RU2011103481A - Бесцветный монокристаллический алмаз и способ его получения - Google Patents

Бесцветный монокристаллический алмаз и способ его получения Download PDF

Info

Publication number
RU2011103481A
RU2011103481A RU2011103481/05A RU2011103481A RU2011103481A RU 2011103481 A RU2011103481 A RU 2011103481A RU 2011103481/05 A RU2011103481/05 A RU 2011103481/05A RU 2011103481 A RU2011103481 A RU 2011103481A RU 2011103481 A RU2011103481 A RU 2011103481A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
diamond
cvd diamond
measured
room temperature
less
Prior art date
Application number
RU2011103481/05A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2473720C2 (ru
Inventor
Стивен Дейвид УИЛЛЬЯМС (GB)
Стивен Дейвид УИЛЛЬЯМС
Даниел Джеймс ТУИТЧЕН (GB)
Даниел Джеймс ТУИТЧЕН
Филип Морис МАРТИНОУ (GB)
Филип Морис МАРТИНОУ
Джеффри Алан СКАРСБРУК (GB)
Джеффри Алан СКАРСБРУК
Айан ФРИЛ (GB)
Айан ФРИЛ
Original Assignee
Элемент Сикс Лимитед (Gb)
Элемент Сикс Лимитед
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Priority claimed from GBGB0512728.7A external-priority patent/GB0512728D0/en
Application filed by Элемент Сикс Лимитед (Gb), Элемент Сикс Лимитед filed Critical Элемент Сикс Лимитед (Gb)
Publication of RU2011103481A publication Critical patent/RU2011103481A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2473720C2 publication Critical patent/RU2473720C2/ru

Links

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C23C16/27—Diamond only
    • C23C16/278—Diamond only doping or introduction of a secondary phase in the diamond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/006—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterized by the colour of the layer
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/26—Deposition of carbon only
    • C23C16/27—Diamond only
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
    • C23C16/30—Deposition of compounds, mixtures or solid solutions, e.g. borides, carbides, nitrides
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
    • C30B25/02—Epitaxial-layer growth
    • C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
    • C30B25/105—Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
    • C30B29/02—Elements
    • C30B29/04—Diamond
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/30—Self-sustaining carbon mass or layer with impregnant or other layer

Abstract

1. Способ получения бесцветного или почти бесцветного монокристаллического алмаза, полученного химическим осаждением из паровой фазы (ХОПФ-алмаз), включающий: ! i) подготовку подложки, ! ii) использование атмосферы синтеза ХОПФ-алмаза, содержащей азот в концентрации в пределах от 300 до 30 частей на миллиард (ppb), в пересчете на молекулярный азот, и ! iii) добавление в атмосферу синтеза ХОПФ-алмаза газа, содержащего бор в концентрации в пределах от 0,5 до 0,2 ppb, ! причем бор добавляют в атмосферу синтеза ХОПФ-алмаза управляемым образом так, что обеспечивается стабильность концентрации бора лучше 20% и в количестве, выбранном с обеспечением уменьшения негативного влияния на цвет монокристаллического ХОПФ-алмаза, оказываемого азотом, с получением бесцветного или почти бесцветного монокристаллического ХОПФ-алмаза, где доминирующий объем по меньшей мере 80% монокристаллического ХОПФ-алмаза обладает по меньшей мере одной из следующих характеристик; ! а) спектр поглощения, измеренный при комнатной температуре, соответствующий цвету стандартного круглого бриллианта весом 0,5 карат лучше, чем К по цветовой шкале Американского геммологического института (GIA), ! б) коэффициент поглощения на длине волны 270 нм, измеренный при комнатной температуре, составляет менее 2,9 см-1, ! в) коэффициент поглощения на длине волны 350 нм, измеренный при комнатной температуре, составляет менее 1,5 см-1, ! г) коэффициент поглощения на длине волны 520 нм, измеренный при комнатной температуре, составляет менее 0,45 см-1, и ! д) коэффициент поглощения на длине волны 700 нм, измеренный при комнатной температуре, составляет менее 0,18 см-1, ! и при этом этот монокристаллич

Claims (15)

1. Способ получения бесцветного или почти бесцветного монокристаллического алмаза, полученного химическим осаждением из паровой фазы (ХОПФ-алмаз), включающий:
i) подготовку подложки,
ii) использование атмосферы синтеза ХОПФ-алмаза, содержащей азот в концентрации в пределах от 300 до 30 частей на миллиард (ppb), в пересчете на молекулярный азот, и
iii) добавление в атмосферу синтеза ХОПФ-алмаза газа, содержащего бор в концентрации в пределах от 0,5 до 0,2 ppb,
причем бор добавляют в атмосферу синтеза ХОПФ-алмаза управляемым образом так, что обеспечивается стабильность концентрации бора лучше 20% и в количестве, выбранном с обеспечением уменьшения негативного влияния на цвет монокристаллического ХОПФ-алмаза, оказываемого азотом, с получением бесцветного или почти бесцветного монокристаллического ХОПФ-алмаза, где доминирующий объем по меньшей мере 80% монокристаллического ХОПФ-алмаза обладает по меньшей мере одной из следующих характеристик;
а) спектр поглощения, измеренный при комнатной температуре, соответствующий цвету стандартного круглого бриллианта весом 0,5 карат лучше, чем К по цветовой шкале Американского геммологического института (GIA),
б) коэффициент поглощения на длине волны 270 нм, измеренный при комнатной температуре, составляет менее 2,9 см-1,
в) коэффициент поглощения на длине волны 350 нм, измеренный при комнатной температуре, составляет менее 1,5 см-1,
г) коэффициент поглощения на длине волны 520 нм, измеренный при комнатной температуре, составляет менее 0,45 см-1, и
д) коэффициент поглощения на длине волны 700 нм, измеренный при комнатной температуре, составляет менее 0,18 см-1,
и при этом этот монокристаллический ХОПФ-алмаз имеет толщину более 0,1 мм,
концентрация азота в доминирующем объеме монокристаллического ХОПФ-алмаза находится в пределах от 1·1014 до 5·1017 атомов/см3, а
концентрация бора в доминирующем объеме монокристаллического ХОПФ-алмаза находится в пределах от 3·1014 до 1·1017 атомов/см3.
2. Способ по п.1, в котором бор добавляют в атмосферу синтеза ХОПФ-алмаза управляемым образом так, что обеспечивается стабильность концентрации бора лучше 10% или 3%.
3. Способ по п.1 или 2, в котором концентрация газа, содержащего азот, в атмосфере синтеза ХОПФ-алмаза находится в переделах от 500 до 20 ppm, от 600 до 10 ppm, от 1 до 5 ppm или от 2 до 3 ppm.
4. Способ по п.1, в котором концентрация газа, содержащего бор, в атмосфере синтеза ХОПФ-алмаза находится в переделах от 1,0 до 0,1 ppm, от 2 до 50 ppm или от 10 до 20 ppm.
5. Способ по п.1, в котором в котором бор добавляют в атмосферу синтеза ХОПФ-алмаза управляемым образом так, что отношение концентрации азота к концентрации бора в доминирующем объеме ХОПФ-алмаза находится в пределах от 1:2 до 2:1, от 2:3 до 3:2, от 3:4 до 4:3, от 4:5 до 6:5, от 9:10 до 11:10.
6. Бесцветный или почти бесцветный монокристаллический алмаз, полученный химическим осаждением из паровой фазы (ХОПФ-алмаз), у которого доминирующий объем по меньшей мере 80% этого монокристаллического ХОПФ-алмаза обладает по меньшей мере одной из следующих характеристик:
а) спектр поглощения, измеренный при комнатной температуре, соответствующий цвету стандартного круглого бриллианта весом 0,5 карат лучше, чем К по цветовой шкале Американского геммологического института (GIA),
б) коэффициент поглощения на длине волны 270 нм, измеренный при комнатной температуре, составляет менее 2,9 см-1,
в) коэффициент поглощения на длине волны 350 нм, измеренный при комнатной температуре, составляет менее 1,5 см-1,
г) коэффициент поглощения на длине волны 520 нм, измеренный при комнатной температуре, составляет менее 0,45 см-1, и
д) коэффициент поглощения на длине волны 700 нм, измеренный при комнатной температуре, составляет менее 0,18 см-1,
и при этом монокристаллический ХОПФ-алмаз имеет толщину более 0,1 мм,
концентрация азота в доминирующем объеме монокристаллического ХОПФ-алмаза находится в диапазоне от 1·1014 атомов/см3 до 5·1017 атомов/см3, а
концентрация бора в доминирующем объеме монокристаллического ХОПФ-алмаза находится в диапазоне от 3·1014 атомов/см3 до 1·1017 атомов/см3.
7. Монокристаллический ХОПФ-алмаз по п.6, у которого доминирующий объем обладает по меньшей мере одной из следующих характеристик:
коэффициент поглощения на длине волны 270 нм, измеренный при комнатной температуре, составляет менее 1,9 см-1, 1,0 см-1 или 0,40 см-1,
коэффициент поглощения на длине волны 350 нм, измеренный при комнатной температуре, составляет менее 0,9 см-1, 0,5 см-1 или 0,2 см-1,
коэффициент поглощения на длине волны 520 нм, измеренный при комнатной температуре, составляет менее 0,30 см-1, 0,14 см-1 или 0,06 см-1,
коэффициент поглощения на длине волны 700 нм, измеренный при комнатной температуре, составляет менее 0,12 см-1, 0,06 см-1 или 0,03 см-1.
8. Монокристаллический ХОПФ-алмаз по п.6 или 7, у которого доминирующий объем составляет по меньшей мере 90% или 95% монокристаллического ХОПФ-алмаза.
9. Монокристаллический ХОПФ-алмаз по п.6, имеющий концентрацию азота в доминирующем объеме более 2·1015, 5·1015, 1·1016 или 3·1016 атомов/см3.
10. Монокристаллический ХОПФ-алмаз по п.6, имеющий концентрацию бора в доминирующем объеме более 1·1015, 3·1015, 1·1016 или 3·1016 атомов/см3.
11. Монокристаллический ХОПФ-алмаз по п.6, у которого отношение концентрации азота к концентрации бора в доминирующем объеме ХОПФ-алмаза находится в пределах от 1:2 до 2:1, от 2:3 до 3:2, от 3:4 до 4:3, от 4:5 до 6:5 или от 9:10 до 11:10.
12. Монокристаллический ХОПФ-алмаз по п.6, имеющий толщину более 0,5 мм, 1 мм или 2 мм.
13. Монокристаллический ХОПФ-алмаз по п.6, у которого общее содержание каких-либо дополнительных примесей, за исключением водорода, составляет менее 5 ppm, 2 ppm, 1 ppm, 0,5 ppm или 0,2 ppm.
14. Монокристаллический ХОПФ-алмаз по п.6, характеризующийся двулучепреломлением менее 1·10-3, 1·10-4 или 1·10-5 в объеме, составляющем более 0,1 мм3, 0,5 мм3, 1 мм3, 3,4 мм3, 8 мм3, 27 мм3, 64 мм3, 125 мм3, 512 мм3 или 1000 мм3.
15. Монокристаллический ХОПФ-алмаз по п.6, выполненный в форме драгоценного камня или оптической пластинки.
RU2011103481/05A 2005-06-22 2006-06-22 Бесцветный монокристаллический алмаз и способ его получения RU2473720C2 (ru)

Applications Claiming Priority (4)

Application Number Priority Date Filing Date Title
GBGB0512728.7A GB0512728D0 (en) 2005-06-22 2005-06-22 High colour diamond
GB0512728.7 2005-06-22
US69937405P 2005-07-15 2005-07-15
US60/699,374 2005-07-15

Related Parent Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008101362/05A Division RU2415204C2 (ru) 2005-06-22 2006-06-22 Слой бесцветного алмаза

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2011103481A true RU2011103481A (ru) 2012-08-10
RU2473720C2 RU2473720C2 (ru) 2013-01-27

Family

ID=36803755

Family Applications (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2011103481/05A RU2473720C2 (ru) 2005-06-22 2006-06-22 Бесцветный монокристаллический алмаз и способ его получения
RU2008101362/05A RU2415204C2 (ru) 2005-06-22 2006-06-22 Слой бесцветного алмаза

Family Applications After (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2008101362/05A RU2415204C2 (ru) 2005-06-22 2006-06-22 Слой бесцветного алмаза

Country Status (11)

Country Link
US (1) US7964280B2 (ru)
EP (2) EP1920080B1 (ru)
JP (2) JP5457028B2 (ru)
KR (1) KR101307032B1 (ru)
AU (1) AU2006260656A1 (ru)
CA (1) CA2607202C (ru)
GB (1) GB2428690B (ru)
HK (1) HK1121199A1 (ru)
IL (1) IL187010A (ru)
RU (2) RU2473720C2 (ru)
WO (1) WO2006136929A2 (ru)

Families Citing this family (92)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US7172655B2 (en) 2002-09-06 2007-02-06 Daniel James Twitchen Colored diamond
KR101240785B1 (ko) * 2003-12-12 2013-03-07 엘리멘트 식스 리미티드 화학적 증착 다이아몬드에 마크를 통합시키는 방법
JP4784915B2 (ja) * 2005-02-03 2011-10-05 独立行政法人産業技術総合研究所 リン原子がドープされたｎ型（１００）面方位ダイヤモンド半導体単結晶膜及びその製造方法
GB2428690B (en) * 2005-06-22 2010-12-29 Element Six Ltd High colour diamond
WO2008090513A2 (en) 2007-01-22 2008-07-31 Element Six Limited Diamond electronic devices including a surface and methods for their manufacture
SG157973A1 (en) * 2008-06-18 2010-01-29 Indian Inst Technology Bombay Method for growing monocrystalline diamonds
US20150240383A1 (en) * 2008-06-18 2015-08-27 Iia Technologies Pte. Ltd. Monocrystalline diamonds and methods of growing the same
GB0813491D0 (en) 2008-07-23 2008-08-27 Element Six Ltd Diamond Material
GB0813490D0 (en) 2008-07-23 2008-08-27 Element Six Ltd Solid state material
US8402066B2 (en) * 2008-10-07 2013-03-19 Gemological Institute Of America (Gia) Method and system for providing a clarity grade for a gem
JP4849691B2 (ja) * 2008-12-25 2012-01-11 独立行政法人産業技術総合研究所 大面積ダイヤモンド結晶基板及びその製造方法
SG176933A1 (en) * 2009-06-26 2012-01-30 Element Six Ltd Method for making fancy pale blue or fancy pale blue /green single crystal cvd diamond and product obtained
US9017632B2 (en) * 2009-06-26 2015-04-28 Element Six Technologies Limited Diamond material
US10273598B2 (en) * 2009-12-22 2019-04-30 Element Six Technologies Limited Synthetic CVD diamond
US9017633B2 (en) 2010-01-18 2015-04-28 Element Six Technologies Limited CVD single crystal diamond material
GB201000768D0 (en) * 2010-01-18 2010-03-03 Element Six Ltd CVD single crystal diamond material
GB201013112D0 (en) * 2010-08-04 2010-09-22 Element Six Ltd A diamond optical element
US9783885B2 (en) 2010-08-11 2017-10-10 Unit Cell Diamond Llc Methods for producing diamond mass and apparatus therefor
US10258959B2 (en) * 2010-08-11 2019-04-16 Unit Cell Diamond Llc Methods of producing heterodiamond and apparatus therefor
SG179318A1 (en) * 2010-09-27 2012-04-27 Gemesis Company S Pte Ltd Method for growing white color diamonds by using diborane and nitrogen in combination in a microwave plasma chemical vapor deposition system
MX365812B (es) * 2011-04-29 2019-06-12 Exponential Tech Inc Aparato y método para controlar un combustor de ganancia de presión.
RU2484548C1 (ru) * 2011-11-09 2013-06-10 Равиль Кяшшафович Яфаров Способ изготовления матрицы многоострийного автоэмиссионного катода на монокристаллическом кремнии
JP6232817B2 (ja) * 2013-08-05 2017-11-22 住友電気工業株式会社 ナノ多結晶ダイヤモンドおよびこれを備える工具
GB201320304D0 (en) * 2013-11-18 2014-01-01 Element Six Ltd Methods of fabricating synthetic diamond materials using microwave plasma actived chemical vapour deposition techniques and products obtained using said
US10520558B2 (en) 2016-01-21 2019-12-31 Lockheed Martin Corporation Diamond nitrogen vacancy sensor with nitrogen-vacancy center diamond located between dual RF sources
US9910105B2 (en) 2014-03-20 2018-03-06 Lockheed Martin Corporation DNV magnetic field detector
US9614589B1 (en) 2015-12-01 2017-04-04 Lockheed Martin Corporation Communication via a magnio
US10006973B2 (en) 2016-01-21 2018-06-26 Lockheed Martin Corporation Magnetometer with a light emitting diode
US10241158B2 (en) 2015-02-04 2019-03-26 Lockheed Martin Corporation Apparatus and method for estimating absolute axes' orientations for a magnetic detection system
US9910104B2 (en) 2015-01-23 2018-03-06 Lockheed Martin Corporation DNV magnetic field detector
US10088336B2 (en) 2016-01-21 2018-10-02 Lockheed Martin Corporation Diamond nitrogen vacancy sensed ferro-fluid hydrophone
US9638821B2 (en) 2014-03-20 2017-05-02 Lockheed Martin Corporation Mapping and monitoring of hydraulic fractures using vector magnetometers
US10168393B2 (en) 2014-09-25 2019-01-01 Lockheed Martin Corporation Micro-vacancy center device
US10120039B2 (en) 2015-11-20 2018-11-06 Lockheed Martin Corporation Apparatus and method for closed loop processing for a magnetic detection system
US9824597B2 (en) 2015-01-28 2017-11-21 Lockheed Martin Corporation Magnetic navigation methods and systems utilizing power grid and communication network
US10088452B2 (en) 2016-01-12 2018-10-02 Lockheed Martin Corporation Method for detecting defects in conductive materials based on differences in magnetic field characteristics measured along the conductive materials
US9853837B2 (en) 2014-04-07 2017-12-26 Lockheed Martin Corporation High bit-rate magnetic communication
US10338162B2 (en) 2016-01-21 2019-07-02 Lockheed Martin Corporation AC vector magnetic anomaly detection with diamond nitrogen vacancies
CA2945016A1 (en) 2014-04-07 2015-10-15 Lockheed Martin Corporation Energy efficient controlled magnetic field generator circuit
US9322797B1 (en) * 2014-04-30 2016-04-26 Helvetia Wireless Llc Systems and methods for detecting a liquid
GB201410703D0 (en) * 2014-06-16 2014-07-30 Element Six Technologies Ltd A microwave plasma reactor for manufacturing synthetic diamond material
EP3214208B1 (en) * 2014-10-29 2021-08-04 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Single-crystal diamond material, and tool, radiation temperature monitor, and infrared optical component including said diamond material
DE112015005635T5 (de) * 2014-12-17 2017-09-07 Ii-Vi Incorporated Vorrichtung und Verfahren zur Herstellung eines freistehenden polykristallinen CVD-Diamantfilms
SG10201505413VA (en) * 2015-01-14 2016-08-30 Iia Technologies Pte Ltd Electronic device grade single crystal diamonds and method of producing the same
WO2016118756A1 (en) 2015-01-23 2016-07-28 Lockheed Martin Corporation Apparatus and method for high sensitivity magnetometry measurement and signal processing in a magnetic detection system
EP3251193A4 (en) 2015-01-28 2018-08-08 Lockheed Martin Corporation In-situ power charging
WO2016126436A1 (en) 2015-02-04 2016-08-11 Lockheed Martin Corporation Apparatus and method for recovery of three dimensional magnetic field from a magnetic detection system
TW201641420A (zh) * 2015-03-09 2016-12-01 二A科技有限公司 單晶鑽石及其成長方法
JP2016175798A (ja) * 2015-03-20 2016-10-06 ストローブ株式会社 ナノ結晶ダイヤモンド及びその製造方法、製造装置
US9678018B2 (en) 2015-03-30 2017-06-13 Gemological Institute Of America Inc. (Gia) Apparatus and method for assessing optical quality of gemstones
DE102015112626B4 (de) * 2015-07-31 2019-07-18 Georg Vogt Verfahren zur Herstellung von Diamantkohlenstoff
WO2017078766A1 (en) 2015-11-04 2017-05-11 Lockheed Martin Corporation Magnetic band-pass filter
WO2017087014A1 (en) 2015-11-20 2017-05-26 Lockheed Martin Corporation Apparatus and method for hypersensitivity detection of magnetic field
WO2017127081A1 (en) 2016-01-21 2017-07-27 Lockheed Martin Corporation Diamond nitrogen vacancy sensor with circuitry on diamond
GB2562957A (en) 2016-01-21 2018-11-28 Lockheed Corp Magnetometer with light pipe
WO2017127090A1 (en) * 2016-01-21 2017-07-27 Lockheed Martin Corporation Higher magnetic sensitivity through fluorescence manipulation by phonon spectrum control
WO2017127095A1 (en) 2016-01-21 2017-07-27 Lockheed Martin Corporation Diamond nitrogen vacancy sensor with common rf and magnetic fields generator
US10145910B2 (en) 2017-03-24 2018-12-04 Lockheed Martin Corporation Photodetector circuit saturation mitigation for magneto-optical high intensity pulses
US10281550B2 (en) 2016-11-14 2019-05-07 Lockheed Martin Corporation Spin relaxometry based molecular sequencing
US10338163B2 (en) 2016-07-11 2019-07-02 Lockheed Martin Corporation Multi-frequency excitation schemes for high sensitivity magnetometry measurement with drift error compensation
US10330744B2 (en) 2017-03-24 2019-06-25 Lockheed Martin Corporation Magnetometer with a waveguide
US10571530B2 (en) 2016-05-31 2020-02-25 Lockheed Martin Corporation Buoy array of magnetometers
US10345396B2 (en) 2016-05-31 2019-07-09 Lockheed Martin Corporation Selected volume continuous illumination magnetometer
US10345395B2 (en) 2016-12-12 2019-07-09 Lockheed Martin Corporation Vector magnetometry localization of subsurface liquids
US20170343621A1 (en) 2016-05-31 2017-11-30 Lockheed Martin Corporation Magneto-optical defect center magnetometer
US10274550B2 (en) 2017-03-24 2019-04-30 Lockheed Martin Corporation High speed sequential cancellation for pulsed mode
US10359479B2 (en) 2017-02-20 2019-07-23 Lockheed Martin Corporation Efficient thermal drift compensation in DNV vector magnetometry
US10677953B2 (en) 2016-05-31 2020-06-09 Lockheed Martin Corporation Magneto-optical detecting apparatus and methods
US10371765B2 (en) 2016-07-11 2019-08-06 Lockheed Martin Corporation Geolocation of magnetic sources using vector magnetometer sensors
US10317279B2 (en) 2016-05-31 2019-06-11 Lockheed Martin Corporation Optical filtration system for diamond material with nitrogen vacancy centers
US10408890B2 (en) 2017-03-24 2019-09-10 Lockheed Martin Corporation Pulsed RF methods for optimization of CW measurements
US10527746B2 (en) 2016-05-31 2020-01-07 Lockheed Martin Corporation Array of UAVS with magnetometers
US10228429B2 (en) 2017-03-24 2019-03-12 Lockheed Martin Corporation Apparatus and method for resonance magneto-optical defect center material pulsed mode referencing
MX2019003551A (es) * 2016-09-28 2019-08-14 Smc Corp Interruptor de deteccion de posicion y metodo para fabricar el mismo.
WO2018101347A1 (ja) * 2016-11-30 2018-06-07 住友電気工業株式会社 多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法、スクライブツール、スクライブホイール、ドレッサー、回転工具、ウォータージェット用オリフィス、伸線ダイス、切削工具、電極ならびに多結晶ダイヤモンドを用いた加工方法
GB201620415D0 (en) * 2016-12-01 2017-01-18 Element Six Tech Ltd Single crystal synthetic diamond material via chemical vapour deposition
GB201620413D0 (en) 2016-12-01 2017-01-18 Element Six Tech Ltd Single crystal synthetic diamond material via chemical vapour deposition
US10459041B2 (en) 2017-03-24 2019-10-29 Lockheed Martin Corporation Magnetic detection system with highly integrated diamond nitrogen vacancy sensor
US10371760B2 (en) 2017-03-24 2019-08-06 Lockheed Martin Corporation Standing-wave radio frequency exciter
US10379174B2 (en) 2017-03-24 2019-08-13 Lockheed Martin Corporation Bias magnet array for magnetometer
US10338164B2 (en) 2017-03-24 2019-07-02 Lockheed Martin Corporation Vacancy center material with highly efficient RF excitation
JP6863092B2 (ja) * 2017-06-01 2021-04-21 住友電気工業株式会社 多結晶ダイヤモンドおよびその製造方法、スクライブツール、スクライブホイール、ドレッサー、回転工具、ウォータージェット用オリフィス、伸線ダイス、切削工具、電極ならびに多結晶ダイヤモンドを用いた加工方法
KR20200052345A (ko) * 2017-09-08 2020-05-14 제이2 머티리얼스, 엘엘씨 다이아몬드 및 다이아몬드의 헤테로-에피택셜 형성 방법
US20200277196A1 (en) * 2017-09-18 2020-09-03 The Trustees Of Princeton University Synthetic engineered diamond materials with spin impurities and methods of making the same
TWI804596B (zh) * 2018-04-24 2023-06-11 美商戴蒙創新公司 螢光鑽石材料及製造其之方法
JP7429367B2 (ja) * 2018-10-31 2024-02-08 株式会社ダイセル 蛍光ダイヤモンドおよびその製造方法
JP7352073B2 (ja) * 2019-08-23 2023-09-28 富士通株式会社 半導体装置、半導体装置の製造方法及び電子装置
WO2021146594A1 (en) * 2020-01-17 2021-07-22 J2 Materials, Llc Multi-doped diamond formation
GB202001553D0 (en) * 2020-02-05 2020-03-18 Element Six Tech Ltd Diamond lens
GB2614521A (en) 2021-10-19 2023-07-12 Element Six Tech Ltd CVD single crystal diamond
WO2023230329A1 (en) * 2022-05-27 2023-11-30 Schlumberger Technology Corporation Luminescent diamond with negatively charged vacancies
CN115369485B (zh) * 2022-07-05 2023-07-18 天津美力芯科技有限公司 一种金刚石补偿性掺杂方法

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2571795B2 (ja) 1987-11-17 1997-01-16 住友電気工業株式会社 紫色ダイヤモンドおよびその製造方法
JPH02217397A (ja) * 1989-02-15 1990-08-30 Kobe Steel Ltd ｎ型半導体ダイヤモンド薄膜の気相合成法
JPH04305096A (ja) 1991-04-01 1992-10-28 Sumitomo Electric Ind Ltd 高品質気相合成ダイヤモンドの低温形成法
US5443032A (en) * 1992-06-08 1995-08-22 Air Products And Chemicals, Inc. Method for the manufacture of large single crystals
US5474021A (en) 1992-09-24 1995-12-12 Sumitomo Electric Industries, Ltd. Epitaxial growth of diamond from vapor phase
JPH06107494A (ja) 1992-09-24 1994-04-19 Sumitomo Electric Ind Ltd ダイヤモンドの気相成長法
JP3314444B2 (ja) 1993-03-15 2002-08-12 住友電気工業株式会社 赤色ダイヤモンドおよび桃色ダイヤモンド
US5474816A (en) * 1993-04-16 1995-12-12 The Regents Of The University Of California Fabrication of amorphous diamond films
JP3484749B2 (ja) 1994-04-04 2004-01-06 住友電気工業株式会社 ダイヤモンドの合成法
JP4291886B2 (ja) * 1994-12-05 2009-07-08 住友電気工業株式会社 低欠陥ダイヤモンド単結晶及びその合成方法
US5635258A (en) * 1995-04-03 1997-06-03 National Science Council Method of forming a boron-doped diamond film by chemical vapor deposition
JP2905870B2 (ja) * 1996-12-26 1999-06-14 工業技術院長 ｐ型ダイヤモンド半導体
JP4032482B2 (ja) 1997-04-18 2008-01-16 住友電気工業株式会社 単結晶ダイヤモンドの製造方法
US6582513B1 (en) * 1998-05-15 2003-06-24 Apollo Diamond, Inc. System and method for producing synthetic diamond
US6858080B2 (en) * 1998-05-15 2005-02-22 Apollo Diamond, Inc. Tunable CVD diamond structures
KR100837033B1 (ko) 2000-06-15 2008-06-10 엘리먼트 씩스 (프티) 리미티드 화학 증착에 의해 제조된 단결정 다이아몬드
GB2379451B (en) 2000-06-15 2004-05-05 Element Six Thick single crystal diamond layer method for making it and gemstones produced from the layer
US6833027B2 (en) * 2001-09-26 2004-12-21 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy Method of manufacturing high voltage schottky diamond diodes with low boron doping
GB0130005D0 (en) 2001-12-14 2002-02-06 Diamanx Products Ltd Boron doped diamond
GB0130004D0 (en) * 2001-12-14 2002-02-06 Diamanx Products Ltd Coloured diamond
US7172655B2 (en) * 2002-09-06 2007-02-06 Daniel James Twitchen Colored diamond
GB0303860D0 (en) 2003-02-19 2003-03-26 Element Six Ltd CVD diamond in wear applications
JP4345437B2 (ja) 2003-10-29 2009-10-14 住友電気工業株式会社 ｎ型半導体ダイヤモンドの製造方法及びｎ型半導体ダイヤモンド
US20070272929A1 (en) * 2003-11-25 2007-11-29 Akihiko Namba Diamond N-Type Semiconductor, Method of Manufacturing the Same, Semiconductor Device, and Electron Emitting Device
AU2004303615A1 (en) * 2003-12-12 2005-07-07 Element Six Limited Method of incorporating a mark in CVD diamond
EP2431504B1 (en) * 2004-05-27 2014-01-01 Toppan Printing Co., Ltd. Method for manufacturing an organic thin fim transistor using a nano-crystalline diamond film
GB2428690B (en) * 2005-06-22 2010-12-29 Element Six Ltd High colour diamond

Also Published As

Publication number Publication date
JP2013189373A (ja) 2013-09-26
JP2008543718A (ja) 2008-12-04
RU2415204C2 (ru) 2011-03-27
GB2428690B (en) 2010-12-29
RU2008101362A (ru) 2009-07-27
HK1121199A1 (en) 2009-04-17
CA2607202A1 (en) 2006-12-28
EP1920080B1 (en) 2011-11-30
JP5571223B2 (ja) 2014-08-13
KR20080037619A (ko) 2008-04-30
CA2607202C (en) 2014-06-03
EP2253733A1 (en) 2010-11-24
WO2006136929A2 (en) 2006-12-28
KR101307032B1 (ko) 2013-09-11
US7964280B2 (en) 2011-06-21
GB0612446D0 (en) 2006-08-02
EP1920080A2 (en) 2008-05-14
US20100015438A1 (en) 2010-01-21
RU2473720C2 (ru) 2013-01-27
IL187010A (en) 2013-09-30
IL187010A0 (en) 2008-02-09
WO2006136929A3 (en) 2007-03-15
EP2253733B1 (en) 2012-03-21
AU2006260656A1 (en) 2006-12-28
GB2428690A (en) 2007-02-07
JP5457028B2 (ja) 2014-04-02

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2011103481A (ru) Бесцветный монокристаллический алмаз и способ его получения
ES2279897T3 (es) Diamante dopado con boro y procedimiento para su produccion.
Borzdov et al. HPHT synthesis of diamond with high nitrogen content from an Fe3N–C system
RU2012131169A (ru) Синтетический cvd алмаз
Griesser et al. The polymorphic drug substances of the European Pharmacopoeia. Part 9. Physicochemical properties and crystal structure of acetazolamide crystal forms
Suguna et al. Growth, spectral, structural and mechanical properties of struvite crystal grown in presence of sodium fluoride
CA2812616C (en) Method of producing white colour mono-crystalline diamonds
RU2011151983A (ru) Способ получения фантазийного бледно-синего или фантазийного бледного сине-зеленого монокристаллического cvd-алмаза и полученный продукт
JPH07277890A (ja) ダイヤモンドの合成法
RU2006104552A (ru) Отжиг монокристаллических алмазов, полученных химическим осаждением из газовой фазы
CN101248210B (zh) 高色泽金刚石
KR20170126926A (ko) 단결정 다이아몬드 및 이것을 성장시키는 방법
US20140286851A1 (en) Combinational synthesis of diamond
Kumar et al. Energy redistribution and localization in the excited states of ruthenium (II) polypyridyl complexes
Stiegler et al. The effect of nitrogen on low temperature growth of diamond films
US20180087183A1 (en) Monocrystalline diamonds and methods of growing the same
Akhvlediani et al. Interaction of water molecules with bare and deuterated polycrystalline diamond surface studied by high resolution electron energy loss and X-ray photoelectron spectroscopies
Gomez-Aleixandre et al. Kinetic Study of the Diborane/Methylamine Reaction: Composition and Structure of C− B− N Films
JP5527628B2 (ja) ダイヤモンド単結晶
Marchant et al. Synthesis and structural characterisation of primary amine adducts of gallane, RH 2 N· GaH 3, and of their decomposition products,[RHNGaH 2] n (R= Me, n= 3; R= t Bu, n= 2)
US20150240383A1 (en) Monocrystalline diamonds and methods of growing the same
CA2953990C (en) Diamond unit cell and diamond mass by combinatorial synthesis
JPH0859673A (ja) 有機金属化合物の精製方法
Haubner Diamond deposition with sulfur addition—thermodynamic calculations
Senthil et al. Adsorption and desorption kinetics of organosilanes at Si (001) surfaces