 claims abstract description 52
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract description 47
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract description 47
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 38
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 38
- 239000002994 raw material Substances 0.000 claims description 41
- ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N trichlorosilane Chemical compound Cl[SiH](Cl)Cl ZDHXKXAHOVTTAH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 15
- 239000005052 trichlorosilane Substances 0.000 claims description 15
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims description 13
- VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 4-[4-(4-methoxyphenyl)piperazin-1-yl]aniline Chemical compound C1=CC(OC)=CC=C1N1CCN(C=2C=CC(N)=CC=2)CC1 VXEGSRKPIUDPQT-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 12
- 238000010517 secondary reaction Methods 0.000 claims description 12
- 239000005049 silicon tetrachloride Substances 0.000 claims description 12
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims description 8
- 238000000197 pyrolysis Methods 0.000 claims description 5
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 abstract description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 4
- 239000007858 starting material Substances 0.000 abstract 1
- 239000002912 waste gas Substances 0.000 abstract 1
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 14
- 238000000034 method Methods 0.000 description 14
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 14
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 14
- 238000000746 purification Methods 0.000 description 10
- 239000005046 Chlorosilane Substances 0.000 description 8
- KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N chlorosilane Chemical compound Cl[SiH3] KOPOQZFJUQMUML-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 8
- 239000000463 material Substances 0.000 description 5
- 230000000052 comparative effect Effects 0.000 description 4
- 238000004821 distillation Methods 0.000 description 4
- 239000006227 byproduct Substances 0.000 description 3
- 230000002950 deficient Effects 0.000 description 3
- 229920005591 polysilicon Polymers 0.000 description 3
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 3
- 238000005660 chlorination reaction Methods 0.000 description 2
- MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N dichlorosilane Chemical compound Cl[SiH2]Cl MROCJMGDEKINLD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000002184 metal Substances 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 230000001502 supplementing effect Effects 0.000 description 2
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N Hydrochloric acid Chemical compound Cl VEXZGXHMUGYJMC-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910003822 SiHCl3 Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N chlorosilicon Chemical compound Cl[Si] SLLGVCUQYRMELA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001816 cooling Methods 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 229910000041 hydrogen chloride Inorganic materials 0.000 description 1
- IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N hydrogen chloride Substances Cl.Cl IXCSERBJSXMMFS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000004756 silanes Chemical class 0.000 description 1
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Description
〔1〕三塩化シランガスの熱分解および水素還元によって多結晶シリコンを製造する一次反応炉と二次反応炉を直列に接続し、さらに一次反応炉と二次反応炉に原料供給路を接続し、該原料供給路を通じて三塩化シランガスを一次反応炉に供給して反応させ、該一次反応炉から排出された未反応の三塩化シラン、副生した四塩化珪素および水素を含む排ガスを冷却液化せずに二次反応炉に導入すると共に不足量の三塩化シランガスを原料供給路を通じて二次反応炉に供給して反応させ、さらに二次反応炉から排出される排ガスに含まれる水素を分離して一次反応炉に返送して反応に利用することを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。
〔2〕三塩化シランガスの熱分解および水素還元によって多結晶シリコンを製造する一次反応炉と二次反応炉が直列に接続されており、該一次反応炉と二次反応炉には原料供給路が接続しており、上記二次反応炉には排ガスを一次反応炉に返送する循環系が設けられており、該循環系には水素分離手段が設けられており、原料供給路を通じて三塩化シランガスが一次反応炉に供給され、該一次反応炉の排ガスが冷却液化されずに二次反応炉に供給されると共に原料供給路を通じて不足量の三塩化シランガスが二次反応炉に供給され、さらに二次反応炉の排ガスから水素が分離されて一次反応炉に返送され反応に利用されることを特徴とする多結晶シリコンの製造装置。
また、本発明の製造装置は、三塩化シランガスの熱分解および水素還元によって多結晶シリコンを製造する一次反応炉と二次反応炉が直列に接続されており、該一次反応炉と二次反応炉には原料供給路が接続しており、上記二次反応炉には排ガスを一次反応炉に返送する循環系が設けられており、該循環系には水素分離手段が設けられており、原料供給路を通じて三塩化シランガスが一次反応炉に供給され、該一次反応炉の排ガスが冷却液化されずに二次反応炉に供給されると共に原料供給路を通じて不足量の三塩化シランガスが二次反応炉に供給され、さらに二次反応炉の排ガスから水素が分離されて一次反応炉に返送され反応に利用されることを特徴とする多結晶シリコンの製造装置である。
〔実施例〕
図1に示す製造プロセスに従い、一次反応炉と二次反応炉を用い、一次反応炉の排ガスを二次反応炉に導入する一方、二次反応炉の排ガスから水素を分離して一次反応炉に返送し、さらに水素を分離した排ガスを精製し、原料の三塩化シランガスと共に一次反応炉に供給して反応させ、多結晶シリコンを製造した。原料ガスはクロルシランガスと水素ガスであり、クロルシランガスはジクロロシラン、三塩化シラン(TCS)、四塩化珪素(STC)の単体または混合ガスである。この結果を各反応炉の操業条件と共に表1に示した(A1〜A2)。
二次反応炉を用いず、一次反応炉B1とB2を並列に設置し、各一次反応炉に原料の三塩化シランガスを導入しする一方、各一次反応炉の排ガスから水素を分離しておのおの一次反応炉に戻し、さらに水素を分離した排ガスを精製して一次反応炉に戻し、三塩化シランガスと共に反応させた。この結果を一次反応炉の操業条件と共に表1に示した(B1〜B2)。
Claims (2)
- 三塩化シランガスの熱分解および水素還元によって多結晶シリコンを製造する一次反応炉と二次反応炉を直列に接続し、さらに一次反応炉と二次反応炉に原料供給路を接続し、該原料供給路を通じて三塩化シランガスを一次反応炉に供給して反応させ、該一次反応炉から排出された未反応の三塩化シラン、副生した四塩化珪素および水素を含む排ガスを冷却液化せずに二次反応炉に導入すると共に不足量の三塩化シランガスを原料供給路を通じて二次反応炉に供給して反応させ、さらに二次反応炉から排出される排ガスに含まれる水素を分離して一次反応炉に返送して反応に利用することを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。
- 三塩化シランガスの熱分解および水素還元によって多結晶シリコンを製造する一次反応炉と二次反応炉が直列に接続されており、該一次反応炉と二次反応炉には原料供給路が接続しており、上記二次反応炉には排ガスを一次反応炉に返送する循環系が設けられており、該循環系には水素分離手段が設けられており、原料供給路を通じて三塩化シランガスが一次反応炉に供給され、該一次反応炉の排ガスが冷却液化されずに二次反応炉に供給されると共に原料供給路を通じて不足量の三塩化シランガスが二次反応炉に供給され、さらに二次反応炉の排ガスから水素が分離されて一次反応炉に返送され反応に利用されることを特徴とする多結晶シリコンの製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009168189A JP5321827B2 (ja) | 2009-07-16 | 2009-07-16 | 多結晶シリコンの製造方法および製造装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009168189A JP5321827B2 (ja) | 2009-07-16 | 2009-07-16 | 多結晶シリコンの製造方法および製造装置 |
Related Parent Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2004136567A Division JP4780271B2 (ja) | 2004-04-30 | 2004-04-30 | 多結晶シリコンの製造方法 |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2009242238A JP2009242238A (ja) | 2009-10-22 |
JP2009242238A5 JP2009242238A5 (ja) | 2010-09-16 |
JP5321827B2 true JP5321827B2 (ja) | 2013-10-23 |
Family
ID=41304593
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009168189A Expired - Fee Related JP5321827B2 (ja) | 2009-07-16 | 2009-07-16 | 多結晶シリコンの製造方法および製造装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5321827B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
CN102897766A (zh) * | 2011-07-26 | 2013-01-30 | 王春龙 | 一种多晶硅还原装置 |
CN103754881A (zh) * | 2013-12-17 | 2014-04-30 | 内蒙古同远企业管理咨询有限责任公司 | 一种多晶硅还原节能生产工艺 |
Family Cites Families (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US4792460A (en) * | 1986-07-15 | 1988-12-20 | Electric Power Research Institute, Inc. | Method for production of polysilanes and polygermanes, and deposition of hydrogenated amorphous silicon, alloys thereof, or hydrogenated amorphous germanium |
JPH1149508A (ja) * | 1997-06-03 | 1999-02-23 | Tokuyama Corp | 多結晶シリコンの廃棄物の少ない製造方法 |
JP2002068727A (ja) * | 2000-08-29 | 2002-03-08 | Jgc Corp | 高純度シリカの製造方法 |
JP4038110B2 (ja) * | 2001-10-19 | 2008-01-23 | 株式会社トクヤマ | シリコンの製造方法 |
-
2009
- 2009-07-16 JP JP2009168189A patent/JP5321827B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2009242238A (ja) | 2009-10-22 |
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JP2009242238A5 (ja) |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
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A621 | Written request for application examination |
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R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
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