RU2558812C1 - Способ получения покрытия из карбида кремния на кварцевом изделии - Google Patents

Способ получения покрытия из карбида кремния на кварцевом изделии Download PDF

Info

Publication number
RU2558812C1
RU2558812C1 RU2014115582/02A RU2014115582A RU2558812C1 RU 2558812 C1 RU2558812 C1 RU 2558812C1 RU 2014115582/02 A RU2014115582/02 A RU 2014115582/02A RU 2014115582 A RU2014115582 A RU 2014115582A RU 2558812 C1 RU2558812 C1 RU 2558812C1
Authority
RU
Russia
Prior art keywords
product
silicon carbide
reactor
quartz
coating
Prior art date
Application number
RU2014115582/02A
Other languages
English (en)
Inventor
Олег Анатольевич Власов
Иван Юрьевич Косарев
Original Assignee
Федеральное Государственное Автономное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Сибирский Федеральный Университет"
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Федеральное Государственное Автономное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Сибирский Федеральный Университет" filed Critical Федеральное Государственное Автономное Образовательное Учреждение Высшего Профессионального Образования "Сибирский Федеральный Университет"
Priority to RU2014115582/02A priority Critical patent/RU2558812C1/ru
Application granted granted Critical
Publication of RU2558812C1 publication Critical patent/RU2558812C1/ru

Links

Images

Landscapes

  • Chemical Vapour Deposition (AREA)

Abstract

Изобретение относится к металлургии получения особо чистых материалов и может быть использовано при получении защитного покрытия карбида кремния на кварцевом изделии осаждением из газовой фазы на нагретую поверхность, применяемого для технологической оснастки в процессах получения особо чистых элементов и веществ. Проводят очистку упомянутого изделия и метана. При достижении температуры нагрева упомянутого изделия 950-1250°C через реактор с кварцевым изделием продувают инертный газ, а затем метан до получения требуемой толщины покрытия. Затем образовавшиеся продукты разложения и непрореагировавшие вещества удаляют из реактора. Упрощается процесс нанесения защитного покрытия из карбида кремния. 1 ил., 2 пр.

Description

Изобретение относится к металлургии получения особо чистых материалов и может быть использовано при получении защитного покрытия карбида кремния на кварце, применяемого для технологической оснастки в процессах получения особо чистых элементов и веществ.
Для предотвращения разрушения кварцевых изделий на их стенки наносят защитное покрытие, которое позволяет повысить термическую стабильность изделия и снижает количество выделяемых в расплав контактируемым с изделием примесей.
Известен способ получения тонких пленок карбида кремния методом вакуумной лазерной абляции (патент РФ №2350686 опуб. 27.03.2009), включающий распыление керамической мишени лазерным лучом в условиях высокого вакуума без добавок газообразных реагентов на нагретую подложку. Мишень располагают на расстоянии 100 мм от подложки, нагревая ее до 25÷350°C. Распыление осуществляют в течение 1-20 мин с помощью лазера с энергией накачки 15-20 Дж и при сканировании лазерного луча по поверхности керамической мишени.
Недостатком данного способа является сложность процесса: наличие высоковакуумной камеры для лазерной абляции керамической мишени, подогрев подложки, сканирование лазерного луча по поверхности мишени.
Наиболее близким к заявляемому изобретению является способ получения углеродосодержащих покрытий (патент РФ №2199608 опуб. 27.02.2003) осаждением из газовой фазы на нагретую поверхность, включающий очистку исходных компонентов, подачу парогазовой смеси соединений углерода и водорода в реактор, разложение смеси на нагретой поверхности, удаление образовавшихся продуктов разложения и непрореагировавших веществ, в качестве подложки используют графитовые материалы со степенью совершенства кристаллической структуры от 10 до 100%: кварц, сапфир, тугоплавкие металлы. Покрытия получают последовательным чередованием процессов осаждения слоев пироуглерода и карбида кремния, осаждение осуществляют на поверхности изделий в одном аппарате при одной и той же температуре поверхности осаждения.
Недостатком данного способа является сложность процесса: использование водорода, тетрахлорида углерода (CCl4), метилтрихлорсилана (МТХС), которые подвергают тонкой очистке. МТХС и водород смешивают в испарителе-барбатере в мольном соотношении МТХС:H2=1:(1-3), после чего подают в реактор.
Задачей изобретения является упрощение процесса.
Техническим результатом заявленного изобретения является возможность получения покрытия при сохранении высокой производительности и снижении энергозатрат.
Достигается это тем, что в способе получения покрытия из карбида кремния на кварцевом изделии осаждением из газовой фазы на нагретую поверхность, включающем очистку исходных компонентов, подачу газа в реактор, взаимодействие газа с нагретой поверхностью, удаление образовавшихся продуктов разложения и непрореагировавших веществ, по достижению температуры нагрева изделия до 950-1250°C через реактор с изделием из кварца продувают инертный газ, а затем метан до получения требуемой толщины покрытия.
Сущность способа заключается в следующем.
Исходные компоненты - изделие из кварца и газ метан - очищаются известными способами. Изделие из кварца 1 (рисунок) помещают в реактор 2, который в свою очередь устанавливают в печь 3. В реактор предварительно продувают инертный газ и по достижению заданной температуры изделия, измеряемой ПП-термопарой 4, расположенной в запаянной трубке, через реактор продувают метан, при этом в указанном диапазоне температур проходит реакция:
Figure 00000001
Непрореагировавшие продукты реакции удаляют из реактора. В связи с тем что покрытие карбида кремния получалось в результате взаимодействия изделия из кварца и газовой фазы - метана, толщина его была равномерной не зависимо от конфигурации образца (кроме замкнутых областей, куда не проникает газ), поэтому осаждение осуществляют на поверхности изделий любой конфигурации. Обоснование параметров. При проведении процесса получения покрытия карбида кремния на кварцевом изделии при температуре ниже 950°C наблюдается нарушение стехиометрии карбида кремния. При проведении процесса при температурах выше 1250°C равновесие реакции (1) смещается вправо и образование карбида кремния не происходит. Во избежание взрыва при взаимодействии кислорода воздуха с метаном реактор продували очищенным инертным газом, после чего через реактор продували метан.
Способ иллюстрируется примером.
Пример 1. Для получения карбидокремниевого покрытия использовали горизонтальный проточный реактор (рисунок). В качестве кварцевого изделия использовали пластину из кварца. Метан и кварцевую пластину подвергали предварительной очистке известными способами. Пластину помещали в реактор, который в свою очередь помещался в печь. Пластину в реакторе нагревали до температуры 950°C. Реактор продували очищенным инертным газом - аргоном, после чего через реактор продували метан. По истечении 30 мин печь отключали, охлаждали и измеряли толщину покрытия, которую можно регулировать изменением времени выдержки. Покрытие получали плотным, толщиной около 80 мкм.
Пример 2. Подготовку метана и кварцевого изделия проводили, как и в примере 1. Изделие нагревали в печи до 1250°C, по достижении указанной температуры через реактор продували аргон, а затем метан. По истечении 30 мин печь отключали, охлаждали и измеряли толщину покрытия. Покрытие получали плотным, толщиной около 90 мкм.
Приведенные примеры не ограничивают возможность осуществления способа при других температурах, но в заявляемом интервале.
Новый способ позволяет получать покрытие карбида кремния на кварцевых изделиях по упрощенной схеме по сравнению с прототипом.

Claims (1)

  1. Способ получения покрытия из карбида кремния на кварцевом изделии осаждением из газовой фазы на нагретую поверхность, включающий очистку упомянутого изделия и газа, подачу газа в реактор для взаимодействия с нагретой поверхностью упомянутого изделия, удаление образовавшихся продуктов разложения и непрореагировавших веществ, отличающийся тем, что при достижении температуры нагрева упомянутого изделия 950-1250°C через реактор с кварцевым изделием продувают инертный газ, а затем метан до получения требуемой толщины покрытия.
RU2014115582/02A 2014-04-17 2014-04-17 Способ получения покрытия из карбида кремния на кварцевом изделии RU2558812C1 (ru)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014115582/02A RU2558812C1 (ru) 2014-04-17 2014-04-17 Способ получения покрытия из карбида кремния на кварцевом изделии

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
RU2014115582/02A RU2558812C1 (ru) 2014-04-17 2014-04-17 Способ получения покрытия из карбида кремния на кварцевом изделии

Publications (1)

Publication Number Publication Date
RU2558812C1 true RU2558812C1 (ru) 2015-08-10

Family

ID=53796056

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
RU2014115582/02A RU2558812C1 (ru) 2014-04-17 2014-04-17 Способ получения покрытия из карбида кремния на кварцевом изделии

Country Status (1)

Country Link
RU (1) RU2558812C1 (ru)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2711072C1 (ru) * 2019-04-24 2020-01-15 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет) Способ электрохимического осаждения кремний-углеродных пленок на диэлектрические подложки

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2079569C1 (ru) * 1991-10-28 1997-05-20 ЭНИКЕМ С.п.А. Способ пассивации внутренней поверхности реактора, подвергаемого закоксовыванию, и реактор
RU2162117C2 (ru) * 1999-01-21 2001-01-20 Макаров Юрий Николаевич Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния и реактор для его осуществления
RU2199608C2 (ru) * 2001-03-05 2003-02-27 Федеральное государственное унитарное предприятие Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности Способ получения углеродосодержащих покрытий
WO2005056872A1 (en) * 2003-12-08 2005-06-23 Trex Enterprises Corp. Method of making chemical vapor composites

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2079569C1 (ru) * 1991-10-28 1997-05-20 ЭНИКЕМ С.п.А. Способ пассивации внутренней поверхности реактора, подвергаемого закоксовыванию, и реактор
RU2162117C2 (ru) * 1999-01-21 2001-01-20 Макаров Юрий Николаевич Способ эпитаксиального выращивания карбида кремния и реактор для его осуществления
RU2199608C2 (ru) * 2001-03-05 2003-02-27 Федеральное государственное унитарное предприятие Государственный научно-исследовательский и проектный институт редкометаллической промышленности Способ получения углеродосодержащих покрытий
WO2005056872A1 (en) * 2003-12-08 2005-06-23 Trex Enterprises Corp. Method of making chemical vapor composites

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
RU2711072C1 (ru) * 2019-04-24 2020-01-15 федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Южный федеральный университет" (Южный федеральный университет) Способ электрохимического осаждения кремний-углеродных пленок на диэлектрические подложки

Similar Documents

Publication Publication Date Title
US20150368111A1 (en) Method and system for graphene formation
JPH05239648A (ja) ホウ素および窒素を含有する被膜を析出させる方法
Elagin et al. Aluminum nitride. Preparation methods
TW201805450A (zh) 氧氟化釔熱噴塗膜及其製造方法、以及熱噴塗構件
JP7146946B2 (ja) 3C-SiC膜を調製するためのプロセス
RU2558812C1 (ru) Способ получения покрытия из карбида кремния на кварцевом изделии
JPH11278997A (ja) カリウム含有薄膜及びその製法
RU2684128C1 (ru) Изделие с покрытием из карбида кремния и способ изготовления изделия с покрытием из карбида кремния
US20190186045A1 (en) Device for growing silicon carbide of specific shape
KR101238284B1 (ko) 무촉매 나노와이어 제조 방법 및 이를 위한 장치
RU2614330C1 (ru) Способ получения тонкой наноалмазной пленки на стеклянной подложке
RU2542207C2 (ru) Способ получения покрытий карбина
RU2527790C1 (ru) Способ нанесения защитного покрытия на внутреннюю поверхность кварцевого тигля
JPS62265198A (ja) ダイヤモンドの合成方法
Yao et al. Catalyst-free synthesis of β-SiC polyhedra and α-SiC nano-platelets by RF thermal plasma
JP5475708B2 (ja) チタンの製造方法及び製造装置
RU2199608C2 (ru) Способ получения углеродосодержащих покрытий
RU2789692C1 (ru) Способ синтеза пленок нанокристаллического карбида кремния на кремниевой подложке
Maslov et al. Growth of polycrystalline CVD-diamond and its defective structure
Ye et al. Deposition of Hexagonal Boron Nitride from N‐Trimethylborazine (TMB) for Continuous CVD Coating of SiBNC Fibers
RU2578104C1 (ru) Способ газофазной карбидизации поверхности монокристаллического кремния ориентации (111), (100)
RU2561616C2 (ru) Способ получения массивов ориентированных углеродных нанотрубок на поверхности подложки
Milenov Chemical-vapor-deposition-initiated growth and characterization of diamond and diamond-like microcrystals
Sergeichev et al. Polycrystal diamond growth in a microwave plasma torch
RU2001106310A (ru) Способ получения углеродосодержащих покрытий

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A The patent is invalid due to non-payment of fees

Effective date: 20180418