RU2010128548A - Устройство формирования изображения, способ управления устройством формирования изображения и камера с устройством формирования изображения - Google Patents

Устройство формирования изображения, способ управления устройством формирования изображения и камера с устройством формирования изображения Download PDF

Info

Publication number
RU2010128548A
RU2010128548A RU2010128548/07A RU2010128548A RU2010128548A RU 2010128548 A RU2010128548 A RU 2010128548A RU 2010128548/07 A RU2010128548/07 A RU 2010128548/07A RU 2010128548 A RU2010128548 A RU 2010128548A RU 2010128548 A RU2010128548 A RU 2010128548A
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
selection control
voltage level
output
transistor
signal
Prior art date
Application number
RU2010128548/07A
Other languages
English (en)
Other versions
RU2481725C2 (ru
Inventor
Хаято ВАКАБАЯСИ (JP)
Хаято ВАКАБАЯСИ
Original Assignee
Сони Корпорейшн (JP)
Сони Корпорейшн
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Сони Корпорейшн (JP), Сони Корпорейшн filed Critical Сони Корпорейшн (JP)
Publication of RU2010128548A publication Critical patent/RU2010128548A/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2481725C2 publication Critical patent/RU2481725C2/ru

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
    • H04N25/74—Circuitry for scanning or addressing the pixel array
    • H—ELECTRICITY
    • H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
    • H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
    • H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
    • H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
    • H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
    • H04N25/766—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors comprising control or output lines used for a plurality of functions, e.g. for pixel output, driving, reset or power
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14601—Structural or functional details thereof
    • H01L27/1462—Coatings
    • H01L27/14621—Colour filter arrangements
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
    • H01L27/14—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components sensitive to infrared radiation, light, electromagnetic radiation of shorter wavelength or corpuscular radiation and specially adapted either for the conversion of the energy of such radiation into electrical energy or for the control of electrical energy by such radiation
    • H01L27/144—Devices controlled by radiation
    • H01L27/146—Imager structures
    • H01L27/14643—Photodiode arrays; MOS imagers

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Multimedia (AREA)
  • Signal Processing (AREA)
  • Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
  • Solid State Image Pick-Up Elements (AREA)

Abstract

1. Устройство формирования изображения, содержащее: ! множество пиксельных схем, расположенных в виде матрицы; ! линию управления выбором, соединенную с множеством пиксельных схем, расположенных в одном направлении; и ! схему управления выбором, выполненную с возможностью выборочной подачи сигнала управления выбором, имеющего множество разных уровней напряжения, в линию управления выбором для выбора и управления пиксельными схемами, ! при этом каждая из пиксельных схем содержит: ! фотоэлектрический преобразователь для фотоэлектрического преобразования падающего света в заряд; ! узел, в который заряд передается из фотоэлектрического преобразователя; ! выходной транзистор, имеющий управляющий вывод, подключенный к указанному узлу, первый соединительный вывод, подключенный к источнику заданного напряжения, и второй соединительный вывод, подключенный к линии выходного сигнала, причем выходной транзистор выполнен с возможностью усиления потенциала указанного узла и вывода усиленного напряжения в линию выходного сигнала в качестве выходного сигнала; и ! управляющий транзистор, имеющий третий соединительный вывод, подключенный к указанному узлу, и четвертый соединительный вывод, на который подается сигнал управления выбором через линию управления выбором, причем управляющий транзистор выполнен с возможностью установки потенциала узла, к которому подключен управляющий вывод выходного транзистора, в потенциал, зависящий от уровня напряжения, и с возможностью управления сбросом потенциала указанного узла и выходным сигналом выходного транзистора, ! при этом схема управления выбором выполнена с возмо�

Claims (7)

1. Устройство формирования изображения, содержащее:
множество пиксельных схем, расположенных в виде матрицы;
линию управления выбором, соединенную с множеством пиксельных схем, расположенных в одном направлении; и
схему управления выбором, выполненную с возможностью выборочной подачи сигнала управления выбором, имеющего множество разных уровней напряжения, в линию управления выбором для выбора и управления пиксельными схемами,
при этом каждая из пиксельных схем содержит:
фотоэлектрический преобразователь для фотоэлектрического преобразования падающего света в заряд;
узел, в который заряд передается из фотоэлектрического преобразователя;
выходной транзистор, имеющий управляющий вывод, подключенный к указанному узлу, первый соединительный вывод, подключенный к источнику заданного напряжения, и второй соединительный вывод, подключенный к линии выходного сигнала, причем выходной транзистор выполнен с возможностью усиления потенциала указанного узла и вывода усиленного напряжения в линию выходного сигнала в качестве выходного сигнала; и
управляющий транзистор, имеющий третий соединительный вывод, подключенный к указанному узлу, и четвертый соединительный вывод, на который подается сигнал управления выбором через линию управления выбором, причем управляющий транзистор выполнен с возможностью установки потенциала узла, к которому подключен управляющий вывод выходного транзистора, в потенциал, зависящий от уровня напряжения, и с возможностью управления сбросом потенциала указанного узла и выходным сигналом выходного транзистора,
при этом схема управления выбором выполнена с возможностью
смещения уровня напряжения сигнала управления выбором, подаваемого через линию управления выбором, с первого уровня напряжения, при котором выходной транзистор удерживается в открытом состоянии, ко второму уровню напряжения, при котором выходной транзистор удерживается в закрытом состоянии, и постепенного возврата уровня напряжения сигнала управления выбором со второго уровня напряжения к первому уровню напряжения.
2. Устройство формирования изображения по п.1,
в котором множество уровней напряжения включают в себя:
первый уровень напряжения;
второй уровень напряжения; и
третий уровень напряжения, который представляет собой уровень опорного напряжения для удержания выходного транзистора в закрытом состоянии,
при этом схема управления выбором выполнена с возможностью
смещения уровня напряжения сигнала управления выбором, поданного в линию управления выбором, с первого уровня напряжения ко второму уровню напряжения и возврата уровня напряжения сигнала управления выбором к первому уровню напряжения через третий уровень напряжения.
3. Устройство формирования изображения по п.2,
в котором схема управления выбором выполнена с возможностью
подачи сигнала управления выбором со вторым уровнем напряжения в линию управления выбором на более короткий промежуток времени, чем промежуток времени подачи сигнала управления выбором с уровнем напряжения, отличным от второго уровня напряжения.
4. Устройство формирования изображения по п.1,
в котором схема управления выбором содержит:
первый транзистор, имеющий пятый соединительный вывод, на который подается напряжение второго или третьего уровня напряжения, причем первый транзистор выполнен с возможностью вывода напряжения с уровнем напряжения, поданным на пятый соединительный вывод, в линию управления выбором; и
второй транзистор, имеющий ту же полярность, что и первый транзистор,
при этом второй транзистор
имеет седьмой соединительный вывод, соединенный с шестым соединительным выводом первого транзистора, и имеет восьмой соединительный вывод, соединенный с линией управления выбором.
5. Устройство формирования изображения по п.1,
в котором схема управления выбором выполнена с возможностью
подачи сигнала управления выбором на оба конца линии управления выбором.
6. Способ управления устройством формирования изображения, содержащий:
первый этап, на котором выборочно подают сигнал управления выбором, имеющий множество разных уровней напряжения, в линию управления выбором, соединенную с множеством пиксельных схем, расположенных в одном направлении, для выбора и управления множеством пиксельных схем, причем выбранное множество пиксельных схем выполняют фотоэлектрическое преобразование падающего света в заряд и выводят напряжение, зависящее от величины заряда, в линию вывода сигнала в качестве выходного сигнала; и
второй этап, на котором прекращают вывод сигнала из множества пиксельных схем на заданный промежуток времени после считывания заряда множеством пиксельных схем,
при этом на первом этапе:
передают заряд, полученный в результате фотоэлектрического преобразования фотоэлектрическим преобразователем, в узел,
причем управляющий транзистор, имеющий третий соединительный вывод, подключенный к указанному узлу, и четвертый соединительный вывод, на который подают сигнал управления выбором через линию управления выбором, устанавливает потенциал указанного узла, к которому подключен управляющий вывод выходного транзистора, в потенциал, зависящий от уровня напряжения, и выполняет сброс потенциала указанного узла,
причем выходной транзистор, имеющий управляющий вывод, подключенный к указанному узлу, первый соединительный вывод, подключенный к источнику заданного напряжения, и второй соединительный вывод, подключенный к линии вывода сигнала, усиливает потенциал узла и выводит усиленное напряжение в качестве выходного сигнала в линию вывода сигнала под управлением управляющего транзистора,
при этом на втором этапе:
выполняют смещение уровня напряжения сигнала управления выбором, подаваемого через линию управления выбором, с первого уровня напряжения, при котором выходной транзистор удерживается в открытом состоянии, ко второму уровню напряжения, при котором выходной транзистор удерживается в закрытом состоянии, и постепенно возвращают уровень напряжения сигнала управления выбором со второго уровня напряжения к первому уровню напряжения.
7. Камера, содержащая:
устройство формирования изображения;
оптическую систему для направления падающего света на область пикселей устройства формирования изображения; и
процессор сигналов для обработки выходного сигнала, выводимого из устройства формирования изображения,
при этом устройство формирования изображения содержит:
множество пиксельных схем, расположенных в виде матрицы;
линию управления выбором, соединенную с множеством пиксельных схем расположенных в одном направлении; и
схему управления выбором, выполненную с возможностью выборочной подачи сигнала управления выбором, имеющего множество разных уровней напряжения, в линию управления выбором для выбора и управления пиксельными схемами,
при этом каждая из пиксельных схем содержит:
фотоэлектрический преобразователь для фотоэлектрического преобразования падающего света в заряд;
узел, в который передают заряд из фотоэлектрического преобразователя;
выходной транзистор, имеющий управляющий вывод, подключенный к указанному узлу, первый соединительный вывод, подключенный к источнику заданного напряжения, и второй соединительный вывод, подключенный к линии вывода сигнала, причем выходной транзистор выполнен с возможностью усиления потенциала указанного узла и вывода усиленного напряжения в линию выходного сигнала в качестве выходного сигнала; и
управляющий транзистор, имеющий третий соединительный вывод, подключенный к указанному узлу, и четвертый соединительный вывод, на который подается сигнал управления выбором через линию управления выбором, причем управляющий транзистор выполнен с возможностью установки потенциала узла, с которым соединен управляющий вывод выходного транзистора, в потенциал, зависящий от уровня напряжения, и с возможностью управления сбросом потенциала указанного узла и выходным сигналом выходного транзистора,
при этом схема управления выбором выполнена с возможностью смещения уровня напряжения сигнала управления выбором, подаваемого через линию управления выбором, с первого уровня напряжения, при котором выходной транзистор удерживается в открытом состоянии, ко второму уровню напряжения, при котором выходной транзистор удерживается в закрытом состоянии, и постепенного возврата уровня напряжения сигнала управления выбором со второго уровня напряжения к первому уровню напряжения.
RU2010128548/07A 2008-09-25 2009-09-16 Устройство формирования изображения, способ управления устройством формирования изображения и камера с устройством формирования изображения RU2481725C2 (ru)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2008-245483 2008-09-25
JP2008245483A JP5262512B2 (ja) 2008-09-25 2008-09-25 撮像素子およびその制御方法並びにカメラ
PCT/JP2009/066128 WO2010035668A1 (ja) 2008-09-25 2009-09-16 撮像素子およびその制御方法並びにカメラ

Publications (2)

Publication Number Publication Date
RU2010128548A true RU2010128548A (ru) 2012-01-20
RU2481725C2 RU2481725C2 (ru) 2013-05-10

Family

ID=42059669

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2010128548/07A RU2481725C2 (ru) 2008-09-25 2009-09-16 Устройство формирования изображения, способ управления устройством формирования изображения и камера с устройством формирования изображения

Country Status (8)

Country Link
US (1) US8847938B2 (ru)
EP (1) EP2352280B1 (ru)
JP (1) JP5262512B2 (ru)
KR (1) KR101618883B1 (ru)
CN (1) CN101836433B (ru)
RU (1) RU2481725C2 (ru)
TW (1) TWI422220B (ru)
WO (1) WO2010035668A1 (ru)

Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP5500007B2 (ja) * 2010-09-03 2014-05-21 ソニー株式会社 固体撮像素子およびカメラシステム
JP2015062275A (ja) * 2013-08-22 2015-04-02 キヤノン株式会社 固体撮像装置
EP3089444B1 (en) 2013-12-27 2020-04-29 Nikon Corporation Imaging unit and imaging device
US9516249B1 (en) * 2015-09-03 2016-12-06 Omnivision Technologies, Inc. Pixel control signal driver
KR102548551B1 (ko) * 2015-09-30 2023-06-28 가부시키가이샤 니콘 촬상 소자 및 전자 카메라
US9712774B1 (en) * 2016-01-14 2017-07-18 Omnivision Technologies, Inc. Method and system for implementing dynamic ground sharing in an image sensor with pipeline architecture
US11394910B2 (en) * 2016-01-19 2022-07-19 SK Hynix Inc. Image sensing device generating pixel signal with boost voltage and operating method thereof
TWI596946B (zh) * 2016-08-18 2017-08-21 友達光電股份有限公司 訊號讀取電路
JP2018046447A (ja) * 2016-09-15 2018-03-22 ソニーセミコンダクタソリューションズ株式会社 撮像素子および駆動方法、並びに電子機器
US10917596B2 (en) * 2018-08-29 2021-02-09 Himax Imaging Limited Pixel circuit for generating output signals in response to incident radiation

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH01111201A (ja) * 1987-10-23 1989-04-27 Mitsubishi Electric Corp 移動機械の位置検出制御方法
JP3309630B2 (ja) * 1995-03-20 2002-07-29 ソニー株式会社 スイッチング回路およびこれを用いた電荷転送装置
JPH09168117A (ja) * 1995-12-18 1997-06-24 Sony Corp 固体撮像素子
JP3466886B2 (ja) * 1997-10-06 2003-11-17 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP3856283B2 (ja) * 2000-02-14 2006-12-13 シャープ株式会社 固体撮像装置および撮像装置の駆動方法
US7053874B2 (en) * 2000-09-08 2006-05-30 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Light emitting device and driving method thereof
JP3882594B2 (ja) * 2001-11-28 2007-02-21 コニカミノルタホールディングス株式会社 固体撮像装置
JP2004120724A (ja) * 2002-09-26 2004-04-15 Honda Motor Co Ltd イメージセンサ
JP3621400B2 (ja) * 2003-03-03 2005-02-16 松下電器産業株式会社 固体撮像装置およびその製造方法
JP4120453B2 (ja) * 2003-04-18 2008-07-16 ソニー株式会社 固体撮像装置とその駆動制御方法
CN1910910B (zh) * 2004-01-13 2010-09-08 松下电器产业株式会社 固体摄像器件及使用它的摄像机
JP4432510B2 (ja) * 2004-01-29 2010-03-17 ソニー株式会社 物理量分布検知の半導体装置、並びにこの半導体装置の駆動制御方法および駆動制御装置
JP4432509B2 (ja) * 2004-01-29 2010-03-17 ソニー株式会社 物理量分布検知の半導体装置、並びにこの半導体装置の駆動制御方法および駆動制御装置
US7129883B2 (en) * 2004-02-23 2006-10-31 Sony Corporation Method and apparatus for AD conversion, semiconductor device for detecting distribution of physical quantity, and electronic apparatus
JP4403387B2 (ja) 2004-04-26 2010-01-27 ソニー株式会社 固体撮像装置および固体撮像装置の駆動方法
JP2006197392A (ja) * 2005-01-14 2006-07-27 Canon Inc 固体撮像装置、カメラ、及び固体撮像装置の駆動方法
JP4533367B2 (ja) * 2005-11-18 2010-09-01 キヤノン株式会社 固体撮像装置
JP2006101559A (ja) * 2005-12-27 2006-04-13 Sony Corp 固体撮像装置
JP4720836B2 (ja) * 2008-03-10 2011-07-13 ソニー株式会社 固体撮像装置

Also Published As

Publication number Publication date
WO2010035668A1 (ja) 2010-04-01
US20100231574A1 (en) 2010-09-16
EP2352280A1 (en) 2011-08-03
RU2481725C2 (ru) 2013-05-10
CN101836433A (zh) 2010-09-15
TW201029456A (en) 2010-08-01
JP5262512B2 (ja) 2013-08-14
US8847938B2 (en) 2014-09-30
EP2352280A4 (en) 2014-05-14
KR101618883B1 (ko) 2016-05-09
TWI422220B (zh) 2014-01-01
KR20110059559A (ko) 2011-06-02
EP2352280B1 (en) 2016-11-02
JP2010081168A (ja) 2010-04-08
CN101836433B (zh) 2012-12-05

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2010128548A (ru) Устройство формирования изображения, способ управления устройством формирования изображения и камера с устройством формирования изображения
JP4937380B2 (ja) Ｃｍｏｓイメージセンサー
US8411157B2 (en) Solid-state image pickup device and image pickup device
CN102780858B (zh) 固态成像设备、其驱动方法及固态成像系统
US7755688B2 (en) Photoelectric conversion device and image sensing system
CN100502474C (zh) 固态成像装置、驱动固态成像装置的方法和图像拾取设备
JP5203913B2 (ja) 光電変換装置、撮像システム、及び光電変換装置の駆動方法
RU2010128174A (ru) Твердотельное устройство формирования изображения, способ управления таким устройством и система камеры
RU2010139526A (ru) Устройство съемки изображения и система камеры
US8698930B2 (en) Photoelectric conversion apparatus, focus detection apparatus, and image pickup system
US8792037B2 (en) Solid-state imaging device and method of driving the same where three levels of potentials including a negative potential are applied in the transfer gate
JP4659876B2 (ja) 固体撮像装置及びカメラシステム
JP2013102383A (ja) 固体撮像装置
US9930283B2 (en) Solid state image sensor and electronic apparatus
KR102538715B1 (ko) 고체 촬상 장치, 그 구동 방법 및 전자 기기
KR101598748B1 (ko) 고체 촬상 장치
JP2015115660A5 (ja) 撮像装置及びその制御方法、及び撮像素子
JP2017120973A (ja) 撮像素子
JP6650876B2 (ja) マルチレベル転送ゲートを有するイメージセンサ画素
CN108777771B (zh) 图像感测器及成像系统的运作方法
JP2014230212A (ja) 光電変換装置及び撮像システム
KR102453812B1 (ko) 이미지 센싱 장치 및 그의 구동 방법
US8948584B2 (en) Photoelectric conversion device and camera system
TWI337494B (en) Image sensor, module and electronic device
KR101407792B1 (ko) 고체 촬상 장치 및 고체 촬상 장치의 제어 방법

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20150917