RU2010140357A - Способ формирования структуры с магнитным туннельным переходом - Google Patents
Способ формирования структуры с магнитным туннельным переходом Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010140357A RU2010140357A RU2010140357/28A RU2010140357A RU2010140357A RU 2010140357 A RU2010140357 A RU 2010140357A RU 2010140357/28 A RU2010140357/28 A RU 2010140357/28A RU 2010140357 A RU2010140357 A RU 2010140357A RU 2010140357 A RU2010140357 A RU 2010140357A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- mtj structure
- layer
- groove
- applying
- substrate
- Prior art date
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/01—Manufacture or treatment
-
- G—PHYSICS
- G11—INFORMATION STORAGE
- G11C—STATIC STORES
- G11C11/00—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor
- G11C11/02—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements
- G11C11/16—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect
- G11C11/161—Digital stores characterised by the use of particular electric or magnetic storage elements; Storage elements therefor using magnetic elements using elements in which the storage effect is based on magnetic spin effect details concerning the memory cell structure, e.g. the layers of the ferromagnetic memory cell
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N50/00—Galvanomagnetic devices
- H10N50/10—Magnetoresistive devices
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Hall/Mr Elements (AREA)
- Mram Or Spin Memory Techniques (AREA)
- Magnetic Heads (AREA)
Abstract
1. Способ изготовления устройства с магнитным туннельным переходом, при этом способ содержит: ! формирование канавки в подложке; ! нанесение структуры с магнитным туннельным переходом (MTJ) внутри канавки, причем MTJ структура включает в себя нижний электрод, фиксированный слой, туннельный барьерный слой, свободный слой и верхний электрод; и ! выравнивание MTJ структуры без выполнения процесса фототравления на MTJ структуре. ! 2. Способ по п.1, в котором выравнивание MTJ структуры содержит выполнение процесса Химико-Механической Планаризации (СМР), для удаления лишнего материала. ! 3. Способ по п.1, дополнительно содержащий применение процесса оборотного фототравления для удаления материала, который непосредственно не выступает из канавки. ! 4. Способ по п.1, в котором выравнивание MTJ структуры содержит удаление нанесенного материала из подложки для формирования по существу плоской поверхности. ! 5. Способ по п.1, в котором MTJ структура изготовлена без использования процесса фототравления MTJ. ! 6. Способ по п.1, который дополнительно содержит выполнение процесса магнитного отжига для формирования ориентации магнитного поля, переносимого фиксированным слоем. ! 7. Способ по п.1, в котором формирование канавки содержит: ! нанесение защитного пленочного слоя на промежуточный диэлектрический слой подложки; ! выполнение процесса фото/травления/удаления фоторезиста на защитном пленочном и промежуточном диэлектрическом слое для образования переходного отверстия; ! нанесение проводящего материала внутри переходного отверстия; ! выполнение процесса Химико-Механической Планаризации (СМР) для выравнивания структуры; ! нанесение �
Claims (20)
1. Способ изготовления устройства с магнитным туннельным переходом, при этом способ содержит:
формирование канавки в подложке;
нанесение структуры с магнитным туннельным переходом (MTJ) внутри канавки, причем MTJ структура включает в себя нижний электрод, фиксированный слой, туннельный барьерный слой, свободный слой и верхний электрод; и
выравнивание MTJ структуры без выполнения процесса фототравления на MTJ структуре.
2. Способ по п.1, в котором выравнивание MTJ структуры содержит выполнение процесса Химико-Механической Планаризации (СМР), для удаления лишнего материала.
3. Способ по п.1, дополнительно содержащий применение процесса оборотного фототравления для удаления материала, который непосредственно не выступает из канавки.
4. Способ по п.1, в котором выравнивание MTJ структуры содержит удаление нанесенного материала из подложки для формирования по существу плоской поверхности.
5. Способ по п.1, в котором MTJ структура изготовлена без использования процесса фототравления MTJ.
6. Способ по п.1, который дополнительно содержит выполнение процесса магнитного отжига для формирования ориентации магнитного поля, переносимого фиксированным слоем.
7. Способ по п.1, в котором формирование канавки содержит:
нанесение защитного пленочного слоя на промежуточный диэлектрический слой подложки;
выполнение процесса фото/травления/удаления фоторезиста на защитном пленочном и промежуточном диэлектрическом слое для образования переходного отверстия;
нанесение проводящего материала внутри переходного отверстия;
выполнение процесса Химико-Механической Планаризации (СМР) для выравнивания структуры;
нанесение защитного пленочного слоя; и
образование канавки в подложке, причем канавка имеет размеры, которые определяют MTJ структуру без выполнения процесса фототравления на MTJ структуре.
8. Способ изготовления устройства с магнитным туннельным переходом, причем способ содержит:
образование канавки в подложке;
нанесение структуры с магнитным туннельным переходом (MTJ) внутри канавки;
удаление лишнего материала, который непосредственно не выступает из канавки, используя процесс фототравления с низким разрешением; и
выравнивание MTJ структуры и подложки.
9. Способ по п.8, в котором нанесение MTJ структуры содержит:
нанесение нижнего электрода внутри канавки;
нанесение антимагнитного слоя на нижний электрод внутри канавки;
нанесение первого магнитного слоя на антиферромагнитный слой;
нанесение оксидного металлического материала для формирования туннельного барьера;
нанесение второго магнитного слоя на туннельный барьер; и
нанесение верхнего электрода на второй магнитный слой.
10. Способ по п.8, который дополнительно содержит выполнение процесса магнитного отжига на выбранном слое, для фиксации ориентации магнитного поля, причем выбранный слой содержит фиксированный слой.
11. Способ по п.8, который далее содержит формирование, по меньшей мере, двух электрических соединений с MTJ структурой.
12. Способ по п.8, в котором выравнивание MTJ структуры и подложки содержит выполнение процесса Химико-Механической Планаризации (СМР) без выполнения процесса фототравления на MTJ структуре.
13. Способ по п.8, в котором подложка содержит промежуточный диэлектрический слой и защитный пленочный слой.
14. Способ по п.13, в котором выравнивание MTJ структуры и подложки, содержит выполнение процесса Химико-Механической Планаризации (СМР) для удаления лишнего материала из MTJ структуры, и остановку на защитном пленочном слое.
15. Способ изготовления устройства с магнитным туннельным переходом, причем способ содержит:
образование канавки в подложке, при этом подложка содержит полупроводниковый материал, имеющий промежуточный диэлектрический слой и защитный пленочный слой, причем канавка проходит через защитный пленочный слой в промежуточный диэлектрический слой;
нанесение нижнего электрода внутри канавки;
нанесение MTJ структуры на нижний электрод, при этом MTJ структура включает в себя первый ферромагнитный слой, туннельный барьерный слой и второй ферромагнитный слой;
нанесение верхнего электрода на MTJ структуру; и
выполнение процесса оборотного фототравления и процесса выравнивания MTJ структуры и подложки, чтобы получить в значительной степени плоскую поверхность.
16. Способ по п.15, в котором MTJ структура формируется без выполнения процесса фототравления на MTJ структуре.
17. Способ по п.15, в котором выполнение процесса выравнивания содержит выполнения процесса Химико-Механической Планаризации (СМР) на MTJ структуре и подложке.
18. Способ по п.15, в котором канавка определяет форму MTJ структуры.
19. Способ по п.18, в котором канавка имеет по существу эллиптическую форму.
20. Способ по п.18, в котором канавка имеет по существу прямоугольную форму.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| US12/041,957 | 2008-03-04 | ||
| US12/041,957 US7579197B1 (en) | 2008-03-04 | 2008-03-04 | Method of forming a magnetic tunnel junction structure |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2010140357A true RU2010140357A (ru) | 2012-04-10 |
| RU2459317C2 RU2459317C2 (ru) | 2012-08-20 |
Family
ID=40640358
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010140357/28A RU2459317C2 (ru) | 2008-03-04 | 2009-02-23 | Способ формирования структуры с магнитным туннельным переходом (варианты) |
Country Status (12)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US7579197B1 (ru) |
| EP (3) | EP2263271A1 (ru) |
| JP (1) | JP5450460B2 (ru) |
| KR (2) | KR101504613B1 (ru) |
| CN (1) | CN101960630B (ru) |
| BR (1) | BRPI0908753B1 (ru) |
| CA (3) | CA2716630C (ru) |
| ES (1) | ES2540876T3 (ru) |
| MX (1) | MX2010009471A (ru) |
| RU (1) | RU2459317C2 (ru) |
| TW (1) | TWI383526B (ru) |
| WO (1) | WO2009111197A1 (ru) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2626166C2 (ru) * | 2013-03-22 | 2017-07-21 | Тосиба Мемори Корпорейшн | Магнитное запоминающее устройство и способ его изготовления |
Families Citing this family (34)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US8542524B2 (en) * | 2007-02-12 | 2013-09-24 | Avalanche Technology, Inc. | Magnetic random access memory (MRAM) manufacturing process for a small magnetic tunnel junction (MTJ) design with a low programming current requirement |
| US8634231B2 (en) * | 2009-08-24 | 2014-01-21 | Qualcomm Incorporated | Magnetic tunnel junction structure |
| US7781231B2 (en) | 2008-03-07 | 2010-08-24 | Qualcomm Incorporated | Method of forming a magnetic tunnel junction device |
| US7885105B2 (en) * | 2008-03-25 | 2011-02-08 | Qualcomm Incorporated | Magnetic tunnel junction cell including multiple vertical magnetic domains |
| US8446243B2 (en) * | 2008-10-31 | 2013-05-21 | Infineon Technologies Austria Ag | Method of constructing inductors and transformers |
| US20100120175A1 (en) * | 2008-11-07 | 2010-05-13 | Seagate Technology Llc | Sensor double patterning methods |
| US8681536B2 (en) * | 2010-01-15 | 2014-03-25 | Qualcomm Incorporated | Magnetic tunnel junction (MTJ) on planarized electrode |
| US8227351B2 (en) * | 2010-03-22 | 2012-07-24 | Qualcomm Incorporated | Fabrication of magnetic tunnel junction (MTJ) devices with reduced surface roughness for magnetic random access memory (MRAM) |
| US9385308B2 (en) * | 2010-03-26 | 2016-07-05 | Qualcomm Incorporated | Perpendicular magnetic tunnel junction structure |
| US8513771B2 (en) | 2010-06-07 | 2013-08-20 | Infineon Technologies Ag | Semiconductor package with integrated inductor |
| US8674465B2 (en) | 2010-08-05 | 2014-03-18 | Qualcomm Incorporated | MRAM device and integration techniques compatible with logic integration |
| US8711612B1 (en) | 2010-12-03 | 2014-04-29 | Magsil Corporation | Memory circuit and method of forming the same using reduced mask steps |
| US9082956B2 (en) | 2011-04-04 | 2015-07-14 | Micron Technology, Inc. | Confined cell structures and methods of forming confined cell structures |
| US8928100B2 (en) * | 2011-06-24 | 2015-01-06 | International Business Machines Corporation | Spin transfer torque cell for magnetic random access memory |
| US8866242B2 (en) * | 2011-11-10 | 2014-10-21 | Qualcomm Incorporated | MTJ structure and integration scheme |
| US8895323B2 (en) * | 2011-12-19 | 2014-11-25 | Lam Research Corporation | Method of forming a magnetoresistive random-access memory device |
| WO2013095357A1 (en) * | 2011-12-20 | 2013-06-27 | Intel Corporation | Method for reducing size and center positioning of magnetic memory element contacts |
| US20130187247A1 (en) * | 2012-01-23 | 2013-07-25 | Qualcomm Incorporated | Multi-bit magnetic tunnel junction memory and method of forming same |
| US8901687B2 (en) | 2012-11-27 | 2014-12-02 | Industrial Technology Research Institute | Magnetic device with a substrate, a sensing block and a repair layer |
| US9236563B2 (en) | 2013-09-09 | 2016-01-12 | Yutaka Hashimoto | Magnetic memory device and method of manufacturing the magnetic memory device |
| CN103794717B (zh) * | 2014-02-28 | 2017-06-16 | 北京航空航天大学 | 一种包含介电层的嵌入型磁隧道结器件的制造方法 |
| US9349772B2 (en) * | 2014-04-25 | 2016-05-24 | Globalfoundries Singapore Pte. Ltd. | Methods for fabricatingintegrated circuits with spin torque transfer magnetic randomaccess memory (STT-MRAM) including a passivation layer formed along lateral sidewalls of a magnetic tunnel junction of the STT-MRAM |
| US9437811B2 (en) * | 2014-12-05 | 2016-09-06 | Shanghai Ciyu Information Technologies Co., Ltd. | Method for making a magnetic random access memory element with small dimension and high quality |
| US9666790B2 (en) | 2015-07-17 | 2017-05-30 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Manufacturing techniques and corresponding devices for magnetic tunnel junction devices |
| KR102369523B1 (ko) * | 2015-09-08 | 2022-03-03 | 삼성전자주식회사 | 자기 저항 메모리 장치 및 그 제조 방법 |
| US9972771B2 (en) * | 2016-03-24 | 2018-05-15 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | MRAM devices and methods of forming the same |
| US10680172B2 (en) * | 2017-11-13 | 2020-06-09 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. | Resistive random access memory device |
| CN107833588B (zh) * | 2017-11-16 | 2018-12-14 | 长江存储科技有限责任公司 | 一种新型3d自旋转移矩mram存储器的制备方法及存储器 |
| KR20200135550A (ko) * | 2018-04-18 | 2020-12-02 | 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 | 자기-중심조정 피쳐를 갖는 2-피스 셔터 디스크 조립체 |
| US10741748B2 (en) | 2018-06-25 | 2020-08-11 | International Business Machines Corporation | Back end of line metallization structures |
| US11386320B2 (en) | 2019-03-06 | 2022-07-12 | International Business Machines Corporation | Magnetic domain wall-based non-volatile, linear and bi-directional synaptic weight element |
| US11165017B2 (en) * | 2019-03-15 | 2021-11-02 | International Business Machines Corporation | Replacement bottom electrode structure process to form misalignment tolerate MRAM with high yield |
| KR20210007083A (ko) | 2019-07-09 | 2021-01-20 | 삼성전자주식회사 | 정보 저장 소자 및 그 제조방법 |
| US11201280B2 (en) | 2019-08-23 | 2021-12-14 | Western Digital Technologies, Inc. | Bottom leads chemical mechanical planarization for TMR magnetic sensors |
Family Cites Families (20)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5390142A (en) * | 1992-05-26 | 1995-02-14 | Kappa Numerics, Inc. | Memory material and method for its manufacture |
| US5801984A (en) * | 1996-11-27 | 1998-09-01 | International Business Machines Corporation | Magnetic tunnel junction device with ferromagnetic multilayer having fixed magnetic moment |
| US6072718A (en) * | 1998-02-10 | 2000-06-06 | International Business Machines Corporation | Magnetic memory devices having multiple magnetic tunnel junctions therein |
| KR100700255B1 (ko) * | 1998-12-18 | 2007-03-26 | 로무 가부시키가이샤 | 반도체장치의 제조방법 |
| JP3854767B2 (ja) * | 1999-12-13 | 2006-12-06 | ローム株式会社 | 強磁性トンネル接合素子を用いた装置、およびその製造方法 |
| JP3877490B2 (ja) * | 2000-03-28 | 2007-02-07 | 株式会社東芝 | 磁気素子およびその製造方法 |
| JP4488645B2 (ja) * | 2001-04-20 | 2010-06-23 | 株式会社東芝 | 磁気記憶装置 |
| JP2003133529A (ja) * | 2001-10-24 | 2003-05-09 | Sony Corp | 情報記憶装置およびその製造方法 |
| US6884729B2 (en) * | 2002-02-11 | 2005-04-26 | Cabot Microelectronics Corporation | Global planarization method |
| NO322192B1 (no) * | 2002-06-18 | 2006-08-28 | Thin Film Electronics Asa | Fremgangsmate til fremstilling av elektrodelag av ferroelektriske minneceller i en ferroelektrisk minneinnretning, samt ferroelektrisk minneinnretning |
| US6952364B2 (en) * | 2003-03-03 | 2005-10-04 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Magnetic tunnel junction structures and methods of fabrication |
| US6943040B2 (en) * | 2003-08-28 | 2005-09-13 | Headway Technologes, Inc. | Magnetic random access memory designs with controlled magnetic switching mechanism by magnetostatic coupling |
| US20050095855A1 (en) * | 2003-11-05 | 2005-05-05 | D'urso John J. | Compositions and methods for the electroless deposition of NiFe on a work piece |
| US7109539B2 (en) * | 2004-03-09 | 2006-09-19 | International Business Machines Corporation | Multiple-bit magnetic random access memory cell employing adiabatic switching |
| KR100612854B1 (ko) * | 2004-07-31 | 2006-08-21 | 삼성전자주식회사 | 스핀차지를 이용한 자성막 구조체와 그 제조 방법과 그를구비하는 반도체 장치 및 이 장치의 동작방법 |
| US7221584B2 (en) | 2004-08-13 | 2007-05-22 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | MRAM cell having shared configuration |
| US7705340B2 (en) * | 2004-10-05 | 2010-04-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Inflected magnetoresistive structures and memory cells having inflected magnetoresistive structures |
| JP5007932B2 (ja) * | 2004-11-11 | 2012-08-22 | 日本電気株式会社 | 半導体装置、及びその製造方法 |
| KR100706806B1 (ko) * | 2006-01-27 | 2007-04-12 | 삼성전자주식회사 | 자기 메모리 소자 및 그 제조 방법 |
| CN101051620A (zh) * | 2006-04-03 | 2007-10-10 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 半导体器件的制造方法和用于该方法的掩膜 |
-
2008
- 2008-03-04 US US12/041,957 patent/US7579197B1/en active Active
-
2009
- 2009-02-23 CA CA2716630A patent/CA2716630C/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-02-23 EP EP09716406A patent/EP2263271A1/en not_active Withdrawn
- 2009-02-23 WO PCT/US2009/034836 patent/WO2009111197A1/en active Application Filing
- 2009-02-23 BR BRPI0908753-2A patent/BRPI0908753B1/pt active IP Right Grant
- 2009-02-23 CA CA2991389A patent/CA2991389A1/en not_active Abandoned
- 2009-02-23 MX MX2010009471A patent/MX2010009471A/es active IP Right Grant
- 2009-02-23 CN CN2009801076344A patent/CN101960630B/zh active Active
- 2009-02-23 KR KR1020137007515A patent/KR101504613B1/ko active IP Right Grant
- 2009-02-23 KR KR1020107022129A patent/KR101575852B1/ko active IP Right Grant
- 2009-02-23 JP JP2010549717A patent/JP5450460B2/ja active Active
- 2009-02-23 RU RU2010140357/28A patent/RU2459317C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2009-02-23 CA CA2896421A patent/CA2896421C/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-02-23 EP EP14172443.5A patent/EP2804230A1/en not_active Withdrawn
- 2009-02-23 ES ES11186235.5T patent/ES2540876T3/es active Active
- 2009-02-23 EP EP11186235.5A patent/EP2410588B1/en not_active Not-in-force
- 2009-03-04 TW TW098107006A patent/TWI383526B/zh active
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| RU2626166C2 (ru) * | 2013-03-22 | 2017-07-21 | Тосиба Мемори Корпорейшн | Магнитное запоминающее устройство и способ его изготовления |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| EP2410588B1 (en) | 2015-04-01 |
| KR101575852B1 (ko) | 2015-12-08 |
| JP2011514676A (ja) | 2011-05-06 |
| BRPI0908753A2 (pt) | 2018-03-27 |
| CA2716630C (en) | 2018-03-06 |
| KR20130043237A (ko) | 2013-04-29 |
| US7579197B1 (en) | 2009-08-25 |
| RU2459317C2 (ru) | 2012-08-20 |
| CA2896421C (en) | 2016-03-29 |
| TW201004006A (en) | 2010-01-16 |
| BRPI0908753B1 (pt) | 2019-05-07 |
| US20090227045A1 (en) | 2009-09-10 |
| EP2410588A3 (en) | 2012-03-21 |
| JP5450460B2 (ja) | 2014-03-26 |
| CA2991389A1 (en) | 2009-09-11 |
| WO2009111197A1 (en) | 2009-09-11 |
| KR20100126784A (ko) | 2010-12-02 |
| EP2410588A2 (en) | 2012-01-25 |
| EP2263271A1 (en) | 2010-12-22 |
| CN101960630B (zh) | 2013-12-04 |
| EP2804230A1 (en) | 2014-11-19 |
| ES2540876T3 (es) | 2015-07-14 |
| TWI383526B (zh) | 2013-01-21 |
| CA2896421A1 (en) | 2009-09-11 |
| KR101504613B1 (ko) | 2015-03-23 |
| CN101960630A (zh) | 2011-01-26 |
| CA2716630A1 (en) | 2009-09-11 |
| MX2010009471A (es) | 2010-09-28 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2010140357A (ru) | Способ формирования структуры с магнитным туннельным переходом | |
| KR101153499B1 (ko) | Ｓｔｔ ｍｒａｍ 자기 터널 접합부 아키텍쳐 및 통합 | |
| CN102208529B (zh) | 磁阻式随机存取存储器元件及其制作方法 | |
| US8822234B2 (en) | Method of fabricating a semiconductor device | |
| KR101200008B1 (ko) | ２개의 마스크들을 사용하여 자기 터널 접합 엘리먼트를 제조하기 위한 방법 | |
| US20160225979A1 (en) | Self-aligned magnetoresistive random-access memory (mram) structure for process damage minimization | |
| US8563225B2 (en) | Forming a self-aligned hard mask for contact to a tunnel junction | |
| CN110121766A (zh) | 在混合键合半导体器件中形成引线的方法 | |
| US10157876B2 (en) | Method of forming inductor with conductive trace | |
| TW201523947A (zh) | 磁性穿隧接面及形成磁性穿隧接面之方法 | |
| US20220052255A1 (en) | Semiconductor Devices and Methods of Manufacturing | |
| CN104045243A (zh) | 晶圆、面板、半导体器件以及玻璃处理方法 | |
| US10217794B2 (en) | Integrated circuits with vertical capacitors and methods for producing the same | |
| TWI578547B (zh) | 電磁阻抗感測元件及其製作方法 | |
| US20190326514A1 (en) | Mask plate and fabrication method thereof | |
| US20150228603A1 (en) | Semiconductor Constructions and Methods of Planarizing Across a Plurality of Electrically Conductive Posts | |
| CN109980081A (zh) | 可自停止抛光的mram器件的制作方法与mram器件 | |
| CN108735892A (zh) | 一种霍尔元件及其制备方法 | |
| US8477531B2 (en) | Spin torque transfer magnetoresistive random access memory in disk base with reduced threshold current | |
| CN102437089A (zh) | 一种铜后道互连工艺 | |
| CN113053941A (zh) | 半导体结构及其形成方法 | |
| JP2003347519A (ja) | マグネティックｒａｍの製造方法 | |
| US10629650B2 (en) | Integrated circuits with memory cells and methods for producing the same | |
| CN109390370B (zh) | 具有存储单元的集成电路及其产生方法 | |
| KR20170051603A (ko) | 막 형성 방법 및 이를 이용한 자기 기억 소자의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20190224 |