JP2011520763A5 - - Google Patents

Download PDF

Info

Publication number
JP2011520763A5
JP2011520763A5 JP2011510825A JP2011510825A JP2011520763A5 JP 2011520763 A5 JP2011520763 A5 JP 2011520763A5 JP 2011510825 A JP2011510825 A JP 2011510825A JP 2011510825 A JP2011510825 A JP 2011510825A JP 2011520763 A5 JP2011520763 A5 JP 2011520763A5
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
halogen
containing silicon
silicon according
producing
thermal decomposition
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Granted
Application number
JP2011510825A
Other languages
English (en)
Other versions
JP5878013B2 (ja
JP2011520763A (ja
Filing date
Publication date
Priority claimed from DE102008025263.8A external-priority patent/DE102008025263B4/de
Priority claimed from DE102008025264A external-priority patent/DE102008025264A1/de
Application filed filed Critical
Priority claimed from PCT/DE2009/000728 external-priority patent/WO2009143825A2/de
Publication of JP2011520763A publication Critical patent/JP2011520763A/ja
Publication of JP2011520763A5 publication Critical patent/JP2011520763A5/ja
Application granted granted Critical
Publication of JP5878013B2 publication Critical patent/JP5878013B2/ja
Expired - Fee Related legal-status Critical Current
Anticipated expiration legal-status Critical

Links

Claims (23)

  1. 1at%〜50at%の含有量のハロゲン化合物を有するハロゲン化ポリシランを熱分解して得られたことを特徴とするハロゲン含有シリコン。
  2. 粉粒状の形態をなしていることを特徴とする請求項1に記載のハロゲン含有シリコン。
  3. 0.2〜1.5g/cm3の嵩密度を有することを特徴とする請求項1又は2に記載のハロゲン含有シリコン。
  4. 50μm〜20000μmの粒子サイズを有することを特徴とする請求項1〜3の何れかに記載のハロゲン含有シリコン。
  5. ハロゲン含有シリコン粒子の隙間にハロシラン(Sin2n+2(X=ハロゲン))を含むことを特徴とする請求項1〜4の何れかに記載のハロゲン含有シリコン。
  6. Si原子に化学的にしっかりと結合されたハロゲンを含むことを特徴とする請求項1〜5の何れかに記載のハロゲン含有シリコン。
  7. 塩化物を含むことを特徴とする請求項1〜6の何れかに記載のハロゲン含有シリコン。
  8. 請求項1〜7の何れかに記載のハロゲン含有シリコンを製造する方法において、前記ハロゲン化ポリシランが反応器内に連続的に加えられ、熱分解されることを特徴とするハロゲン含有シリコンの製造方法。
  9. 前記ハロゲン化ポリシランが反応器内に滴状にして導入されることを特徴とする請求項8に記載のハロゲン含有シリコンの製造方法。
  10. 350℃〜1200℃の温度範囲で熱分解を実施することを特徴とする請求項8又は9に記載のハロゲン含有シリコンの製造方法。
  11. ハロゲン化ポリシランの熱分解温度は400℃よりも低いことを特徴とする請求項10に記載のハロゲン含有シリコンの製造方法。
  12. 10-3mbar〜300mbarの圧力で前記熱分解を実施することを特徴とする請求項8〜11の何れかに記載のハロゲン含有シリコンの製造方法。
  13. 前記熱分解に使用される反応器内が不活性ガス雰囲気、特にアルゴン雰囲気で維持されていることを特徴とする請求項8〜12の何れかに記載のハロゲン含有シリコンの製造方法。
  14. 得られたハロゲン含有シリコンにおけるハロゲン化合物の含有量がハロゲン含有シリコンの後処理によって設定されることを特徴とする請求項8〜13の何れかに記載のハロゲン含有シリコンの製造方法。
  15. 請求項1〜14の何れかに記載のハロゲン含有シリコンを使用する方法において、金属シリコンを精製するために、
    ハロゲン含有シリコンと精製すべき金属シリコンとを混合する工程と、
    混合物を溶解して、不純物を昇華する工程と
    を備えることを特徴するハロゲン含有シリコンの使用方法。
  16. 請求項1〜14の何れかに記載のハロゲン含有シリコンを使用する方法において、金属シリコンを精製するために、
    精製すべき金属シリコンを溶融する工程と、
    湯中にハロゲン含有シリコンを導入し、不純物を昇華する工程と
    を備えることを特徴とするハロゲン含有シリコンの使用方法。
  17. 使用されたハロゲン含有シリコンは、Si片が混合されたハロシラン片を含むハロゲン含有シリコンであることを特徴とする請求項15又は16に記載のハロゲン含有シリコンの使用方法。
  18. 使用されたハロゲン含有シリコンは、Si原子に化学的に結合されたハロゲンを含むハロゲン含有シリコンであることを特徴とする請求項15〜17の何れかに記載のハロゲン含有シリコンの使用方法。
  19. 粉粒状、特に細かな粉粒状のハロゲン含有シリコンが使用されることを特徴とする請求項15〜18の何れかに記載のハロゲン含有シリコンの使用方法。
  20. 前記湯にハロゲン含有シリコンが補充されることを特徴とする請求項15〜19の何れかに記載のハロゲン含有シリコンの使用方法。
  21. 前記湯は均質化されていることを特徴とする請求項15〜20の何れかに記載のハロゲン含有シリコンの使用方法。
  22. Si結晶化法、特に、インゴット鋳込み法、チョクラルスキー法、EFG法、ストリングリボン法、RSG法に使用されることを特徴とする請求項15〜21の何れかに記載のハロゲン含有シリコンの使用方法。
  23. 請求項15又は請求項16の使用方法によって得られた精製シリコン。
JP2011510825A 2008-05-27 2009-05-27 ハロゲン含有シリコン、その製造及び使用方法 Expired - Fee Related JP5878013B2 (ja)

Applications Claiming Priority (5)

Application Number Priority Date Filing Date Title
DE102008025263.8 2008-05-27
DE102008025263.8A DE102008025263B4 (de) 2008-05-27 2008-05-27 Verfahren zum Aufreinigen von metallurgischem Silicium
DE102008025264.6 2008-05-27
DE102008025264A DE102008025264A1 (de) 2008-05-27 2008-05-27 Granulares Silicium
PCT/DE2009/000728 WO2009143825A2 (de) 2008-05-27 2009-05-27 Halogenidhaltiges silicium, verfahren zur herstellung desselben und verwendung desselben

Publications (3)

Publication Number Publication Date
JP2011520763A JP2011520763A (ja) 2011-07-21
JP2011520763A5 true JP2011520763A5 (ja) 2012-05-10
JP5878013B2 JP5878013B2 (ja) 2016-03-08

Family

ID=41119354

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP2011510825A Expired - Fee Related JP5878013B2 (ja) 2008-05-27 2009-05-27 ハロゲン含有シリコン、その製造及び使用方法

Country Status (14)

Country Link
US (1) US20110305619A1 (ja)
EP (1) EP2300368B1 (ja)
JP (1) JP5878013B2 (ja)
KR (1) KR101687420B1 (ja)
CN (1) CN102099290A (ja)
AU (1) AU2009253524B2 (ja)
BR (1) BRPI0912174A2 (ja)
CA (1) CA2726003C (ja)
IL (1) IL209580A (ja)
MX (1) MX2010013003A (ja)
MY (1) MY157133A (ja)
RU (1) RU2500618C2 (ja)
TW (1) TW201010941A (ja)
WO (1) WO2009143825A2 (ja)

Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE102008036143A1 (de) 2008-08-01 2010-02-04 Berlinsolar Gmbh Verfahren zum Entfernen von nichtmetallischen Verunreinigungen aus metallurgischem Silicium
DE102009056438B4 (de) 2009-12-02 2013-05-16 Spawnt Private S.À.R.L. Verfahren zur Herstellung von Hexachlordisilan
DE102009056731A1 (de) 2009-12-04 2011-06-09 Rev Renewable Energy Ventures, Inc. Halogenierte Polysilane und Polygermane
DE102014109275A1 (de) 2014-07-02 2016-01-07 Spawnt Private S.À.R.L. Verfahren zur Herstellung von Nanopartikeln, Nanopartikel und deren Verwendung
JP7068034B2 (ja) 2018-05-18 2022-05-16 株式会社トクヤマ シリコン微粒子及びその製造方法
JP7384829B2 (ja) * 2018-12-21 2023-11-21 株式会社トクヤマ シリコン微粒子及びその製造方法

Family Cites Families (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
NL90972C (ja) * 1954-03-12
US4374182A (en) * 1980-07-07 1983-02-15 Dow Corning Corporation Preparation of silicon metal through polymer degradation
JPS62289224A (ja) * 1986-06-06 1987-12-16 Rikagaku Kenkyusho レ−ザ−を用いたシリコンを主成分とする固体生成物の製造法
EP0264722A3 (en) * 1986-10-09 1989-07-12 Mitsubishi Materials Corporation Process for preparing amorphous silicon
JPS63225511A (ja) * 1986-10-09 1988-09-20 Mitsubishi Metal Corp 非晶質シリコン粉末の製造方法
DE3635064A1 (de) * 1986-10-15 1988-04-21 Bayer Ag Verfahren zur raffination von silicium und derart gereinigtes silicium
NO180532C (no) * 1994-09-01 1997-05-07 Elkem Materials Fremgangsmåte for fjerning av forurensninger fra smeltet silisium
DE102005024041A1 (de) * 2005-05-25 2006-11-30 City Solar Ag Verfahren zur Herstellung von Silicium aus Halogensilanen
WO2018158306A1 (en) * 2017-02-28 2018-09-07 Alimentary Health Limited Bifidobacterium longum able to beneficially modulate immune response to respiratory virus infection

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JP2011520763A5 (ja)
JP5311930B2 (ja) シリコンの製造方法
US8236266B2 (en) Method and apparatus for purifying metallurgical silicon for solar cells
WO2013178035A1 (zh) 硒化亚铜的制备方法
Radwan et al. A modified direct nitridation method for formation of nano-AlN whiskers
JP5878013B2 (ja) ハロゲン含有シリコン、その製造及び使用方法
JP6017688B2 (ja) シリコンを精製するための方向性凝固において有用なフラックス組成物
Radwan et al. Formation of aluminium nitride whiskers by direct nitridation
JP2014015339A (ja) 炭化珪素粉末の製造方法
US9327987B2 (en) Process for removing nonmetallic impurities from metallurgical silicon
JP2011529841A5 (ja)
Paul et al. Formation of AlN nanowires using Al powder
JP2010052960A (ja) 高純度シリコンの製造方法及び製造装置並びに高純度シリコン
CN105777128A (zh) 一种熔盐辅助镁热还原低温合成碳化铪陶瓷粉体的方法
JP2016003157A (ja) 多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型の離型剤用窒化ケイ素粉末及びその製造方法、多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型の離型剤用窒化ケイ素粉末含有スラリー、ならびに多結晶シリコンインゴット鋳造用鋳型及びその製造方法
JP4888777B2 (ja) 水素貯蔵材料の製造方法
JP2007191341A (ja) シリコンの精錬方法
Yang et al. Effects of diazenedicarboxamide additive on the content of α-Si3N4 synthesized by combustion method
JP2008007395A (ja) 多結晶シリコンの製造方法
JP6565232B2 (ja) 銀の回収方法
JP2015113252A (ja) 亜鉛還元法による多結晶シリコンの製造に用いられる反応容器
JP2021147283A (ja) 複合粒子およびその製造方法
Morito et al. Synthesis of SiC via low-temperature heating of graphite and Si with Na flux
TW201139271A (en) Process for coarse decarburization of a silicon melt
TW201141785A (en) Process for decarburization of a silicon melt