RU2008137493A - Способ получения поверхностей высокого качества и изделие с поверхностью высокого качества - Google Patents
Способ получения поверхностей высокого качества и изделие с поверхностью высокого качества Download PDFInfo
- Publication number
- RU2008137493A RU2008137493A RU2008137493/02A RU2008137493A RU2008137493A RU 2008137493 A RU2008137493 A RU 2008137493A RU 2008137493/02 A RU2008137493/02 A RU 2008137493/02A RU 2008137493 A RU2008137493 A RU 2008137493A RU 2008137493 A RU2008137493 A RU 2008137493A
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- target
- coating
- synthetic polymer
- ablation
- metal
- Prior art date
Links
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title 1
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract 22
- 239000011248 coating agent Substances 0.000 claims abstract 15
- 238000000576 coating method Methods 0.000 claims abstract 15
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract 13
- 229920001059 synthetic polymer Polymers 0.000 claims abstract 12
- 238000000608 laser ablation Methods 0.000 claims abstract 8
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 claims abstract 6
- 239000002131 composite material Substances 0.000 claims abstract 6
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims abstract 6
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract 6
- 229920005615 natural polymer Polymers 0.000 claims abstract 6
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims abstract 6
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract 6
- 238000002679 ablation Methods 0.000 claims abstract 4
- 238000005259 measurement Methods 0.000 claims abstract 3
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 claims abstract 2
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 claims abstract 2
- 239000013077 target material Substances 0.000 claims abstract 2
- 150000002736 metal compounds Chemical class 0.000 claims 4
- 230000008020 evaporation Effects 0.000 claims 2
- 238000001704 evaporation Methods 0.000 claims 2
- 239000002245 particle Substances 0.000 claims 2
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims 1
- 238000005482 strain hardening Methods 0.000 claims 1
- 229910000765 intermetallic Inorganic materials 0.000 abstract 2
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/0605—Carbon
- C23C14/0611—Diamond
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/081—Oxides of aluminium, magnesium or beryllium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/083—Oxides of refractory metals or yttrium
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/08—Oxides
- C23C14/087—Oxides of copper or solid solutions thereof
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/12—Organic material
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
- C23C14/14—Metallic material, boron or silicon
- C23C14/20—Metallic material, boron or silicon on organic substrates
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
- C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
- C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
- C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
- C23C14/24—Vacuum evaporation
- C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/26—Web or sheet containing structurally defined element or component, the element or component having a specified physical dimension
Landscapes
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Mechanical Engineering (AREA)
- Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Materials Engineering (AREA)
- Metallurgy (AREA)
- Organic Chemistry (AREA)
- Toxicology (AREA)
- Health & Medical Sciences (AREA)
- Physical Vapour Deposition (AREA)
- Laser Beam Processing (AREA)
- Application Of Or Painting With Fluid Materials (AREA)
- Laminated Bodies (AREA)
- Photovoltaic Devices (AREA)
Abstract
1. Способ лазерной абляции для нанесения покрытия (покрытий) на объект, имеющий одну или более поверхностей, причем способ включает ! удерживание объекта на заданном расстоянии от мишени, ! облучение мишени пучком лазера для холодной обработки и тем самым обеспечение холодной абляции материала мишени с получением высококачественной плазмы, ! формирование из высококачественной плазмы покрытия на поверхности объекта; ! при этом шероховатость указанной поверхности составляет ±100 нм по результатам измерений на участке 1 мкм2 с помощью атомно-силового микроскопа (АСМ), а покрытие содержит менее одного микроотверстия на 1 мм2. ! 2. Способ по п.1, отличающийся тем, что подложка выполнена из металла, металлического соединения, стекла, камня, керамики, синтетического полимера, полусинтетического полимера, природного полимера, бумаги, композитного материала, неорганического или органического мономерного или олигомерного материала. ! 3. Способ по п.1, отличающийся тем, что мишень выполнена из металла, металлического соединения, стекла, камня, керамики, синтетического полимера, полусинтетического полимера, природного полимера композитного материала, неорганического или органического мономерного или олигомерного материала. ! 4. Способ по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что лазерную абляцию осуществляют в вакууме при давлении 98·102·98·10-9 Па. ! 5. Способ по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что лазерную абляцию осуществляют при нормальном атмосферном давлении. ! 6. Способ по п.1, отличающийся тем, что мишень аблируют посредством лазерного пучка таким образом, что испарение материала происходит, по существу, непрерывно, причем из уча�
Claims (20)
1. Способ лазерной абляции для нанесения покрытия (покрытий) на объект, имеющий одну или более поверхностей, причем способ включает
удерживание объекта на заданном расстоянии от мишени,
облучение мишени пучком лазера для холодной обработки и тем самым обеспечение холодной абляции материала мишени с получением высококачественной плазмы,
формирование из высококачественной плазмы покрытия на поверхности объекта;
при этом шероховатость указанной поверхности составляет ±100 нм по результатам измерений на участке 1 мкм2 с помощью атомно-силового микроскопа (АСМ), а покрытие содержит менее одного микроотверстия на 1 мм2.
2. Способ по п.1, отличающийся тем, что подложка выполнена из металла, металлического соединения, стекла, камня, керамики, синтетического полимера, полусинтетического полимера, природного полимера, бумаги, композитного материала, неорганического или органического мономерного или олигомерного материала.
3. Способ по п.1, отличающийся тем, что мишень выполнена из металла, металлического соединения, стекла, камня, керамики, синтетического полимера, полусинтетического полимера, природного полимера композитного материала, неорганического или органического мономерного или олигомерного материала.
4. Способ по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что лазерную абляцию осуществляют в вакууме при давлении 98·102·98·10-9 Па.
5. Способ по любому из пп.1-3, отличающийся тем, что лазерную абляцию осуществляют при нормальном атмосферном давлении.
6. Способ по п.1, отличающийся тем, что мишень аблируют посредством лазерного пучка таким образом, что испарение материала происходит, по существу, непрерывно, причем из участка мишени, ранее не подвергавшегося абляции.
7. Способ по п.6, отличающийся тем, что осуществляют подачу мишени в виде пластинки.
8. Способ по п.6, отличающийся тем, что осуществляют подачу мишени в виде пленки/ленты.
9. Способ по п.1, отличающийся тем, что лазерный пучок направляют на мишень посредством турбосканера.
10. Способ по п.9, отличающийся тем, что ширина полосы сканирования на мишени составляет 10-800 мм, желательно 100-400 мм и предпочтительно 150-300 мм.
11. Способ по п.1, отличающийся тем, что подложку перемещают в плазменном факеле, образованном испарением материала одной или более мишеней посредством лазерной абляции.
12. Способ по п.1, отличающийся тем, что расстояние между покрываемым объектом и мишенью поддерживают, по существу, постоянным на протяжении всего периода абляции.
13. Способ по п.1, отличающийся тем, что покрытие, образующее требуемую поверхность, формируют из материала, аблированного одновременно из нескольких мишеней.
14. Способ по п.1 или 13, отличающийся тем, что покрытие, образующее требуемую поверхность, формируют при введении в плазменный факел, образованный аблированным материалом, реактивного материала, который реагирует с аблированным материалом, содержащимся в плазменном факеле, а образующееся (образующиеся) в результате соединение (соединения) формирует (формируют) указанную поверхность на подложке.
15. Способ по п.1, отличающийся тем, что покрытие, образующее требуемую поверхность, формируют таким образом, что оно содержит менее одного микроотверстия на 1 см2 и предпочтительно не содержит ни одного микроотверстия на всей площади покрытой поверхности.
16. Способ по п.1, отличающийся тем, что покрытие, образующее требуемую поверхность, формируют таким образом, что первые 50% указанного покрытия не содержат никаких частиц с диаметром, превышающим 1000 нм, предпочтительно 100 нм и наиболее предпочтительно 30 нм.
17. Объект с покрытием, нанесенным способом лазерной абляции, на одну или более его поверхностей, отличающийся тем, что покрытие на указанный объект нанесено как на подложку абляцией мишени импульсным лазером для холодной обработки, при этом однородность поверхности покрытия на объекте составляет ±100 нм по результатам измерений на участке 1 мкм2 с помощью АСМ.
18. Объект по п.17, отличающийся тем, что указанная подложка выполнена из металла, металлического соединения, стекла, камня, керамики, синтетического полимера, полусинтетического полимера, природного полимера, бумаги, композитного материала, неорганического или органического мономерного или олигомерного материала.
19. Объект по п.17, отличающийся тем, что указанная мишень выполнена из металла, металлического соединения, стекла, камня, керамики, синтетического полимера, полусинтетического полимера, природного полимера, композитного материала, неорганического или органического мономерного или олигомерного материала.
20. Объект по любому из пп.17-19, отличающийся тем, что покрытие сформировано таким образом, что его первые 50% не содержат никаких частиц с диаметром, превышающим 1000 нм, предпочтительно 100 нм и наиболее предпочтительно 30 нм.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| FI20060177 | 2006-02-23 | ||
| FI20060177A FI20060177L (fi) | 2006-02-23 | 2006-02-23 | Menetelmä tuottaa hyvälaatuisia pintoja ja hyvälaatuisen pinnan omaava tuote |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| RU2008137493A true RU2008137493A (ru) | 2010-03-27 |
| RU2435871C2 RU2435871C2 (ru) | 2011-12-10 |
Family
ID=35953641
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| RU2008137493/02A RU2435871C2 (ru) | 2006-02-23 | 2007-02-23 | Способ получения поверхностей высокого качества и изделие с поверхностью высокого качества |
Country Status (9)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US20090169871A1 (ru) |
| EP (1) | EP1991386A2 (ru) |
| JP (1) | JP5437640B2 (ru) |
| KR (1) | KR101367839B1 (ru) |
| CN (4) | CN101389441B (ru) |
| FI (1) | FI20060177L (ru) |
| IL (1) | IL193646A0 (ru) |
| RU (1) | RU2435871C2 (ru) |
| WO (1) | WO2007096461A2 (ru) |
Families Citing this family (42)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7713632B2 (en) | 2004-07-12 | 2010-05-11 | Cardinal Cg Company | Low-maintenance coatings |
| KR101395425B1 (ko) * | 2006-02-23 | 2014-05-15 | 피코데온 리미티드 오와이 | 유리 기재 상의 코팅 및 코팅된 유리 제품 |
| US7862910B2 (en) | 2006-04-11 | 2011-01-04 | Cardinal Cg Company | Photocatalytic coatings having improved low-maintenance properties |
| US20080011599A1 (en) | 2006-07-12 | 2008-01-17 | Brabender Dennis M | Sputtering apparatus including novel target mounting and/or control |
| US7820296B2 (en) | 2007-09-14 | 2010-10-26 | Cardinal Cg Company | Low-maintenance coating technology |
| FI20070889L (fi) * | 2007-11-21 | 2009-05-22 | Picodeon Ltd Oy | Pinnankäsittelymenetelmä |
| US20090187253A1 (en) * | 2008-01-18 | 2009-07-23 | Sandvik Intellectual Property Ab | Method of making a coated medical bone implant and a medical bone implant made thereof |
| ES2343668B1 (es) * | 2009-02-04 | 2011-07-22 | Consejo Superior De Investigaciones Cientificas (Csic)(50%) | Procedimiento de marcaje, encriptacion, etiquetado y codificacion optica. |
| DE102009019166B3 (de) * | 2009-04-23 | 2010-12-02 | Axo Dresden Gmbh | Verfahren zur Herstellung eines Referenzkörpers für Röntgenfluoreszenzuntersuchungen an Substraten und mit dem Verfahren hergestellter Referenzkörper |
| FI20096154A0 (fi) | 2009-11-06 | 2009-11-06 | Beneq Oy | Menetelmä kalvon muodostamiseksi, kalvo ja sen käyttöjä |
| US20130256286A1 (en) * | 2009-12-07 | 2013-10-03 | Ipg Microsystems Llc | Laser processing using an astigmatic elongated beam spot and using ultrashort pulses and/or longer wavelengths |
| US20120221099A1 (en) * | 2011-02-24 | 2012-08-30 | Alexander Borck | Coated biological material having improved properties |
| CN102418082B (zh) * | 2011-11-21 | 2013-10-30 | 中国矿业大学 | 薄膜涂层微纳米织构制备方法及其装置 |
| CN102496658B (zh) * | 2011-12-27 | 2013-11-20 | 天威新能源控股有限公司 | 一种太阳能电池减反射膜的制备方法 |
| DE102011122510A1 (de) * | 2011-12-29 | 2013-07-04 | Fraunhofer-Gesellschaft zur Förderung der angewandten Forschung e.V. | Beschichtung von optischen Wellenleitern |
| US8513045B1 (en) * | 2012-01-31 | 2013-08-20 | Sunpower Corporation | Laser system with multiple laser pulses for fabrication of solar cells |
| CN102677045B (zh) * | 2012-05-22 | 2014-10-01 | 山东能源机械集团大族再制造有限公司 | 一种激光熔覆方法 |
| WO2014194179A1 (en) * | 2013-05-30 | 2014-12-04 | Ipg Microsystems Llc | Laser processing using an astigmatic elongated beam spot and using ultrashort pulses and/or longer wavelengths |
| US20150014289A1 (en) * | 2013-07-12 | 2015-01-15 | Benxin Wu | Laser-induced plasma deburring |
| RU2556177C1 (ru) * | 2014-01-09 | 2015-07-10 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский государственный университет геосистем и технологий" (СГУГиТ) | Способ сублимационного лазерного профилирования или сверления прозрачных подложек |
| US20170096657A1 (en) * | 2014-03-11 | 2017-04-06 | Les Innovations Materium Inc. | Processes for preparing silica-carbon allotrope composite materials and using same |
| FI126659B (fi) | 2014-09-24 | 2017-03-31 | Picodeon Ltd Oy | Menetelmä Li-akkujen separaattorikalvojen pinnoittamiseksi ja pinnoitettu separaattorikalvo |
| EP3250728A1 (de) * | 2015-01-28 | 2017-12-06 | Siltectra GmbH | Transparenter und hochstabiler displayschutz |
| CN106556898A (zh) * | 2015-09-25 | 2017-04-05 | 国网辽宁省电力有限公司本溪供电公司 | 一种光缆绝缘防火涂层喷涂工艺 |
| RU2614330C1 (ru) * | 2015-11-09 | 2017-03-24 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет" | Способ получения тонкой наноалмазной пленки на стеклянной подложке |
| WO2017106341A1 (en) * | 2015-12-14 | 2017-06-22 | The Board Of Trustees Of The Leland Stanford Junior University | Device fabrication using 3d printing |
| RU2630941C1 (ru) * | 2016-07-04 | 2017-09-14 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Юго-Западный государственный университет" (ЮЗ ГУ) | Цистерна для транспортирования сжиженного природного газа |
| KR20190025721A (ko) * | 2016-07-28 | 2019-03-11 | 일렉트로 싸이언티픽 인더스트리이즈 인코포레이티드 | 작업물을 레이저 가공하는 레이저 가공 장치 및 방법 |
| TWI637805B (zh) * | 2016-10-25 | 2018-10-11 | 財團法人工業技術研究院 | 金屬表面之雷射加工系統及其方法 |
| WO2018093985A1 (en) | 2016-11-17 | 2018-05-24 | Cardinal Cg Company | Static-dissipative coating technology |
| DE102017002986B4 (de) * | 2016-12-13 | 2019-08-29 | AIXLens GmbH | Verfahren zur Herstellung einer transmitiven Optik und Intraokularlinse |
| RU2675194C1 (ru) * | 2017-07-18 | 2018-12-17 | Федеральное государственное бюджетное учреждение науки Физико-технический институт им. А.Ф. Иоффе Российской академии наук | Способ упрочнения поверхности вольфрамовой пластины |
| CN109848569A (zh) * | 2017-11-29 | 2019-06-07 | 北京自动化控制设备研究所 | 一种mems硅结构的激光刻蚀方法 |
| CN108857941A (zh) * | 2018-05-23 | 2018-11-23 | 彩虹集团有限公司 | 一种大尺寸玻璃基板溢流砖工作基准面的加工刀具和方法 |
| CN109954966A (zh) * | 2019-03-28 | 2019-07-02 | 大族激光科技产业集团股份有限公司 | 通过飞秒激光进行金属表面处理的方法 |
| CN111203651B (zh) * | 2020-01-15 | 2021-06-22 | 北京理工大学 | 空间整形飞秒激光在透明材料内部加工计算全息图的方法 |
| RU2751608C1 (ru) * | 2020-10-06 | 2021-07-15 | Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Московский государственный технологический университет "СТАНКИН" (ФГБОУ ВО "МГТУ "СТАНКИН") | Способ модификации поверхностного слоя режущих пластин из инструментальной керамики, предназначенной для точения никелевых сплавов |
| CN112719617A (zh) * | 2020-12-24 | 2021-04-30 | 鹤山市精工制版有限公司 | 一种激光雕刻镭射全息图案生产工艺 |
| CN114763259B (zh) * | 2021-02-02 | 2023-07-25 | 天津大学 | 利用激光烧蚀法在衬底表面制备氮化碳薄膜涂层的方法及其应用 |
| CN113523577A (zh) * | 2021-07-09 | 2021-10-22 | 济南森峰激光科技股份有限公司 | 基于转镜的perc电池片高速激光开槽方法、装置及perc电池片 |
| RU2766421C1 (ru) * | 2021-11-29 | 2022-03-15 | Дмитрий Юрьевич Старцев | Способ нанесения оксидированной нержавеющей стали на стеклянные изделия |
| CN114843543A (zh) * | 2022-06-01 | 2022-08-02 | 冠驰新能科技(南京)有限公司 | 一种超疏冷凝水表面及其制备方法、电池极板和燃料电池 |
Family Cites Families (57)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4099830A (en) * | 1976-12-15 | 1978-07-11 | A. J. Bingley Limited | Optical systems including polygonal mirrors rotatable about two axes |
| DE2918283C2 (de) * | 1979-05-07 | 1983-04-21 | Carl Baasel, Lasertechnik KG, 8000 München | Gerät zur Substratbehandlung mit einem Drehspiegel od. dgl. |
| US4701592A (en) * | 1980-11-17 | 1987-10-20 | Rockwell International Corporation | Laser assisted deposition and annealing |
| FR2496703A1 (fr) * | 1980-12-24 | 1982-06-25 | Labo Electronique Physique | Source d'evaporation de manganese sur substrat dans le vide, notamment sur substrat de couche photosensible dans un tube photo-electrique et procede de fabrication |
| US4394236A (en) * | 1982-02-16 | 1983-07-19 | Shatterproof Glass Corporation | Magnetron cathode sputtering apparatus |
| US4686128A (en) * | 1985-07-01 | 1987-08-11 | Raytheon Company | Laser hardened missile casing |
| JPS62174370A (ja) * | 1986-01-28 | 1987-07-31 | Mitsubishi Electric Corp | セラミツクスコ−テイング装置 |
| JP2505375B2 (ja) * | 1986-10-27 | 1996-06-05 | 株式会社日立製作所 | 化合物膜の成膜方法及び成膜装置 |
| US5411797A (en) * | 1988-04-18 | 1995-05-02 | Board Of Regents, The University Of Texas System | Nanophase diamond films |
| US5098737A (en) * | 1988-04-18 | 1992-03-24 | Board Of Regents The University Of Texas System | Amorphic diamond material produced by laser plasma deposition |
| JPH02122813A (ja) * | 1988-11-02 | 1990-05-10 | Nippon Atom Ind Group Co Ltd | 金属蒸気発生装置 |
| JPH05804A (ja) * | 1990-08-01 | 1993-01-08 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 大面積複合酸化物超電導薄膜の成膜装置 |
| DE69203633T2 (de) * | 1991-03-18 | 1996-01-25 | Gen Motors Corp | Filme aus kohlenstofflegiertem, kubischem Bornitrid. |
| JPH0532491A (ja) * | 1991-07-29 | 1993-02-09 | Sumitomo Electric Ind Ltd | 複合酸化物超電導薄膜の成膜方法 |
| JP3101636B2 (ja) * | 1991-11-21 | 2000-10-23 | 日本たばこ産業株式会社 | 帯状シートの穿孔装置 |
| JP3255469B2 (ja) * | 1992-11-30 | 2002-02-12 | 三菱電機株式会社 | レーザ薄膜形成装置 |
| AU8070294A (en) * | 1993-07-15 | 1995-02-13 | President And Fellows Of Harvard College | Extended nitride material comprising beta -c3n4 |
| US5578229A (en) * | 1994-10-18 | 1996-11-26 | Michigan State University | Method and apparatus for cutting boards using opposing convergent laser beams |
| US5683601A (en) * | 1994-10-24 | 1997-11-04 | Panasonic Technologies, Inc. | Laser ablation forward metal deposition with electrostatic assisted bonding |
| JPH08325714A (ja) * | 1995-05-26 | 1996-12-10 | Mitsubishi Electric Corp | 蒸着装置 |
| US6063455A (en) | 1995-10-09 | 2000-05-16 | Institute For Advanced Engineering | Apparatus for manufacturing diamond film having a large area and method thereof |
| JPH09118589A (ja) * | 1995-10-26 | 1997-05-06 | International Superconductivity Technology Center | 酸化物薄膜生成法 |
| USH1933H1 (en) * | 1996-04-08 | 2001-01-02 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Magnetron sputter-pulsed laser deposition system and method |
| US5742028A (en) * | 1996-07-24 | 1998-04-21 | General Electric Company | Preloaded laser shock peening |
| US5736709A (en) * | 1996-08-12 | 1998-04-07 | Armco Inc. | Descaling metal with a laser having a very short pulse width and high average power |
| US6683783B1 (en) * | 1997-03-07 | 2004-01-27 | William Marsh Rice University | Carbon fibers formed from single-wall carbon nanotubes |
| US5880552A (en) * | 1997-05-27 | 1999-03-09 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Navy | Diamond or diamond like carbon coated chemical sensors and a method of making same |
| AUPO912797A0 (en) * | 1997-09-11 | 1997-10-02 | Australian National University, The | Ultrafast laser deposition method |
| US5858478A (en) * | 1997-12-02 | 1999-01-12 | The Aerospace Corporation | Magnetic field pulsed laser deposition of thin films |
| JPH11189472A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-07-13 | Hamamatsu Photonics Kk | 窒化炭素の合成方法 |
| FR2775005B1 (fr) * | 1998-02-17 | 2000-05-26 | Univ Lille Sciences Tech | Revetement a base de nitrure de carbone ultra-dur et souple et son procede de preparation |
| US6159832A (en) * | 1998-03-18 | 2000-12-12 | Mayer; Frederick J. | Precision laser metallization |
| US6198069B1 (en) * | 1998-08-13 | 2001-03-06 | The Regents Of The University Of California | Laser beam temporal and spatial tailoring for laser shock processing |
| WO2000022184A1 (en) * | 1998-10-12 | 2000-04-20 | The Regents Of The University Of California | Laser deposition of thin films |
| KR20000026066A (ko) * | 1998-10-17 | 2000-05-06 | 윤종용 | 회전반사경 조립체 및 이를 채용한 인쇄장치 |
| JP4480809B2 (ja) * | 1999-03-30 | 2010-06-16 | Ｈｏｙａ株式会社 | 酸化インジウム薄膜及びその製造方法 |
| US6428762B1 (en) * | 1999-07-27 | 2002-08-06 | William Marsh Rice University | Powder synthesis and characterization of amorphous carbon nitride, a-C3N4 |
| JP3531865B2 (ja) * | 2000-07-06 | 2004-05-31 | 独立行政法人 科学技術振興機構 | 超平坦透明導電膜およびその製造方法 |
| AUPR026100A0 (en) * | 2000-09-20 | 2000-10-12 | Tamanyan, Astghik | Deposition of thin films by laser ablation |
| JP2003021818A (ja) * | 2001-07-05 | 2003-01-24 | Toshiba Corp | 平面表示素子の製造方法 |
| US6676811B1 (en) * | 2001-08-13 | 2004-01-13 | The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Air Force | Method of depositing nanoparticles for flux pinning into a superconducting material |
| US6884328B2 (en) * | 2001-11-29 | 2005-04-26 | Seagate Technology Llc | Selective annealing of magnetic recording films |
| US6677552B1 (en) * | 2001-11-30 | 2004-01-13 | Positive Light, Inc. | System and method for laser micro-machining |
| US20030145681A1 (en) * | 2002-02-05 | 2003-08-07 | El-Shall M. Samy | Copper and/or zinc alloy nanopowders made by laser vaporization and condensation |
| US6809291B1 (en) * | 2002-08-30 | 2004-10-26 | Southeastern Universities Research Assn., Inc. | Process for laser machining and surface treatment |
| KR100565051B1 (ko) * | 2002-09-16 | 2006-03-30 | 삼성전자주식회사 | 광주사유닛 및 이를 채용한 전자사진방식 화상형성장치 |
| US20040250769A1 (en) * | 2002-10-28 | 2004-12-16 | Finisar Corporation | Pulsed laser deposition for mass production |
| KR100821810B1 (ko) * | 2002-11-08 | 2008-04-11 | 도꾸리쯔교세이호진 상교기쥬쯔 소고겡뀨죠 | 기판상의 막형성 방법 |
| JP4515136B2 (ja) * | 2003-04-21 | 2010-07-28 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | レーザビーム照射装置、薄膜トランジスタの作製方法 |
| US7397592B2 (en) * | 2003-04-21 | 2008-07-08 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Beam irradiation apparatus, beam irradiation method, and method for manufacturing a thin film transistor |
| US20050061779A1 (en) * | 2003-08-06 | 2005-03-24 | Walter Blumenfeld | Laser ablation feedback spectroscopy |
| US20050067389A1 (en) * | 2003-09-25 | 2005-03-31 | Greer James A. | Target manipulation for pulsed laser deposition |
| JP4141933B2 (ja) * | 2003-10-10 | 2008-08-27 | 独立行政法人科学技術振興機構 | 微粒子捕捉用の穴状回転フィルター板を有する成膜装置及び成膜方法 |
| US7049543B2 (en) * | 2003-11-07 | 2006-05-23 | The Regents Of The University Of California | Method of defining features on materials with a femtosecond laser |
| US7879410B2 (en) * | 2004-06-09 | 2011-02-01 | Imra America, Inc. | Method of fabricating an electrochemical device using ultrafast pulsed laser deposition |
| US7527824B2 (en) * | 2004-06-25 | 2009-05-05 | Becker Michael F | Methods for producing coated nanoparticles from microparticles |
| CN1312734C (zh) * | 2005-01-28 | 2007-04-25 | 华中科技大学 | 飞秒脉冲激光制备β－FeSi2半导体薄膜的方法 |
-
2006
- 2006-02-23 FI FI20060177A patent/FI20060177L/fi not_active IP Right Cessation
-
2007
- 2007-02-23 CN CN200780006700.XA patent/CN101389441B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-02-23 US US12/224,316 patent/US20090169871A1/en not_active Abandoned
- 2007-02-23 RU RU2008137493/02A patent/RU2435871C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2007-02-23 JP JP2008555814A patent/JP5437640B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2007-02-23 EP EP07704813A patent/EP1991386A2/en not_active Withdrawn
- 2007-02-23 CN CNA2007800103487A patent/CN101421071A/zh active Pending
- 2007-02-23 CN CN200780006479.8A patent/CN101389440B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2007-02-23 WO PCT/FI2007/000046 patent/WO2007096461A2/en active Application Filing
- 2007-02-23 KR KR1020087023267A patent/KR101367839B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2007-02-23 CN CNA2007800063615A patent/CN101389439A/zh active Pending
-
2008
- 2008-08-24 IL IL193646A patent/IL193646A0/en unknown
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP5437640B2 (ja) | 2014-03-12 |
| CN101389440A (zh) | 2009-03-18 |
| US20090169871A1 (en) | 2009-07-02 |
| WO2007096461A3 (en) | 2007-10-18 |
| IL193646A0 (en) | 2009-05-04 |
| WO2007096461A2 (en) | 2007-08-30 |
| RU2435871C2 (ru) | 2011-12-10 |
| CN101389439A (zh) | 2009-03-18 |
| CN101389440B (zh) | 2014-10-15 |
| FI20060177A0 (fi) | 2006-02-23 |
| JP2009527642A (ja) | 2009-07-30 |
| CN101389441B (zh) | 2014-09-10 |
| EP1991386A2 (en) | 2008-11-19 |
| KR20090005302A (ko) | 2009-01-13 |
| KR101367839B1 (ko) | 2014-03-14 |
| FI20060177L (fi) | 2007-08-24 |
| CN101389441A (zh) | 2009-03-18 |
| CN101421071A (zh) | 2009-04-29 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| RU2008137493A (ru) | Способ получения поверхностей высокого качества и изделие с поверхностью высокого качества | |
| US20080311345A1 (en) | Coating With Carbon Nitride and Carbon Nitride Coated Product | |
| JP5203226B2 (ja) | コーティング方法 | |
| JP2009527642A5 (ru) | ||
| ATE415502T1 (de) | Plasmaspritzverfahren | |
| JP2001515965A (ja) | 薄膜の蒸着方法 | |
| JP2006212646A (ja) | 周期構造作成方法 | |
| KR20030045082A (ko) | 레이저 제거 방법을 이용한 박막의 증착 | |
| Maffini et al. | Growth dynamics of pulsed laser deposited nanofoams | |
| JP2009527644A5 (ru) | ||
| EP1491653A3 (en) | Evaporative deposition methods and apparatus | |
| JP2009527359A (ja) | レーザ蒸散により表面および材料を提供する方法 | |
| JP2009527359A5 (ru) | ||
| Uccello et al. | Nanostructured rhodium films for advanced mirrors produced by Pulsed Laser Deposition | |
| He et al. | Maskless laser nano-lithography of glass through sequential activation of multi-threshold ablation | |
| Trelenberg et al. | Femtosecond pulsed laser ablation of GaAs | |
| RU2008137492A (ru) | Способ нанесения покрытия и металлическое изделие, снабженное покрытием | |
| Guan et al. | Synthesis of aligned nanoparticles on laser-generated templates | |
| Kamarulzaman et al. | Pulsed laser deposition of MgO thin films | |
| Csákó et al. | Property improvement of pulsed laser deposited boron carbide films by pulse shortening | |
| Kononenko et al. | Pulsed laser deposition of hard carbon coatings at atmospheric pressure | |
| Yap et al. | Diamond-like carbon formation for various positions by pulsed laser deposition | |
| JP6975972B2 (ja) | Ｙｆ３成膜体の製造方法 | |
| Zhang et al. | In situ lateral patterning of thin films of various materials deposited by physical vapor deposition | |
| Guan et al. | Non-lithographic organization of nickel catalyst for carbon nanofiber synthesis on laser-induced periodic surface structures |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20160224 |