JP2006101559A - 固体撮像装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 リセットトランジスタ120および転送トランジスタ122は、駆動電源(駆動電圧Vdd)とPD110の出力との間に縦に接続され、そのソース・ドレイン間にFD部116が設けられている。また、選択トランジスタ124と増幅トランジスタ126は、垂直信号線112と駆動電源との間に縦に接続され、増幅トランジスタ126のゲートがFD部116が接続されている。増幅トランジスタ126と選択トランジスタ124の接続位置が従来と逆に駆動電源側に選択トランジスタ124が設けられ、垂直信号線112側に増幅トランジスタ126が設けられている。そして、リセットトランジスタ120によるリセット動作の終了後に、選択トランジスタ124をオンさせる。
【選択図】図1
Description
この図4は、フォトダイオード10に蓄積した光電子を垂直信号線12に出力するまでの構成を示しており、垂直信号線12の下端側(後述するS/H・CDS回路への電圧出力)はハイインピーダンスとなっている。また、垂直信号線12の上端側は画素部の外で定電流源14に接続されている。
まず、リセットトランジスタ20および転送トランジスタ22が、駆動電源(駆動電圧Vdd)とPD10の出力との間に縦に接続されており、リセットトランジスタ20のソースと転送トランジスタ22のドレインとの間にフローティングディフュージョン部(以下、FD部という)16が設けられている。
また、選択トランジスタ24と増幅トランジスタ26が、垂直信号線12と駆動電源(駆動電圧Vdd)との間に縦に接続されており、増幅トランジスタ26のゲートにFD部16が接続されている。
このような構成において、選択トランジスタ24をONすると、増幅トランジスタ26と撮像部外の定電流源14がソースフォロアを組むので、垂直信号線12の電位は、増幅トランジスタ26のゲート電圧すなわちFD部16の電位に追従した値となる。この値が画素の出力となる。
まず、図5の横軸に示す「t10」のタイミングでは、PD10に光電子を蓄積する。
次に、「t11」のタイミングで選択トランジスタ24をONする。
そして、「t12」のタイミングでリセットトランジスタ20にリセットパルスを入力し、FD部16をリセットする。
この後、「t13」に示す期間で、垂直信号線12の電位(リセットレベル)を後段のS/H・CDS回路で取り込む。
そして、「t14」のタイミングで転送パルスを入力し、PD10からFD部16に光電子を転送する。
次に、「t16」のタイミングでリセットパルスを入力し、FD部16を再びリセットする。
最後に「t17」のタイミングで選択トランジスタ24をOFFし、「t10」の状態に戻る。
ここで、S/H・CDS回路は、引き続いて取り込まれた2つの電圧の差を取り、保持する回路であり、上記動作の場合は、上述したリセットレベルの値と光レベルの差を取り、信号レベルとして保持する。
一方、図5に示すように、選択トランジスタ24をONしている期間中にリセットパルスを入れることが一般的であった。その理由は、転送パルスとリセットパルスの状態を同じ(選択トランジスタ24がONしている)にした方が良いという直感からと思われる。
そして、これら2つの事項のうち、片方を満たす従来例は存在するが、両方に当てはまるものは知られていないものと思われる。
一方、LSIの進化に伴い、LSIの電源電圧は5V→3.3V→2.5V→1.8V→1.3Vというように急速に低下する傾向となっている。
ここでMOS型固体撮像装置は、ソースフォロアの動作電圧+信号振幅+マージン分の電圧が必要であり、信号振幅は500mV〜1Vが要求される。
このことから、従来のMOS型固体撮像装置では、TG等の周辺回路は低電圧化の方向に乗ることができるにもかかわらず、画素部の動作に必要な電圧が障害となって、2.5V以下の電源電圧に対応していくことが困難となっていた。
図1は、本発明の固体撮像装置における画素部の構成例を示す回路図であり、図2は、図1に示す画素部の動作例を示すタイミングチャートである。
また、図3は、図1に示す画素部が設けられるMOS型固体撮像装置の全体構成を示す平面図である。
この固体撮像装置において、図4、図5に示す従来例と異なるところは、増幅トランジスタ126と選択トランジスタ124の接続位置が入れ替わっていることと、リッセットパルスが選択パルスの外に出ていることである。
図1に示すように、本例の固体撮像装置の画素部は、フォトダイオード(PD)110、垂直信号線112、MOSトランジスタ120、122、124、126などを備えて構成されている。
また、図1において、垂直信号線112の下端側(後述するS/H・CDS回路への電圧出力)はハイインピーダンスとなっており、垂直信号線112の上端側は画素部の外で定電流源としてのLoadトランジスタ114に接続されている。
また、選択トランジスタ124と増幅トランジスタ126は、垂直信号線112と駆動電源(駆動電圧Vdd)との間に縦に接続されており、増幅トランジスタ126のゲートにFD部116が接続されている。
リセットトランジスタ120のゲートにはリセットパルスが入力され、転送トランジスタ122のゲートには転送パルスが入力され、選択トランジスタ124のゲートには選択パルスが入力されている。
そして、本例では、増幅トランジスタ126と選択トランジスタ124の接続位置が従来と逆になっており、駆動電源側に選択トランジスタ124が設けられ、垂直信号線112側に増幅トランジスタ126が設けられている。
撮像部200は、上述した図1に示す構成の画素部を垂直方向と水平方向の2次元行列状に多数設けたものである。
また、定電流部210は、各画素列に対応して多数の定電流回路を設けたものであり、S/H・CDS部220は、各画素列に対応して多数のS/H・CDS回路を設けたものである。
垂直(V)選択手段230は、各画素部の行を選択するものであり、水平(H)選択手段240は、S/H・CDS部220で各S/H・CDS回路に保持されている信号を順番に水平信号線118に読み出すものである。この読み出された信号は、出力部250で処理され、撮像信号として出力される。
また、TG260は、これらの各部の動作に必要なパルスを作成して出力するタイミングジェネレータである。
図1に示す構成において、選択トランジスタ124をONすると、増幅トランジスタ126と撮像部外の定電流源(Loadトランジスタ)114がソースフォロアを組むので、垂直信号線112の電位は、増幅トランジスタ126のゲート電圧すなわちFD部116の電位に追従した値となる点は上記従来例と同様である。
まず、図2の横軸に示す「t0」のタイミングでは、PD110に光電子を蓄積する。
次に、「t1」のタイミングでLoadトランジスタ114をONする。ここでは定電流源とするため、ゲート電圧は0.8V程度とする。
そして、「t2」のタイミングでリセットトランジスタ120にリセットパルスを入力し、FD部116をリセットする。
次に、「t3」のタイミングで選択トランジスタ124をONする。
この後、「t4」に示す期間で、垂直信号線112の電位(リセットレベル)を後段のS/H・CDS回路で取り込む。
そして、「t5」のタイミングで転送パルスを入力し、PD110からFD部116に光電子を転送する。
次に「t7」のタイミングで選択トランジスタ124をOFFする。
そして、「t8」のタイミングでリセットパルスを入力し、FD部116を再びリセットする。
最後に「t9」のタイミングでLoadトランジスタ114をOFFする。
なお、その他の動作は上記従来例と同様であるものとする。
まず、「t1」でLoadトランジスタ114がONすることによって、垂直信号線112の電位は0Vになる。
そして、「t2」でFD部116をリセットすると、リセット後の「t2’」のタイミングにおけるFD部116の電位Vfdは、次の(式1)のようになる。
Vfd=Vdd−A−B−C ……(式1)
ここで、Vddは電源電圧、Aはリセットトランジスタ120の閾値落ちによる電圧降下分、BはリセットゲートとFD部116との容量結合による電圧降下分、Cはリセットトランジスタ120のチャネル電子の戻りによる電圧降下分である。
この電位は、上記従来例の場合の「t13」におけるリセットレベル取り込みのときのFD電位と同じものである。
すなわち、上記従来例では、ここでの電圧降下が低電圧化のネックになっていた。例えば、Aが0.5V、BとCの合計が0.4Vとすると、ここで0.9Vの電圧のロスが生じる。
そこで本例では、増幅トランジスタ126と選択トランジスタ124の位置が入れ替わっていることと、初めのリセットパルスが選択トランジスタ124をOFFしているときに立つことの両方がなされているために、「t4」のリセットレベル取り込み時のFD電圧を上げることができる。
そして「t3」で選択トランジスタ124をONすることにより、α点の電位Vαは、次の(式2)のようになる。
Vα=Vdd−D−E ……(式2)
ここで、Dは選択トランジスタ124の閾値落ちによる電圧降下分、Eは選択トランジスタ124の抵抗による電圧降下分である。
つまり、α点の電位は、0Vから式2の値まで上がる。
また、α点とFD部116は、増幅トランジスタ126のゲートを介して容量結合しているので、このときにFD部116の電位も式1の値から上昇することになる。その振幅は、例えばVdd=2.5Vに対して、0.3V〜0.7Vに達し、低電圧化を考慮すると非常に大きいファクタとなる。
また、もしも図5に示す従来例の動作のように、初めてのリセットパルスが選択トランジスタ24をOFFしているときに入ると、図1に示す本例の構成になっていても、リセットレベル取り込みのときのFD電位は式1のものであるので、やはりFD電位を上げることはできない。
つまり、本例で説明した図1の構成と図2の動作方法の2つの組み合わせによって、新たな効果、FD電位を上げ、その分低電圧化をすることができる。
そのために、次のいずれかの方法によって選択トランジスタ124の閾値落ちの成分を無くすことが望ましい。
(1)選択トランジスタ124を、それがONしたときに選択トランジスタ124の閾値落ちが無いレベルまで、閾値の低いDepletionトランジスタにする。ここでの閾値は、例えばVdd=2.5Vの場合は、−0.4V以下という通常では作ることの無い値とする。
(2)選択トランジスタ124のゲートに入るHighレベルを、選択トランジスタ124の閾値落ちが無いレベルまで電源電圧よりも高く設定する。例えばVdd=2.5Vの場合は、3.1V以上とする。
(1)リセットトランジスタ120を、それがONしたときにFD部116を電源電圧までリセットできるレベルまで、閾値の低いDepletionトランジスタにする。ここでの閾値は、例えばVdd=2.5Vの場合は、−0.4V以下という通常では作ることの無い値とする。
(2)リセットトランジスタ120のゲートに入るHighレベルを、FD部116を電源電圧までリセット可能なレベルまで、電源電圧よりも高く設定する。例えばVdd=2.5Vの場合は、3.1V以上とする。
また、画素部の各トランジスタとLoadトランジスタが全てNMOSで構成していたが、これらを全てPMOSに置き換えても、電圧の高低を入れ替えれば全て同様の構成とすることが可能である。
Claims (6)
- 撮像部内に設けられた複数の画素部に、
受光量に応じて光電荷を蓄積する光電変換手段と、
前記光電変換手段によって蓄積された光電荷を受け取るフローティングディフュージョン部と、
前記光電変換手段によって蓄積された光電荷を前記フローティングディフュージョン部に転送する転送手段と、
前記フローティングディフュージョン部から光電荷に対応する信号を取り出す増幅トランジスタと、
前記フローティングディフュージョン部に印加された光電荷をリセットするリセットトランジスタと、
前記増幅トランジスタと接続され、増幅トランジスタの出力を撮像部外の電流源に接続された信号線に選択的に接続する選択トランジスタとを設け、
前記増幅トランジスタは前記選択トランジスタと信号線との間に挿入され、
かつ、前記リセットトランジスタによるリセット動作の終了後に、前記選択トランジスタをオンさせる、
ことを特徴とする固体撮像装置。 - 前記リセットトランジスタによるリセット動作の開始前に、前記選択トランジスタをオフさせることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記選択トランジスタは、オンした時に、ほぼ閾値落ちの無いレベルまで閾値の低いデプレッショントランジスタよりなることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記選択トランジスタのゲートに入力される選択パルスのHighレベルは、ほぼ閾値落ちの無いレベルまで電源電圧よりも高く設定されていることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記リセットトランジスタは、オンした時に、前記フローティングディフュージョン部をほぼ電源電圧にリセットできるレベルまで、閾値の低いデプレッショントランジスタよりなることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
- 前記リセットトランジスタのゲートに入力されるリセットパルスのHighレベルは、オンした時に、前記フローティングディフュージョン部をほぼ電源電圧にリセットできるレベルまで、電源電圧よりも高く設定されていることを特徴とする請求項1記載の固体撮像装置。
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