RU2000122454A

RU2000122454A - Способ формирования электропроводящих и/или полупроводниковых трехмерных структур, способ уничтожения этих структур и генератор/модулятор электрического поля для использования в способе формирования

Info

Publication number: RU2000122454A
Application number: RU2000122454/28A
Authority: RU
Inventors: Пер-Эрик Нордаль; Гейрр И. Лейстад; Ханс Гуде Гудесен
Original assignee: Тин Филм Электроникс Аса
Priority date: 1998-01-28
Filing date: 1999-01-28
Publication date: 2002-08-20

Claims

1. Способ формирования электропроводящих и/или полупроводниковых двумерных или трехмерных структур в составной матрице, содержащей один или более материалов, соответственно обеспеченных в одной или более пространственно отдельных и однородных структурах материалов, причем материалы в ответ на подачу энергии могут подвергаться определенным физическим и/или химическим изменениям состояния, которые вызывают переход от электрически непроводящего состояния в электрически проводящее и/или полупроводниковое состояние или наоборот, или изменение в режиме электропроводности материала, причем каждая структура материала изготовлена в форме тонкого слоя, отличающийся тем, что к отдельным слоям прикладывают электрическое поле с заданной напряженностью поля и/или характеристиками, соответствующими определенной реакции материала на энергию, подаваемую полем, осуществляют в каждом случае пространственную модуляцию полей согласно определенному протоколу, который представляет предварительно определенную конфигурацию электропроводящих и/или полупроводниковых структур в рассматриваемой структуре материала, посредством чего в ответ на энергию, подаваемую полем, формируют двумерные электропроводящие и/или полупроводниковые структуры с конфигурацией, предварительно определенной протоколом, и дополнительно укладывают два или более слоев друг на друга в сложенную конфигурацию для получения составной матрицы, сформированной отдельными соседними слоями с электропроводящими и/или полупроводниковыми трехмерными структурами.

2. Способ по п. 1, отличающийся тем, что пространственную модуляцию электрического поля осуществляют в плоскости, существенно параллельной слою, с использованием электродного средства со структурированными электродами, при этом электродное средство путем избирательной подачи напряжения на электроды согласно определенному протоколу формируют электрические точечные или линейные потенциалы, которые формируют электропроводящие и/или полупроводниковые структуры.

3. Способ по п. 1, отличающийся тем, что сложенную конфигурацию, сформированную двумя или более слоями после создания электропроводящей и/или полупроводниковой структуры в каждом слое, объединяют в слоистые многослойные структуры для получения составной матрицы с электропроводящими и/или полупроводниковыми трехмерными структурами.

4. Способ по п. 3, отличающийся тем, что многослойную структуру формируют наложением двух или более самоподдерживающихся слоев для получения сложенной конфигурации.

5. Способ по п. 4, отличающийся тем, что позиционируют слой после наложения на соседние слои так, чтобы две или более двумерные электропроводящие и/или полупроводниковые структуры в первом упомянутом слое согласно протоколу совпадали с одной или более двумерными электропроводящими и/или полупроводниковыми структурами в соседних слоях, посредством чего в поперечном направлении через слои формируют один или более вертикальных электропроводящих и/или полупроводниковых каналов.

6. Способ по п. 5, отличающийся тем, что формируют электропроводящую и/или полупроводниковую структуру, которая образует вертикальный канал, проходящий через слои согласно протоколу, в электропроводящем и/или полупроводниковом соединении с одной или более двумерными электропроводящими и/или полупроводниковыми структурами в этом слое.

7. Способ по п. 6, отличающийся тем, что каждый канал формируют с проводимостью или режимом проводимости, которые постоянны для разных слоев.

8. Способ по п. 6, отличающийся тем, что каждый канал формируют с проводимостью или режимом проводимости, которые изменяются от слоя к слою.

9. Способ полного уничтожения электропроводящих и/или полупроводниковых двумерных или трехмерных структур, сформированных в составной матрице, содержащей один или более материалов соответственно обеспеченных в одной или более пространственно отдельных и однородных структурах материалов, причем материалы в ответ на подачу энергии могут подвергаться определенным физическим и/или химическим изменениям состояния, которые вызывают переход из электрически непроводящего состояния в электрически проводящее и/или полупроводниковое состояние или наоборот, или изменение в режиме электропроводности материала, причем каждая структура материала изготовлена в форме тонкого слоя, отличающийся тем, что осуществляют приложение глобальным образом к составной матрице электрического поля с заданной напряженностью поля и/или характеристиками, соответствующими определенной реакции материала на энергию, обеспечиваемую полем до тех пор, пока материалы в составной матрице в соответствии с энергией, обеспечиваемой полем, полностью не перейдут в электрически непроводящее состояние.

10. Генератор/модулятор электрического поля (ГМЭП) для структурирования и формирования электропроводящих и/или полупроводниковых двумерных или трехмерных структур в составной матрице, содержащей один или более материалов, соответственно обеспеченных в одной или более пространственно отдельных и однородных структурах материалов, причем материалы в ответ на подачу энергии могут подвергаться определенным физическим и/или химическим изменениям состояния, которые вызывают переход из электрически непроводящего состояния в электрически проводящее и/или полупроводниковое состояние или наоборот, или изменение в режиме электропроводности материала, причем каждая структура материала изготовлена в форме тонкого слоя, отличающийся тем, что он содержит первое электродное средство (Е1) с множеством параллельных полосовых электродов (21), размещенных в плоскости, второе электродное средство (Е2) с множеством параллельных полосовых электродов (22), размещенных на расстоянии от первого электродного средства (Е1) и наложенных на него во второй плоскости, параллельной первой плоскости, так что электроды (21, 22) взаимно существенно ортогонально ориентированы в матрицеподобной конфигурации, электродные средства (E1; E2) через устройства коммутации (24; 25) соединены с управляемым источником электропитания (23), причем генератор/модулятор электрического поля (20) в пространстве между электродными средствами (E1, E2) адаптирован для приема тонкопленочного материала в форме дискретного компонента или непрерывной ленты, который без контакта с электродными средствами непрерывно или прерывисто подается через пространство с одновременным позиционированием и выравниванием относительно электродных средств (E1, E2) и между ними в плоскости, существенно параллельной им, посредством чего формируются электропроводящие и/или полупроводниковые структуры согласно определенному протоколу с использованием точечных, линейных или поверхностных потенциалов, созданных между выбранными электродами (21, 22) в электродных средствах (E1; E2), когда на первые через устройства коммутации (24; 25) подается электрическое питание.

11. Генератор/модулятор электрического поля по п. 10, отличающийся тем, что электроды (21; 22) в каждом электродном средстве (E1; E2) размещены на поверхности соответствующих подложек или в них и обращены друг к другу.

12. Генератор/модулятор электрического поля по п. 11, отличающийся тем, что полосовые электроды (21, 22) выполнены как часть подложек и образуют проводящие структуры в материале подложки.

13. Генератор/модулятор электрического поля по п. 10, отличающийся тем, что расстояние между электродными средствами (E1, E2) регулируется в зависимости от толщины тонкопленочного материала.

14. Генератор/модулятор электрического поля по п. 10, отличающийся тем, что электроды (21; 22) в каждом электродном средстве (E1; E2) размещены с взаимным расстоянием 0,1 - 1,0 мкм.

15. Генератор/модулятор электрического поля по п. 10, отличающийся тем, что электроды (21; 22) в каждом электродном средстве (E1; E2) имеют по существу постоянную ширину 0,1 - 1,0 мкм.