RU2010137002A - Легированные теллуриды олова для термоэлектрических применений - Google Patents
Легированные теллуриды олова для термоэлектрических применений Download PDFInfo
- Publication number
- RU2010137002A RU2010137002A RU2010137002/05A RU2010137002A RU2010137002A RU 2010137002 A RU2010137002 A RU 2010137002A RU 2010137002/05 A RU2010137002/05 A RU 2010137002/05A RU 2010137002 A RU2010137002 A RU 2010137002A RU 2010137002 A RU2010137002 A RU 2010137002A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- semiconductor material
- elements
- generator
- peltier module
- thermoelectric generator
- Prior art date
Links
- -1 TIN TELLURIDES Chemical class 0.000 title 1
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 14
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims abstract 8
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 5
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims abstract 4
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims abstract 4
- 230000004927 fusion Effects 0.000 claims abstract 4
- 229910052748 manganese Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 239000000203 mixture Substances 0.000 claims abstract 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 229910052726 zirconium Inorganic materials 0.000 claims abstract 4
- 238000004378 air conditioning Methods 0.000 claims abstract 2
- 229910052729 chemical element Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 230000006698 induction Effects 0.000 claims abstract 2
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims abstract 2
- 238000003825 pressing Methods 0.000 claims abstract 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 238000005245 sintering Methods 0.000 claims abstract 2
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 claims abstract 2
- 238000001816 cooling Methods 0.000 claims 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 claims 2
- 230000005611 electricity Effects 0.000 claims 1
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 claims 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 claims 1
- 239000000470 constituent Substances 0.000 abstract 1
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
- C01B19/002—Compounds containing, besides selenium or tellurium, more than one other element, with -O- and -OH not being considered as anions
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B19/00—Selenium; Tellurium; Compounds thereof
- C01B19/007—Tellurides or selenides of metals
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/34—Arrangements for cooling, heating, ventilating or temperature compensation ; Temperature sensing arrangements
- H01L23/38—Cooling arrangements using the Peltier effect
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/01—Manufacture or treatment
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N—ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10N10/00—Thermoelectric devices comprising a junction of dissimilar materials, i.e. devices exhibiting Seebeck or Peltier effects
- H10N10/80—Constructional details
- H10N10/85—Thermoelectric active materials
- H10N10/851—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions
- H10N10/852—Thermoelectric active materials comprising inorganic compositions comprising tellurium, selenium or sulfur
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
- C01P2006/00—Physical properties of inorganic compounds
- C01P2006/40—Electric properties
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/0001—Technical content checked by a classifier
- H01L2924/0002—Not covered by any one of groups H01L24/00, H01L24/00 and H01L2224/00
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y02—TECHNOLOGIES OR APPLICATIONS FOR MITIGATION OR ADAPTATION AGAINST CLIMATE CHANGE
- Y02P—CLIMATE CHANGE MITIGATION TECHNOLOGIES IN THE PRODUCTION OR PROCESSING OF GOODS
- Y02P20/00—Technologies relating to chemical industry
- Y02P20/10—Process efficiency
- Y02P20/129—Energy recovery, e.g. by cogeneration, H2recovery or pressure recovery turbines
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Inorganic Chemistry (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Powder Metallurgy (AREA)
- Compositions Of Oxide Ceramics (AREA)
Abstract
Полупроводниковый материал с р- или n-проводимостью, содержащий соединение общей формулы (I) ! , ! где параметры имеют следующие значения: ! 0,1≤а≤0,9 ! n≥1 с n числом химических элементов, отличающихся от Sn и Pb, ! в каждом случае независимо ! 1 часть на млн ≤х1…xn≤0,05 ! А1…An отличаются друг от друга и выбраны из группы элементов Ti, Zr, Hf, Mn, Ag, Ge с n=2 или A1…An отличаются друг от друга и выбраны из группы элементов Ti, Zr, Mn, Ag с n=1 ! X представляет собой F, Cl, Br или I ! 0≤p≤1 ! 0≤q≤1 ! 0≤r≤0,01 ! -0,01≤z≤0,01 ! при условии, что а+х1+…+xn<1 и сумма х1…xn равна от 0,0005 до 0,1. ! 2. Полупроводниковый материал по п.1, отличающийся тем, что p=q=r=0. ! 3. Способ изготовления полупроводникового материала по одному из п.п.1 или 2, отличающийся тем, что материал изготавливают реакционным размолом или сплавлением смесей конкретных элементных составляющих или их сплавов. ! 4. Способ по п.3, отличающийся тем, что сплавление осуществляют в индукционной печи. ! 5. Способ по п.3, отличающийся тем, что он включает в себя следующие этапы: ! (1) сплавление смесей конкретных элементных составляющих или их сплавов с получением по меньшей мере четырехкомпонентного или трехкомпонентного соединения; ! (2) размол материала, полученного на этапе (1); ! (3) прессование или экструзия полученного на этапе (2) материала с получением формованных изделий и ! (4) спекание формованных изделий, полученных на этапе (3); ! 6. Термоэлектрический генератор или модуль Пельтье, содержащий полупроводниковый материал по одному из пп.1 и 2. ! 7. Применение термоэлектрического генератора или модуля Пельтье по п.6 в качестве теплового насоса, для кондиционирования сидений, автомобилей и зданий, в холодильниках и сушилках
Claims (8)
- Полупроводниковый материал с р- или n-проводимостью, содержащий соединение общей формулы (I),
где параметры имеют следующие значения:0,1≤а≤0,9n≥1 с n числом химических элементов, отличающихся от Sn и Pb,в каждом случае независимо1 часть на млн ≤х1…xn≤0,05А1…An отличаются друг от друга и выбраны из группы элементов Ti, Zr, Hf, Mn, Ag, Ge с n=2 или A1…An отличаются друг от друга и выбраны из группы элементов Ti, Zr, Mn, Ag с n=1X представляет собой F, Cl, Br или I0≤p≤10≤q≤10≤r≤0,01-0,01≤z≤0,01при условии, что а+х1+…+xn<1 и сумма х1…xn равна от 0,0005 до 0,1. - 2. Полупроводниковый материал по п.1, отличающийся тем, что p=q=r=0.
- 3. Способ изготовления полупроводникового материала по одному из п.п.1 или 2, отличающийся тем, что материал изготавливают реакционным размолом или сплавлением смесей конкретных элементных составляющих или их сплавов.
- 4. Способ по п.3, отличающийся тем, что сплавление осуществляют в индукционной печи.
- 5. Способ по п.3, отличающийся тем, что он включает в себя следующие этапы:(1) сплавление смесей конкретных элементных составляющих или их сплавов с получением по меньшей мере четырехкомпонентного или трехкомпонентного соединения;(2) размол материала, полученного на этапе (1);(3) прессование или экструзия полученного на этапе (2) материала с получением формованных изделий и(4) спекание формованных изделий, полученных на этапе (3);
- 6. Термоэлектрический генератор или модуль Пельтье, содержащий полупроводниковый материал по одному из пп.1 и 2.
- 7. Применение термоэлектрического генератора или модуля Пельтье по п.6 в качестве теплового насоса, для кондиционирования сидений, автомобилей и зданий, в холодильниках и сушилках (бельевых), для одновременного нагрева и охлаждения потоков веществ в процессах разделения веществ, в качестве генератора для использования источников тепла или для охлаждения электронных компонентов.
- 8. Тепловой насос, охладитель, холодильник, сушилка (бельевая), генератор для использования источников тепла, генератор для преобразования тепловой энергии в электроэнергию, содержащий по меньшей мере один термоэлектрический генератор или модуль Пельтье по п.6.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| EP08151149 | 2008-02-07 | ||
| EP08151149.5 | 2008-02-07 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2010137002A true RU2010137002A (ru) | 2012-03-20 |
Family
ID=40822924
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2010137002/05A RU2010137002A (ru) | 2008-02-07 | 2009-02-05 | Легированные теллуриды олова для термоэлектрических применений |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8772622B2 (ru) |
| EP (1) | EP2250126A2 (ru) |
| JP (1) | JP5468554B2 (ru) |
| KR (1) | KR20110004362A (ru) |
| CN (1) | CN101965313A (ru) |
| CA (1) | CA2715040A1 (ru) |
| RU (1) | RU2010137002A (ru) |
| TW (1) | TW200950165A (ru) |
| WO (1) | WO2009098248A2 (ru) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2007104601A2 (de) * | 2006-03-16 | 2007-09-20 | Basf Se | Dotierte bleitelluride fuer thermoelektrische anwendungen |
| CA2756497A1 (en) | 2009-03-24 | 2010-09-30 | Basf Se | Self-organising thermoelectric materials |
| US8871175B2 (en) * | 2010-10-01 | 2014-10-28 | The Boeing Company | Nanomaterial having tunable infrared absorption characteristics and associated method of manufacture |
| CN102496676B (zh) * | 2011-11-18 | 2014-09-10 | 遵义师范学院 | 铌掺杂铋-锑系低温热电材料及其制备方法 |
| KR102001062B1 (ko) | 2012-01-16 | 2019-10-01 | 삼성전자주식회사 | 나노복합체형 열전재료, 이를 포함하는 열전모듈과 열전장치 |
| KR101442018B1 (ko) * | 2013-04-10 | 2014-09-24 | 국방과학연구소 | 알칼리 및 알칼리 토금속이 첨가된 화합물 및 이 화합물을 합성하여 제조되는 열전재료 |
| KR101760834B1 (ko) | 2015-10-07 | 2017-08-01 | 서울대학교산학협력단 | 칼코겐화합물 열전소재 및 이를 포함하는 열전소자 |
| CN113226981B (zh) * | 2018-12-04 | 2024-03-05 | 住友化学株式会社 | 化合物和热电转换材料 |
| WO2020116366A1 (ja) * | 2018-12-04 | 2020-06-11 | 住友化学株式会社 | 化合物及び熱電変換材料 |
| CN111517292A (zh) * | 2020-04-30 | 2020-08-11 | 西华大学 | 一种碲化锡基热电材料及其制备方法 |
| TWI792310B (zh) * | 2021-05-13 | 2023-02-11 | 國立中興大學 | 高效能熱電材料 |
Family Cites Families (19)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US3880674A (en) * | 1970-01-20 | 1975-04-29 | Rockwell International Corp | Thermoelectric elements and devices and process therefor |
| US4076572A (en) * | 1973-07-05 | 1978-02-28 | Hughes Aircraft Company | Crystal growth and anneal of lead tin telluride by recrystallization from a heterogeneous system |
| US5439528A (en) * | 1992-12-11 | 1995-08-08 | Miller; Joel | Laminated thermo element |
| CN1034252C (zh) * | 1993-05-06 | 1997-03-12 | 莎莫波尼克株式会社 | 热电式冷却装置、其所用半导体制备方法及热电式冷冻机 |
| JPH077186A (ja) * | 1993-06-16 | 1995-01-10 | Idemitsu Material Kk | 熱電変換材料の製造法 |
| US5448109B1 (en) * | 1994-03-08 | 1997-10-07 | Tellurex Corp | Thermoelectric module |
| US6300150B1 (en) | 1997-03-31 | 2001-10-09 | Research Triangle Institute | Thin-film thermoelectric device and fabrication method of same |
| DE19955788A1 (de) | 1999-11-19 | 2001-05-23 | Basf Ag | Thermoelektrisch aktive Materialien und diese enthaltende Generatoren |
| JP2002026405A (ja) * | 2000-07-03 | 2002-01-25 | Sanyo Electric Co Ltd | 熱電材料の製造方法、熱電材料及び熱電材料製造装置 |
| WO2003096438A2 (en) * | 2002-05-08 | 2003-11-20 | Massachusetts Institute Of Technology | Self-assembled quantum dot superlattice thermoelectric materials and devices |
| CN100452466C (zh) * | 2003-09-12 | 2009-01-14 | 密歇根州州立大学托管委员会 | 热电材料及其制备方法、热电元件以及从热能生成电流的方法 |
| EP1766698A2 (en) * | 2004-06-14 | 2007-03-28 | Delphi Technologies Inc. | Thermoelectric materials comprising nanoscale inclusions to enhance seebeck coefficient |
| JP4630012B2 (ja) * | 2004-06-30 | 2011-02-09 | 財団法人電力中央研究所 | 鉛・テルル系熱電材料および熱電素子 |
| DE102005027680A1 (de) * | 2005-06-15 | 2006-12-28 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Verfahren zur Herstellung eines aus einem thermoelektrischen Trägermaterial mit thermischen Streuzentren bestehenden thermoelektrischen Werkstoffes und thermoelektrischer Werkstoff |
| WO2007104601A2 (de) * | 2006-03-16 | 2007-09-20 | Basf Se | Dotierte bleitelluride fuer thermoelektrische anwendungen |
| WO2007104603A2 (de) | 2006-03-16 | 2007-09-20 | Basf Se | Blei-germanium-telluride fuer thermoelektrische anwendungen |
| KR100904588B1 (ko) * | 2007-07-05 | 2009-06-25 | 삼성전자주식회사 | 코어/쉘 형태의 나노와이어를 제조하는 방법, 그에 의해제조된 나노와이어 및 이를 포함하는 나노와이어 소자 |
| JP5027061B2 (ja) * | 2008-06-16 | 2012-09-19 | 株式会社東海理化電機製作所 | スイッチ装置 |
| WO2010097360A1 (de) * | 2009-02-25 | 2010-09-02 | Basf Se | Verfahren zur herstellung flexibler metallkontakte |
-
2009
- 2009-02-05 US US12/866,552 patent/US8772622B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-02-05 WO PCT/EP2009/051298 patent/WO2009098248A2/de active Application Filing
- 2009-02-05 EP EP09708165A patent/EP2250126A2/de not_active Withdrawn
- 2009-02-05 CN CN2009801080848A patent/CN101965313A/zh active Pending
- 2009-02-05 JP JP2010545461A patent/JP5468554B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-02-05 CA CA2715040A patent/CA2715040A1/en not_active Abandoned
- 2009-02-05 RU RU2010137002/05A patent/RU2010137002A/ru not_active Application Discontinuation
- 2009-02-05 KR KR1020107019118A patent/KR20110004362A/ko not_active Application Discontinuation
- 2009-02-06 TW TW098103903A patent/TW200950165A/zh unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| KR20110004362A (ko) | 2011-01-13 |
| TW200950165A (en) | 2009-12-01 |
| US20110012069A1 (en) | 2011-01-20 |
| JP5468554B2 (ja) | 2014-04-09 |
| US8772622B2 (en) | 2014-07-08 |
| WO2009098248A3 (de) | 2010-02-25 |
| CN101965313A (zh) | 2011-02-02 |
| JP2011514666A (ja) | 2011-05-06 |
| WO2009098248A2 (de) | 2009-08-13 |
| CA2715040A1 (en) | 2009-08-13 |
| EP2250126A2 (de) | 2010-11-17 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2010137002A (ru) | Легированные теллуриды олова для термоэлектрических применений | |
| Twaha et al. | A comprehensive review of thermoelectric technology: Materials, applications, modelling and performance improvement | |
| He et al. | Recent development and application of thermoelectric generator and cooler | |
| CN100452466C (zh) | 热电材料及其制备方法、热电元件以及从热能生成电流的方法 | |
| Shi et al. | On the design of high‐efficiency thermoelectric clathrates through a systematic cross‐substitution of framework elements | |
| JP5462858B2 (ja) | 新規な化合物半導体及びその製造方法、並びにそれを用いた熱電変換素子 | |
| CN104263986B (zh) | 一种超快速制备高性能SnTe基热电材料的方法 | |
| JP2008512001A (ja) | 銀含有ｐ型半導体 | |
| Talin et al. | Metal–organic frameworks for thermoelectric energy-conversion applications | |
| JP2009529799A (ja) | 熱電用途用のドープ処理テルル化鉛 | |
| CN105308766A (zh) | 新化合物半导体及其用途 | |
| US20130299754A1 (en) | Power factor enhanced thermoelectric material and method of producing same | |
| JP2011514666A5 (ru) | ||
| KR101624310B1 (ko) | 열전 재료 및 그 제조 방법 | |
| JP6365950B2 (ja) | 熱電材料及びその製造方法 | |
| CN106145062A (zh) | 一种快速制备碲化锑热电材料的方法 | |
| CN103247752B (zh) | Ge‑Pb‑Te‑Se复合热电材料及其制备方法 | |
| Jame et al. | Experimental investigation of thermoelectric power generator using D-mannitol phase change material for transient heat recovery | |
| TWI546258B (zh) | 熱電材料及其製法 | |
| KR101629509B1 (ko) | 열전 재료 및 그 제조 방법 | |
| JP2010065245A (ja) | Ｍｇ２Ｘの製造方法並びにＭｇ金属間化合物及びそれを応用したデバイス | |
| Maciá | Thermoelectric figure of merit of AlPdRe icosahedral quasicrystals: Composition-dependent effects | |
| Ruciński et al. | Thermoelectric generation of current–theoretical and experimental analysis | |
| WO2006082926A1 (ja) | タリウム化合物熱電変換材料とその製造方法 | |
| CN110335936A (zh) | 一种铜铟硫基热电材料及其制备方法 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| FA92 | Acknowledgement of application withdrawn (lack of supplementary materials submitted) |
Effective date: 20130708 |