JPH02111613A - 寿命の長い単結晶シリコンを生成可能な多結晶シリコン - Google Patents
寿命の長い単結晶シリコンを生成可能な多結晶シリコンInfo
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Abstract
め要約のデータは記録されません。
Description
、5iticon)を生成可能であるシランまたはハロ
ゲン置換シランの分解により製造される高純度多結晶シ
リコンに関する。
よび光検出器に実用性がある。電子装置が精巧になるに
つれて、高純度で比較的欠陥のない単結晶シリコンが求
められる。実際、米国政府は高純度で比較的欠陥のない
単結晶を製造する研究計画を積極的に支持している。
特性は高い比抵抗または固有抵抗および長い寿命である
。半導体材料の固有抵抗はイオン化可能な不純物、例え
ば、ホウ素、リン、ヒ素、アルミニウム、重金属などに
より影響される0これらの材料の寿命は、材料中のキャ
リヤが自由に留まり、材料の4′wlt率に一因する時
間に関係がある。中ヤリャが再結合されると、その寿命
は終る。
電キャリヤとの結合により不完全に起ることがある。従
って、欠陥およびイオン化可能な不純物がない単結晶が
非常に長い寿命を示すものと期待されている。イオン化
可能な不純物の作用を無効にすることができる物質(ド
ーパ7ト)およびキャリヤをトラップすることができる
物質を混入することによって活性および寿命の成る程度
の増大を達成することができる。
る主な方法は周知なチョコラルス中−法およびフロート
ゾーン法であり、これら両方ともi科として多結晶シリ
コンを使用する。チョクラルスキー法では、多結晶シリ
コンの粒子をるつほで融解し、この融液から単結晶シリ
コンを引き上ける。フロートゾーン法はるつばを使用し
ない0むしろ、多結晶シリコンを帯域で加熱し、この加
熱帯域から単結晶シリコンを引く。フロートゾーン法は
、シリコンがるつほに入っていないので、一般に、不純
物の少ない単結晶シリコンを生じることが出来るものと
思わ路上。しかしながら、最近は、高温のシリコン融鞭
をるつほの中心に局部化して保ち、それによりるつほか
らの汚染を最小にする磁気的チョクラルスキー法に向け
られつつある。それにもかかわらず、ppt&(パート
・パー・トリロン)範!28 (M子基準)の不純物が
単結晶シリコンの固有抵抗および寿命に悪影皆してしま
い、従って、フロートシー7法で使用されるような誘導
ヒータから放出される疑似原子さえも容易ならぬ考慮問
題である。
響する。多結晶シリコンはシランまたはハロゲン化シラ
ンの熱分解により商業的に製造される。析出の温度は、
シランを使用するか、あるいはハロゲン化シランを使用
するかにより、400℃〜1200℃以上に及ぶ。不純
物源はいろいろある。例えば、ホウ素、リン、アルミニ
ウムおよびヒ素などの不純物は代表的には、シランまた
はハロゲン化シランを製造するのに使用されるシリコン
源に見られる。こん静置の重金属を処理設備から取出す
ことができる。ガスケット材、潤滑剤、不活性化ガス等
から炭素が導入されることがある。
シリコンに存在し得る不純物である。
しまう。例えば、リン含有黛は、単結晶への転化によっ
て減少させることができ、また結晶を引上げることKよ
って更らに減少させることができる。融液と結晶との間
の不純物の分布率(偏析率)もまた役割をはだす。通常
、結晶構造への不純物の混入は融液中の不純物の濃度よ
シ少ない量である。しかしながら、結晶を引上げるにつ
れて、不純物は融液中でより濃縮されて行き、結晶の後
形成部分には、より多くの不純物が混入される。こj、
らの手法のいずれも、不純物による固有抵抗および寿命
の損失を軽減するには十分に満足であるとFilえず、
単結晶シリコンの多重引上げにより汚染を誘発したり、
多結晶シリコンからの収率の損失を誘発したりする欠点
がある。そのうえ、約0.8の分布率を有するホウ素な
どの不純物については、これらの手法は汚染物を除去す
るに実施可能ではない。
寿命が長い単結晶シリコンを作るのに望ましい原料であ
る。フロートゾーン級(すなわち、チョコラルスキー法
に使用する等級より高い純度)の代表的な市販多結晶シ
リコンは、フロートゾーン処理して単結晶シリコンを生
じた後、ホウ素含有量が約20〜50 ppta(原子
基準)の範囲であり、リン含有量が30〜100 pp
taの鮮囲である0この分野における種々の研究を重ね
たにもかかわらず、ホウ素が20 ppta未満、リン
が20 ppta未満で、固有抵抗が高い、例えば、1
0.000 ohm−備より大きく、寿命が長い、例え
ば、約10.000ミリセ力ンド以上である(1981
年に再認可されたASTM−F−28−75)フロート
ゾーン法で作らねる単結晶シリコンをもたらす市販多結
晶シリコンは利用できるものがなかった。不純物が存在
すると、単結晶シリコンの固有抵抗および寿命に悪影響
するだけではなく、結晶の欠陥もまた固有抵抗および寿
命を低下させる。単結晶シリコンの多重引き、例えば、
反復フロートゾーン処理操作によって欠陥を減少させる
ことができるが、フロートゾーン処理法に特有の単結晶
シリコンの汚染により、不合格品が存在する。
法を提案してきた。最も広〈実施されている商業方法で
あると思われるシーメンズ法は約100℃でのトリクロ
ロシランの分解を伴う。通常、温度を保つべく通電され
る加熱ロッドにシリコンが蒸igれる。SiX又は5i
HX3(X FiCLSBr工である)からのシリコン
の蒸石は米国特許4第3.012,862号および第4
.054.024号に開示きれている。三塩化シリコン
(分解温度が約1200℃である)および西ヨウ化シリ
コン(分解温度が約900℃である)も提案された。い
くつかの製造業者はシランを分解(約400℃〜900
℃の温度)して多結晶シリコンを形成している。分解は
加熱ロンド上、あるいは流体床中で行うことができる0
他の提案では、トリクロロシランを600℃〜800℃
で分解して多結晶シリコンを形成していた。
れていた。米国特許第4,255.465号は微細結晶
の表面を形成する条件下でトリクロロシラン(または他
のシリコン−ハロゲン化合物)を分解する方法に力する
。その特許権者は1aの38〜44行に、 「多結晶シリコンロンドの製造中、粗結晶成長がときど
き起り、無るつぼ式フロートゾーン融解法におけるこれ
らの多結晶ロッドからの単結晶ロッドの製造時に可成り
の結晶格子の欠陥が起ることがわかった0 」 と述べている。
結晶体の大きざを約15まで小さくすることが可能であ
る」 以外、多結晶シリコンの物性の詳細を示していない0 トリクロロシランの分解により製造された市販多結晶シ
リコンは代表的には、光学に4gi鏡検査で容易に観測
できる大きい粒径、し1]えは、10,000〜250
,000オングストロームを有している。もつと以前、
ダイヤ−が米国特許第3.54 r]、 871号に、
シリコンが成長している基質に影響するように分解反応
器内の温度を制御するハロシラン分解方法を提案した。
長を促進したりすると言われている0シランの分解によ
り製造された市販の多結晶シリコンは一般に約100〜
500オ/ゲストロームの範凹の結晶の大きさを有して
いる。
2つの、またはたった2つのフロートゾーニング通路内
で、約15 Ppt昧満のホウ素含有量、約15 pp
td満のリン含有量、少なくとも10.000 ohr
n−cm の比抵抗(ドナー)および少なくとも約10
,000ミクロセカンドの寿命を有する単結晶シリコン
を生じることが可能である多結晶シリコンが提供される
。従って、この単結晶体は比較的、不純物を含有してい
ないだけではなく、比較的結晶欠陥もない。本発明の多
結晶シリコンは、その製造に使用される任意のスタータ
フィラメントを含有し、かつ少なくとも50儒の直径お
よび少なくとも0.5mの長さを有するロッド(棒)で
ある。好ましくは、とのロッドの成長層の密度は少なく
とも2.30、好ましくは2.50〜2.327°/c
dである。この多結晶材料は約28.5°で(111)
ピークの密度の少なくとも約175バーセ/トである2
6.85±0.2 f (2theta)のピークを有
するX#も約a、sOo、好ましくは少なくとも約α5
0°、例えは、約160°〜0.50°である。多結晶
シリコンロッドを1回フロートゾーン処理することによ
って製造された単結晶シリコンの分析により計算した場
合、多結晶シリコンロッドのホウ素およびリン含有量は
、ホウ素の場合、15 ppta未満、リンの場合、2
0 ppta未満、好ましくは15 ppta未満であ
る。本発明のいくつかの実施例では、多結晶構造は、ロ
ッドの@線と直角な多結晶ロッドの横断面およびロッド
の軸線とf行な横断面の光学顕微鏡測定(解像度:0,
5ミクロメートル)により認めることができるように、
ロッドの軸線と平行な方向に配向されている。
度の単結晶シリコンを製造するのに有利に使用すること
ができる。フロートゾーン法および磁気式チョコラルス
千−法などの手法が本発明の多結晶シリコンの高純度特
性の良好な利点を取り入れることは容易にわかる。しか
も、本発明の多結晶シリコンは、1つ又は2rj7のフ
ロートゾーン処理工9、 構造上の欠陥が比較的ない
単結晶シリコンに望ましく転化することができる。
)のX線粉末回折ピーク、および少なくとも約o、27
°(2theta )の(111)ピークのFWHMを
有することを特徴とする高純度の多結晶シリコンはフロ
ートゾーン処理によって比較的欠陥のない単結晶シリコ
ンを容易に形成することができる。
特性のX線パターンにより所望の結晶構造を容易に得る
ことができると思われる。単結晶シリコンは銅放射を使
用して5°と5fとの間に3つの固定用のX線パターン
ピークを有し、すなわち、28.5°の主ピーク(11
1)と、47.3°および5662°の2つのもつと小
さい(220)、(!111)ピークを有することを特
徴とする。なお、X線源によっては、これら3つのピー
クのうちの1つまたはそれ以上が2つのピークとして現
われることもあることはわかるべきである。
リコンは一般VC26,85±0.25°の特性ピーク
(これを有する場合、非常に劣っている)を有するとは
思われない。本発明の多結晶シリコンの約26.85°
のピークの原因は知られていないが、多結晶シリコンク
リスタライトにおける結晶構造内のくり返し現象による
ものと思われる。この現象は不純物を除去し易くしたり
、比較的欠陥のない単結晶を形成可能にしたりするのを
助長し得る。
11)ピークの強さの少なくとも約175パーセント、
好ましくは少なくとも約2パーセント、例えば、約2〜
10ないし15パーセントである。
におけるクリスタライトの大きさに関する情報をなす。
イトの大きさが大きくなる0また、FWHMはクリスタ
ライト内の応力により影響され、より大きい応力はFW
HMを広くする潜在源をなす0本発明の多結晶シリコン
のFWHMはしばしば少なくとも約127°である。
測定することができる。適切な鮮明度は一般に、24〜
68度(2theta )の走査、n、os度の受光ス
リン)、0.01度/ステップおよびzO秒/ステップ
で達成することができる0本発明の実施後に行った分析
により、シランの分解によって製造された市販の多結晶
シリコンも2685±0.25°(2theta )の
X線粉末回折ノくターンのピークを示すことができるこ
とが実証される0しかしながら、この市販の多結晶シリ
コンは本発明により得ることができる高純度で高性能の
単結晶を生じず、このピークの強さは一般K(111)
ピークの強さの175パ一セント未満である。
能の単結晶を生じるのを助けるものと思われる。単結晶
は約2−5397−の密度を有している。本発明の多結
晶シリコ/は双晶、重なり欠陥および転位などの多くの
欠陥を有することを特徴とし、これらの欠陥は豊富であ
るが、小規模である0 多結晶シリコン中のすべての不純物の程度を確実に直接
測定する分析技術は現在存在しない。そのうえ、多結晶
シリコンの性能にとって重要なものは、不純物の含有量
であるばかりではなく、これらの不純物を単結晶シリコ
ン生成物により、いかに取り上げるかである。従って、
ホウ素、リン、ヒ素、アルミニウム等の不純物について
の分析測定は多結晶シリコ/から形成された単結晶シリ
コンで行うのが最良であると思われる。分布率を使用し
て多結晶中のこれらの不純物のaXを戻り算出すること
もできる01つの有用な分析手段はフオリャトランスフ
オーム フォトルミネッセンスである。この技術は単結
晶シリコンを4.2°Kまで冷却し、特定の強さでのパ
ンギャップエネルギより大きい光でサンプルを光励起さ
せることを含む0励起種の崩壊を発光により観察するこ
とができる。
て、不純物の同定は波長に基づくことができる。不純物
の濃度はシリコンの固有のピークに対するピーク高さの
発光量で表わさねる01 pptaはどまでの感度が実
証された○低温条件下の7オリヤ転位赤外線分析法も有
用であるが、この分析法は一般に、フオリアトランス7
オーム フォトルミネッセンス技術と同じ位の感度では
ない。
によって製造される単結晶シリコン中のホウ素濃度は約
1s ppta未満、しばしば約4〜12pptaであ
り、リン濃度は約15 ppta未満、しばしば約4〜
12 pptaである0ヒ素濃度は好ましくは約2 p
pta未満である。本発明の多結晶シリコンの炭素濃度
は約12 ppma(パート、< −ミリオン)(原子
基準)未満、好ましくは約11 ppma未満であるO
有利には、アルミニウム含有量は5 ppta未満であ
るのがよい。
トゾーン′処理法によって製造することができる。フロ
ートゾーン処理操作は、例えば、不純物を導入したシ、
結晶構造に欠陥を発生させたりすることによってサンプ
ルの質に影響を及ぼすことがあるということが当業界で
周知である。分析用のサンプルを製造するーフロートゾ
ーン処理法は直径が約50±1mの多結晶シリコンロッ
ドを粉砕することによシ製造する方法である。このロッ
ドは成長が起る単結晶フィラメント(スタータフィラメ
ント)を含有している0また、このロッドはフロートゾ
ーン装置用に適切にテーパになっている。切削後、この
ロッドを注意深く清浄していずれの汚染物をも除去しな
ければならない。
水素/硝酸/酢酸溶液で)、蒸留脱イオン水でゆすぎ洗
浄することを含む。このフロートゾーン処理はロッドを
誘導加熱により赤熱状7/!i’tで加熱して約15四
の溶融帯域を形成することによって行なわれる。通常、
誘導加熱が効力を生じる前にロッドを約175°〜25
0℃まで予熱しなければならない。この加熱はしばしば
、誘導加熱器でタンタル板を付勢することによって行な
われ、このタンタル板は熱くなると、多結晶シリコンに
熱を放射する。
、結晶は(111)方向の0.25°内に成長される。
15 tm1分の速度で引上げる0多結晶シリコンロツ
ドおよび結晶生成物は回転されている。種々の回転速度
を使用することができるが、多結晶シリコンロンドは約
0.5 rpmで回転させるのがよく、また形成結晶は
反対方向に約7 rpmで回転させるのがよい。フロー
トシー7処理は、有利には、アルゴン雰囲気で行う。長
さ15露の溶融帯域を使用して製造された単結晶ロッド
のサンプルは、単結晶シリコンロッドの開始端から90
削および1505mを分析に取るのがよい。
合、より大きい直径、例えば、70〜150■またはそ
れ以上の直径の結晶が求められる。多結晶シリコンロッ
ドの直径が一般により大きい、例えは、最大で150s
+wまたはそれ以上であること以外は、同様な多結晶シ
リコンロッドの製造が行われる。これらの大径結晶にお
ける比較的欠陥のない結晶構造を達成することは従来、
多結晶シリコンの質にかかわらず、より困難でめった。
のに有利である。成る場合には、多結晶シリコンを70
−トゾーン装置に予め通す(プレバス)ことKよって単
結晶形態への転化を容易にすることができる。引上げ生
成物を形成する速度は最後の結晶を引上ける速度の2倍
又は3倍はど速い。
る。次いで、このプレバス生成物を通常の方法で引上げ
て比較的欠陥のない単結晶生成物を形成することができ
る。
固有抵抗は非常に高く、しはしば少なくとも約10,0
00 ohm−z (ドナー)、時には5 Q、ODD
ohm−α(ドナー)又はそれ以上を越えることもある
。
28〜75に従って行えばよい。本発明の多結晶シリ
コンを使用して製造された単結晶シリコンの寿命は非常
に長く、例えば、少なくとも約10,000ミリセコン
ド、Ltf L、t−j:、少なくとも約20,000
ないし5Q、000ミリセコンドであるので、単結晶シ
リコンの質に関係しない付随作用が寿命の測定に影響す
る。これらの作用のうちの1つは結晶サンプルの我面積
対体積の比である。高い比の場合、キャリヤがよシ頻繁
に表面層に接触し、表面作用のため、再結合されたり、
トラップされたりし、ヤれにより単結晶シリコン自身の
寿命を理論値より低くしてしまう。
化合物およびシランの熱分解によって多結晶シリコンを
得ることができる。これらの手法は周知である。一般に
多結晶シリコンロッドの製造は高温フィラメント上での
ケイ素含有ガスの分解による。この高温フィラメントは
好ましくは単結晶シリコンであり、フィラメントの温度
(例えば、ケイ素含有化合物および求められる蒸着速度
によ!り、400°〜1200℃)はロッドに電流を通
すことによって保たれる0成る反応では、例えば、トリ
クロロシランの分解に使用される反応では、フィラメン
トは初めは別体の熱源により、自己加熱することができ
るのに十分な電流を伝える温度まで加熱される。変更例
として、フィラメントが外部加熱源なしで加熱すること
ができるのに十分な電流を伝えることができる物質(例
えは、8ppbaはどのリン)をフィラメントにドープ
してもよい。
してもわずかなドーパ7トを含有するフィラメントは、
電流を選択的Ilcフィラメントのほんの一部に通す(
そうでなければ、この電流は列状の多数のフィラメント
に通されてしまう)ことによって外部加熱源なしで開始
することができた。
い固有抵抗を有するフィラメントを加熱することができ
る。シリコンを周囲室温から加温すると、シリコンフィ
ラメントの固有抵抗は電流を使用して列中の他のフィラ
メントを加熱することができるほどに増大する。
ン成長表面の温度は分解されるケイ素含有化合物および
所望の蒸着速度により変わる。−般に、ハロシランおよ
びテトラハロケイ素化合物はより高い温度、例えば、6
0♂〜1200℃又はそれ以上を必要とする。しかしな
がら、シランはほとんどのハロシランより低い温度、例
えば400℃又はそれ以下で分解可能であるが、もつと
高い温度を使用することもできる0 分解は代表的には密封容器で行なわれる。画工業界では
、石英容器が使用されていたが、現在は鋼容器が常識で
ある。容器の壁部は、代表的には、容器底面での分解を
最小にするために例えば、25゜〜90℃まで冷却され
る。従来のトリクロロシラン分解容器では、互いに開放
関係にある大きい列のスタータフィラメントが容器内に
収容される。シランは均一に分解する傾向があるため、
例えば、シリコンがフィラメント上に成長するのではな
く、シリコン粉末が生じるため、シラン分解反応器は一
般に1均一分解を促進してしまう不当な高温帯域を回避
するために各フィラメントを他のフィラメントから分離
する。W、C,プレネマン等により1987年6月11
日出願された米国特許出願第62.256号はシランか
ら超高純度多結晶シリコンを製造する改良方法を開示し
ており、この方法では、約6〜23備の有効半径を有す
る冷却包囲体内にフィラメントを収容し、冷却包囲体内
のシラン濃度は少なくとも0.5モルチであり、均一分
解粉末およびガスを冷却包囲体から取り出し、これらの
ガスを少なくとも約50,000i/分の速度で包囲体
に再循環する。しばしは、桝循埠流出はシリコン生産の
1時間あたり20〜2000m’/時/Klである。
得る。テトラハロケイ素およびトリハロシランの場合、
濃度はより容易九分解可能なシランの場合よりも高いの
がよい。しばしば、反応器中のガスは約0.5〜30容
甘チのケイ素含有化合物を含んでいる。他の不活性ガス
を使用することができるが、代表的には、ハロシランお
よびシランの分解生成物が反応器中のガスの残部をなす
。
なケイ素含有化合物でろる0その一理由は、シランをホ
スフィ/や、ジポラン、ケイ素含有化合物のやっかいな
汚染物から蒸留により容易に分離することができるから
である0例えは、トリクロロシランは梯点がもつと高い
ので、蒸留による効果的な分へは行なえない。モレキュ
ラーシーブ吸着剤の使用など、トリクロロシランからホ
スフィンおよびジボラ/を分離するための種々の方法が
提案されている。しかしながら、これらの吸着剤は例え
ばアルミニウムの汚染源であることがある。米国政府が
制定した超高純度シリコンの規格はアルミニウム不純物
が約20 ppta未満の量であることを求めている。
ta未満のアルミニウム濃度が普通である。そのうえ、
シランの分解によれば、代表的には、トリクロロシラン
の分解の場合よ妙も、多結晶シリコンの小さい粒子およ
びクリスタライトが得られる0シランを使用すると、反
応器中のシランの濃度はしばしば約0.5〜1D、好ま
しくは10〜5モルチである。シランの均一分解傾向の
ため、フィラメントの温度は不当な粉末形成を起さずに
所望の成長をもたらすように常時調整される。粉末は反
応器の表面に集まる傾向があり、堆積物が大きすぎると
、この堆積物は反応器表面から分離し、成長しているロ
ッドに接触してこのロッドを汚染してしまう。
には、大気圧又はそれよりわずかに高く、例えば、最高
10気圧であって、ジクロロシランおよびシランなどの
可能なケイ素含有化合物のうちの成る化合物の爆発性に
因り周囲圧力のいくらかが反応器に漏れ入る恐れを最小
にする。
化し得る。例えば、フロートゾーン処理の場合、ロッド
はフロートシー7処理装置に使用するのに適した直径の
ものであるべきである。−般に、スタータフィラメント
の長さは約2mであるが、もつと長い及びもつと短かい
、例えば、0.5〜5mの長さも通用し得る。スター4
フイラメントの長さはロッドの長さを規定するOスター
タフィラメントはしばしば直径が約2〜10s*である
0成長ロツドの直径は通常、少なくとも約50−である
。経済性の面では、より大きい直径が望ましい。しばし
ば、約50〜200■の範囲内の直径が生じる。
砕して断片とし、フロートゾーン法に使用するKは、ロ
ッド状に保つのがよい。フロートゾーン法のロッドは、
代表的には、要直径に切削して広い表面のいずれの形態
学的むらをも除去するO 例として、ステンレス鋼反応器内で、約7mの直径およ
び約175mの長さを有する単結晶シリコンのスタータ
フィラメント忙多結晶シリコンを成長させた。フィラメ
ントはホウ素200 ppta未満、リン200 pp
ta未満、および炭素2 ppma未満を含有している
。スタータロッドは電流だけで加熱して約810℃の平
均温度に保つ。反応器の壁部は約1157(46℃)未
満の温[k保つ0冶金学的シリコンから塩化水素と反応
させてシランに不均化されるトリクロロシランを形成す
ることKよってシランを製造する0シランの唯一の精ロ
ッドの直径が約84mになると、運転を停止するO ロッドをいくつかの技術により分析する。
。約26.85°(2theta)でのピークの相対強
さは(111)ピークの強さの約3パーセントであるo
(111)ピークのFWHMは約(152度である。
フロートシーツ単結晶試料の糾合、12±2pptaの
ホウ素含有量、および13±2PPtaのリン含有量を
示す。アルミニウムは検出されなI/>07才リヤ転移
赤外線分析(低温)によると、約0.07 pprn&
の単結晶試料中の炭素含有分を示す。単結晶試料の固有
抵抗は3Q、 000 ohm−cm以上であプ、その
寿命は実質的に10.000ミリセコンド以上である。
積は大いに寿命に悪影響する。従って、試料の寿命のい
すねの測定も、試料の表面積作用で著しく乱される。第
2A図および第2B図は多結晶シリコン生成物の半径方
向横断面(至)および多結晶シリコン生成物の軸方向横
断面CB)の光学顕微鏡写真である。
クセミコンダクタ社(ヘムロック、ミシガン(試料A)
およびユニオンカーバイド社〔チョコラルスキー紗](
試料B)およびフロートゾーン級(試料C))から入手
し、ワ己々の技術により分析した。
。
れず 0.1158 20 65
0.180.202 C20500,1415〜1.7 0.24〜0.
25第3図、第4図および第5図は夫々、試料A1BS
CのXMパターンである。第6A図および第6B図は試
料Aの光学類′0鋭写真であシ、第6A図は多結晶シリ
コンの半径方向横断面のものであゆ、第6B図は多結晶
シリコンの軸方向横断面のものである。第7A図及び第
7B図は試料Cの光学顕t1it鏡写真であり、vgZ
A図は多結晶シリコンの半径方向横断面のものであり、
W;7B図は多結晶シリコ/の軸方向横断面のものであ
る。
および第2B図は夫々、多結晶シリコン生成物の半径方
向横断面および軸方向横断面の光学顕微鏡写真:第5図
、第4図および第5図は夫々、試料ASB、CのX線回
折パター7図:第6A図および第6B図は夫々、試料A
の半径方向および軸方向の横断面の光学顕微鏡写真;第
7A図および第7B図は夫々、試料Cの半径方向および
伯方向の横断面の光学顕微鏡写真である。 F f G、 1 特許出願人ユニオン、カーバイド、コーポリ・−シ1ン
F I G、 3 FIG、5
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 1、少なくとも10,000ohm−cm(ドナー)の
比抵抗および少なくとも10,000ミリセコンドの寿
命を示す単結晶シリコンを多くとも2回のフロートゾー
ン通路内で生じることが可能である多結晶シリコンロッ
ドにおいて、その製造の際に使用される任意のスタータ
フィラメントと、多結晶成長層とを有しており、上記ロ
ッドは少なくとも50mmの直径および少なくとも0.
5mの長さを有しており、上記多結晶シリコン成長層は
(111)ピークの少なくとも1.75パーセントであ
る26.85±0.25°(2theta)のピークを
有するX線粉末回折パターン(銅放射)を示し、上記多
結晶シリコンロッドは15ppta未満のホウ素および
20ppta未満のリンを含有していることを特徴とす
る多結晶シリコンロッド。 2、多結晶シリコン成長層は少なくとも0.27°の(
111)ピークに対して半最大の銅X線粉末回折パター
ンで全幅を示すことを特徴とする請求項1記載の多結晶
シリコンロッド。 3、シランの熱分解で製造したものであることを特徴と
する請求項2記載の多結晶シリコンロッド。 4、銅X線回折パターンの(111)ピークの半最大で
の全幅は0.30〜0.50°であることを特徴とする
請求項2記載の多結晶シリコンロッド。 5、成長層の多結晶構造はロッドの軸線と平行な方向に
配向していることを特徴とする請求項2記載の多結晶シ
リコンロッド。 6、5ppta未満のアルミニウムを含有していること
を特徴とする請求項1記載の多結晶シリコンロッド。 7、0.1ppma未満の炭素を含有していることを特
徴とする請求項1記載の多結晶シリコンロッド。 8、シリコンよりなり、2mmと10mmとの間の直径
を有するスタータフィラメントを含有していることを特
徴とする請求項1記載の多結晶シリコンロッド。 9、スタータフィラメントは0.2ppba未満のホウ
素および0.2ppba未満のリンを含有していること
を特徴とする請求項1記載の多結晶シリコンロッド。 10、フロートゾーン処理により得られる単結晶シリコ
ンは少なくとも30,000ohm−cm(ドナー)の
固有抵抗および少なくとも20,000ミリセコンドの
寿命を示すことを特徴とする請求項2記載の多結晶シリ
コンロッド。
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