JP4714197B2 - トリクロロシランの製造方法および多結晶シリコンの製造方法 - Google Patents
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Description
101 水素化反応器
102 分離器(低沸除去塔)
103 塩素化反応器
104 STC精製器
105 ドナー・アクセプタ除去器
106 分離蒸留塔
107 精製塔
201 CVD反応炉
202 蒸留塔
203 粒状Si分離器
Claims (7)
- テトラクロロシラン(STC)と水素を反応させてトリクロロシラン(TCS)とする水素化工程と、該水素化工程で得られた留出物を炭化水素含有クロロシラン留分とTCS留分とに分離する工程と、該分離工程で得られた炭化水素含有クロロシラン留分を塩素と反応させてSTC及び塩素化炭化水素含有物を生成させる塩素化工程とを備え、該塩素化工程で得られたSTC含有留出物を前記水素化工程に循環させることを特徴とするトリクロロシランの製造方法。
- 前記分離工程で分離される炭化水素含有クロロシラン留分には高次水素化クロロシランが含有されている請求項1に記載のトリクロロシランの製造方法。
- 前記塩素化工程で得られたSTC含有留出物から塩素化炭化水素類を分離するSTC精製工程を備え、該精製後のSTC留分を前記水素化工程に循環させる請求項1又は2に記載のトリクロロシランの製造方法。
- 前記水素化工程からの留出物に含有されているドナーおよびアクセプタ不純物を除去する工程を備え、該不純物除去後の留出物を前記分離工程で炭化水素含有クロロシラン留分とTCS留分とに分離する請求項1乃至3の何れか1項に記載のトリクロロシランの製造方法。
- 前記塩素化工程での塩素化剤として塩素ガスを用いる請求項1乃至4の何れか1項に記載のトリクロロシランの製造方法。
- 前記塩素化工程における塩素化を光塩素化反応により行なう請求項1乃至5の何れか1項に記載のトリクロロシランの製造方法。
- 請求項1乃至6の何れか1項に記載のトリクロロシランの製造方法で得られたTCSを水素と反応させて多結晶シリコンを析出させるCVD工程を備え、化学式H2(n+1)−mClmSin(式中nは2乃至4の整数、mは0乃至2(n+1)の整数)で表記されるポリシランを含む前記CVD工程からの副生混合物が前記塩素化工程で塩素化されてSTC含有物とされることを特徴とする多結晶シリコンの製造方法。
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US20020187096A1 (en) | 2001-06-08 | 2002-12-12 | Kendig James Edward | Process for preparation of polycrystalline silicon |
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CN100436315C (zh) * | 2001-10-19 | 2008-11-26 | 株式会社德山 | 硅的制造方法 |
US20040005262A1 (en) * | 2002-06-05 | 2004-01-08 | Exxonmobil Research And Engineering Company | Process for reducing NOx in waste gas streams using chlorine dioxide |
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