JPS63225511A - 非晶質シリコン粉末の製造方法 - Google Patents
非晶質シリコン粉末の製造方法Info
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- JPS63225511A JPS63225511A JP6419787A JP6419787A JPS63225511A JP S63225511 A JPS63225511 A JP S63225511A JP 6419787 A JP6419787 A JP 6419787A JP 6419787 A JP6419787 A JP 6419787A JP S63225511 A JPS63225511 A JP S63225511A
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- chloropolysilane
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Landscapes
- Silicon Compounds (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は非晶質シリコシ粉末の製造方法に関すている。
従来非晶質シリコン粉末の製造はＳｉＨ４や５ｉ２Ｈ，
，５ｉ３Ｈ＠の分解によって行われていた。
，５ｉ３Ｈ＠の分解によって行われていた。
従来方法では酸素に対して非常に不安定なＳｉＨ。
やＳｉ２Ｈ６，５ｉ３Ｈ，を原料としている為、不活性
雰囲気中で製造を行う必要があるが、この際わずかな酸
素の混入によって爆発の危険があり、この点に問題があ
った。またＳｉＨ４，５ｉ２Ｈ＠等は蒸気圧が高く、保
存にあたっては耐圧ボンベが不可欠であり、保存、取扱
および、その経費の点でも問題がある。
雰囲気中で製造を行う必要があるが、この際わずかな酸
素の混入によって爆発の危険があり、この点に問題があ
った。またＳｉＨ４，５ｉ２Ｈ＠等は蒸気圧が高く、保
存にあたっては耐圧ボンベが不可欠であり、保存、取扱
および、その経費の点でも問題がある。
即ち、非晶質シリコン粉末の製造方法においては、より
活性の低い、安全性の高い物質が原料として強く求めら
れている。
活性の低い、安全性の高い物質が原料として強く求めら
れている。
〔問題点の解決に係わる着眼点、知見〕本発明者らはよ
り安全性の高い非晶質シリコン粉末の製造方法を開発す
べく鋭意検討した結果。
り安全性の高い非晶質シリコン粉末の製造方法を開発す
べく鋭意検討した結果。
クロロポリシランの熱分解による方法が有効であるとの
知見を得１本発明に到達した。
知見を得１本発明に到達した。
即ち、本発明に依れば、非晶質シリコン粉末の製造方法
であって、クロロポリシラン（Ｓ ｘ ｎＣ１２ｎ ＋
２ ｔｎ≧２）または不活性気体で２容量％を超える
範囲に希釈したクロロポリシランを２５０℃以上７００
℃以下で熱分解する事を特徴とする非晶質シリコン粉末
の製造方法が提供される。
であって、クロロポリシラン（Ｓ ｘ ｎＣ１２ｎ ＋
２ ｔｎ≧２）または不活性気体で２容量％を超える
範囲に希釈したクロロポリシランを２５０℃以上７００
℃以下で熱分解する事を特徴とする非晶質シリコン粉末
の製造方法が提供される。
本発明方法において、クロロポリシランを希釈するのに
使用される不活性気体はアルゴンまたはヘリウムである
。
使用される不活性気体はアルゴンまたはヘリウムである
。
２容量％以下に希釈されると、析出するシリコンが膜と
なる。
なる。
本発明における熱分解の方法は、熱を用いて分解する方
法であれば特に限定されないが１例えば所定の温度に加
熱した基体に希釈し、または希釈しないクロロポリシラ
ンガスを吹きつける方法、所定の温度に加熱したクロロ
ポリシランとは反応しないガス雰囲気中にクロロポリシ
ランガスを吹き込む方法、所定の温度に加熱した、クロ
ロポリシランとは反応しないガスをクロロポリシランガ
ス中、又はクロロポリシラン液中に吹き込む方略が挙げ
られる。また分解の際に、クロロポリシランの分解を妨
げない限り他の気体を共存させたり、レーザー、紫外線
、プラズマを使用してもよい。
法であれば特に限定されないが１例えば所定の温度に加
熱した基体に希釈し、または希釈しないクロロポリシラ
ンガスを吹きつける方法、所定の温度に加熱したクロロ
ポリシランとは反応しないガス雰囲気中にクロロポリシ
ランガスを吹き込む方法、所定の温度に加熱した、クロ
ロポリシランとは反応しないガスをクロロポリシランガ
ス中、又はクロロポリシラン液中に吹き込む方略が挙げ
られる。また分解の際に、クロロポリシランの分解を妨
げない限り他の気体を共存させたり、レーザー、紫外線
、プラズマを使用してもよい。
また分解温度は２５０℃以上７００℃以下で、２５０℃
より低いとクロロポリシランは分解し難＜、７００℃を
越えると分解生成物が結晶化し始める為、いずれも不適
当である。
より低いとクロロポリシランは分解し難＜、７００℃を
越えると分解生成物が結晶化し始める為、いずれも不適
当である。
以下本発明を実施例に従って具体的に説明する。
実施例１
容積１ｒｄの立方体型チャンバー内の５００℃に加熱し
た正方形石英板にＳｉｚＣ１ｇガスと希釈アルゴンガス
の混合ガスと（重量で等量混合）を２ｇ／分の割合で１
０時間吹きつけた１反応後チャンバー底部に堆積した褐
色粉は５Ｇ、１．であり、Ｘ線回折により非晶質シリコ
ン粉である事が確認された。
た正方形石英板にＳｉｚＣ１ｇガスと希釈アルゴンガス
の混合ガスと（重量で等量混合）を２ｇ／分の割合で１
０時間吹きつけた１反応後チャンバー底部に堆積した褐
色粉は５Ｇ、１．であり、Ｘ線回折により非晶質シリコ
ン粉である事が確認された。
実施例２
容積２Ｑの反応容器内に５ｉ２Ｃ１６２４００ｇを入れ
室温に保ち、ここへ６００℃に加熱したヘリウムガスを
Ｉｇ／分で１００時間吹き込んだ、生成した褐色粉を濾
別したところ生成量は２００ｇであり、Ｘ線回折により
非晶質シリコンである事が確認された。
室温に保ち、ここへ６００℃に加熱したヘリウムガスを
Ｉｇ／分で１００時間吹き込んだ、生成した褐色粉を濾
別したところ生成量は２００ｇであり、Ｘ線回折により
非晶質シリコンである事が確認された。
実施例３
アルゴンガスで満たした容積１ゴの立方体型チャンバー
内の温度を５００℃に保ち、ここへ５ｉ２Ｃ１・ガスと
アルゴンガスの等量混合物を２ｇ／分の割合は、 １０
時間吹き込んだ１反応後チャンバー底に堆積した褐色粉
は５５．７．であり、Ｘ線回折により非晶質シリコン粉
である事が確認された。
内の温度を５００℃に保ち、ここへ５ｉ２Ｃ１・ガスと
アルゴンガスの等量混合物を２ｇ／分の割合は、 １０
時間吹き込んだ１反応後チャンバー底に堆積した褐色粉
は５５．７．であり、Ｘ線回折により非晶質シリコン粉
である事が確認された。
実施例４〜６．比較例１〜２
分解温度を変えた他は実施例１と同様の反応を行った。
結果は表１の通りである。
実施例７〜９．比較例３
Ｓｉ２Ｃ１，ガスとアルゴンの混合比を変えた他は実施
例１と同様の反応を行った。結果は表２の通りであった
。
例１と同様の反応を行った。結果は表２の通りであった
。
表２
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、非晶質シリコン粉末の製造方法であって、クロロポ
リシラン（Ｓｉ＿ｎＣｌ＿２＿ｎ＿＋＿２、ｎ≧２）ま
たは不活性気体で２容量％を超える範囲に希釈したクロ
ロポリシランを２５０℃以上７００℃以下で熱分解する
事を特徴とする非晶質シリコン粉末の製造方法。 ２、クロロポリシランの種類がＳｉ＿２Ｃｌ＿６である
特許請求の範囲第１項に記載の方法。
Priority Applications (3)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| KR870010937A KR880005031A (ko) | 1986-10-09 | 1987-09-30 | 비정질 실리콘의 제조방법 |
| EP87114667A EP0264722A3 (en) | 1986-10-09 | 1987-10-08 | Process for preparing amorphous silicon |
| US07/456,572 US5034208A (en) | 1986-10-09 | 1989-12-29 | Process for preparing amorphous silicon |
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP61-239274 | 1986-10-09 | ||
| JP23927486 | 1986-10-09 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS63225511A true JPS63225511A (ja) | 1988-09-20 |
Family
ID=17042316
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP6419787A Pending JPS63225511A (ja) | 1986-10-09 | 1987-03-20 | 非晶質シリコン粉末の製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS63225511A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011520763A (ja) * | 2008-05-27 | 2011-07-21 | シュパウント プライベート ソシエテ ア レスポンサビリテ リミテ | ハロゲン含有シリコン、その製造及び使用方法 |
| JP2013512839A (ja) * | 2009-12-02 | 2013-04-18 | シュパウント プライベート ソシエテ ア レスポンサビリテ リミテ | 塩素含有ケイ素 |
| US9327987B2 (en) | 2008-08-01 | 2016-05-03 | Spawnt Private S.A.R.L. | Process for removing nonmetallic impurities from metallurgical silicon |
-
1987
- 1987-03-20 JP JP6419787A patent/JPS63225511A/ja active Pending
Cited By (4)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011520763A (ja) * | 2008-05-27 | 2011-07-21 | シュパウント プライベート ソシエテ ア レスポンサビリテ リミテ | ハロゲン含有シリコン、その製造及び使用方法 |
| US9327987B2 (en) | 2008-08-01 | 2016-05-03 | Spawnt Private S.A.R.L. | Process for removing nonmetallic impurities from metallurgical silicon |
| JP2013512839A (ja) * | 2009-12-02 | 2013-04-18 | シュパウント プライベート ソシエテ ア レスポンサビリテ リミテ | 塩素含有ケイ素 |
| TWI560218B (en) * | 2009-12-02 | 2016-12-01 | Spawnt Private Sarl | Chloride-containing silicon |
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