JPS62289224A - レ−ザ−を用いたシリコンを主成分とする固体生成物の製造法 - Google Patents
レ−ザ−を用いたシリコンを主成分とする固体生成物の製造法Info
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- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 30
- 239000010703 silicon Substances 0.000 title claims abstract description 30
- 239000012265 solid product Substances 0.000 title claims abstract description 26
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 title claims description 10
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 claims abstract description 13
- 238000006303 photolysis reaction Methods 0.000 claims abstract description 7
- 229910008284 Si—F Inorganic materials 0.000 claims abstract description 6
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 25
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 11
- CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N Carbon dioxide Chemical group O=C=O CURLTUGMZLYLDI-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 claims description 9
- 239000000047 product Substances 0.000 claims description 9
- 229910002092 carbon dioxide Inorganic materials 0.000 claims description 7
- 239000001569 carbon dioxide Substances 0.000 claims description 4
- 239000004615 ingredient Substances 0.000 claims 1
- 229910007260 Si2F6 Inorganic materials 0.000 abstract description 4
- 230000015843 photosynthesis, light reaction Effects 0.000 abstract description 4
- SDNBGJALFMSQER-UHFFFAOYSA-N trifluoro(trifluorosilyl)silane Chemical compound F[Si](F)(F)[Si](F)(F)F SDNBGJALFMSQER-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract description 4
- 230000001678 irradiating effect Effects 0.000 abstract description 2
- 239000010408 film Substances 0.000 description 17
- 239000007787 solid Substances 0.000 description 12
- XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N Argon Chemical compound [Ar] XKRFYHLGVUSROY-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 10
- 239000007789 gas Substances 0.000 description 8
- 238000010494 dissociation reaction Methods 0.000 description 7
- 230000005593 dissociations Effects 0.000 description 7
- 229910052786 argon Inorganic materials 0.000 description 5
- 239000012528 membrane Substances 0.000 description 4
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 4
- 238000000354 decomposition reaction Methods 0.000 description 3
- 230000005284 excitation Effects 0.000 description 3
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N Atomic nitrogen Chemical compound N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000010521 absorption reaction Methods 0.000 description 2
- 238000004458 analytical method Methods 0.000 description 2
- 238000001182 laser chemical vapour deposition Methods 0.000 description 2
- 238000004949 mass spectrometry Methods 0.000 description 2
- 238000004445 quantitative analysis Methods 0.000 description 2
- 230000005855 radiation Effects 0.000 description 2
- 150000003377 silicon compounds Chemical class 0.000 description 2
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 2
- 238000005979 thermal decomposition reaction Methods 0.000 description 2
- 241000270281 Coluber constrictor Species 0.000 description 1
- 239000004243 E-number Substances 0.000 description 1
- 235000019227 E-number Nutrition 0.000 description 1
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004566 IR spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 229910004014 SiF4 Inorganic materials 0.000 description 1
- BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N Silane Chemical compound [SiH4] BLRPTPMANUNPDV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004833 X-ray photoelectron spectroscopy Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000007795 chemical reaction product Substances 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- OQZCSNDVOWYALR-UHFFFAOYSA-N flurochloridone Chemical compound FC(F)(F)C1=CC=CC(N2C(C(Cl)C(CCl)C2)=O)=C1 OQZCSNDVOWYALR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000004817 gas chromatography Methods 0.000 description 1
- 238000002290 gas chromatography-mass spectrometry Methods 0.000 description 1
- 229910052732 germanium Inorganic materials 0.000 description 1
- GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N germanium atom Chemical compound [Ge] GNPVGFCGXDBREM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005372 isotope separation Methods 0.000 description 1
- 239000007788 liquid Substances 0.000 description 1
- 239000007791 liquid phase Substances 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000006552 photochemical reaction Methods 0.000 description 1
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
- 229910000077 silane Inorganic materials 0.000 description 1
- ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N silicon tetrafluoride Chemical compound F[Si](F)(F)F ABTOQLMXBSRXSM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000011343 solid material Substances 0.000 description 1
- ATVLVRVBCRICNU-UHFFFAOYSA-N trifluorosilicon Chemical compound F[Si](F)F ATVLVRVBCRICNU-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005292 vacuum distillation Methods 0.000 description 1
Classifications
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B01—PHYSICAL OR CHEMICAL PROCESSES OR APPARATUS IN GENERAL
- B01J—CHEMICAL OR PHYSICAL PROCESSES, e.g. CATALYSIS OR COLLOID CHEMISTRY; THEIR RELEVANT APPARATUS
- B01J19/00—Chemical, physical or physico-chemical processes in general; Their relevant apparatus
- B01J19/08—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor
- B01J19/12—Processes employing the direct application of electric or wave energy, or particle radiation; Apparatus therefor employing electromagnetic waves
- B01J19/121—Coherent waves, e.g. laser beams
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- Crystals, And After-Treatments Of Crystals (AREA)
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
３、発明の詳細な説明
〔産業上の利用分野〕
本発明は、シリコンを主成分とする固体生成物をレーザ
ーを用いてＴＭ造する方法に関する。
ーを用いてＴＭ造する方法に関する。
近年、エレクトロニクスの分野で固体の薄膜が素材とし
て注目を集めており、シリコン膜は太陽電池、半導体デ
バイス、集積回路等に用いられている。そしてこのよう
な膜の製造には気体の光分解あるいは放電分解で生ずる
分解物を表面に付着させる方法がある。光分解の光源に
レーザー光を利用したものはレーザーＣＶ Ｄ （Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ ＶａｐａｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）と
呼ばれている。
て注目を集めており、シリコン膜は太陽電池、半導体デ
バイス、集積回路等に用いられている。そしてこのよう
な膜の製造には気体の光分解あるいは放電分解で生ずる
分解物を表面に付着させる方法がある。光分解の光源に
レーザー光を利用したものはレーザーＣＶ Ｄ （Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ ＶａｐａｒＤｅｐｏｓｉｔｉｏｎ ）と
呼ばれている。
従来、炭酸ガスレーザーＣＶＤ法によりシリコン膜を形
成する方法として、ＳｉＨ１、Ｓ＋２）＋１ガスを用い
たものから知られている。特に、安価で人手しやすいＳ
ｉｔ（４ガスを用いた炭酸ガスレーザーＣＶＤ法による
シリコン膜の形成の研究が盛んである。
成する方法として、ＳｉＨ１、Ｓ＋２）＋１ガスを用い
たものから知られている。特に、安価で人手しやすいＳ
ｉｔ（４ガスを用いた炭酸ガスレーザーＣＶＤ法による
シリコン膜の形成の研究が盛んである。
一方、本発明者等は、シリコン化合物を用いてレーザー
によるシリコンの同位体分離を行うことに成功した（特
願昭６０−２１５７７号）。例えばＳｉ２Ｆ、を炭酸ガ
スレーザーにより同位体分離を行った場合、低次シラン
ＳｉＦ、中に２９Ｓ１および３０Ｓｌが濃縮されている
。
によるシリコンの同位体分離を行うことに成功した（特
願昭６０−２１５７７号）。例えばＳｉ２Ｆ、を炭酸ガ
スレーザーにより同位体分離を行った場合、低次シラン
ＳｉＦ、中に２９Ｓ１および３０Ｓｌが濃縮されている
。
しかしながら、Ｓｉ−Ｆ結合を有する化合物によるレー
ザーを用いた固体生成物もしくは薄膜の製造は現在まで
未到である。
ザーを用いた固体生成物もしくは薄膜の製造は現在まで
未到である。
本発明の目的は、Ｓｉ−Ｆ結合を有する化合物を用いて
、レーザーによるシリコンを主成分とする固体生成物、
更にシリコン同位体選択的な固体生成物を得る製造法を
提供することにある。
、レーザーによるシリコンを主成分とする固体生成物、
更にシリコン同位体選択的な固体生成物を得る製造法を
提供することにある。
われわれは、ここ数年けい素の気体化合物の赤外多光子
解離を利用して、けい素の同位体を分離・濃縮すること
を研究している。その途上で、Ｓｉ−Ｆ結合を持つ化合
物はＣ０２ＴＥＡレーザーで効率よく赤外多光子解離を
起こし、気体生成物と同時に、固体生成物を与えること
を見いだした。
解離を利用して、けい素の同位体を分離・濃縮すること
を研究している。その途上で、Ｓｉ−Ｆ結合を持つ化合
物はＣ０２ＴＥＡレーザーで効率よく赤外多光子解離を
起こし、気体生成物と同時に、固体生成物を与えること
を見いだした。
特に３１□Ｆ６ では多量の固体生成物が生成し、かつ
その成分はけい素が主体となっている。これはシリコン
膜が新しい製造法となり得るものである。
その成分はけい素が主体となっている。これはシリコン
膜が新しい製造法となり得るものである。
さらにＳ＋ａＦ、、で興味深い点は、ＣＯ２ＴＥＡレー
ザーの照射波数を適切に選ぶことで、シリコン膜中の同
位体比を変化させることができることである。
ザーの照射波数を適切に選ぶことで、シリコン膜中の同
位体比を変化させることができることである。
すなわち２８Ｓｌ、′９Ｓ１あるいは３０Ｓｌが選択的
に濃縮されたシリコン膜を作ることが可能となる点であ
る。
に濃縮されたシリコン膜を作ることが可能となる点であ
る。
本発明は、上記の知見により完成されたものであり、Ｓ
ｉ−Ｆ結合を有する化合物のガス雰囲気中にレーザーを
照射して光分解反応を生ぜしめ、シリコンを主成分とす
る固体生成物を得ることを特徴とするものである。
ｉ−Ｆ結合を有する化合物のガス雰囲気中にレーザーを
照射して光分解反応を生ぜしめ、シリコンを主成分とす
る固体生成物を得ることを特徴とするものである。
気相、液相を問わず、適当な化合物にレーザー光を照射
すると、固体の光分解生成物が反応容器の内壁に付着す
ることがある。この方法を有意な膜の製造に応用したも
のがレーザーＣＶＤである。
すると、固体の光分解生成物が反応容器の内壁に付着す
ることがある。この方法を有意な膜の製造に応用したも
のがレーザーＣＶＤである。
有意な膜のひとつはシリコーン膜である。一方、近年レ
ーザー技術の長足の進歩により、広い波長領域にわたっ
て高出力レーザーが開発されているが、赤外領域ではＣ
０２レーザーが有名である。特にＣ０２ＴＥＡレーザー
は極めて高いフルエンスのレーザー光をパルス状に発振
し、それを利用して赤外多光子解離という新しい光化学
現象が発見されるに至った。
ーザー技術の長足の進歩により、広い波長領域にわたっ
て高出力レーザーが開発されているが、赤外領域ではＣ
０２レーザーが有名である。特にＣ０２ＴＥＡレーザー
は極めて高いフルエンスのレーザー光をパルス状に発振
し、それを利用して赤外多光子解離という新しい光化学
現象が発見されるに至った。
Ｓｉ−Ｆ結合の伸縮振動の励起波長は、ＣＯ２レーザー
の波長領域に重なる場合が多い。そしてＳｉＦ、Ｈ、Ｓ
ｉＦ、α、５ｔＦＪｒＳＳ＋Ｆ３ＣＨ３，５１２Ｆ６
などの化合物は、ＣＯ□ ＴＥＡレーザーのパルス光を
、適切なフルエンスで照射すると、赤外多光子解離を起
こす。
の波長領域に重なる場合が多い。そしてＳｉＦ、Ｈ、Ｓ
ｉＦ、α、５ｔＦＪｒＳＳ＋Ｆ３ＣＨ３，５１２Ｆ６
などの化合物は、ＣＯ□ ＴＥＡレーザーのパルス光を
、適切なフルエンスで照射すると、赤外多光子解離を起
こす。
この際ＳｉＦ、で代表される気体生成物と同時に、白色
あるいは着色した固体生成物が生成することも見いださ
れた。特にＳｉ、Ｆ６ は低いフルエンスでも容易に赤
外多光子解離を起こし、効率よく固体生成物を生ずる。
あるいは着色した固体生成物が生成することも見いださ
れた。特にＳｉ、Ｆ６ は低いフルエンスでも容易に赤
外多光子解離を起こし、効率よく固体生成物を生ずる。
以上の結果はＣＶＤに直接応用できるものである。
一方、レーザ°光は波長のひろがりが極めて狭く、もし
分子の吸収に同位体シフトがあれば、適切な波長で同位
体選択的な光分解を行うことができる。
分子の吸収に同位体シフトがあれば、適切な波長で同位
体選択的な光分解を行うことができる。
その結果同位体選択的なＣＶＤが達成されることとなる
。これは原理的には分子の振動励起に基づく赤外多光子
解離、電子励起に基づく紫外・可視光分解を問わず可能
なことといえる。
。これは原理的には分子の振動励起に基づく赤外多光子
解離、電子励起に基づく紫外・可視光分解を問わず可能
なことといえる。
例えばＳｉ２Ｆ、は９８５ｃｍ−’にＳｉ−Ｆ結合の伸
縮振動に基づく非常に強い吸収バンドを持つ。そしてこ
のｅ数の近傍のＣＤ２ＴＥＡレーザー光を照射すると、
効率よく分解し、気体生成物としてはＳｉＦ、を生成す
る。同時に反応管内部に白色あるいは着色した固体も生
成する。レーザー光で強く照射される部分で生成する固
体は茶色であり、弱く照射される部分で生成する固体は
白色である。しかしこの白色の固体も加熱するか、さら
にＣ０２レーザーの光を照射すると黄色から茶色の固体
に変化することが認められた。この様に着色した固体は
フッ累が残有するものの、主成分はけい素である。Ｓｉ
、Ｆ６ に関する定量分析の結果、反応で消失する５１
２ｆ６ 中のけい素の５５〜６０％が気体生成物Ｓｉ、
Ｆ６ に、残りの４５〜４０％は固体生成物に変化する
ことが分った。
縮振動に基づく非常に強い吸収バンドを持つ。そしてこ
のｅ数の近傍のＣＤ２ＴＥＡレーザー光を照射すると、
効率よく分解し、気体生成物としてはＳｉＦ、を生成す
る。同時に反応管内部に白色あるいは着色した固体も生
成する。レーザー光で強く照射される部分で生成する固
体は茶色であり、弱く照射される部分で生成する固体は
白色である。しかしこの白色の固体も加熱するか、さら
にＣ０２レーザーの光を照射すると黄色から茶色の固体
に変化することが認められた。この様に着色した固体は
フッ累が残有するものの、主成分はけい素である。Ｓｉ
、Ｆ６ に関する定量分析の結果、反応で消失する５１
２ｆ６ 中のけい素の５５〜６０％が気体生成物Ｓｉ、
Ｆ６ に、残りの４５〜４０％は固体生成物に変化する
ことが分った。
ｓ＋２）’６ に９４０〜９６０Ｃ！１１−’付近のＣ
Ｏ２ＴＥ Ａレーザー光を照射すると、気体生成物Ｓｉ
Ｆ、中に２９８１．３０８１などが濃縮されることはす
でに明らかにしたく特願昭６０−２１５７７号）。３０
Ｓｌの濃度は５０％程度まで達する。一方、われわれは
その後の研究の結果、固体の物質中にも２９Ｓｉおよび
３０Ｓ１が濃縮されていることを見いだした。全般に高
波数のレーザー光を照射すると、固体生成物中に２８ｃ
、ｉが、また９ ４０〜９６０ｃｍ−’付近のレーザー
光を照射すると、固体生成物中に２９８１がａ縮される
。この様にして同位選択的なＣＶＤが実現される。
Ｏ２ＴＥ Ａレーザー光を照射すると、気体生成物Ｓｉ
Ｆ、中に２９８１．３０８１などが濃縮されることはす
でに明らかにしたく特願昭６０−２１５７７号）。３０
Ｓｌの濃度は５０％程度まで達する。一方、われわれは
その後の研究の結果、固体の物質中にも２９Ｓｉおよび
３０Ｓ１が濃縮されていることを見いだした。全般に高
波数のレーザー光を照射すると、固体生成物中に２８ｃ
、ｉが、また９ ４０〜９６０ｃｍ−’付近のレーザー
光を照射すると、固体生成物中に２９８１がａ縮される
。この様にして同位選択的なＣＶＤが実現される。
本発明によれば、Ｓｉ−Ｆ結合を有する化合物を用いて
レーザーによるシリコンを主成分とする固体生成物が得
られ、これを用いてシリコン薄膜を作成できる。また、
シリコン同位体選択的な生成物、薄膜を作成することも
できる。
レーザーによるシリコンを主成分とする固体生成物が得
られ、これを用いてシリコン薄膜を作成できる。また、
シリコン同位体選択的な生成物、薄膜を作成することも
できる。
図面は本発明を実施するために使用された装置の概略図
である。反応容器１の内部には圧力流量調節器２を介し
てボンベ３からＳｉ２Ｆ、が供給される。この５１２Ｆ
６ の存在する言回気中に定着板４が設置されるが、こ
の定着板４はヒーター５によって加熱される。Ｃ０２レ
ーザー光６が赤外用窓７を介して定着板４に照射される
が、この赤外用窓７はゲルマニウム、ＮａＣｊ２、ＫＢ
ｒ等により形成される。
である。反応容器１の内部には圧力流量調節器２を介し
てボンベ３からＳｉ２Ｆ、が供給される。この５１２Ｆ
６ の存在する言回気中に定着板４が設置されるが、こ
の定着板４はヒーター５によって加熱される。Ｃ０２レ
ーザー光６が赤外用窓７を介して定着板４に照射される
が、この赤外用窓７はゲルマニウム、ＮａＣｊ２、ＫＢ
ｒ等により形成される。
更にこの窓７の内側面に、は圧力流量調節器８を介して
ボンベ９から供給されたアルゴンガスが吹きつけられ、
窓に固体生成物が付着しないようにされている。従って
、反応容器１にはボンベ３に充填されている天然の同位
体組成比のＳｉｎ６が圧力、流量を調節されたうえで流
入し、その後ＣＤ□ レーザー光６による誘起光化学反
応を経て一部の反応生成物およびアルゴンと共に流出す
る。この際反応容器１から流出した気体のうち、アルゴ
ン以外は液体窒素で冷却されたトラップ１０に捕集され
る。この時トラップ１１は閉塞されている。定着仮に付
着した固体試料の加熱分解やあるいはその固体試料の次
段階のレーザー光分解の場合はトラップ１１を閉じ、ト
ラップ１２を開いて反応容器１を十分真空にしてから、
Ｓｉ２Ｆ６ およびアルゴンを流入させずに各分解反応
を行い、分解生成物がトラップ１２に捕集された。
ボンベ９から供給されたアルゴンガスが吹きつけられ、
窓に固体生成物が付着しないようにされている。従って
、反応容器１にはボンベ３に充填されている天然の同位
体組成比のＳｉｎ６が圧力、流量を調節されたうえで流
入し、その後ＣＤ□ レーザー光６による誘起光化学反
応を経て一部の反応生成物およびアルゴンと共に流出す
る。この際反応容器１から流出した気体のうち、アルゴ
ン以外は液体窒素で冷却されたトラップ１０に捕集され
る。この時トラップ１１は閉塞されている。定着仮に付
着した固体試料の加熱分解やあるいはその固体試料の次
段階のレーザー光分解の場合はトラップ１１を閉じ、ト
ラップ１２を開いて反応容器１を十分真空にしてから、
Ｓｉ２Ｆ６ およびアルゴンを流入させずに各分解反応
を行い、分解生成物がトラップ１２に捕集された。
捕集した気体はいずれの場合もほとんどＳｉＦ、かＳｉ
Ｆ、と少量の主反応の８１□Ｆ６ の混合物であるが、
その定量分析は低温蒸留法、ガスクロマトグラフィー、
ガスクロマトグラフ・マススプクトロメーター法、赤外
吸収法、質量分析法によった。
Ｆ、と少量の主反応の８１□Ｆ６ の混合物であるが、
その定量分析は低温蒸留法、ガスクロマトグラフィー、
ガスクロマトグラフ・マススプクトロメーター法、赤外
吸収法、質量分析法によった。
アルゴンおよび８１□Ｆ６ の分圧を例えばそれぞれコ
トル程度となるように調節し、ＣＯ２ＴＥΔレーザーの
パルス光を照射すると、定着板上に白色あるいは着色し
た膜の生成することが認められた。
トル程度となるように調節し、ＣＯ２ＴＥΔレーザーの
パルス光を照射すると、定着板上に白色あるいは着色し
た膜の生成することが認められた。
例えばＣＯ２ＴＥΔレーザーの１０．６μｍバンドのＰ
（１２）線を、０．６〜０．７ Ｊ Ｃｍ−’のフルエ
ンスおよび１ｏｌｌｚのくり返し数で照射した場合に生
成した茶色の膜のＥ Ｓ ＣＡによる分析結果を表１に
示した。この表からも明らかなように、膜の主成分はけ
い素である。一般に定着板上に付着する固体物質は最初
は白色あるいは淡黄色であるが、照射を続けるにつれて
暗茶色に変化する。またＳｉ、Ｆ。
（１２）線を、０．６〜０．７ Ｊ Ｃｍ−’のフルエ
ンスおよび１ｏｌｌｚのくり返し数で照射した場合に生
成した茶色の膜のＥ Ｓ ＣＡによる分析結果を表１に
示した。この表からも明らかなように、膜の主成分はけ
い素である。一般に定着板上に付着する固体物質は最初
は白色あるいは淡黄色であるが、照射を続けるにつれて
暗茶色に変化する。またＳｉ、Ｆ。
の供給を止め、すでに付着した固体物質をさらにレーザ
ー照射した場合、あるいは単に定着板の温度を上げた場
合にも同様な変化が観察された。
ー照射した場合、あるいは単に定着板の温度を上げた場
合にも同様な変化が観察された。
表Ｉ Ｓｉ２ｅ６の１０ Ｐ（１２）線での照射で生
成した膜のＥＳＣ八による分析結果 ある程文膜が付着した状態で一度反応容器を十分に脱気
し、ついで加熱すると、前述のように膜の外観が変化す
るが、同時にＳｉｎ、が膜より発することが認められた
。発生したＳｉＦ、の同位体比を測定した結果を表２お
よび表３に示す。天然のけい素の同位体比は２８Ｓｉ
： ”Ｓｉ ： ”Ｓｉ ＝ ９２．２３％：４．６７
％： ３．１０％である。ＬＯＰ（８）線の照射で生成
した膜より発生するＳｉＦ、には２９Ｓ１が比較的多量
台まれ、ｌ０Ｐ（１２）線の照射で生成した膜より発生
するｓａｐ、には３０ Ｓ：’、が３４％も含まれてい
る。膜の熱分解によりＳｉＦ４が発生する過程では同位
体濃縮が起こることは全く考えられないので、これは膜
自身に各同位体が濃縮されていたものと結論される。
成した膜のＥＳＣ八による分析結果 ある程文膜が付着した状態で一度反応容器を十分に脱気
し、ついで加熱すると、前述のように膜の外観が変化す
るが、同時にＳｉｎ、が膜より発することが認められた
。発生したＳｉＦ、の同位体比を測定した結果を表２お
よび表３に示す。天然のけい素の同位体比は２８Ｓｉ
： ”Ｓｉ ： ”Ｓｉ ＝ ９２．２３％：４．６７
％： ３．１０％である。ＬＯＰ（８）線の照射で生成
した膜より発生するＳｉＦ、には２９Ｓ１が比較的多量
台まれ、ｌ０Ｐ（１２）線の照射で生成した膜より発生
するｓａｐ、には３０ Ｓ：’、が３４％も含まれてい
る。膜の熱分解によりＳｉＦ４が発生する過程では同位
体濃縮が起こることは全く考えられないので、これは膜
自身に各同位体が濃縮されていたものと結論される。
ＳｉＦ、の質量分析における主イオンはＳｉＦ３＋であ
る。
る。
図面は本発明を実施するために使用された装置の本屋略
図である。 【・・・・・・・・反応容器、 ２．８・・・・・・・・・圧力流量調節器、３．９・・
・・・・・・・ボンベ、 ４・・・・・・・・・定着板、 ５・・・・・・・・ヒータ、 ６・・・・・・・・・［０□ レーサー光、７・・・・
・・・・・赤外用窓、 ！０．１１・・・・・・・・・トラップ。 手続補正書（方式） 特許庁長官 黒 １）明 雄 殿 １、事件の表示 昭和６１年特許願第１３１６３０
号３、 ＞ｉｌｉ正をする者 事件との関係 出願人 名称 ＜６７９）理化学研究所 ４、代理人
図である。 【・・・・・・・・反応容器、 ２．８・・・・・・・・・圧力流量調節器、３．９・・
・・・・・・・ボンベ、 ４・・・・・・・・・定着板、 ５・・・・・・・・ヒータ、 ６・・・・・・・・・［０□ レーサー光、７・・・・
・・・・・赤外用窓、 ！０．１１・・・・・・・・・トラップ。 手続補正書（方式） 特許庁長官 黒 １）明 雄 殿 １、事件の表示 昭和６１年特許願第１３１６３０
号３、 ＞ｉｌｉ正をする者 事件との関係 出願人 名称 ＜６７９）理化学研究所 ４、代理人
Claims (4)
- （１）Ｓｉ−Ｆ結合を有する化合物のガス雰囲気中にレ
ーザーを照射して光分解反応を生ぜしめ、シリコンを主
成分とする固体生成物を得ることを特徴とするレーザー
を用いたシリコンを主成分とする固体生成物の製造法。 - （２）前記Ｓｉ−Ｆ結合を有する化合物がＳｉ＿２Ｆ＿
６、ＳｉＦ＿３Ｈ、Ｓｉ＿３ＦＣｌ、ＳｉＦ＿３Ｂｒ、
ＳｉＦ＿３ＣＨ＿３であることを特徴とする特許請求の
範囲第（１）項記載のレーザーを用いたシリコンを主成
分とする固体生成物の製造法。 - （３）前記レーザーが炭酸ガスレーザーであることを特
徴とする特許請求の範囲第（１）項記載のレーザーを用
いたシリコンを主成分とする固体生成物の製造法。 - （４）前記固体生成物がシリコン同位体選択的固体生成
物であることを特徴とする特許請求の範囲第（１）項記
載のレーザーを用いたシリコンを主成分とする固体生成
物の製造法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13163086A JPS62289224A (ja) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | レ−ザ−を用いたシリコンを主成分とする固体生成物の製造法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP13163086A JPS62289224A (ja) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | レ−ザ−を用いたシリコンを主成分とする固体生成物の製造法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS62289224A true JPS62289224A (ja) | 1987-12-16 |
| JPH0580245B2 JPH0580245B2 (ja) | 1993-11-08 |
Family
ID=15062539
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP13163086A Granted JPS62289224A (ja) | 1986-06-06 | 1986-06-06 | レ−ザ−を用いたシリコンを主成分とする固体生成物の製造法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS62289224A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005032697A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-04-14 | Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha | Isotope separation method and working substance for isotope separation |
| JP2011520763A (ja) * | 2008-05-27 | 2011-07-21 | シュパウント プライベート ソシエテ ア レスポンサビリテ リミテ | ハロゲン含有シリコン、その製造及び使用方法 |
| US9327987B2 (en) | 2008-08-01 | 2016-05-03 | Spawnt Private S.A.R.L. | Process for removing nonmetallic impurities from metallurgical silicon |
Families Citing this family (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP3021937U (ja) * | 1995-05-09 | 1996-03-12 | 日泉化学株式会社 | 育苗用筒 |
-
1986
- 1986-06-06 JP JP13163086A patent/JPS62289224A/ja active Granted
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2005032697A1 (en) * | 2003-09-30 | 2005-04-14 | Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha | Isotope separation method and working substance for isotope separation |
| US7307233B2 (en) | 2003-09-30 | 2007-12-11 | Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha | Isotope separation method and working substance for isotope separation |
| AU2003288757B2 (en) * | 2003-09-30 | 2008-07-03 | Kawasaki Jukogyo Kabushiki Kaisha | Isotope separation method and working substance for isotope separation |
| JP2011520763A (ja) * | 2008-05-27 | 2011-07-21 | シュパウント プライベート ソシエテ ア レスポンサビリテ リミテ | ハロゲン含有シリコン、その製造及び使用方法 |
| US9327987B2 (en) | 2008-08-01 | 2016-05-03 | Spawnt Private S.A.R.L. | Process for removing nonmetallic impurities from metallurgical silicon |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH0580245B2 (ja) | 1993-11-08 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
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