JP2009062211A - トリクロロシランの製造方法および多結晶シリコンの製造方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】水素化反応器101は、STC含有物を水素と反応させてTCSとする。また、低沸除去塔102は、水素化反応器101から排出されたクロロシラン留出物をTCSと高次水素化クロロシラン混合留出物とに分離して該高次水素化クロロシラン混合留出物を水素化反応器101に循環させる。低沸除去塔102によって分割分離された高次水素化クロロシラン混合留出分は、水素化反応器101へと循環供給される。従って、排ガスがプロセス内で循環・再利用されることとなってTCS製造の高効率化が図られる。
【選択図】図1
Description
101 水素化反応器
102 低沸除去塔
103 ドナー・アクセプタ除去器
104 精製塔
200 多結晶シリコン析出工程
Claims (5)
- テトラクロロシラン(STC)含有物を水素と反応させてトリクロロシラン(TCS)とする水素化工程と、前記水素化工程から排出されたクロロシラン留出物をTCSと高次水素化クロロシラン混合留出物とに分離して該高次水素化クロロシラン混合留出物を前記水素化工程に循環させる工程とを備えていることを特徴とするトリクロロシランの製造方法。
- 前記高次水素化クロロシラン混合留出物の分離に先立ち、前記水素化工程から排出されたクロロシラン留出物から半導体結晶中で電気的に活性な不純物を除去する工程を更に備えている請求項1に記載のトリクロロシランの製造方法。
- 多結晶シリコン析出工程から副生する高次水素化クロロシランを前記水素化工程に供給する工程を備えている請求項1又は2に記載のトリクロロシランの製造方法。
- 前記テトラクロロシラン(STC)含有物が多結晶シリコン析出工程で副生するポリシラン(H2(n+1)−mClmSin:nは2乃至4の整数、mは0乃至2(n+1)の整数)を含有する請求項1乃至3に記載のトリクロロシランの製造方法。
- 請求項1乃至4の何れか1項に記載のトリクロロシランの製造方法により得られたTCSを多結晶シリコン析出工程に循環させて水素と反応させる工程を備えている多結晶シリコンの製造方法。
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