RU2614330C1 - Способ получения тонкой наноалмазной пленки на стеклянной подложке - Google Patents

Способ получения тонкой наноалмазной пленки на стеклянной подложке Download PDF

Info

Publication number
RU2614330C1
RU2614330C1 RU2015148068A RU2015148068A RU2614330C1 RU 2614330 C1 RU2614330 C1 RU 2614330C1 RU 2015148068 A RU2015148068 A RU 2015148068A RU 2015148068 A RU2015148068 A RU 2015148068A RU 2614330 C1 RU2614330 C1 RU 2614330C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
laser
nanodiamond
target
detonation
film
Prior art date
Application number
RU2015148068A
Other languages
English (en)
Inventor
Владимир Александрович Плотников
Владимир Иванович Ярцев
Константин Васильевич Соломатин
Original Assignee
Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет" filed Critical Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Алтайский государственный университет"
Priority to RU2015148068A priority Critical patent/RU2614330C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2614330C1 publication Critical patent/RU2614330C1/ru

Links

Images

Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/22—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the process of coating
    • C23C14/24—Vacuum evaporation
    • C23C14/28—Vacuum evaporation by wave energy or particle radiation
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82B—NANOSTRUCTURES FORMED BY MANIPULATION OF INDIVIDUAL ATOMS, MOLECULES, OR LIMITED COLLECTIONS OF ATOMS OR MOLECULES AS DISCRETE UNITS; MANUFACTURE OR TREATMENT THEREOF
    • B82B3/00—Manufacture or treatment of nanostructures by manipulation of individual atoms or molecules, or limited collections of atoms or molecules as discrete units
    • B82B3/0009—Forming specific nanostructures
    • B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82—NANOTECHNOLOGY
    • B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C14/00—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material
    • C23C14/06—Coating by vacuum evaporation, by sputtering or by ion implantation of the coating forming material characterised by the coating material
    • C23C14/0605—Carbon
    • C23C14/0611—Diamond
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B23/00—Single-crystal growth by condensing evaporated or sublimed materials
    • C30B23/02—Epitaxial-layer growth
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C30—CRYSTAL GROWTH
    • C30B—SINGLE-CRYSTAL GROWTH; UNIDIRECTIONAL SOLIDIFICATION OF EUTECTIC MATERIAL OR UNIDIRECTIONAL DEMIXING OF EUTECTOID MATERIAL; REFINING BY ZONE-MELTING OF MATERIAL; PRODUCTION OF A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; SINGLE CRYSTALS OR HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; AFTER-TREATMENT OF SINGLE CRYSTALS OR A HOMOGENEOUS POLYCRYSTALLINE MATERIAL WITH DEFINED STRUCTURE; APPARATUS THEREFOR
    • C30B30/00—Production of single crystals or homogeneous polycrystalline material with defined structure characterised by the action of electric or magnetic fields, wave energy or other specific physical conditions
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2002/00—Crystal-structural characteristics
    • C01P2002/20—Two-dimensional structures
    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C01—INORGANIC CHEMISTRY
    • C01P—INDEXING SCHEME RELATING TO STRUCTURAL AND PHYSICAL ASPECTS OF SOLID INORGANIC COMPOUNDS
    • C01P2004/00—Particle morphology
    • C01P2004/60—Particles characterised by their size
    • C01P2004/64—Nanometer sized, i.e. from 1-100 nanometer

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
  • Nanotechnology (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • Health & Medical Sciences (AREA)
  • Toxicology (AREA)
  • Carbon And Carbon Compounds (AREA)
  • Physical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Изобретение относится к технологиям получения износостойких, прочностных тонких алмазных пленок методом вакуумной лазерной абляции и может быть использовано в различных областях промышленности и науки для получения тонкопленочных упрочняющих покрытий и создания наноструктурных материалов. Тонкую наноалмазную пленку получают на стеклянной подложке путем распыления материала мишени импульсным лазером в вакууме, при этом в качестве мишени используют таблетки из детонационного наноалмаза, а в качестве источника импульсного лазерного излучения используют лазер с длиной волны 1064 нм серией от 13 до 20 импульсов, с энергией импульса от 3,8 до 5,8 Дж и длительностью от 1 до 1,5 мс. Процесс сопровождается диспергированием конгломератов детонационного наноалмаза до единичных нанокристаллов и очисткой от примесей в ходе высокоэнергетического воздействия лазерным импульсом. Полученная пленка представляет собой двумерный поликристаллический наноалмазный агрегат. 9 ил., 2 табл., 5 пр.

Description

Изобретение относится к технологиям получения износостойких, прочностных тонких алмазных пленок методом вакуумной лазерной абляции и может быть использовано в различных областях промышленности и науки для получения тонкопленочных упрочняющих покрытий.
Известен способ получения тонких пленок карбида кремния методом вакуумной лазерной абляции, который может быть использован для получения тонкопленочных покрытий и активных слоев тонкопленочных приемников УФ-излучения в микроэлектронике. Способ получения пленки включает распыление керамической мишени лазерным лучом в условиях высокого вакуума без добавок газообразных реагентов на нагретую до 25-350°С подложку, расположенную на расстоянии 100 мм от мишени. Распыление мишени осуществляют в течение 1-20 мин с помощью лазера с энергией накачки 15-20 Дж при сканировании лазерного луча по поверхности керамической мишени [1]. Недостатки способа: длительное до 20 минут время воздействия на мишень, опасность графитизации наноалмазного материала мишени.
Известен способ получения алмазоподобных покрытий комбинированным лазерным воздействием, взятым за прототип [2]. Способ реализуется путем комбинированного лазерного воздействия на материал мишени, выполненной из графита высокой чистоты (более 99.9%), сначала коротковолновым (менее 300 нм) импульсным излучением, в качестве которого используют излучение KrF-лазера с длиной волны 248 нм и удельной энергией 5⋅107 Вт/см2, затем длинноволнового лазерного излучения газового СO2-лазера или твердотельного волоконного лазера.
Алмазоподобное покрытие получают в вакууме путем распыления материала мишени за счет абляции при воздействии импульсным лазером и последующим воздействием на газоплазменное облако длинноволновым (более 1 мкм) лазерным излучением газового СO2-лазера или твердотельного волоконного лазерного излучателя.
Согласно этому способу последующее воздействие на газоплазменное облако длинноволновым (более 1 мкм) лазерным излучением естественно увеличивает кинетическую энергию частиц облака, что приводит к увеличению алмазной фазы в получаемом покрытии.
Недостатки способа: требуется сложное лазерное оборудование и многоэтапный вариант реализации, что существенно усложняет получения покрытий или пленок, выход алмазной составляющей ниже 100%.
Задача изобретения получение тонкой алмазной пленки на основе детонационного наноалмаза на стеклянной подложке вакуумной лазерной абляцией.
Сущность изобретения
Способ получения тонкой алмазной пленки на стеклянной подложке на основе детонационного наноалмаза вакуумной лазерной абляцией мишени, где в качестве мишени используются спрессованные таблетки из детонационного наноалмаза, а в качестве источника импульсного лазерного излучения используют лазер серией 13-20 импульсов с энергией импульса от 3,8 до 5,8 Дж, длительностью импульса от 1 до 1,5 мс (миллисекунды) и с длиной волны 1064 нм.
Предлагается получать алмазные пленки на стеклянной подложке в вакууме путем воздействия от 13 до 20 импульсами лазерного излучения лазера на основе алюмо-иттриевого граната с длиной волны 1,064 мкм на мишень, изготовленную из порошка детонационного наноалмаза в виде таблетки диаметром 5 мм и толщиной 2-3 мм на прессе при давлении 6 кг/мм2 и помещенную также в вакуум.
Способ реализуется следующим образом.
1. Готовят мишени - таблетки из порошка детонационного наноалмаза диаметром 5 мм и толщиной 2-3 мм с помощью прессформы и пресса с усилием до 500 кг (давление 6 кг/мм2).
2. Размещают в вакууме с остаточным давлением 10-5 мм рт.ст. мишени и закрепленные стеклянные подложки из силикатного стекла.
3. Воздействуют на поверхность мишени серией 13-20 импульсов лазерного излучения лазера на основе алюмо-иттриевого граната с энергией импульса 3,8-5,8 Дж в зависимости от необходимой плотности наноалмазного вещества на поверхности подложки.
Воздействием импульсами лазерного излучения в вакууме на мишень из нанокристаллов детонационного наноалмаза осуществляют перенос нанокристаллов детонационного алмаза и внедрение на стеклянную подложку методом лазерной абляции, и это позволяет избежать превращения наноалмаза в графит.
Воздействие импульсами лазерного излучения решает следующие проблемы.
Во-первых, перенос вещества мишени на подложку осуществляется именно методом лазерной абляции.
Во-вторых, нагрев мишени в вакууме серией 13-20 импульсов осуществляет частичную очистку нанокристаллов от летучих примесных соединений методом термодесорбции.
В-третьих, лазерное воздействие осуществляет диспергирование наноалмазных конгломератов путем нарушения связи между наночастицами в поле лазерного импульса.
В-четвертых, воздействие последовательности лазерных импульсов не позволяет веществу мишени перегреваться до критической температуры выше 1000 0С, что препятствует графитизации наноалмазной таблетки.
Осуществление изобретения достигается следующим образом.
Пример 1
Из исходного порошка детонационного наноалмаза, изготовленного по ТУ 84-112-87 (изготовитель ФНПЦ «Алтай»), прессованием на гидравлическом прессе готовят образцы цилиндрической формы диаметром 5 мм и высотой 2-3 мм и проводят рентгеноструктурный и рентгенофазовый анализ. На рентгенограмме наноалмаза (фиг. 1) видны наиболее яркие рефлексы алмаза (111), (220) и (311).
Уширение рефлексов обусловлено малым размером нанокристаллов или ростом микронапряжений, приводящих к изменению межплоскостных расстояний отражающих плоскостей. В ковалентных ультрадисперсных кристаллах величина микродеформации Δd/d не может быть большой, так как велики модули упругости алмаза. Основной вклад в уширение рефлексов вносит малый размер кристаллов детонационного наноалмаза. В этой связи размеры областей когерентного рассеяния D определяются по упрощенной формуле, согласно которой уширение связанно только с эффектом дисперсности.
Figure 00000001
где:
D - размер областей когерентного рассеяния
λ - длина волны рентгеновского излучения в
Figure 00000002
θ - угол дифракции рентгеновских лучей для плоскости (hkl)
β - физическое уширение рентгеновского рефлекса
В таблице 1 представлены данные рентгенографического анализа рефлексов детонационного наноалмаза, приведенных на фиг. 1. Размер нанокристаллов детонационного наноалмаза, рассчитанный по формуле (1), составляет 4,5 нм.
Пример 2
Из исходного порошка нанокристаллов детонационного наноалмаза готовят спрессованные образцы цилиндрической формы в виде таблетки (как в примере 1) и проводят гравиметрический и масс-спектроскопический анализ. В ходе нагрева детонационный наноалмаз выделяет большое количество летучих соединений, об этом свидетельствует убыль массы образца в процессе отжига (фиг. 2).
При нагреве образца до температуры 900°С последний теряет около 20% своей массы. Кроме того, процесс нагрева сопровождается экзо- и эндотермическими эффектами, свидетельствующими о протекании реакции на поверхности нанокристаллов детонационного наноалмаза.
Для определения молекулярного состава летучих примесей проводят масс-спектрометрический анализ образцов - нанокристаллов детонационного наноалмаза на приборе термического анализа Luxx 409, совмещенного с масс-спектрометром Aelos 403. Нагрев осуществляется в атмосфере аргона со скоростью 10°С/мин до температуры 900°С. В табл.2 представлены данные масс-спектрометрических измерений, десорбция примесей наблюдается по всему интервалу температур, от +30°С до +(900-950)°С (фиг. 2). Выделяющиеся летучие вещества представлены широким спектром молекулярных соединений, такими как вода, водород, азот, сероводород, углеводороды, двуокись углерода и серы, при нагреве детонационного наноалмаза в вакууме происходит его частичная очистка.
Пример 3
Спрессованные образцы детонационного наноалмаза (таблетки) помещают в вакуумный объем установки по воздействию лазерного излучения на основе алюмо-иттриевого граната с длиной волны 1,064 мкм на вещество (фиг. 3). Лазерный пучок (1) (импульсы) направлен через фокусирующую линзу (2), в вакуумный объем (3), на мишень из детонационного наноалмаза (4). В результате воздействия лазерного излучения на мишень происходит диспергирование исходных конгламератов детонационного наноалмаза и его распыление в вакуумном объеме (3) в виде направленного потока (5) на закрепленную стеклянную подложку (6). Остаточное давление в вакуумном объеме достигает 10-5 мм рт.ст. Энергия импульса составляет 3,8 Дж, длительность импульса - 1 мс, число импульсов - 20. В ходе воздействия лазерными импульсами наблюдается перенос вещества мишени (таблетки) на подложку за счет абляции. На фиг. 4 приведена структура подложки после лазерной абляции мишени детонационного наноалмаза. Согласно данным фиг.4 плотность детонационного наноалмаза на подложке составляет величину 0,0041 частиц/мкм2.
Распределение частиц по размеру для данных параметров импульса приведено на (фиг. 5), преобладают маломасштабные конгламераты со средним размером частиц 5 мкм. Это свидетельствует о частичном диспергировании исходных конгломератов наночастиц лазерным импульсом.
В условиях абляции мишени одновременно происходит разрушение (измельчение) исходных конгломератов частиц и очистка наноалмаза в связи со значительным повышением температуры и эффекта динамического воздействия лазерного импульса.
Пример 4
Как и в примере 3, спрессованные таблетки из детонационного наноалмаза помещают в вакуумную установку по воздействию лазерного излучения на вещество. Увеличение энергии импульса до 5,8 Дж и длительности импульса до 1,5 мс (миллисекунд) не меняет условия абляции, однако для получения примерно такой же плотности наноалмазных конгломератов, как в примере 3, нужно осуществить воздействие на мишень уже 13 лазерными импульсами. На (фиг. 6) приведена микроструктура алмазной пленки, откуда следует, что несколько увеличивается количество переносимого на подложку вещества (плотность частиц составляет 0,0054 частиц/мкм2), но уменьшается число импульсов до 13 для получения тонкой алмазной пленки на стеклянной подложке на основе детонационного наноалмаза данной плотности.
Распределение конгломератов наноалмаза по размерам (фиг. 7) свидетельствует об уменьшении размера конгломератов (максимум распределения приходится на 4 мкм) при увеличении энергии импульса до 5,8 Дж.
Пример 5
Спрессованные таблетки (как и в предыдущих примерах) подвергают воздействию импульсами лазерного излучения. Энергию импульса увеличивают до 6,6 Дж, а длительность импульса - до 10 мс. Как следует из данных (фиг. 8), перенос детонационного наноалмаза на подложку существенно изменяется.
Плотность частиц на подложке уменьшается до величины 0,0026 частиц/мкм2. Распределение конгломератов наночастиц по размерам свидетельствует о существенном увеличении размеров агрегатов частиц в пленке (фиг. 9) по сравнению с предыдущим примером. Максимум распределения приходится на размер 5 мкм, но у распределения имеется большой «хвост» из крупных конгломератов частиц наноалмаза (крупные конгломераты размером до 27 мкм).
Таким образом, увеличение энергии и длительности импульсов привело к ухудшению условий абляции мишени детонационного наноалмаза. По-видимому, часть мелких конгломератов испарилось в связи с длительностью процесса и высокой энергией лазерного импульса.
Из приведенных примеров следует, что в ходе лазерного воздействия происходит нагрев и диспергирование исходных конгломератов наночастиц. В ходе нагрева осуществляется очистка наноалмаза от летучих примесных соединений. Реализуемый эффект лазерной абляции позволяет получить тонкую алмазную пленку на стеклянной подложке на основе детонационного наноалмаза, представляющую собой двумерный поликристаллический наноалмазный агрегат.
Литература
1. Гусев А.С., Михнев Л.В., Рындя С.М., Бондаренко Е.А.
Заявка: 2007112699/02, 06.04.2007. Способ получения тонких пленок карбида кремния методом вакуумной лазерной абляции.
2. Григорьянц А.Г., Мисюров А.И., Шупенев А.Е.
Патент РФ №2516632 от 20.05.2014 // БИ 14 // Способ получения алмазоподобных покрытий комбинированным лазерным воздействием.
Figure 00000003
Значение физического уширения, положения основных рефлексов и размер частиц наноалмаза.
Figure 00000004
Масс-спектрометрические данные процесса десорбции детонационного наноалмаза.

Claims (1)

  1. Способ получения тонкой наноалмазной пленки на стеклянной подложке, включающий в себя распыление материала мишени импульсным лазером в вакууме, отличающийся тем, что в качестве мишени используют таблетки из детонационного наноалмаза, а в качестве источника импульсного лазерного излучения используют лазер с длиной волны 1064 нм серией от 13 до 20 импульсов, с энергией импульса от 3,8 до 5,8 Дж и длительностью от 1 до 1,5 мс.
RU2015148068A 2015-11-09 2015-11-09 Способ получения тонкой наноалмазной пленки на стеклянной подложке RU2614330C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2015148068A RU2614330C1 (ru) 2015-11-09 2015-11-09 Способ получения тонкой наноалмазной пленки на стеклянной подложке

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2015148068A RU2614330C1 (ru) 2015-11-09 2015-11-09 Способ получения тонкой наноалмазной пленки на стеклянной подложке

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2614330C1 true RU2614330C1 (ru) 2017-03-24

Family

ID=58453136

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2015148068A RU2614330C1 (ru) 2015-11-09 2015-11-09 Способ получения тонкой наноалмазной пленки на стеклянной подложке

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2614330C1 (ru)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2685665C1 (ru) * 2017-11-17 2019-04-22 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный университет" Способ получения тонких алмазных пленок
GB2585621A (en) * 2018-09-24 2021-01-20 Plasma App Ltd Carbon materials
CN112265989A (zh) * 2020-11-03 2021-01-26 中国林业科学研究院林产化学工业研究所 以植物纤维膜为原料制备的纳米金刚石及其方法

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5411797A (en) * 1988-04-18 1995-05-02 Board Of Regents, The University Of Texas System Nanophase diamond films
EA006092B1 (ru) * 2000-09-20 2005-08-25 Эйджити Уан Пти Лтд Способ осаждения тонких пленок посредством лазерной абляции
US20090169871A1 (en) * 2006-02-23 2009-07-02 Reijo Lappalainen Method for Producing High-Quality Surfaces and a Product Having a High-Quality Surface
US20100221489A1 (en) * 2006-02-23 2010-09-02 Picodeon Ltd Oy Coating on a glass substrate and a coated glass product
RU2516632C1 (ru) * 2012-12-28 2014-05-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) Способ получения алмазоподобных покрытий комбинированным лазерным воздействием

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5411797A (en) * 1988-04-18 1995-05-02 Board Of Regents, The University Of Texas System Nanophase diamond films
EA006092B1 (ru) * 2000-09-20 2005-08-25 Эйджити Уан Пти Лтд Способ осаждения тонких пленок посредством лазерной абляции
US20090169871A1 (en) * 2006-02-23 2009-07-02 Reijo Lappalainen Method for Producing High-Quality Surfaces and a Product Having a High-Quality Surface
US20100221489A1 (en) * 2006-02-23 2010-09-02 Picodeon Ltd Oy Coating on a glass substrate and a coated glass product
RU2516632C1 (ru) * 2012-12-28 2014-05-20 Федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего профессионального образования "Московский государственный технический университет имени Н.Э. Баумана" (МГТУ им. Н.Э. Баумана) Способ получения алмазоподобных покрытий комбинированным лазерным воздействием

Cited By (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2685665C1 (ru) * 2017-11-17 2019-04-22 федеральное государственное бюджетное образовательное учреждение высшего образования "Алтайский государственный университет" Способ получения тонких алмазных пленок
GB2585621A (en) * 2018-09-24 2021-01-20 Plasma App Ltd Carbon materials
GB2585621B (en) * 2018-09-24 2022-11-16 Plasma App Ltd Carbon materials
US11970400B2 (en) 2018-09-24 2024-04-30 Plasma App Ltd. Carbon materials
CN112265989A (zh) * 2020-11-03 2021-01-26 中国林业科学研究院林产化学工业研究所 以植物纤维膜为原料制备的纳米金刚石及其方法
CN112265989B (zh) * 2020-11-03 2023-09-22 中国林业科学研究院林产化学工业研究所 以植物纤维膜为原料制备的纳米金刚石及其方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
RU2685665C1 (ru) Способ получения тонких алмазных пленок
RU2614330C1 (ru) Способ получения тонкой наноалмазной пленки на стеклянной подложке
CN105229810A (zh) 压电体薄膜及其制造方法
US20180327927A1 (en) ULTRA SMALL GRAIN-SIZE NANOCRYSTALLINE DIAMOND FILM HAVING A SiV PHOTOLUMINESCENCE AND MANUFACTURING METHOD THEREOF
JPH02500837A (ja) ダイヤモンド膜のデポジション方法
KR20070083707A (ko) ＳｉＯｘ 입자의 제조 방법
Thema et al. Free standing diamond-like carbon thin films by PLD for laser based electrons/protons acceleration
Edamoto et al. Electron energy-loss spectra of Si (111) reacted with nitrogen atoms
WO2019227395A1 (en) Fine grained 3C-SiC thick films and a process for preparing the same
RU2668246C2 (ru) Способ получения алмазоподобных тонких пленок
RU2542207C2 (ru) Способ получения покрытий карбина
JP2008208418A (ja) モリブデン若しくはタングステン粒子又は該粒子からなる薄膜及びその製造方法
US3424428A (en) X-ray spectroscope assembly having an analyzer block composed of annealed pyrolytic graphite on an optically accurate surface
RU2585311C1 (ru) Способ изготовления углеродных пленок со структурой алмаза, легированных бором
Behera et al. Temporal wetting property of “Micro” versus “Nano” rods of ZnO grown using the pressure dependent aqueous solution method
RU2558812C1 (ru) Способ получения покрытия из карбида кремния на кварцевом изделии
Stuchlik et al. The combined technological methods for deposition of Si: H thin films and structures with embedded NPs
Palma-Palma et al. Preparation of zinc peroxide nanoparticles by laser ablation of solid in liquids
KR20210081138A (ko) 펄스레이저법을 이용한 질화알루미늄 박막의 제조방법
RU2523471C1 (ru) Способ получения нанодисперсных порошков нитрида бора и диборида титана
CN104387117B (zh) 用于光泵浦源的表面放电陶瓷基板及其制备方法
Zhilenko et al. Production of highly dispersed sodium chloride: Strategy and experiment
RU2393989C1 (ru) Способ синтеза наноалмазов и наноразмерных частиц карбида кремния в поверхностном слое кремния
CN109182979A (zh) 一种生长可控的稀土钕掺杂二硒化钼薄膜材料制备方法
Noda et al. Microstructure and growth of SiC film by excimer laser chemical vapour deposition at low temperatures

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20201110