JP5878013B2 - ハロゲン含有シリコン、その製造及び使用方法 - Google Patents
ハロゲン含有シリコン、その製造及び使用方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5878013B2 JP5878013B2 JP2011510825A JP2011510825A JP5878013B2 JP 5878013 B2 JP5878013 B2 JP 5878013B2 JP 2011510825 A JP2011510825 A JP 2011510825A JP 2011510825 A JP2011510825 A JP 2011510825A JP 5878013 B2 JP5878013 B2 JP 5878013B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- halogen
- containing silicon
- silicon according
- silicon
- producing
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/037—Purification
-
- C—CHEMISTRY; METALLURGY
- C01—INORGANIC CHEMISTRY
- C01B—NON-METALLIC ELEMENTS; COMPOUNDS THEREOF; METALLOIDS OR COMPOUNDS THEREOF NOT COVERED BY SUBCLASS C01C
- C01B33/00—Silicon; Compounds thereof
- C01B33/02—Silicon
- C01B33/021—Preparation
- C01B33/027—Preparation by decomposition or reduction of gaseous or vaporised silicon compounds other than silica or silica-containing material
-
- Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
- Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
- Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
- Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
- Y10T428/29—Coated or structually defined flake, particle, cell, strand, strand portion, rod, filament, macroscopic fiber or mass thereof
- Y10T428/2982—Particulate matter [e.g., sphere, flake, etc.]
Description
本発明によれば、特に最終製品におけるハロゲン化合物の含有量に関し、最終製品の純度を高くするには前述したシリコンを製造する公知の方法にて使用された高温及び低圧に起因すると認められる。今、本発明は可能な限り低い含有量のハロゲン化合物を有したシリコンの製造に努力するのではなく、むしろ、1at%〜50at%の比較的高い含有量のハロゲンを有するシリコンをターゲットにする。このように比較的高い含有量のハロゲン化合物を有するシリコンは熱分解中、比較的低温且つ比較的高圧によって与えられる。
ハロゲン化合物の含有量は粒子サイズに依存するものと認められている。粒子サイズが成長するに連れ、ハロゲン化合物の含有量は増加する。
それ故、上述の従来技術において、方法の条件(熱分解の条件)は、可能な限り純粋なシリコンが得られるべく選択されるのに対し、本発明のシリコンはその目標として比較的高い含有量のハロゲン化合物を有する。
更にまた、本発明は、発明における粉粒状のシリコンを製造する方法に関し、ここでは、反応器内にハロゲン化ポリシランを連続的に加え、このハロゲン化ポリシランは熱分解される。好ましくは、この場合、ハロゲン化ポリシランは反応器内に滴状にして導入される。この連続した手順により、本発明でのハロゲン化合物の比較的高い所望の含有量が得られる。
更にまた、熱分解は大気圧に関して、10−3mbar〜300mbaの圧力で実施されるのが好ましく、ここでは、100mbarよりも高い圧力が好適する。
本発明の代替方法によれば、熱分解に使用される反応器内は不活性ガス雰囲気、特にアルゴン雰囲気で維持されている。
US 4312849は、シリコンの精製のため、リン不純物を除去する方法を開示する。ここでは、溶融したシリコンが生成され、この湯はリンを除去するために塩素源で処理される。使用される好適な塩素源はガス状の塩素源、特に、Cl2,COCl2,CCl4である。湯には付加的にアルミニウムが付加される。ガス含有塩素源は湯を通じて泡立つ。
EP0007063A1は多結晶シリコンを製造する方法を開示する。ここでは、炭素及びシリコンの混合物が加熱されて湯を形成し、この湯を通じて塩素及び酸素を含むガスが導入される。
ハロゲン含有シリコンと精製されるべき金属シリコンとを混合する工程と、
混合物を溶融し、この湯から不純物を金属ハロゲン化物の形態で昇華して除去する工程と
が実施される。
本発明の第2方法によれば、以下の工程、
精製されるべき金属シリコンを溶融する工程と、
湯にハロゲン含有シリコンを導入し、これにより、湯から不純物を金属ハロゲン化物の形態で昇華して除去する工程と
が実施される。
この場合、使用されるハロゲン含有シリコンは、塩化物含有シリコンであるのが好ましい。
ハロゲン含有シリコンと精製されるべき金属シリコンとの良好な混合を達成するために、好ましくは、粉粒状、特に細かな粉粒状のハロゲン含有シリコンが使用される。この場合、粒子サイズは便宜上、50μm〜20000μmである。好ましくは、ハロゲン含有シリコンは0.2〜1.5g/cm3の嵩密度を有する。
本発明の更なる代替方法は、精製のために使用されるハロゲン含有シリコンのハロゲン化合物の含有量が後処理で設定されるという事実によって特徴付けられる。後処理は真空の下で実施されるのが好ましい。例として、特定のシリコン型(粒子サイズ5μm〜20000μm(篩分け無し)、塩化物含有量15%)の塩化物含有シリコンにおける塩化物の含有量は4時間に亘る1150℃までの焼成により4%に減少される。好適な後処理は例えば、焼成や真空下の焼成である。なお、ハロゲン化合物の粒子サイズは細砕又は篩分けによって決定される。
本発明の使用方法の実施例において、湯にハロゲン含有シリコンが補充される。この場合、「湯」は、ハロゲン含有シリコン及び精製されるべきシリコンを含む混合物の湯、又は、精製されるべきシリコン単独の湯を意味する。両者の場合、実施される「補充」により、対応した精製プロセスはが設定、例えば再調整又は改めて開始される。
本発明の精製は、特にSi結晶化法に例えば、インゴット鋳込み法、チョクラルスキー法、EFG法、ストリングリボン法、RSG法にて使用可能である。
Claims (22)
- 1at%〜50at%の含有量のハロゲンを有するハロゲン化ポリシランを熱分解して得られたことを特徴とするハロゲン含有シリコン。
- 粉粒状の形態をなしていることを特徴とする請求項1に記載のハロゲン含有シリコン。
- 0.2〜1.5g/cm3の嵩密度を有することを特徴とする請求項1又は2に記載のハロゲン含有シリコン。
- 50μm〜20000μmの粒子サイズを有することを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載のハロゲン含有シリコン。
- ハロゲン含有シリコン粒子の隙間にハロシラン(SinX2n+2(X=ハロゲン))を含むことを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載のハロゲン含有シリコン。
- Si原子に化学的にしっかりと結合されたハロゲンを含むことを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載のハロゲン含有シリコン。
- 塩化物を含むことを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載のハロゲン含有シリコン。
- 請求項1〜7の何れかに記載のハロゲン含有シリコンを製造する方法において、前記ハロゲン化ポリシランが反応器内に連続的に加えられ、熱分解されることを特徴とするハロゲン含有シリコンの製造方法。
- 前記ハロゲン化ポリシランが反応器内に滴状にして導入されることを特徴とする請求項8に記載のハロゲン含有シリコンの製造方法。
- 350℃〜1200℃の温度範囲で熱分解を実施することを特徴とする請求項8又は9に記載のハロゲン含有シリコンの製造方法。
- ハロゲン化ポリシランの熱分解温度は400℃よりも低いことを特徴とする請求項10に記載のハロゲン含有シリコンの製造方法。
- 10-3mbar〜300mbarの圧力で前記熱分解を実施することを特徴とする請求項8〜11の何れかに記載のハロゲン含有シリコンの製造方法。
- 前記熱分解に使用される反応器内が不活性ガス雰囲気で維持されていることを特徴とする請求項8〜12の何れかに記載のハロゲン含有シリコンの製造方法。
- 得られたハロゲン含有シリコンにおけるハロゲン化合物の含有量がハロゲン含有シリコンの焼成処理によって設定されることを特徴とする請求項8〜13の何れかに記載のハロゲン含有シリコンの製造方法。
- 請求項1〜14の何れかに記載のハロゲン含有シリコンを使用する方法において、金属シリコンを精製するために、
ハロゲン含有シリコンと精製すべき金属シリコンとを混合する工程と、
混合物を溶解して湯とし、不純物を昇華する工程と
を備えることを特徴とするハロゲン含有シリコンの使用方法。 - 請求項1〜14の何れかに記載のハロゲン含有シリコンを使用する方法において、金属シリコンを精製するために、
精製すべき金属シリコンを溶融する工程と、
湯中にハロゲン含有シリコンを導入し、不純物を昇華する工程と
を備えることを特徴とするハロゲン含有シリコンの使用方法。 - 使用されたハロゲン含有シリコンは、Si片が混合されたハロシラン片を含むハロゲン含有シリコンであることを特徴とする請求項15又は16に記載のハロゲン含有シリコンの使用方法。
- 使用されたハロゲン含有シリコンは、Si原子に化学的に結合されたハロゲンを含むハロゲン含有シリコンであることを特徴とする請求項15〜17の何れかに記載のハロゲン含有シリコンの使用方法。
- 粉粒状のハロゲン含有シリコンが使用されることを特徴とする請求項15〜18の何れかに記載のハロゲン含有シリコンの使用方法。
- 前記湯にハロゲン含有シリコンが補充されることを特徴とする請求項15〜19の何れかに記載のハロゲン含有シリコンの使用方法。
- 前記湯は均質化されていることを特徴とする請求項15〜20の何れかに記載のハロゲン含有シリコンの使用方法。
- Si結晶化法に使用されることを特徴とする請求項15〜21の何れかに記載のハロゲン含有シリコンの使用方法。
Applications Claiming Priority (5)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
DE102008025264.6 | 2008-05-27 | ||
DE102008025263.8 | 2008-05-27 | ||
DE102008025264A DE102008025264A1 (de) | 2008-05-27 | 2008-05-27 | Granulares Silicium |
DE102008025263.8A DE102008025263B4 (de) | 2008-05-27 | 2008-05-27 | Verfahren zum Aufreinigen von metallurgischem Silicium |
PCT/DE2009/000728 WO2009143825A2 (de) | 2008-05-27 | 2009-05-27 | Halogenidhaltiges silicium, verfahren zur herstellung desselben und verwendung desselben |
Publications (3)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2011520763A JP2011520763A (ja) | 2011-07-21 |
JP2011520763A5 JP2011520763A5 (ja) | 2012-05-10 |
JP5878013B2 true JP5878013B2 (ja) | 2016-03-08 |
Family
ID=41119354
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2011510825A Expired - Fee Related JP5878013B2 (ja) | 2008-05-27 | 2009-05-27 | ハロゲン含有シリコン、その製造及び使用方法 |
Country Status (14)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US20110305619A1 (ja) |
EP (1) | EP2300368B1 (ja) |
JP (1) | JP5878013B2 (ja) |
KR (1) | KR101687420B1 (ja) |
CN (1) | CN102099290A (ja) |
AU (1) | AU2009253524B2 (ja) |
BR (1) | BRPI0912174A2 (ja) |
CA (1) | CA2726003C (ja) |
IL (1) | IL209580A (ja) |
MX (1) | MX2010013003A (ja) |
MY (1) | MY157133A (ja) |
RU (1) | RU2500618C2 (ja) |
TW (1) | TW201010941A (ja) |
WO (1) | WO2009143825A2 (ja) |
Families Citing this family (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
DE102008036143A1 (de) | 2008-08-01 | 2010-02-04 | Berlinsolar Gmbh | Verfahren zum Entfernen von nichtmetallischen Verunreinigungen aus metallurgischem Silicium |
DE102009056438B4 (de) | 2009-12-02 | 2013-05-16 | Spawnt Private S.À.R.L. | Verfahren zur Herstellung von Hexachlordisilan |
DE102009056731A1 (de) | 2009-12-04 | 2011-06-09 | Rev Renewable Energy Ventures, Inc. | Halogenierte Polysilane und Polygermane |
DE102014109275A1 (de) | 2014-07-02 | 2016-01-07 | Spawnt Private S.À.R.L. | Verfahren zur Herstellung von Nanopartikeln, Nanopartikel und deren Verwendung |
JP7068034B2 (ja) * | 2018-05-18 | 2022-05-16 | 株式会社トクヤマ | シリコン微粒子及びその製造方法 |
WO2020129499A1 (ja) * | 2018-12-21 | 2020-06-25 | 株式会社トクヤマ | シリコン微粒子及びその製造方法 |
Family Cites Families (9)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
NL90972C (ja) * | 1954-03-12 | |||
US4374182A (en) * | 1980-07-07 | 1983-02-15 | Dow Corning Corporation | Preparation of silicon metal through polymer degradation |
JPS62289224A (ja) * | 1986-06-06 | 1987-12-16 | Rikagaku Kenkyusho | レ−ザ−を用いたシリコンを主成分とする固体生成物の製造法 |
EP0264722A3 (en) * | 1986-10-09 | 1989-07-12 | Mitsubishi Materials Corporation | Process for preparing amorphous silicon |
JPS63225511A (ja) * | 1986-10-09 | 1988-09-20 | Mitsubishi Metal Corp | 非晶質シリコン粉末の製造方法 |
DE3635064A1 (de) * | 1986-10-15 | 1988-04-21 | Bayer Ag | Verfahren zur raffination von silicium und derart gereinigtes silicium |
NO180532C (no) * | 1994-09-01 | 1997-05-07 | Elkem Materials | Fremgangsmåte for fjerning av forurensninger fra smeltet silisium |
DE102005024041A1 (de) * | 2005-05-25 | 2006-11-30 | City Solar Ag | Verfahren zur Herstellung von Silicium aus Halogensilanen |
DK3532603T3 (da) * | 2017-02-28 | 2020-12-07 | Prec Group Limited | Bifidobacterium longum til fordelagtig modulation af immunrespons på respiratorisk virusinfektion |
-
2009
- 2009-05-27 MX MX2010013003A patent/MX2010013003A/es active IP Right Grant
- 2009-05-27 EP EP09753541.3A patent/EP2300368B1/de not_active Not-in-force
- 2009-05-27 TW TW098117635A patent/TW201010941A/zh unknown
- 2009-05-27 CA CA2726003A patent/CA2726003C/en not_active Expired - Fee Related
- 2009-05-27 KR KR1020107029324A patent/KR101687420B1/ko active IP Right Grant
- 2009-05-27 JP JP2011510825A patent/JP5878013B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2009-05-27 US US12/995,136 patent/US20110305619A1/en not_active Abandoned
- 2009-05-27 RU RU2010152679/05A patent/RU2500618C2/ru not_active IP Right Cessation
- 2009-05-27 CN CN2009801193418A patent/CN102099290A/zh active Pending
- 2009-05-27 WO PCT/DE2009/000728 patent/WO2009143825A2/de active Application Filing
- 2009-05-27 AU AU2009253524A patent/AU2009253524B2/en not_active Ceased
- 2009-05-27 MY MYPI2010005614A patent/MY157133A/en unknown
- 2009-05-27 BR BRPI0912174A patent/BRPI0912174A2/pt not_active IP Right Cessation
-
2010
- 2010-11-25 IL IL209580A patent/IL209580A/en not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
AU2009253524B2 (en) | 2015-01-15 |
MY157133A (en) | 2016-05-13 |
KR20110040783A (ko) | 2011-04-20 |
WO2009143825A2 (de) | 2009-12-03 |
WO2009143825A3 (de) | 2010-04-08 |
BRPI0912174A2 (pt) | 2015-10-06 |
RU2010152679A (ru) | 2012-07-10 |
US20110305619A1 (en) | 2011-12-15 |
KR101687420B1 (ko) | 2016-12-20 |
TW201010941A (en) | 2010-03-16 |
MX2010013003A (es) | 2011-09-28 |
IL209580A0 (en) | 2011-01-31 |
EP2300368B1 (de) | 2014-10-08 |
CA2726003A1 (en) | 2009-12-03 |
EP2300368A2 (de) | 2011-03-30 |
RU2500618C2 (ru) | 2013-12-10 |
IL209580A (en) | 2015-02-26 |
CA2726003C (en) | 2017-02-21 |
AU2009253524A1 (en) | 2009-12-03 |
JP2011520763A (ja) | 2011-07-21 |
CN102099290A (zh) | 2011-06-15 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP5878013B2 (ja) | ハロゲン含有シリコン、その製造及び使用方法 | |
JP3122643B2 (ja) | 高純度シリコン粒体の製造方法 | |
US7780938B2 (en) | Production of silicon through a closed-loop process | |
CA2746532C (en) | Method for producing high purity silicon nitride | |
WO2005085133A1 (en) | Process for producing silicon | |
JPH11157982A (ja) | フッ化カルシウム結晶の製造方法および原料の処理方法 | |
RU2451635C2 (ru) | Способ получения высокочистого элементного кремния | |
WO2009028725A1 (ja) | シリコンの製造方法 | |
CA2756474C (en) | Method for the determination of impurities in silicon | |
JPH02111613A (ja) | 寿命の長い単結晶シリコンを生成可能な多結晶シリコン | |
US9327987B2 (en) | Process for removing nonmetallic impurities from metallurgical silicon | |
JP5684345B2 (ja) | 多結晶シリコンの堆積のための方法 | |
JP2011520763A5 (ja) | ||
CN113186590A (zh) | 一种厘米级三氧化钼单晶的制备方法 | |
JPH07215706A (ja) | 窒化珪素粉末の製造方法 | |
RU2588627C1 (ru) | Способ рафинирования металлургического кремния | |
RU2519460C1 (ru) | Способ получения кремния с использованием субхлорида алюминия | |
JPS59121109A (ja) | 高純度シリコンの製造方法 | |
JP6977041B2 (ja) | 多結晶シリコンを調製するための方法 | |
JPS59207830A (ja) | 塩素化ケイ素の製造方法 | |
JP2015113252A (ja) | 亜鉛還元法による多結晶シリコンの製造に用いられる反応容器 | |
US20130206056A1 (en) | Methods of producing crystalline semiconductor materials | |
RU2474537C2 (ru) | Способ получения порошка оксида висмута (iii) | |
RU2450973C2 (ru) | Способ получения оксида олова (iv) | |
JP2020164348A (ja) | 高純度多結晶シリコンの製造方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20120314 |
|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120314 |
|
RD01 | Notification of change of attorney |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A7426 Effective date: 20120314 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A821 Effective date: 20120314 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20130822 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130904 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20131203 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20131210 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20140203 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20140312 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140612 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140619 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20140630 |
|
A602 | Written permission of extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A602 Effective date: 20140707 |
|
A02 | Decision of refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A02 Effective date: 20141210 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150401 |
|
A911 | Transfer to examiner for re-examination before appeal (zenchi) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A911 Effective date: 20150408 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150527 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20150612 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20150715 |
|
A601 | Written request for extension of time |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A601 Effective date: 20151014 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20151214 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20160113 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20160127 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5878013 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
S111 | Request for change of ownership or part of ownership |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R313113 |
|
R350 | Written notification of registration of transfer |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R350 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |