RU2527790C1 - Способ нанесения защитного покрытия на внутреннюю поверхность кварцевого тигля - Google Patents
Способ нанесения защитного покрытия на внутреннюю поверхность кварцевого тигля Download PDFInfo
- Publication number
- RU2527790C1 RU2527790C1 RU2013113197/05A RU2013113197A RU2527790C1 RU 2527790 C1 RU2527790 C1 RU 2527790C1 RU 2013113197/05 A RU2013113197/05 A RU 2013113197/05A RU 2013113197 A RU2013113197 A RU 2013113197A RU 2527790 C1 RU2527790 C1 RU 2527790C1
- Authority
- RU
- Russia
- Prior art keywords
- crucible
- quartz crucible
- temperature
- hour
- quartz
- Prior art date
Links
Images
Landscapes
- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
Изобретение относится к металлургии полупроводниковых материалов и может быть использовано, например, при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского. Защитное покрытие на внутреннюю поверхность кварцевого тигля наносят путем обработки внутренней поверхности тигля смесью газов H2, CO и H2O при массовом соотношении компонентов, соответственно, 2:28:18 при температуре 1150-1200°C в течение 1 часа, после чего тигель подвергают термообработке при температуре 1150-1200°C в течение 1 часа в атмосфере воздуха до получения плотного покрытия. Изобретение позволяет получать покрытие диоксида кремния толщиной 150-200 мкм, имеющее однородную поверхность без дефектов роста на внутренней поверхности кварцевых тиглей. Кроме того, способ технологичен, прост в аппаратурном оформлении и не требует значительных затрат энергии. 1 ил., 2 пр.
Description
Изобретение относится к металлургии полупроводниковых материалов и может быть использовано, например, при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского.
Для предотвращения разрушения кварцевого тигля на его внутренние стенки наносят защитное покрытие, которое позволяет повысить термическую стабильность тигля и снижает количество выделяемых в расплав примесей.
Известен способ нанесения защитного покрытия на внутреннюю поверхность кварцевого тигля, предусматривающий нанесение слоя, включающего зерна синтетического кристаллического кварца, образованного аморфным слоем (PR 2461028, 30.01.1981). В данном способе создание слоя аморфного кварца на внутренней поверхности тигля происходит поверх слоя синтетического кварца, который, в свою очередь, находится на внешнем слое из природного кварца.
Недостатком данного способа является необходимость использования синтетического кварца, а также необходимость использования специального оборудования для создания слоя аморфного кварца на внутренней поверхности тигля, что делает данный способ сложным и дорогим.
Наиболее близким по сущности и достигаемым результатам является способ формирования защитного покрытия на внутренней поверхности кварцевого тигля (патент РФ №2328562, 10.07.2008), включающий обработку внутренней поверхности тигля рабочим раствором, содержащим соль бария с последующей термообработкой, рабочий раствор содержит: в качестве соли бария ацетат бария, концентрированную уксусную кислоту и диэтиловый эфир при массовом соотношении компонентов, соответственно, 1:11:18. Рабочий раствор получают, предварительно приготовив промежуточный раствор ацетата бария в уксусной кислоте, который затем смешивают с диэтиловым эфиром. Термообработку осуществляют в два этапа, на первом из которых тигель нагревают до температуры 430-470°C и выдерживают в течение 1 ч при данной температуре, а на втором этапе нагревают до температуры 630-670°C и выдерживают при данной температуре в течение 1 ч.
Недостаток данного способа состоит в сложности осуществления процесса и использования дополнительных компонентов.
Задачей изобретения является упрощение процесса получения покрытия.
Решение поставленной задачи достигается тем, что покрытие образуется в результате взаимодействия газов H2, CO и H2O при массовом соотношении компонентов, соответственно, 2:28:18 со стенками тигля при температуре 1150-1200°C в течение 1 часа. После чего тигель проходит термообработку при температуре 1150-1200°C в течение 1 часа в атмосфере воздуха до получения плотного покрытия.
При получении защитного покрытия из аморфного диоксида кремния по предлагаемому способу водород и монооксид углерода восстанавливают диоксид кремния тигля при температуре выше 1150°C до газообразного монооксида кремния:
Наличие водорода в реакции (1) снижает температуру начала реакции (1) по сравнению с тем, если бы в качестве восстановителя использовался монооксид углерода.
Полученный газообразный монооксид кремния, взаимодействуя с кислородом паров воды, образует диоксид кремния, который осаждается на поверхность тигля в виде аморфного диоксида кремния:
Следует отметить, что при отгонке SiO2(T) в SiO(г) происходит очистка от примесей и в полученном продукте суммарная доля примесей не превышает 8*10-4 мас.%.
Однако, повышая температуру практически одновременно протекающих реакций 1 и 2 свыше 1200°С увеличивается вероятность появления в продуктах реакции SiO.
Полученный диоксид кремния образуется при температурах (не более 1200°С) значительно ниже температуры плавления SiO2, что предотвращает коагуляцию получаемых частиц SiO2 и способствует получению мелкодисперсных частиц, а практически полное отсутствие интервала перехода SiO(г)→SiO2(T) делает возможным получение аморфных частиц. Время обработки смесью газов 1 час позволяет получить необходимую толщину покрытия (около 200 мкм).
При термообработке тигля при температуре ниже 1150°C диоксид кремния может подвергаться обратному гидролизу. Термообработка тигля при температурах выше 1200°C приводит к образованию кристаллов кристобалита. При времени термообработки больше 1 часа начинает образовываться кристаллическая фаза. Наличие атмосферы воздуха при термообработке исключает наличие углеродистых соединений.
Для получения покрытия из аморфного диоксида кремния по заявляемому способу использовали установку (см. чертеж). Печь 1 с установленным в ней кварцевым тиглем 2, закрытым кварцевой крышкой 3, нагревали до требуемой температуры и предварительно продували инертным газом для удаления воздуха через алундовую трубку 4. После чего смесь газов H2, CO и H2O (вода в парообразном состоянии) при массовом соотношении компонентов, соответственно, 2:28:18 подают через алундовую трубку 4 в кварцевый тигель, где проходят реакции (1) и (2). Печь 1 снабжена термопарой 5 и тиристорным регулятором температуры 6. По истечении времени 1 час продувку тигля газом прекращали, кышку тигля снимали и проводили его термообработку.
Пример 1. Предварительно очищенный известными способами кварцевый тигель 2 устанавливали в печь 1 (см. чертеж), закрывали крышкой 3 с вставленной в нее алундовой трубкой 4, после чего нагревали до 1150°C и предварительно продували аргоном. После чего смесь газов H2, COи H2O при массовом соотношении компонентов, соответственно, 2:28:18 подавалась через алундовую трубку 4 в кварцевый тигель, которые взаимодействовали с внутренними стенками тигля при температуре 1150°C в течение 1 часа. По истечении указанного времени с тигля снимали крышку 3 и тигель проходил термообработку при температуре 1150°C в течение 1 часа в атмосфере воздуха. Толщина наносимого таким способом покрытия составляет 150-200 мкм. Получаемая пленка имеет однородную поверхность без дефектов роста.
Пример 2. Аналогичным способом, как в примере 1, осуществляется процесс нанесения покрытия диоксида кремния на внутреннюю поверхность кварцевого тигля, в который подают газы H2, CO, H2O при массовом соотношении компонентов, соответственно, 2:28:18, при температуре 1200°C. Термообработку проводят, как и в примере 1 при 1200°C в течение 1 часа. Получают пленку диоксида кремния на внутренней поверхности кварцевого тигля толщиной 200 нм без дефектов роста.
Приведенные примеры не ограничивают возможность осуществления нового способа при других температурах осаждения, но в заявляемом интервале 1150-1200°C он наиболее эффективен.
Новый способ позволяет получать покрытие диоксида кремния толщиной 150-200 мкм, имеющее однородную поверхность без дефектов роста на внутренней поверхности кварцевых тиглей. Кроме того, новый способ технологичен, прост в аппаратурном оформлении, не требует значительных затрат энергии.
Claims (1)
- Способ нанесения защитного покрытия на внутреннюю поверхность кварцевого тигля путем обработки его внутренней поверхности с последующей термообработкой, отличающийся тем, что обрабатывают внутреннюю поверхность тигля смесью газов H2, CO и H2O при массовом соотношении компонентов, соответственно, 2:28:18 при температуре 1150-1200°C в течение 1 часа, после чего тигель подвергают термообработке при температуре 1150-1200°C в течение 1 часа в атмосфере воздуха до получения плотного покрытия.
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013113197/05A RU2527790C1 (ru) | 2013-03-25 | 2013-03-25 | Способ нанесения защитного покрытия на внутреннюю поверхность кварцевого тигля |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
RU2013113197/05A RU2527790C1 (ru) | 2013-03-25 | 2013-03-25 | Способ нанесения защитного покрытия на внутреннюю поверхность кварцевого тигля |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
RU2527790C1 true RU2527790C1 (ru) | 2014-09-10 |
Family
ID=51540119
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
RU2013113197/05A RU2527790C1 (ru) | 2013-03-25 | 2013-03-25 | Способ нанесения защитного покрытия на внутреннюю поверхность кварцевого тигля |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
RU (1) | RU2527790C1 (ru) |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2618061C1 (ru) * | 2016-04-07 | 2017-05-02 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет" | Способ нанесения защитного покрытия на внутреннюю поверхность кварцевого тигля |
CN113493925A (zh) * | 2020-04-08 | 2021-10-12 | 阔斯泰公司 | 石英玻璃坩埚及其制造方法 |
Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6479108B2 (en) * | 2000-11-15 | 2002-11-12 | G.T. Equipment Technologies, Inc. | Protective layer for quartz crucibles used for silicon crystallization |
RU2328562C1 (ru) * | 2006-11-14 | 2008-07-10 | Открытое акционерное общество "Подольский химико-металлургический завод" | Способ формирования защитного покрытия на внутренней поверхности кварцевого тигля |
EP2116637A2 (en) * | 2008-05-07 | 2009-11-11 | Covalent Materials Corporation | Crucible for melting silicon and release agent used to the same |
-
2013
- 2013-03-25 RU RU2013113197/05A patent/RU2527790C1/ru not_active IP Right Cessation
Patent Citations (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6479108B2 (en) * | 2000-11-15 | 2002-11-12 | G.T. Equipment Technologies, Inc. | Protective layer for quartz crucibles used for silicon crystallization |
RU2328562C1 (ru) * | 2006-11-14 | 2008-07-10 | Открытое акционерное общество "Подольский химико-металлургический завод" | Способ формирования защитного покрытия на внутренней поверхности кварцевого тигля |
EP2116637A2 (en) * | 2008-05-07 | 2009-11-11 | Covalent Materials Corporation | Crucible for melting silicon and release agent used to the same |
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
RU2618061C1 (ru) * | 2016-04-07 | 2017-05-02 | Федеральное государственное автономное образовательное учреждение высшего образования "Сибирский федеральный университет" | Способ нанесения защитного покрытия на внутреннюю поверхность кварцевого тигля |
CN113493925A (zh) * | 2020-04-08 | 2021-10-12 | 阔斯泰公司 | 石英玻璃坩埚及其制造方法 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5921498B2 (ja) | シリコン単結晶の製造方法 | |
Kokh et al. | Growth of GaSe and GaS single crystals | |
US7939173B2 (en) | Polycrystalline silicon rod for zone reflecting and a process for the production thereof | |
Miszczak et al. | Anatase–rutile transformation of TiO2 sol–gel coatings deposited on different substrates | |
JP2004002173A (ja) | 炭化珪素単結晶とその製造方法 | |
DE102015202131A1 (de) | Verfahren zum Herstellen einer Siliziumkarbid-Halbleitervorrichtung | |
Chen et al. | Growth mechanism of ZnO nanostructures in wet-oxidation process | |
Mukhanov et al. | Self-propagating high-temperature synthesis of boron phosphide | |
RU2527790C1 (ru) | Способ нанесения защитного покрытия на внутреннюю поверхность кварцевого тигля | |
Mokhov et al. | Specific features of sublimation growth of bulk AlN crystals on SiC wafers | |
WO2009139473A1 (ja) | 前処理金属フッ化物およびフッ化物結晶の製造方法 | |
Yang et al. | Growth of monolayer MoS2 films in a quasi-closed crucible encapsulated substrates by chemical vapor deposition | |
JP5878013B2 (ja) | ハロゲン含有シリコン、その製造及び使用方法 | |
Umar et al. | Temperature-dependant non-catalytic growth of ultraviolet-emitting ZnO nanostructures on silicon substrate by thermal evaporation process | |
Xu et al. | Growth of hexagonal ZnO nanowires and nanowhiskers | |
JP2006206342A (ja) | 内表面が半結晶化した石英ガラスルツボとその製造方法および用途 | |
US9327987B2 (en) | Process for removing nonmetallic impurities from metallurgical silicon | |
KR101669444B1 (ko) | 액상 기법을 이용한 SiC 단결정 성장 방법 | |
Wang et al. | Synthesis and properties of β-Ga2O3 nanostructures | |
KR20180077362A (ko) | 실리카 도가니 내벽에 질화규소를 코팅하는 방법 | |
Kim et al. | Growth and formation mechanism of sea urchin-like ZnO nanostructures on Si | |
JP5428706B2 (ja) | SiC単結晶の製造方法 | |
RU2618061C1 (ru) | Способ нанесения защитного покрытия на внутреннюю поверхность кварцевого тигля | |
RU2558812C1 (ru) | Способ получения покрытия из карбида кремния на кварцевом изделии | |
JP4683725B2 (ja) | 金属内容物が減少されたシリコン結晶を調整する処理及び装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | The patent is invalid due to non-payment of fees |
Effective date: 20180326 |