RU2012131169A - Синтетический cvd алмаз - Google Patents
Синтетический cvd алмаз Download PDFInfo
- Publication number
- RU2012131169A RU2012131169A RU2012131169/05A RU2012131169A RU2012131169A RU 2012131169 A RU2012131169 A RU 2012131169A RU 2012131169/05 A RU2012131169/05 A RU 2012131169/05A RU 2012131169 A RU2012131169 A RU 2012131169A RU 2012131169 A RU2012131169 A RU 2012131169A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- diamond material
- cvd diamond
- synthetic cvd
- source gas
- hydrogen
- Prior art date
Links
- 239000010432 diamond Substances 0.000 title claims abstract 23
- 229910003460 diamond Inorganic materials 0.000 title claims abstract 23
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 claims abstract 21
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 20
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 14
- 239000007789 gas Substances 0.000 claims abstract 12
- 229910052739 hydrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract 10
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims abstract 10
- 239000001257 hydrogen Substances 0.000 claims abstract 9
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 8
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 8
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims abstract 8
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 8
- UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N Hydrogen Chemical compound [H][H] UFHFLCQGNIYNRP-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 7
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract 7
- 238000003786 synthesis reaction Methods 0.000 claims abstract 6
- OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N Carbon Chemical compound [C] OKTJSMMVPCPJKN-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract 4
- 229910052799 carbon Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 125000004432 carbon atom Chemical group C* 0.000 claims abstract 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 claims abstract 3
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 claims abstract 3
- 150000002431 hydrogen Chemical class 0.000 claims abstract 2
- 125000004435 hydrogen atom Chemical group [H]* 0.000 claims abstract 2
- 229910052698 phosphorus Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 230000002194 synthesizing effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 claims 2
- 230000005284 excitation Effects 0.000 claims 2
- 238000001069 Raman spectroscopy Methods 0.000 claims 1
- 238000004847 absorption spectroscopy Methods 0.000 claims 1
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N argon Substances [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 claims 1
- 230000005540 biological transmission Effects 0.000 claims 1
- 239000010437 gem Substances 0.000 claims 1
- 229910001751 gemstone Inorganic materials 0.000 claims 1
- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims 1
- 238000000103 photoluminescence spectrum Methods 0.000 claims 1
- 238000010572 single replacement reaction Methods 0.000 claims 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 1
- 239000012808 vapor phase Substances 0.000 claims 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 abstract 1
- QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N nitrogen group Chemical group [N] QJGQUHMNIGDVPM-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B29/00—Single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the material or by their shape
- C30B29/02—Elements
- C30B29/04—Diamond
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/02—Pretreatment of the material to be coated
- C23C16/0227—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching
- C23C16/0236—Pretreatment of the material to be coated by cleaning or etching by etching with a reactive gas
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
- C23C16/27—Diamond only
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
- C23C16/27—Diamond only
- C23C16/274—Diamond only using microwave discharges
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
- C23C16/22—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the deposition of inorganic material, other than metallic material
- C23C16/26—Deposition of carbon only
- C23C16/27—Diamond only
- C23C16/277—Diamond only using other elements in the gas phase besides carbon and hydrogen; using other elements besides carbon, hydrogen and oxygen in case of use of combustion torches; using other elements besides carbon, hydrogen and inert gas in case of use of plasma jets
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C30—CRYSTAL GROWTH
- C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
- C30B25/00—Single-crystal growth by chemical reaction of reactive gases, e.g. chemical vapour-deposition growth
- C30B25/02—Epitaxial-layer growth
- C30B25/10—Heating of the reaction chamber or the substrate
- C30B25/105—Heating of the reaction chamber or the substrate by irradiation or electric discharge
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- General Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Combustion & Propulsion (AREA)
- Plasma & Fusion (AREA)
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
- Carbon And Carbon Compounds (AREA)
- Adornments (AREA)
Abstract
1. Способ химического осаждения из паровой или газовой фазы (CVD) для синтезирования алмазного материала на подложке в среде синтеза, содержащий:обеспечение подложки;обеспечение газа-источника;диссоциацию газа-источника; ипредоставление возможности гомоэпитаксиального синтеза алмаза на подложке;при этом среда синтеза содержит азот в атомной концентрации от примерно 0,4 ч/млн до примерно 50 ч/млн; ипри этом газ-источник содержит:а) атомную долю водорода, H, от примерно 0,40 до примерно 0,75;b) атомную долю углерода, C, от примерно 0,15 до примерно 0,30;с) атомную долю кислорода, O, от примерно 0,13 до примерно 0,40;при этом H+C+O=1;при этом отношение атомной доли углерода к атомной доле кислорода, C:O, удовлетворяет соотношению примерно 0,45:1<C:O< примерно 1,25:1;при этом газ-источник содержит атомы водорода, добавленные в виде молекул водорода, Н, при атомной доле общего числа присутствующих атомов водорода, кислорода и углерода между 0,05 и 0,40; ипри этом атомные доли H, Cи Oпредставляют собой доли от общего числа атомов водорода, кислорода и углерода, присутствующих в газе-источнике.2. Способ по п.1, при этом процесс осуществляют при давлении более PТорр, где P=P-Y и P=170(H+0,25)+Х, где Y=50 Торр, а Х составляет от примерно 20 до примерно -50, и Pпредставляет собой давление начала образования униполярной дуги в процессе.3. Способ по п.1, при этом диссоциацию газа-источника осуществляют микроволнами.4. Способ по п.3, при этом частота микроволн составляет от примерно 800 МГц до примерно 1000 МГц.5. Способ по п.1, при этом подложку поддерживают при температуре от примерно 750°С до примерно 1000°С.6. Синтетический CVD алмазный материал, содержащий одиночный замещающий азот (N ) в конце
Claims (17)
1. Способ химического осаждения из паровой или газовой фазы (CVD) для синтезирования алмазного материала на подложке в среде синтеза, содержащий:
обеспечение подложки;
обеспечение газа-источника;
диссоциацию газа-источника; и
предоставление возможности гомоэпитаксиального синтеза алмаза на подложке;
при этом среда синтеза содержит азот в атомной концентрации от примерно 0,4 ч/млн до примерно 50 ч/млн; и
при этом газ-источник содержит:
а) атомную долю водорода, Hf, от примерно 0,40 до примерно 0,75;
b) атомную долю углерода, Cf, от примерно 0,15 до примерно 0,30;
с) атомную долю кислорода, Of, от примерно 0,13 до примерно 0,40;
при этом Hf+Cf+Of=1;
при этом отношение атомной доли углерода к атомной доле кислорода, Cf:Of, удовлетворяет соотношению примерно 0,45:1<Cf:Of< примерно 1,25:1;
при этом газ-источник содержит атомы водорода, добавленные в виде молекул водорода, Н2, при атомной доле общего числа присутствующих атомов водорода, кислорода и углерода между 0,05 и 0,40; и
при этом атомные доли Hf, Cf и Of представляют собой доли от общего числа атомов водорода, кислорода и углерода, присутствующих в газе-источнике.
2. Способ по п.1, при этом процесс осуществляют при давлении более Plower Торр, где Plower=Parc-Y и Parc=170(Hf+0,25)+Х, где Y=50 Торр, а Х составляет от примерно 20 до примерно -50, и Parc представляет собой давление начала образования униполярной дуги в процессе.
3. Способ по п.1, при этом диссоциацию газа-источника осуществляют микроволнами.
4. Способ по п.3, при этом частота микроволн составляет от примерно 800 МГц до примерно 1000 МГц.
5. Способ по п.1, при этом подложку поддерживают при температуре от примерно 750°С до примерно 1000°С.
6. Синтетический CVD алмазный материал, содержащий одиночный замещающий азот (Ns 0) в концентрации более примерно 0,5 ч/млн и имеющий такое полное интегральное поглощение в видимой области от 350 нм до 750 нм, что по меньшей мере примерно 35% поглощения приписывается Ns 0.
7. Синтетический CVD алмазный материал по п.6, имеющий угол цветового тона более примерно 80° для длины пути пропускания 1 мм.
8. Синтетический CVD алмазный материал по п.6, при этом материал имеет спектр фотолюминесценции при 77 К при использовании 488 нм возбуждения от аргонового ионного лазера, который демонстрирует пик на от примерно 543,0 нм до примерно 543,2 нм, с отношением интенсивности этого пика, нормализованной к рамановской линии алмаза 1-го порядка (при 521,9 нм для этой длины волны возбуждения), более примерно 0,005.
9. Синтетический CVD алмазный материал по п.6, при этом концентрация Ns 0 составляет более примерно 2,5 ч/млн, измеренная с использованием пика 270 нм с помощью спектроскопии поглощения в УФ-видимой области.
10. Синтетический CVD алмазный материал по п.6, при этом элементная концентрация индивидуальных химических примесей, иных, чем азот и водород, составляет менее 0,1 ч/млн.
11. Синтетический CVD алмазный материал по п.6, при этом, по меньшей мере, примерно 50% объема синтетического CVD алмазного материала образовано из единого сектора роста.
12. Синтетический CVD алмазный материал по п.6, имеющий цветовые параметры, а* между -20 и 1; b* между 5 и 20; С* между 0 и 30 и L* между 40 и 100.
13. Синтетический CVD алмазный материал по п.6, при этом синтетический CVD алмазный материал существует в виде самостоятельного объекта, имеющего толщину более примерно 0,2 мм.
14. Синтетический CVD алмазный материал по п.6, при этом синтетический CVD алмазный материал существует в виде слоя, имеющего толщину примерно 0,5 мм или менее.
15. Синтетический CVD алмазный материал по п.6, при этом данный синтетический CVD алмазный материал существует в виде дублета.
16. Драгоценный камень, содержащий синтетический CVD алмазный материал по любому из пп.6-15.
17. Электронное устройство, содержащее синтетический CVD алмазный материал по любому из пп.6-14.
Applications Claiming Priority (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| GB0922449.4 | 2009-12-22 | ||
| GB0922449A GB2476478A (en) | 2009-12-22 | 2009-12-22 | Chemical vapour deposition diamond synthesis |
| PCT/EP2010/069828 WO2011076643A1 (en) | 2009-12-22 | 2010-12-15 | Synthetic cvd diamond |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2012131169A true RU2012131169A (ru) | 2014-01-27 |
| RU2516574C2 RU2516574C2 (ru) | 2014-05-20 |
Family
ID=41717422
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2012131169/05A RU2516574C2 (ru) | 2009-12-22 | 2010-12-15 | Синтетический cvd алмаз |
Country Status (11)
| Country | Link |
|---|---|
| EP (1) | EP2516701B1 (ru) |
| JP (2) | JP5615937B2 (ru) |
| CN (2) | CN102666944B (ru) |
| CA (1) | CA2782159C (ru) |
| GB (1) | GB2476478A (ru) |
| HK (1) | HK1174068A1 (ru) |
| IL (1) | IL220094A (ru) |
| MY (1) | MY160769A (ru) |
| RU (1) | RU2516574C2 (ru) |
| SG (2) | SG181831A1 (ru) |
| WO (1) | WO2011076643A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018222083A1 (ru) * | 2017-05-29 | 2018-12-06 | Общество с ограниченной ответственностью "СИНТЕЗ" (ООО "СИНТЕЗ") | Способ получения выращенных радиоактивных алмазов и выращенный радиоактивный алмаз |
Families Citing this family (17)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| BE1019439A3 (fr) | 2010-07-30 | 2012-07-03 | Diarotech | Procede pour synthetiser par depot chimique en phase vapeur une matiere solide, en particulier du diamant, ainsi qu'un dispositif pour l'application du procede. |
| GB201112113D0 (en) * | 2011-07-14 | 2011-08-31 | Element Six Ltd | Single crystal diamond substrates for synthesis of single crystal diamond material |
| GB201121642D0 (en) * | 2011-12-16 | 2012-01-25 | Element Six Ltd | Single crtstal cvd synthetic diamond material |
| US10316430B2 (en) * | 2014-07-15 | 2019-06-11 | Sumitomo Electric Industries, Ltd. | Single crystal diamond, method for manufacturing single crystal diamond, and tool containing single crystal diamond |
| CN104182615B (zh) * | 2014-07-29 | 2017-06-20 | 北京科技大学 | 一种在三元相图中表示任意成分夹杂物数量的方法 |
| CN104775154B (zh) * | 2015-04-25 | 2017-06-27 | 哈尔滨工业大学 | 一种同质外延生长单晶金刚石时控制表面温度的方法 |
| CN104878447B (zh) * | 2015-06-04 | 2017-03-01 | 哈尔滨工业大学 | 一种同质外延生长单晶金刚石的籽晶衬底原位连接方法 |
| CN104975343B (zh) * | 2015-06-04 | 2017-08-25 | 哈尔滨工业大学 | 利用氢等离子体多次刻蚀/退火循环工艺提高金刚石籽晶质量的方法 |
| GB201516814D0 (en) | 2015-09-23 | 2015-11-04 | Element Six Technologies Ltd | Method of fabricating a plurality of single crystal CVD synthetic diamonds |
| AT517693B1 (de) * | 2015-11-11 | 2017-04-15 | Zkw Group Gmbh | Konverter für Leuchtvorrichtungen |
| GB201522502D0 (en) * | 2015-12-21 | 2016-02-03 | Element Six Technologies Ltd | Thick Optical quality synethetic polycrystalline Diamond Material with low bulk absorption and low microfeature density |
| GB201620415D0 (en) * | 2016-12-01 | 2017-01-18 | Element Six Tech Ltd | Single crystal synthetic diamond material via chemical vapour deposition |
| GB201904435D0 (en) | 2019-03-29 | 2019-05-15 | Element Six Tech Ltd | Single crystal synthetic diamond material |
| RU2746870C1 (ru) * | 2020-09-11 | 2021-04-21 | Федеральное государственное унитарное предприятие "ВСЕРОССИЙСКИЙ НАУЧНО-ИССЛЕДОВАТЕЛЬСКИЙ ИНСТИТУТ ОПТИКО-ФИЗИЧЕСКИХ ИЗМЕРЕНИЙ" (ФГУП "ВНИИОФИ") | Однофотонный источник излучения |
| CN112886370B (zh) * | 2021-01-08 | 2022-05-31 | 中国科学院理化技术研究所 | 金刚石拉曼长波激光装置及本征吸收带预填充方法 |
| GB2618050A (en) * | 2021-08-24 | 2023-11-01 | Element Six Tech Ltd | Raman laser system |
| GB2614521A (en) * | 2021-10-19 | 2023-07-12 | Element Six Tech Ltd | CVD single crystal diamond |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPH03252396A (ja) * | 1990-02-27 | 1991-11-11 | Idemitsu Petrochem Co Ltd | ダイヤモンドの製造方法 |
| JPH0492894A (ja) * | 1990-08-03 | 1992-03-25 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 高熱伝導性気相合成ダイヤモンド |
| JP2913796B2 (ja) * | 1990-08-09 | 1999-06-28 | 住友電気工業株式会社 | 気相合成ダイヤモンド |
| EP0671482A1 (en) | 1994-03-11 | 1995-09-13 | General Electric Company | Toughened chemically vapor deposited diamond |
| JP3484749B2 (ja) * | 1994-04-04 | 2004-01-06 | 住友電気工業株式会社 | ダイヤモンドの合成法 |
| US5672395A (en) | 1994-05-05 | 1997-09-30 | General Electric Company | Method for enhancing the toughness of CVD diamond |
| US5451430A (en) | 1994-05-05 | 1995-09-19 | General Electric Company | Method for enhancing the toughness of CVD diamond |
| JP3261687B2 (ja) * | 1994-06-09 | 2002-03-04 | 日本電信電話株式会社 | パッドコンディショナー及びその製造方法 |
| CA2182245C (en) * | 1996-07-29 | 2000-09-26 | Michael J. Ulczynski | Process for depositing adherent diamond thin films |
| GB0130004D0 (en) * | 2001-12-14 | 2002-02-06 | Diamanx Products Ltd | Coloured diamond |
| EP1537259B1 (en) * | 2002-09-06 | 2010-11-24 | Element Six Limited | Method for altering the colour of a single crystal cvd diamond and diamond layer produced thereby |
| GB2430194B (en) * | 2002-09-06 | 2007-05-02 | Element Six Ltd | Coloured diamond |
| GB0227261D0 (en) * | 2002-11-21 | 2002-12-31 | Element Six Ltd | Optical quality diamond material |
| FR2849867B1 (fr) | 2003-01-10 | 2005-03-25 | Centre Nat Rech Scient | Croissance diamant a grande vitesse par plasma micro-onde en regime pulse. |
| CN101023028A (zh) * | 2004-09-10 | 2007-08-22 | 华盛顿卡内基研究所 | 超硬cvd单晶金刚石及其三维生长 |
| AU2006251553B2 (en) | 2005-05-25 | 2011-09-08 | Carnegie Institution Of Washington | Colorless single-crystal CVD diamond at rapid growth rate |
| JP5284575B2 (ja) * | 2006-10-31 | 2013-09-11 | 住友電気工業株式会社 | ダイヤモンド単結晶及びその製造方法 |
| EP1990313A1 (en) * | 2007-05-10 | 2008-11-12 | INSERM (Institut National de la Santé et de la Recherche Médicale) | Method to produce light-emitting nano-particles of diamond |
| EP2215291A1 (en) * | 2007-10-02 | 2010-08-11 | Carnegie Institution Of Washington | Low pressure method annealing diamonds |
| EP2446072B1 (en) * | 2009-06-26 | 2018-02-21 | Element Six Technologies Limited | Method for making fancy orange coloured single crystal cvd diamond and product obtained |
-
2009
- 2009-12-22 GB GB0922449A patent/GB2476478A/en not_active Withdrawn
-
2010
- 2010-12-15 MY MYPI2012002815A patent/MY160769A/en unknown
- 2010-12-15 CA CA2782159A patent/CA2782159C/en active Active
- 2010-12-15 CN CN201080058389.5A patent/CN102666944B/zh active Active
- 2010-12-15 CN CN201510083320.2A patent/CN104746038B/zh active Active
- 2010-12-15 SG SG2012045514A patent/SG181831A1/en unknown
- 2010-12-15 SG SG2014015143A patent/SG2014015143A/en unknown
- 2010-12-15 EP EP10795323.4A patent/EP2516701B1/en active Active
- 2010-12-15 RU RU2012131169/05A patent/RU2516574C2/ru active
- 2010-12-15 JP JP2012545239A patent/JP5615937B2/ja active Active
- 2010-12-15 WO PCT/EP2010/069828 patent/WO2011076643A1/en active Application Filing
-
2012
- 2012-05-31 IL IL220094A patent/IL220094A/en active IP Right Grant
-
2013
- 2013-02-01 HK HK13101439.2A patent/HK1174068A1/xx unknown
-
2014
- 2014-06-13 JP JP2014122151A patent/JP5938790B2/ja active Active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2018222083A1 (ru) * | 2017-05-29 | 2018-12-06 | Общество с ограниченной ответственностью "СИНТЕЗ" (ООО "СИНТЕЗ") | Способ получения выращенных радиоактивных алмазов и выращенный радиоактивный алмаз |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| IL220094A (en) | 2015-10-29 |
| CA2782159C (en) | 2015-04-28 |
| CN102666944B (zh) | 2015-04-29 |
| JP5938790B2 (ja) | 2016-06-22 |
| JP2014221713A (ja) | 2014-11-27 |
| EP2516701A1 (en) | 2012-10-31 |
| MY160769A (en) | 2017-03-15 |
| GB0922449D0 (en) | 2010-02-03 |
| CN104746038B (zh) | 2017-10-31 |
| CN102666944A (zh) | 2012-09-12 |
| JP2013514959A (ja) | 2013-05-02 |
| HK1174068A1 (en) | 2013-05-31 |
| RU2516574C2 (ru) | 2014-05-20 |
| CA2782159A1 (en) | 2011-06-30 |
| EP2516701B1 (en) | 2016-08-03 |
| CN104746038A (zh) | 2015-07-01 |
| WO2011076643A1 (en) | 2011-06-30 |
| SG2014015143A (en) | 2014-08-28 |
| JP5615937B2 (ja) | 2014-10-29 |
| GB2476478A (en) | 2011-06-29 |
| SG181831A1 (en) | 2012-07-30 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2012131169A (ru) | Синтетический cvd алмаз | |
| JP2013514959A5 (ru) | ||
| US8460464B2 (en) | Method for producing single crystalline diamonds | |
| US20100126406A1 (en) | Production of Single Crystal CVD Diamond at Rapid Growth Rate | |
| Derkaoui et al. | Spectroscopic analysis of H2/CH4 microwave plasma and fast growth rate of diamond single crystal | |
| Cheng et al. | Control of the growth regimes of nanodiamond and nanographite in microwave plasmas | |
| Inspektor et al. | Plasma CVD diamond deposition in CHO systems | |
| EP4025721A2 (en) | Chemical vapor deposition process for producing diamond | |
| Haubner et al. | Raman characterisation of diamond coatings using different laser wavelengths | |
| Emelyanov et al. | Effect of methane flow rate on gas-jet MPCVD diamond synthesis | |
| Chen et al. | Role of hydrogen and oxygen in diamond synthesis using carbon‐dioxide–methane‐gas mixtures | |
| Yao et al. | Microwave plasma-assisted chemical vapor deposition of microcrystalline diamond films via graphite etching under different hydrogen flow rates | |
| Harada et al. | Rapid growth of diamond and its morphology by in-liquid plasma CVD | |
| Su et al. | Effect of N2O on high-rate homoepitaxial growth of CVD single crystal diamonds | |
| Benzhour et al. | The influence of argon on the deposition and structure of polycrystalline diamond films | |
| Iqbal et al. | A comparative study on finding an effective root for the introduction of hydrogen into microplasma during diamond growth | |
| Radishev et al. | Study of grown single crystal diamond by optical and X-ray spectroscopy | |
| Li et al. | Optical and mass spectroscopic properties of microwave CH4/H2/Ar plasma for diamond deposition in a resonance cavity | |
| Bougdira et al. | Combined effect of nitrogen and pulsed microwave plasma on diamond growth using CH4–CO2 gas mixture | |
| Morales et al. | Synthesis of diamond films from organic compounds by pulsed liquid injection CVD | |
| Zhou et al. | Optical Spectroscopic Investigation of Ar/CH3OH and Ar/N2/CH3OH Atmospheric Pressure Plasma Jets | |
| Mohapatra et al. | Parameter window of diamond growth on GaN films by microwave plasma chemical vapor deposition | |
| JP4480192B2 (ja) | 高純度ダイヤモンドの合成方法 | |
| Liang et al. | The structural evolution of nanocrystalline diamond films synthesized by rf PECVD | |
| Tominaga et al. | Ultra-high growth rate of boron-doped diamond films with optimized growth parameters using in-liquid microwave plasma CVD |